显示面板及其操作方法与子像素与流程

1.本发明是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种显示面板及其操作方法与子像素。


背景技术：

2.医学文献已有讨论显示器所发出的蓝光成分可能会引起使用者的视觉疲劳和伤害。「减少显示器的有害蓝光成分」的技术可分为软件与硬件两类。软件方法为调整显示画面的红蓝绿比例来降低蓝光成分的强度，但是显示画面会产生色偏问题。硬件方法则是移动元件的蓝光峰值，使其蓝光危害降低。无论如何，现有技术是使用额外的感测器(外接式感测器)去感测显示面板的显示画面的蓝光成分。这样的蓝光感测技术不是即时的，且使用者需要以人工方式操作额外的感测器去感测显示面板的显示画面。
3.为了让使用者了解显示面板的蓝光成分的当下状态，以及(或是)为了自动(定期或不定期)且即时地调整显示参数，「如何即时地感测显示画面的蓝光成分却不需使用外接式感测器」是诸多重要技术课题之一。


技术实现要素：

4.本发明提供一种显示面板及其操作方法与子像素，以自我感测显示画面的特定成分。
5.在本发明的一实施例中，上述的显示面板包括多个子像素。这些子像素中的至少一个子像素包括显示部、第一量子点材料(quantum dot material)以及第一感测元件。第一量子点材料被配置以受来自于显示部的第一光的第一蓝光成分的激发而产生第二光。第一感测元件被配置以感测第二光。其中，第一光的第一蓝光成分的波长不同于第二光的波长，第一量子点材料对第一光的第一蓝光成分具有鉴别性，以及第一蓝光成分与第二光各自属于不同的波长范围。
6.在本发明的一实施例中，上述的操作方法包括：由来自于显示部的第一光的第一蓝光成分激发第一量子点材料而产生第二光；以及由第一感测元件感测第二光。其中，第一光的第一蓝光成分的波长不同于第二光的波长，第一量子点材料对第一光的第一蓝光成分具有鉴别性，以及第一蓝光成分与第二光各自属于不同的波长范围。
7.在本发明的一实施例中，上述的子像素包括显示部以及感测部。感测部包括第一感测电容、第一量子点材料以及第一感测元件。第一感测电容的第一端耦接至第一感测元件的第一端。第一感测元件的第二端耦接至显示面板的第一感测线。第一量子点材料被配置以受来自于显示部的第一光的第一蓝光成分的激发而产生第二光。第一感测元件被配置以感测第二光。第二光影响第一感测元件的第一漏电流。其中，在重置期间，第一感测电容被充电；在感测期间，第一感测元件基于被第二光影响的第一漏电流而泄漏第一感测电容的电荷；以及在读出期间，第一感测元件为导通。
8.基于上述，本发明诸实施例的显示面板的至少一个子像素(子像素电路)包括显示
部以及感测部，其中感测部包括量子点材料以及感测元件。量子点材料对来自于显示部的第一光的第一蓝光成分具有鉴别性。量子点材料受第一光的第一蓝光成分的激发而产生第二光。感测元件可以感测第二光，因此处理电路依据感测元件的感测结果可以即时地知道来自于显示部的第一蓝光成分的强度。也就是说，显示面板可以自我感测显示画面的特定成分(例如第一蓝光成分)，而不需要额外的感测器(外接式感测器)。
9.为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。
附图说明
10.图1是依照本发明的一实施例的一种显示装置的电路方块(circuit block)示意图。
11.图2是依照本发明的一实施例说明图1所示显示部的电路示意图。
12.图3是依照本发明的另一实施例说明图1所示显示部的电路示意图。
13.图4是依照本发明的一实施例的一种显示面板的操作方法的流程示意图。
14.图5是依照本发明的一实施例说明图1所示子像素的剖面示意图。
15.图6是依照本发明的另一实施例说明图1所示子像素的剖面示意图。
16.图7是依照本发明的一实施例说明图1所示感测部的电路示意图。
17.图8是依照本发明的一实施例说明图7所示栅极线与感测电容的信号波形示意图。
18.图9是依照本发明的另一实施例说明图1所示感测部的电路示意图。
19.图10是依照本发明的又一实施例说明图1所示感测部的电路示意图。
20.图11是依照本发明的再一实施例说明图1所示感测部的电路示意图。
21.图12是依照本发明的一实施例说明图11所示栅极线与感测电容的信号波形示意图。
22.图13是依照本发明的更一实施例说明图1所示感测部的电路示意图。
