散热组件、散热组件的生产方法及电子设备与流程

1.本发明涉及电子设备技术领域，具体涉及一种散热组件、散热组件的生产方法及电子设备。


背景技术：

2.目前用户对电子设备对性能要求越来越高，使得电子设备的芯片的功耗上升，而由于电子设备空间有限，会导致位于电子设备中的芯片发热严重。为了解决电子设备的发热严重的问题，电子设备中设置有散热组件。
3.相关技术中，散热组件包括vc均热板以及石墨散热膜，vc均热板与石墨散热膜连接，芯片产生热量后，热量传递至vc均热板，再由vc均热板传递至石墨散热膜，其中石墨散热膜中加入的单面胶和双面胶，导热系数非常低，限制了石墨散热膜导热性能的进一步提升，导致电子设备的散热性能较差。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供了一种散热组件、散热组件的生产方法以及电子设备，以解决相关技术中散热组件导热性能较差，导致电子设备的散热性能较差的问题。
5.为了解决上述技术问题，本发明是这样实现的：
6.第一方面，本发明实施例提供了一种散热组件，所述散热组件包括均热板以及石墨散热膜，所述石墨散热膜包括导热绝缘片、石墨片，所述石墨片位于所述导热绝缘片以及所述均热板之间，且所述石墨片相对的两面分别与所述导热绝缘片以及所述均热板连接。
7.第二方面，本发明实施例提供了一种散热组件的生产方法，所述生产方法包括：
8.在缓冲液中加入颗粒状的氮化硼，形成第一混合液，其中，所述缓冲液的ph值为8.5；
9.在所述第一混合液中加入盐酸多巴胺，以使所述盐酸多巴胺与所述氮化硼反应，形成颗粒状的反应物；
10.提取所述反应物，并研磨所述反应物，得到研磨后的反应物；
11.将研磨后的反应物加入含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷中，加入硫化剂，得到混合物；
12.将所述混合物辊压形成导热绝缘片；
13.将所述导热绝缘片与石墨片连接，且将所述石墨片与均热板连接，得到散热组件。
14.第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括支架以及上述第一方面中所述的散热组件；
15.所述均热板远离所述石墨片的一侧与所述支架连接。
16.在本发明实施例中，散热组件包括均热板以及石墨散热膜，均热板与石墨散热膜连接，可以通过均热板以及石墨散热膜对电子设备中的芯片产生的热量进行扩散，使得电子设备温度降低。石墨散热膜包括导热绝缘片以及石墨片，石墨片位于导热绝缘片与均热
板之间，且石墨片相对的两面分别与导热绝缘片以及均热板连接，也即是，散热组件包括依次连接的导热绝缘片、石墨片以及均热板，由于石墨散热膜远离均热板的一侧采用的导热绝缘片，因此，石墨散热膜远离均热板的一侧的导热性能较好，从而在将本发明实施例提供的散热组件应用至电子设备中时，电子设备的芯片发热后即可将热量传递至均热板，热量传递至均热板后可以在均热板上扩散，均热板可以将热量传递至石墨散热膜，通过石墨散热膜进行散热，而导热绝缘片的应用使得石墨散热膜的导热性能较好，进而石墨散热膜可以较为快速的散热，从而可以提高散热组件的散热性能。也即是，本发明实施例中，通过在石墨片背离均热板的一侧设置导热绝缘片，可以提高散热组件的导热性能，从而使得电子设备的散热性能较好。
附图说明
17.图1表示本发明实施例提供的一种散热组件的示意图；
18.图2表示本发明实施例提供的另一种散热组件的示意图；
19.图3表示本发明实施例提供的一种均热板的示意图；
20.图4表示本发明实施例提供的一种支撑柱与连接框架的示意图；
21.图5表示本发明实施例提供的一种石墨导热膜的加工示意图；
22.图6表示本发明实施例提供的一种散热组件的加工方法的流程图；
23.图7表示现有技术中石墨片与vc均热板的连接示意图。
24.附图标记：