23.图14是依照本发明的一实施例说明图13所示子像素的剖面示意图。
24.图15是依照本发明的另一实施例说明图13所示子像素的剖面示意图。
25.其中，100:显示装置；110:显示面板；111-11、111-12、111-m1、111-1n、111-mn:子像素；120:源极驱动器；130:栅极驱动器；140:处理电路；210:开关；220:晶体管；230:发光元件；310:开关；320:储存电容；330:液晶电容；610:第一基板侧；620:第二基板侧；1420、1520:控制元件；1430、1530:显示结构；b:遮光结构；bm:遮光色阻；c71、c91、c101、c111、c131、c132:感测电容；cf:彩色滤光片；cl1:读出控制线；d1、dm:资料线；dp:显示部；f81、f82、f12_1、f12_k 2、k*f:帧期间；g1、g2、gn:栅极线；l1:第一光；l2:第二光；lamb:环境光；lp:光反射结构；ps:光隔片；qd、qd1、qd2:量子点材料；rl1:重置线；ro:读出期间；rst:重置期间；s1、s1_1、s1_2、sm:感测线；s410、s420:步骤；se、se1、se2:感测元件；sen:感测期间；sp:感测部；sw71:重置开关；vcom:共同电压；vdd:电源电压；vref、vss:参考电压。
具体实施方式
26.在本案说明书全文(包括权利要求书)中所使用的「耦接(或连接)」一词可指任何直接或间接的连接手段。举例而言，若文中描述第一装置耦接(或连接)于第二装置，则应该
被解释成该第一装置可以直接连接于该第二装置，或者该第一装置可以通过其他装置或某种连接手段而间接地连接至该第二装置。本案说明书全文(包括权利要求书)中提及的「第一」、「第二」等用语是用以命名元件(element)的名称，或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量的上限或下限，亦非用来限制元件的次序。另外，凡可能之处，在图式及实施方式中使用相同标号的元件/构件/步骤代表相同或类似部分。不同实施例中使用相同标号或使用相同用语的元件/构件/步骤可以相互参照相关说明。
27.图1是依照本发明的一实施例的一种显示装置100的电路方块(circuit block)示意图。图1所示显示装置100包括显示面板110、源极驱动器(资料驱动器)120、栅极驱动器(扫描驱动器)130以及处理电路140。依照不同的设计需求，上述源极驱动器120、栅极驱动器130以及(或是)处理电路140的实现方式可以是硬件(hardware)、固件(firmware)、软件(software，即程序)或是前述三者中的多者的组合形式。
28.以硬件形式而言，上述源极驱动器120、栅极驱动器130以及(或是)处理电路140可以实现于集成电路(integrated circuit)上的逻辑电路。上述源极驱动器120、栅极驱动器130以及(或是)处理电路140的相关功能可以利用硬件描述语言(hardware description languages，例如verilog hdl或vhdl)或其他合适的编程语言来实现为硬件。举例来说，上述源极驱动器120、栅极驱动器130以及(或是)处理电路140的相关功能可以被实现于一或多个控制器、微控制器、微处理器、特殊应用集成电路(application-specific integrated circuit,asic)、数字信号处理器(digital signal processor,dsp)、场可编程逻辑闸阵列(field programmable gate array,fpga)及/或其他处理单元中的各种逻辑区块、模块和电路。
29.以软件形式及/或固件形式而言，上述源极驱动器120、栅极驱动器130以及(或是)处理电路140的相关功能可以被实现为编程代码(programming codes)。例如，利用一般的编程语言(programming languages，例如c、c 或组合语言)或其他合适的编程语言来实现上述源极驱动器120、栅极驱动器130以及(或是)处理电路140。编程代码可以被记录/存放在「非临时的电脑可读取媒体(non-transitory computer readable medium)」中。在一些实施例中，非临时的电脑可读取媒体例如包括只读存储器(read only memory，rom)、带(tape)、碟(disk)、卡(card)、半导体存储器、可编程设计的逻辑电路以及(或是)储存装置。储存装置包括硬盘(hard disk drive，hdd)、固态硬盘(solid-state drive，ssd)或是其他储存装置。中央处理器(central processing unit，cpu)、控制器、微控制器或微处理器可以从非临时的电脑可读取媒体中读取并执行编程代码，从而实现上述源极驱动器120、栅极驱动器130以及(或是)处理电路140的相关功能。
30.显示面板110包括m*n个子像素，例如图1所示子像素111-11、111-m1、111-1n与111-mn，其中m与n为依照实际设计所决定的整数。这些子像素111-11至111-mn的每一个包括显示部，例如图1所示子像素111-11包括显示部dp。这些子像素111-11至111-mn的显示部dp的每一个的控制端(栅极)经由显示面板110的多条栅极线(扫描线)g1～gn中的一条对应栅极线耦接至栅极驱动器130。这些子像素111-11至111-mn的显示部dp的每一个的资料端(源极)经由显示面板110的多条资料线(源极线)d1～dm中的一条对应资料线耦接至源极驱动器120。
31.显示部dp的实施细节可以依照实际设计来决定。举例来说，在一些实施例中，图1
所示显示部dp可以包括自发光子像素结构(例如，参照图2所示显示部dp的相关说明)以产生第一光l1。在另一些实施例中，图1所示显示部dp可以包括非自发光子像素结构(例如，参照图3所示显示部dp的相关说明)。背光(未绘示于图1)可以通过非自发光子像素结构而产生第一光l1。在又一些实施例中，图1所示显示部dp可以包括习知子像素电路或是其他子像素电路。
32.图2是依照本发明的一实施例说明图1所示显示部dp的电路示意图。图2所示显示部dp是图1所示显示部dp的实施范例，但是图1所示显示部dp的实施不限于图2所示实施例。图2所示显示部dp包括自发光子像素结构(例如开关210、晶体管220与发光元件230)。请参照图1与图2。开关210的控制端(例如栅极)经由显示面板110的多条栅极线(扫描线)g1～gn中的一条对应栅极线耦接至栅极驱动器130。开关210的第一端(资料端，例如源极)经由显示面板110的多条资料线(源极线)d1～dm中的一条对应资料线耦接至源极驱动器120。晶体管220的控制端(例如栅极)耦接至开关210的第二端(例如汲极)。晶体管220的第一端(例如源极)耦接至电源电压vdd。发光元件230的第一端耦接至晶体管220的第二端(例如汲极)。发光元件230的第二端耦接至参考电压vss。电源电压vdd与参考电压vss的准位可以依照实际设计来决定。依照实际设计，在一些实施例中，发光元件230可以包括发光二极管(light emitting diode，led)、微发光二极管、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)或是其他自发光元件。
33.图3是依照本发明的另一实施例说明图1所示显示部dp的电路示意图。图3所示显示部dp是图1所示显示部dp的实施范例，但是图1所示显示部dp的实施不限于图3所示实施例。图3所示显示部dp包括非自发光子像素结构(例如开关310、储存电容320与液晶(liquid crystal)电容330(液晶层)。请参照图1与图3。开关310的控制端(例如栅极)经由显示面板110的多条栅极线(扫描线)g1～gn中的一条对应栅极线耦接至栅极驱动器130。开关310的第一端(资料端，例如源极)经由显示面板110的多条资料线(源极线)d1～dm中的一条对应资料线耦接至源极驱动器120。储存电容320与液晶电容330的第一端耦接至开关210的第二端(例如汲极)。储存电容320与液晶电容330的第二端耦接至共同电压vcom。共同电压vcom的准位可以依照实际设计来决定。
34.请参照图1，这些子像素111-11至111-mn中的至少一个子像素包括感测部。例如，子像素111-11包括感测部sp。依照实际设计，子像素111-11的相关说明可以适用于显示面板110的其他子像素中的一者或是多者(甚至是全部)。这些子像素111-11至111-mn的感测部sp可以经由显示面板110的多条感测线s1～sm中的一条对应感测线将感测结果提供给处理电路140。子像素111-11的感测部sp包括量子点材料qd(quantum dot material，未绘示于图1，将于稍后的实施例中详述)以及感测元件se(未绘示于图1，将于稍后的实施例中详述)。