25.100：散热组件；10：石墨散热膜；20：均热板；11：导热绝缘片；12：石墨片；21：上盖板；22：散热结构；23：下盖板；221：毛细结构；222：支撑柱；223：连接框架；224：第一连接杆；225：第二连接杆；30：单面胶；40：双面胶。
具体实施方式
26.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
27.应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。
28.在对本发明实施例提供的散热组件解释说明之前，先对本发明实施例提供的散热组件的应用场景做具体说明：在相关技术中，石墨片的两侧分别连接有单面胶30以及双面胶40，如图7所示，通过单面胶30以及双面胶40对石墨片12进行封边，组成石墨散热膜，同时通过双面胶40将石墨散热膜与vc均热板连接起来，从而可以通过vc均热板与石墨散热膜对芯片工作产生的热量进行散失。其中，石墨片12的平面导热系数高达1200w/mk，石墨片12的厚度导热系数为10w/mk，而单面胶30以及双面胶40的导热系数为0.16w/mk，导致整个石墨散热膜在厚度方向上的导热系数在0.41w/mk左右，石墨散热膜在平面上的导热系数在
738.5w/mk，即石墨散热膜的平面方向导热系数只有石墨片12的61.5％，厚度方向导热系数只有石墨片12的4.1％，也就是说，单面胶30以及双面胶40极大地增加了石墨散热膜的热阻，导致石墨散热膜的散热性能降低。vc均热板的下盖板23用于接收芯片工作产生的热量，并通过散热结构22散热，再由上盖板21将热量传递至石墨散热膜进一步散热。由于vc均热板的上盖板21与石墨散热膜上的双面胶40连接，即vc均热板与石墨散热膜通过双面胶40连接，而双面胶40的导热系数较小，因此双面胶40也增大了vc均热板与石墨散热膜之间的热阻，降低了vc均热板与石墨散热膜的散热性能。本发明实施例提供的散热组件100就是应用在这种场景中。
29.如图1至图5所示，该散热组件100包括均热板20以及石墨散热膜10，石墨散热膜10包括导热绝缘片11、石墨片12，石墨片12位于导热绝缘片11以及均热板20之间，且石墨片12相对的两面分别与导热绝缘片11以及均热板20连接。
30.在本发明实施例中，散热组件100包括均热板20以及石墨散热膜10，均热板20与石墨散热膜10连接，可以通过均热板20以及石墨散热膜10对电子设备中的芯片产生的热量进行扩散，使得电子设备温度降低。石墨散热膜10包括导热绝缘片11以及石墨片12，石墨片12位于导热绝缘片11与均热板20之间，且石墨片12相对的两面分别与导热绝缘片11以及均热板20连接，也即是，散热组件100包括依次连接的导热绝缘片11、石墨片12以及均热板20，由于石墨散热膜10远离均热板20的一侧采用的导热绝缘片11，因此，石墨散热膜10远离均热板20的一侧的导热性能较好，从而在将本发明实施例提供的散热组件100应用至电子设备中时，电子设备的芯片发热后即可将热量传递至均热板20，热量传递至均热板20后可以在均热板20上扩散，均热板20可以将热量传递至石墨散热膜10，通过石墨散热膜10进行散热，而导热绝缘片11的应用使得石墨散热膜10的导热性能较好，进而石墨散热膜10可以较为快速的散热，从而可以提高散热组件100的散热性能。也即是，本发明实施例中，通过在石墨片12背离均热板20的一侧设置导热绝缘片11，可以提高散热组件100的导热性能，从而使得电子设备的散热性能较好。
31.另外，在一些实施例中，导热绝缘片11的导热系数可以大于0.16w/mk。
32.在本发明实施例中，石墨散热膜10中的导热绝缘片11的导热系数大于0.16w/mk，也即是导热绝缘片11的导热系数大于单面胶的导热系数，从而使得石墨散热膜10的导热系数提高，相比相关技术中，在石墨片12远离均热板20的一侧采用单面胶30的方案，本发明实施例提供的散热组件100可以改善石墨散热膜10的散热性能，进而提高散热组件100的散热性能。