35.图4是依照本发明的一实施例的一种显示面板的操作方法的流程示意图。请参照图1与图4。来自于子像素111-11的显示部dp的第一光l1的一部分可以照射到子像素111-11的感测部sp的量子点材料qd(未绘示于图1)。在步骤s410中，感测部sp的量子点材料qd可以受来自于显示部dp的第一光l1的第一蓝光成分的激发而产生第二光。量子点材料qd对第一光l1的第一蓝光成分具有鉴别性。亦即，第一光l1的某个特定波长范围容易激发量子点材料qd，但是第一光l1的其他波长范围却不容易(甚至不能)激发量子点材料qd。藉由量子点
材料qd的成分调制，特定波长范围(第一蓝光成分)可以依照实际设计来决定。例如在一些实施例中，第一蓝光成分(特定波长范围)可以属于蓝色波长范围(例如是波长小于455nm的蓝光)。量子点材料qd可以受第一光l1的第一蓝光成分的激发而产生第二光，其中第一蓝光成分与第二光各自属于不同的波长范围。
36.量子点材料qd(未绘示于图1)依照实际设计来决定。例如在一些实施例中，量子点材料qd可以包括无机化合物、无机复合卤素钙钛矿材料(organic inorganic hybrid halide perovskite)或是其他量子点材料。无机化合物可以包括pbs、bas、cdte、gaas、ingaas、cuins2或是其他无机化合物。无机复合卤素钙钛矿材料可以包括a
n 1
bnx
3n 1
、cspbcl3、cspb(cl/br)3、cspbbr3、cspb(i/br)3、cspbi3或是其他无机复合卤素钙钛矿材料。
37.子像素111-11的感测部sp的感测元件se(未绘示于图1)可以感测量子点材料qd(未绘示于图1)所产生的第二光。依照实际设计，感测元件se可以包括光晶体管、光电阻或是其他感光元件。第一光l1的第一蓝光成分的波长不同于第二光的波长。基于量子点材料qd对第一光l1的第一蓝光成分的鉴别性，感测部sp的感测元件se的感测结果是响应于第一光l1的第一蓝光成分，而且感测元件se的感测结果不容易受第一光l1的其他成分的影响。为了避免第一光l1的其他成分影响感测元件se的感测结果，感测元件se的位置在第一光l1的照射范围外。
38.图5是依照本发明的一实施例说明图1所示子像素111-11的剖面示意图。图5绘示了显示部dp的晶体管220与发光元件230以及感测部sp的蓝光感应电容(blue light sensor capacitance)csen、量子点材料qd与感测元件se。图5所示蓝光感应电容csen可以参照图7所示感测电容c71的相关说明，或是参照图9所示感测电容c91的相关说明，或是参照图10所示感测电容c101的相关说明，或是参照图11所示感测电容c111的相关说明，或是参照图13所示感测电容c131以及/或是c132的相关说明。图5所示显示部dp以及感测部sp可以参照图1所示显示部dp以及感测部sp的相关说明。图5所示晶体管220与发光元件230可以参照图2所示晶体管220与发光元件230的相关说明。图1与图4所示实施例所提及的量子点材料qd与感测元件se可以参照图5所示量子点材料qd与感测元件se的相关说明。
39.图5所示子像素111-11更包括光反射结构lp。光反射结构lp适于改变第一光l1的一部分的方向，以将第一光l1的一部分反射至量子点材料qd。依照实际设计，光反射结构lp可以包括反射层(reflector layer)、防光层(light-proof layer)、吸收层(absorption layer)以及(或是)其他结构。依照实际设计，反射层的材质可以包括铝、合金铝、氧化铝、铜、金、多层膜反射材料以及(或是)其他材质。吸收层的材质可以包括铬(cr)、氧化铬(cro)、碳黑树酯(carbon black resin)、纳米碳黑(nano carbon black)以及(或是)其他材质。
40.在图5所示实施例中，量子点材料qd被配置在光反射结构lp与感测元件se之间。例如，量子点材料qd可以覆盖感测元件se。量子点材料qd可以受第一光l1的一部分的第一蓝光成分的激发而产生第二光给感测元件se。在图5所示实施例中，因为量子点材料qd覆盖感测元件se，所以感测元件se位在第一光l1的照射范围外，且感测元件se可以感测量子点材料qd所产生的第二光。藉由量子点材料qd的成分调制，第二光的波长可以依照实际设计来决定。举例来说，第二光的波长区间可以较第一光l1的波长区间窄。依照实际设计，在一些实施例中，第一光l1的主要波长区间(占比90％以上)为400nm～500nm，而第二光的主要波
长区间(占比90％以上)为350nm～450nm。在另一些实施例中，第一光l1的主要波长区间(占比90％以上)为400nm～500nm，而第二光的主要波长区间(占比90％以上)为350nm～380nm。
41.图6是依照本发明的另一实施例说明图1所示子像素111-11的剖面示意图。图6绘示了遮光色阻(black matrix)bm、彩色滤光片(color filter)cf、光隔片(photo spacer)ps。图6还绘示了显示部dp的开关310与液晶电容330以及感测部sp的量子点材料qd与感测元件se。图6所示显示部dp以及感测部sp可以参照图1所示显示部dp以及感测部sp的相关说明。图6所示开关310与液晶电容330可以参照图3所示开关310与液晶电容330的相关说明。背光(未绘示)所提供的第一光l1可以通过液晶电容330与彩色滤光片cf。图1与图4所示实施例所提及的量子点材料qd与感测元件se可以参照图6所示量子点材料qd与感测元件se的相关说明。
42.图6所示子像素111-11更包括遮光结构b，其中遮光结构b包括量子点材料qd。依照实际设计，遮光结构b配置在显示面板的第一基板侧610，而开关310与感测元件se配置在显示面板的第二基板侧620。遮光结构b至于第一光l1的一部分的光径中。因此，量子点材料qd可以接收来自于第一方向的第一光l1的部分。基于第一光l1的第一蓝光成分的激发，量子点材料qd可以产生第二光l2给在第二方向的感测元件se。在图6所示实施例中，感测元件se位在第一光l1的照射范围外，且感测元件se可以感测量子点材料qd所产生的第二光l2。
43.藉由量子点材料qd的成分调制，第二光l2的波长可以依照实际设计来决定。举例来说，第二光l2的波长区间可以较第一光l1的波长区间窄。依照实际设计，在一些实施例中，第一光l1的主要波长区间(占比90％以上)为400nm～500nm，而第二光l2的主要波长区间(占比90％以上)为350nm～450nm。在另一些实施例中，第一光l1的主要波长区间(占比90％以上)为400nm～500nm，而第二光l2的主要波长区间(占比90％以上)为350nm～380nm。
44.图7是依照本发明的一实施例说明图1所示感测部sp的电路示意图。图7所示子像素111-11与111-12是图1所示显示面板110的两个子像素的实施范例，但是图1所示显示面板110的子像素的实施不限于图7所示实施例。依照实际设计，图7所示子像素111-11的相关说明可以适用于显示面板110的其他子像素中的一者或是多者(例如图7所示子像素111-12)。
45.图7所示子像素111-11的显示部dp的控制端(栅极)经由显示面板110的栅极线g1耦接至栅极驱动器130，而子像素111-11的显示部dp的资料端(源极)经由显示面板110的资料线d1耦接至源极驱动器120。以此类推，子像素111-12的控制端(栅极)经由显示面板110的栅极线g2耦接至栅极驱动器130，而子像素111-12的资料端(源极)经由显示面板110的资料线d1耦接至源极驱动器120。图7所示显示部dp可以参照图1、图2或图3的相关说明，故不再赘述。
46.图7所示感测部sp包括量子点材料qd(未绘示于图7)、感测元件se、感测电容c71以及重置开关sw71。图7所示感测电容c71可以参照图5所示蓝光感应电容csen的相关说明。感测电容c71的第一端耦接至感测元件se的第一端。感测元件se的第二端耦接至显示面板110的感测线s1。量子点材料qd可以受来自于显示部dp的第一光l1的第一蓝光成分的激发而产生第二光l2。依照实际设计，图7的实施例所述量子点材料、显示部dp、第一光l1与第二光l2可以参照图5的实施例所述量子点材料qd、显示部dp、第一光l1与第二光的相关说明，或是参照图6的实施例所述量子点材料qd、显示部dp、第一光l1与第二光l2的相关说明。感测元
件se可以感测量子点材料qd所产生的第二光l2，其中所述第二光l2影响感测元件se的漏电流。依照实际设计，图7所示感测元件se的相关说明可以适用于图5或图6所示感测元件se。