33.需要说明的是，导热绝缘片11可以为柔软材质，柔软材质的导热绝缘片11可以使得导热绝缘片11与其他部件连接时贴合程度较好。
34.另外，在一些实施例中，均热板20可以包括上盖板21、下盖板23以及散热结构22，上盖板21与下盖板23连接形成容纳腔，散热结构23位于容纳腔中，石墨片12与上盖板21连接，上盖板21的材质与导热绝缘片11的材质相同。
35.均热板20包括上盖板21、下盖板23以及散热结构22，上盖板21与下盖板23连接形成容纳腔，散热结构22位于容纳腔中，由于石墨片12与上盖板21连接，因此，在芯片发热的情况下，热量会传递至均热板20，通过均热板20中的散热结构22散热，同时，均热板20还可以通过上盖板21将热量传递至石墨散热膜10，使得热量可以通过石墨散热膜10散失。
36.由于上盖板21的材质与导热绝缘片11的材质相同，也即是，石墨散热膜10与均热板20之间的连接处的导热系数也较好，从而热量由均热板20传递至石墨散热膜10时传递效率也较高，即在本发明实施例中，可以利用该材质的上盖板21减少均热板20的热阻，提高均热板20的散热性能，进而可以提高散热组件100的散热性能。
37.也即是，在本发明实施例中，上盖板21的材质也与导热绝缘片11的材质相同，即石墨片12的两侧均为导热绝缘材料，导热绝缘片11的导热系数大于单面胶的导热系数，上盖板21的材质与导热绝缘片11的材质相同，则可以进一步降低石墨散热膜10的热阻，上盖板21的导热系数大于双面胶的导热系数，可以改善石墨散热膜10以及均热板20的散热性能，并且上盖板21的材质还可以减少均热板20的热阻，进而可以提高散热组件100的散热性能。
38.另外，上盖板21的材质与导热绝缘片11的材质相同，上盖板21也较为柔软，则可以使得上盖板21与石墨层12之间的贴合程度较好，使得石墨散热膜10与均热板20之间的贴合程度较好。也即是，在本发明实施例中，可以通过设置上盖板21的材质与导热绝缘片11的材质相同，从而提升均热板20与石墨散热膜10之间的贴合程度。
39.另外，在一些实施例中，均热板20包括上盖板21、下盖板23以及散热结构22，上盖板21与下盖板23连接形成容纳腔，散热结构22位于容纳腔中，石墨片12与上盖板21连接，上盖板21的材质以及下盖板23的材质均与导热绝缘片11的材质相同。
40.均热板20包括上盖板21、下盖板23以及散热结构22，上盖板21与下盖板23连接形成容纳腔，散热结构22位于容纳腔中，在芯片发热的情况下，热量会传递至均热板20，通过均热板20中的散热结构22散热，同时，均热板20还可以通过上盖板21将热量传递至石墨散热膜10，使得热量可以通过石墨散热膜10散失。
41.由于上盖板21的材质、下盖板23的材质均与导热绝缘片11的材质相同，也即是，均热板20的上盖板21、下盖板23处的导热系数也较好。由于下盖板23是用于吸收芯片工作产生的热量的，上盖板21是用于将热量传递至石墨散热膜10进一步散热的，因此，与导热绝缘片11材质相同的下盖板23吸收热量的效率较高，使得芯片工作产生的热量可以及时的进入散热组件100中进行散热；与导热绝缘片11材质相同的上盖板21则可以使得均热板20与石墨散热膜10之间的热量传递效率较高，使得热量可以及时的进入石墨散热膜10中散失。也即是，在本发明实施例中，芯片工作产生的热量传递至均热板20时的效率较高，且热量由均热板20传递至石墨散热膜10时传递效率也较高，从而可以利用该材质的上盖板21以及下盖板23减少均热板20的热阻，进而可以提高散热组件100的散热性能。
42.此外，在本发明实施例中，由于取消了均热板20与石墨散热膜10之间的双面胶层，直接设置上盖板21与石墨片12连接，因此还可以取消均热板20与石墨散热膜10之间的接触界面，进一步减小散热组件100在均热板20至石墨散热膜10的方向上的热阻，改善散热组件100的散热性能。当然，也可以在上盖板21与石墨片12之间设置双面胶，通过双面胶连接上盖板21与石墨片12。