47.在重置期间，感测电容c71被充电。在感测期间，基于被量子点材料qd所产生的第二光l2影响的漏电流，感测元件se泄漏感测电容c71的电荷。在读出期间，感测元件se为导通，因此处理电路140可以经由感测线s1与感测元件se去侦测感测电容c71的电荷量(感测结果)。
48.显示部dp的控制端与感测元件se的控制端共同耦接至显示面板110的栅极线g1。重置开关sw71的第一端耦接至感测电容c71的第一端。感测电容c71的第二端耦接至参考电压vref。依照实际设计，参考电压vref可以是参考电压vss、共同电压vcom或是其他固定电压。重置开关sw71的第二端与显示部dp的资料端共同耦接至显示面板110的资料线d1。重置开关sw71的控制端耦接至显示面板110的其他子像素的栅极线(例如，图7所示子像素111-12的栅极线g2)。
49.图8是依照本发明的一实施例说明图7所示栅极线g1、栅极线g2与感测电容c71的信号波形示意图。图8绘示了两个显示帧期间f81与f82。在每一个帧期间中，栅极驱动器130扫描栅极线g1～gn(如图8所示)。在重置期间rst(在帧期间f81中栅极线g2的驱动期间)，感测元件se为截止(turn off)，以及重置开关sw71为导通(turn on)以充电感测电容c71。在感测期间sen，重置开关sw71与感测元件se为截止。感测元件se基于被量子点材料qd所产生的第二光l2影响的漏电流而泄漏感测电容c71的电荷，使得感测电容c71的电压准位在感测期间sen中持续降低。在读出期间ro，重置开关sw71为截止，以及感测元件se为导通。因此，处理电路140可以在读出期间ro经由感测线s1与感测元件se去侦测感测电容c71的电荷量(感测结果)。
50.综上所述，所述显示面板110的至少一个子像素(子像素电路)包括显示部dp以及感测部sp，其中所述感测部sp包括量子点材料qd以及感测元件se。量子点材料qd对来自于显示部dp的第一光l1的第一蓝光成分具有鉴别性。量子点材料qd受第一光l1的第一蓝光成分的激发而产生第二光。感测元件se可以感测第二光。处理电路140可以依据感测元件se的感测结果而即时地知道来自于显示部dp的第一蓝光成分的强度。也就是说，所述显示面板110可以自我感测显示画面的特定成分(例如第一蓝光成分)，而不需要额外的感测器(外接式感测器)。
51.图9是依照本发明的另一实施例说明图1所示感测部sp的电路示意图。图9所示子像素111-11可以参照图1所示子像素111-11的相关说明。图9所示显示部dp可以参照图1、图2、图3或图7所示显示部dp的相关说明，故不再赘述。图9所示感测部sp包括量子点材料qd(未绘示于图9)、感测元件se以及感测电容c91。依照实际设计，图9的实施例所述量子点材料qd、感测元件se、感测部sp与显示部dp可以参照图5或是参照图6的实施例所述量子点材料qd、感测元件se、感测部sp与显示部dp的相关说明。图9所示感测电容c91可以参照图5所示蓝光感应电容csen的相关说明。
52.显示部dp的控制端与感测元件se的控制端共同耦接至显示面板110的栅极线g1。感测电容c91的第一端耦接至感测元件se。感测电容c91的第二端耦接至参考电压vref。图9所示感测元件se、感测电容c91与参考电压vref可以参照图7所示感测元件se、感测电容c71与参考电压vref的相关说明，故不再赘述。
53.感测电容c91的第一端还耦接至显示面板110的重置线rl1。在重置期间，感测元件se为截止，以及处理电路140可以经由重置线rl1去充电(重置)感测电容c91。在感测期间，感测元件se保持为截止，以及感测电容c91未被重置线rl1充电(亦即，处理电路140停止充电感测电容c91)。基于被量子点材料qd所产生的第二光影响的漏电流，感测元件se泄漏感测电容c91的电荷。在读出期间，感测电容c91未被重置线rl1充电，以及感测元件se为导通。因此，处理电路140可以经由感测线s1与感测元件se去侦测感测电容c91的电荷量(感测结果)。
54.图10是依照本发明的又一实施例说明图1所示感测部sp的电路示意图。图10所示子像素111-11可以参照图1所示子像素111-11的相关说明。图10所示子像素111-11与111-12可以参照图7所示子像素111-11与111-12的相关说明。图10所示显示部dp可以参照图1、图2、图3或图7所示显示部dp的相关说明。图10所示栅极线g1、栅极线g2、资料线d1与感测线s1可以参照图7所示栅极线g1、栅极线g2、资料线d1与感测线s1的相关说明，故不再赘述。