43.另外，在一些实施例中，还可以只设置下盖板23的材质与导热绝缘片11的材质相同。
44.本发明实施例提供的下盖板23的材质与导热绝缘片11的材质相同，即下盖板23也为导热绝缘材质，从而还可以利用该材质的下盖板23减少均热板20的热阻，与导热绝缘片11材质相同的下盖板23吸收热量的效率较高，使得芯片工作产生的热量可以及时进入散热
组件100中进行散热，提高均热板20的散热性能，进而可以提高散热组件100的散热性能。
45.另外，下盖板23的材质与导热绝缘片11的材质相同，则下盖板23的也较为柔软，可以使得下盖板23与电子设备中其他部件之间的贴合程度较好，即使得均热板20与电子设备中的其他部件的贴合程度较好。
46.另外，在一些实施例中，上盖板21以及下盖板23的材质还可以均为金属材质，石墨片12相对的两面分别与导热绝缘片11以及金属材质的上盖板21连接，直接设置上盖板21与石墨片12连接，取消了均热板20与石墨散热膜10之间的双面胶层，也可以取消均热板20与石墨散热膜10之间的接触界面，减小散热组件100在均热板20至石墨散热膜10的方向上的热阻，改善散热组件100的散热性能。
47.需要说明的是，在上盖板21与下盖板23采用金属材质制作时，上盖板21的材质可以为具有高导热系数的铜材料或者不锈钢材料，当然上盖板21还可以为其他具有高导热系数的金属材料，对于上盖板21的具体材质，本发明实施例不作具体限定。下盖板23也可以为具有高导热系数的铜材料或者不锈钢材料，当然下盖板23还可以为其他具有高导热系数的金属材料，对于下盖板23的具体材质，本发明实施例不作具体限定。
48.另外，在一些实施例中，如图3、图4所示，散热结构22可以包括毛细结构221、支撑柱222以及连接框架223；连接框架223包括沿第一方向间隔设置的多个第一连接杆224，以及沿第二方向间隔设置的多个第二连接杆225，第一连接杆224与第二连接杆225相交且形成多个交点，支撑柱222的一端连接于交点位置处，支撑柱222的另一端位于容纳腔中，连接框架223与上盖板21抵接；毛细结构221设置于下盖板23朝向上盖板21的表面。
49.散热结构22包括，毛细结构221、支撑柱222以及连接框架223，连接框架223与上盖板21抵接，连接框架223可以对上盖板起到支撑作用，即连接框架223的设置可以提高上盖板21的强度，避免上盖板21出现凹陷。连接框架223包括多个第一连接杆224以及沿第二连接杆225，且第一连接杆224与第二连接杆225相交形成多个交点，支撑柱222连接在交点处，则可以保证支撑柱222的位置稳定。
50.毛细结构221设置于上盖板21朝向下盖板23的表面，由于容纳腔中具有导热液，因此，当芯片发热时，容纳腔内的导热液可以吸收芯片的热量蒸发，即导热液受热汽化，汽化后的导热液在容纳腔中流动，流动至远离芯片的一侧，由于该处距离芯片较远，容纳腔的内壁的温度相对较低，因此汽化的导热液可以在远离芯片的一侧凝结成液体，即导热液可以在容纳腔中远离芯片的一侧液化，毛细结构221可将液化后的导热液吸回原处，即液化的导热液通过毛细结构221再回到初始位置，再次汽化吸热，以此来实现散热。
51.其中，容纳腔可以为真空腔室，以使在容纳腔远离芯片的一侧液化的导热液可以通过毛细结构221回到初始位置。毛细结构221可以为编织铜线、铜网、铜粉、沟槽结构中的一种或几种的复合。对于毛细结构221的具体形式，本发明实施例不作具体限定。
52.需要说明的是，第一连接杆224与第二连接杆225位于同一平面，第一连接杆224与第二连接杆225相交形成的连接框架223，既可以与上盖板21朝向下盖板23的表面平行，也均可以与下盖板23朝向上盖板21的表面平行。