55.图10所示感测部sp包括量子点材料qd(未绘示于图10)、感测元件se以及感测电容c101。依照实际设计，图10的实施例所述量子点材料qd、感测元件se、感测部sp与显示部dp可以参照图5或是参照图6的实施例所述量子点材料qd、感测元件se、感测部sp与显示部dp的相关说明。图10所示感测电容c101可以参照图5所示蓝光感应电容csen的相关说明。感测元件se的控制端耦接至显示面板110的其他子像素的栅极线(例如，图10所示子像素111-12的栅极线g2)。感测电容c101的第一端耦接至感测元件se。感测电容c101的第二端耦接至参考电压vref。图10所示感测元件se、感测电容c101与参考电压vref可以参照图7所示感测元件se、感测电容c71与参考电压vref的相关说明，故不再赘述。
56.感测电容c101的第一端还耦接至显示面板110的重置线rl1。图10所示重置线rl1可以参照图9所示重置线rl1的相关说明。在重置期间，处理电路140可以经由重置线rl1去充电(重置)感测电容c101。在感测期间，基于被量子点材料qd所产生的第二光影响的漏电流，感测元件se泄漏感测电容c101的电荷。在读出期间，感测元件se为导通，因此处理电路140可以经由感测线s1与感测元件se去侦测感测电容c101的电荷量(感测结果)。
57.图11是依照本发明的再一实施例说明图1所示感测部sp的电路示意图。图11所示子像素111-11、显示部dp、栅极线g1与资料线d1可以参照图1、图2、图3或图7所示子像素111-11、显示部dp、栅极线g1与资料线d1的相关说明。图11所示感测线s1可以参照图7所示感测线s1的相关说明，故不再赘述。
58.图11所示感测部sp包括量子点材料qd(未绘示于图11)、感测元件se以及感测电容c111。依照实际设计，图11的实施例所述量子点材料qd、感测元件se、感测部sp与显示部dp可以参照图5或是参照图6的实施例所述量子点材料qd、感测元件se、感测部sp与显示部dp的相关说明。图11所示感测电容c111可以参照图5所示蓝光感应电容csen的相关说明。图11所示感测电容c111的第一端耦接至感测元件se。感测电容c111的第二端耦接至参考电压vref。图11所示感测元件se、感测电容c111与参考电压vref可以参照图7所示感测元件se、感测电容c71与参考电压vref的相关说明，故不再赘述。
59.感测元件se的控制端耦接至显示面板110的读出控制线cl1。处理电路140可以经由读出控制线cl1去控制感测元件se。感测电容c111的第一端还耦接至显示面板110的重置线rl1。图11所示重置线rl1可以参照图9所示重置线rl1的相关说明。在重置期间，处理电路
140截止感测元件se，以及处理电路140可以经由重置线rl1去充电(重置)感测电容c111。在感测期间，基于被量子点材料qd所产生的第二光影响的漏电流，感测元件se泄漏感测电容c111的电荷。在读出期间，处理电路140导通感测元件se，因此处理电路140可以经由感测线s1与感测元件se去侦测感测电容c111的电荷量(感测结果)。
60.图12是依照本发明的一实施例说明图11所示栅极线g1、重置线rl1、感测线s1、读出控制线cl1与感测电容c111的信号波形示意图。图12绘示了多个显示帧期间，其中图式符号「f12_1」表示一个帧期间，图式符号「f12_k 2」表示另一个帧期间，而图式符号「k*f」表示在帧期间f12_1与帧期间之间的k个帧期间。在每一个帧期间中，栅极驱动器130扫描显示面板110的栅极线g1～gn(如图12所示)。在重置期间rst，处理电路140截止感测元件se，以及处理电路140充电感测电容c111。在感测期间sen，处理电路140持续截止感测元件se，以及处理电路140停止充电感测电容c111。基于被量子点材料qd所产生的第二光l2影响的漏电流，感测元件se泄漏感测电容c111的电荷，使得感测电容c111的电压准位在感测期间sen中持续降低。在读出期间ro，处理电路140持续停止充电感测电容c111，以及处理电路140导通感测元件se。因此，处理电路140可以在读出期间ro经由感测线s1与感测元件se去侦测感测电容c111的电荷量(感测结果)。