53.还需要说明的是，在上盖板21为金属材料的情况下，上盖板21的强度较大，足以满足使用需求，此时，散热结构22可以只包括支撑柱222，即在上盖板21为金属材料的情况下，散热结构22中可以不设置连接框架223，支撑柱222直接与上盖板21朝向下盖板23的表面连
接。
54.另外，在上盖板21的材质与导热绝缘片11的材质相同时，上盖板21较为柔软，从而上盖板21的强度不够，在外力作用下往往容易变形，影响均热板20的散热功能。此时，则需要在上盖板21处设置连接框架223，使得连接框架223与上盖板抵接，通过连接框架233增加上盖板21的强度，防止上盖板21受力变形。
55.另外，在石墨散热膜10中，导热绝缘片11以及上盖板21还可以将石墨片12包裹起来，由导热绝缘片11以及上盖板21对石墨片12进行包封，具体来说，导热绝缘片11与上盖板21连接可形成容纳腔，石墨片12位于容纳腔中，石墨片12的各个表面均与导热绝缘片11或上盖板21连接，从而可以避免石墨片12在使用的过程中出现掉粉。
56.在本发明实施例中，在本发明实施例中，散热组件100包括均热板20以及石墨散热膜10，均热板20与石墨散热膜10连接，可以通过均热板20以及石墨散热膜10对电子设备中的芯片产生的热量进行扩散，使得电子设备温度降低。石墨散热膜10包括导热绝缘片11以及石墨片12，石墨片12位于导热绝缘片11与均热板20之间，且石墨片12相对的两面分别与导热绝缘片11以及均热板20连接，也即是，散热组件100包括依次连接的导热绝缘片11、石墨片12以及均热板20，由于石墨散热膜10远离均热板20的一侧采用的导热绝缘片11，因此，石墨散热膜10远离均热板20的一侧的导热性能较好，从而在将本发明实施例提供的散热组件100应用至电子设备中时，电子设备的芯片发热后即可将热量传递至均热板20，热量传递至均热板20后可以在均热板20上扩散，均热板20可以将热量传递至石墨散热膜10，通过石墨散热膜10进行散热，而导热绝缘片11的应用使得石墨散热膜10的导热性能较好，进而石墨散热膜10可以较为快速的散热，从而可以提高散热组件100的散热性能。也即是，本发明实施例中，通过在石墨片12背离均热板20的一侧设置导热绝缘片11，可以提高散热组件100的导热性能，从而使得电子设备的散热性能较好。
57.本发明实施例提供了一种散热组件的生产方法，如图6所示，该方法包括：
58.步骤601：在缓冲液中加入颗粒状的氮化硼，形成第一混合液，其中，缓冲液的ph值为8.5。
59.其中，颗粒状的氮化硼可以为粒径尺寸在2～5μm的氮化硼颗粒，且颗粒状的氮化硼粒径尺寸不同，从而在将碳化硼加入至缓冲液中时，尺寸较小的氮化硼颗粒可以位于尺寸较大的氮化硼颗粒之间的间隙中，使得对一次可以对较多的氮化硼进行改性，利用率较高。当然，颗粒状的氮化硼也可以为粒径尺寸在2～5μm的氮化硼颗粒，且颗粒状的氮化硼的粒径尺寸相同。
60.另外，缓冲液的ph值为8.5，即缓冲液为碱性溶液，从而有利于缓冲液中的氮化硼与后续加入的材质反应。
61.在本发明实施例中，在步骤601之前，该方法还可以包括：在去离子水中加入三羟甲基氨基甲烷，形成缓冲液。
62.其中，可以在去离子水中可以加入三羟甲基氨基甲烷，通过三羟甲基氨基甲烷调节溶液的ph值，当ph值达到8.5时，此时，可以停止加入三羟甲基氨基甲烷，得到缓冲液。
63.另外，在本发明实施例中，去离子水指的是除去了呈离子形式杂质后的纯水。
64.另外，在本发明实施例中，为了使得缓冲液的ph值为8.5，除了通过三羟甲基氨基甲烷调节ph之外，还可以使用其他可以调节ph值的试剂，例如，在去离子水中加入氢氧化
钾，以得到ph值为8.5的缓冲液。
65.步骤602：在第一混合液中加入盐酸多巴胺，以使盐酸多巴胺与氮化硼反应，形成颗粒状的反应物。
66.在第一混合液中加入盐酸多巴胺，盐酸多巴胺便可以与缓冲液中的氮化硼反应，且这两者反应之后生成颗粒状的反应物。
67.另外，在一些实现方式中，步骤602的实现方式可以为：在预设温度下，向第一混合溶液中加入盐酸多巴胺；在预设温度下，按照预设时长搅拌第一混合溶液，以使盐酸多巴胺与氮化硼反应，形成颗粒状的反应物。
68.其中，在第一混合液中加入盐酸多巴胺之前，可以对第一混合液进行加温，使得第一混合液的温度达到预设温度，此时向第一混合液中加入盐酸多巴胺，盐酸多巴胺与氮化硼在预设温度下可以较好的进行反应。即使得第一混合液的温度达到预设温度，有利于盐酸多巴胺与氮化硼反应。另外，在加入盐酸多巴胺之后，还可以对第一混合液进行保温，即使得第一混合液的温度保持在预设温度，之后可以对第一混合液进行搅拌，通过搅拌，加快盐酸多巴胺与氮化硼的反应进程，其中，可以按照预设时长搅拌第一混合液，使得盐酸多巴胺与氮化硼反应的效果更好。在盐酸多巴胺与氮化硼反应之后，便可以得到颗粒状的反应物，该颗粒状的反应物实际为改性后的氮化硼颗粒，即通过在第一混合液中加入盐酸多巴胺，盐酸多巴胺与氮化硼反应，本质上是为了对氮化硼进行改性，得到改性后的氮化硼。
69.其中，预设温度可以为75℃、预设时长可以为5小时。
70.步骤603：提取反应物，并研磨反应物，得到研磨后的反应物。
71.其中，可以提取第一混合液中的颗粒状反应物。在提取颗粒状态的反应物时，可以将第一混合液进行过滤，过滤之后便可以得到颗粒状的反应物。例如，设置将第一混合液倒入筛网中，液体即可通过筛网，颗粒状的反应物留在筛网上，以将颗粒状的反应物与液体分离，提取出反应物。在提取出反应物之后，便可以对反应物研磨，得到研磨后的反应物，即将颗粒状的反应物进行研磨，以得到更小的颗粒的反应物，有利于后续的加工。
72.另外，在提取反应物之后，颗粒状的反应物上可能粘接有第一混合液的液体，该液体可能会影响后续针对反应物的加工，因此，在提取反应物之后，还可以使用去离子水对反应物进行多次洗涤，即通过去离子水洗涤反应物，以将反应物上的第一混合液的液体清除干净。在对反应物洗涤之后，可以将洗涤后的反应物放入烘干箱中以80℃的温度进行干燥，干燥之后的反应物上不再存在液体，之后在对干燥完成后的反应物进行研磨，研磨后的反应物即为改性后的氮化硼颗粒。
73.步骤604：将研磨后的反应物加入含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷中，加入硫化剂，得到混合物。
74.将研磨后的反应物加入含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷中进行混合，并将加入了研磨后的反应物的乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷置于混炼机上进行混炼，混炼约40分钟直至混炼机的辊筒表面形成光滑无隙的包辊胶，再对光滑无隙的包辊胶进行薄通处理，薄通约5至8次，使得包辊胶的厚度减小。对包辊胶进行薄通处理之后，在辊筒上包辊胶上加入硫化剂，再次进行混炼，在混炼均匀后再次进行薄通处理，薄通处理之后便形成混合物。
75.需要说明的是，硫化剂可以为过氧化二异丙烯，或者硫化剂还可以为过氧化二苯甲酸等等，对于硫化剂的具体形式，本发明实施例不作具体限定。
76.另外，在一些实施例中，步骤604的实现方式可以为：将研磨后的反应物加入乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷中，且研磨后的反应物的质量与混合物的质量的比值为65％。
77.在研磨后的反应物加入含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷时，控制加入含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷中的反应物的量，使得研磨后的反应物的质量与混合物的质量比为65％，以使混炼生成的包辊胶满足要求。
78.需要说明的是，在将研磨后的反应物加入含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷中时，可以分多次加入，使得研磨后的反应物与含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷可以混合均匀。并且，在将研磨后的反应物加入含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷中时，还可以加入配合剂，进一步使得研磨后的反应物与含有乙烯基的聚甲基二苯基硅氧烷可以混合均匀。对于配合剂的具体成分，可以根据实际需要进行设定。
79.步骤605：将混合物辊压形成导热绝缘片。
80.薄通处理之后的混合物在厚度上还不满足使用需求，则在形成混合物之后还需要再对混合物进行辊压，使得混合物形成的导热绝缘片的厚度满足使用需求。在对混合物进行辊压时，可以通过控制辊筒之间的间隙控制形成的导热绝缘片的厚度，使得形成的导热绝缘片满足厚度需求。
81.另外，在对混合物进行辊压形成导热绝缘片11时，还可以在混合物的两侧均设置保护离型膜，在对混合物辊压时，保护离型膜直接与辊筒接触，可以对导热绝缘片11起到保护作用。并且，由于本发明实施例对导热绝缘片11的强度不作限定，可以直接对混合物进行辊压，避免了辊压生成传统导热绝缘片11时需要将混合物压在玻纤等基材上，生成过程较为简单。
82.步骤606：将导热绝缘片与石墨片连接，且将石墨片与上盖板连接，得到散热组件。
83.石墨片12具有相对的两个表面，将得到的导热绝缘片11与石墨片12的一个表面连接，石墨片12的另一个表面与上盖板21连接，从而可以得到石墨散热膜10，如图5所示。将均热板20与石墨片12连接，即可得到散热组件100，得到的散热组件100的导热性能较好，从而可以降低均热板20至石墨散热膜10方向上的热阻，提高散热组件100的散热性能。
84.本发明实施例提供了一种电子设备，其特征在于，电子设备包括支架以及上述第一方面中任一项的散热组件100；均热板20远离石墨层12的一侧与支架连接。
85.电子设备包括支架，支架的一侧连接有散热组件100，且支架与均热板20连接，支架的另一侧连接有芯片，从而，芯片发热时，会先将热量传递至支架，热量会先在支架上扩散，之后会经支架传递至均热板20，并在均热板20上扩散，再经由上盖板21将热量传递至石墨散热膜10，由石墨散热膜10进行散热。散热组件100的散热性能较好，从而设置有散热组件100的电子设备的散热性能也较好，从而可以避免由于芯片升温导致整机运行速度减慢，缩减器件的工作寿命的问题，提高用户的使用体验。
86.需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
87.尽管已描述了本发明实施例的可选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括可选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
88.最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将
一个实体与另一个实体区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括要素的物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
89.以上对本发明所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的原理及实现方式，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。