61.图12绘示了多条读出控制线cl1、cl2、
…
、cln。亦即，这些子像素111-11至111-mn的感测部sp的每一个的感测元件se的控制端(栅极)经由这些读出控制线cl1～cln中的一条对应栅极线耦接至处理电路140。图11虽然没有绘示读出控制线cl2～cln，这些读出控制线cl2～cln可以参照读出控制线cl1的相关说明去类推。这些读出控制线cl1～cln在显示面板110中的布置可以参照栅极线g1～gn的布置去类推。在帧期间「f12_k 2」中，处理电路140可以扫描这些读出控制线cl1～cln(如图12所示)。
62.图13是依照本发明的更一实施例说明图1所示感测部sp的电路示意图。图13所示子像素111-11可以参照图1所示子像素111-11的相关说明。图13所示显示部dp可以参照图1、图2、图3或图7所示显示部dp的相关说明，故不再赘述。图13所示感测部sp包括量子点材料qd1(未绘示于图13)、感测元件se1、感测电容c131、量子点材料qd2(未绘示于图13)、感测元件se2以及感测电容c132。依照实际设计，图13的实施例所述感测部sp与显示部dp可以参照图5或是参照图6的实施例所述感测部sp与显示部dp的相关说明。图13所示感测电容c131以及/或是c132可以参照图5所示蓝光感应电容csen的相关说明。
63.显示部dp的控制端、感测元件se1的控制端与感测元件se2的控制端共同耦接至显示面板110的栅极线g1。感测电容c131的第一端耦接至感测元件se1的第一端。在图13所示实施例中，感测线s1包括感测线s1_1与感测线s1_2。感测元件se1的第二端耦接至显示面板110的感测线s1_1。感测电容c132的第一端耦接至感测元件se2的第一端。感测元件se2的第二端耦接至显示面板110的感测线s1_2。感测电容c131的第二端与感测电容c132的第二端耦接至参考电压vref。图13所示感测电容c132与感测元件se1可以参照图9所示感测电容c91与感测元件se的相关说明，图13所示感测电容c132与感测元件se2也可以参照图9所示感测电容c91与感测元件se的相关说明。
64.感测电容c131的第一端与感测电容c132的第一端还耦接至显示面板110的重置线rl1。在重置期间，感测元件se1与感测元件se2为截止，以及处理电路140可以经由重置线rl1去充电(重置)感测电容c131与感测电容c132。
65.在感测期间，感测元件se1与感测元件se2保持为截止，以及感测电容c131与感测电容c132未被重置线rl1充电(亦即，处理电路140停止充电感测电容c131与感测电容c132)。量子点材料qd1可以受来自于显示部110的第一光的第一蓝光成分的激发而产生第二光。在一些实施例中，量子点材料qd2可以受来自于显示部110的第一光的第二蓝光成分的激发而产生第三光(如图14所示)。在另一些实施例中，量子点材料qd2可以受环境光的激发而产生第三光(如图15所示)。
66.图14是依照本发明的一实施例说明图13所示子像素111-11的剖面示意图。图14绘示了显示部dp的控制元件1420与显示结构1430，以及绘示了感测部sp的量子点材料qd1、感测元件se1、量子点材料qd2与感测元件se2。图14所示显示部dp以及感测部sp可以参照图1所示显示部dp以及感测部sp的相关说明。图14所示控制元件1420与显示结构1430可以参照图5所示晶体管220与发光元件230的相关说明去类推，或是参照图6所示开关310与液晶电容330的相关说明去类推。图1与图4所示实施例所提及的量子点材料qd与感测元件se可以参照图14所示量子点材料qd1、量子点材料qd2、感测元件se1与感测元件se2的相关说明。
67.图14所示量子点材料qd1以及量子点材料qd2可以参照图5所示量子点材料qd的相关说明。所述量子点材料qd1对第一光l1的第一蓝光成分具有鉴别性，而所述量子点材料qd2对第一光l1的第二蓝光成分具有鉴别性，其中所述第一蓝光成分与所述第二蓝光成分各自属于不同的波长范围。亦即，第一光l1的某个特定波长范围(第一蓝光成分)容易激发量子点材料qd1，但是第一光l1的其他波长范围却不容易(甚至不能)激发量子点材料qd1。同理，第一光l1的另一个特定波长范围(第二蓝光成分)容易激发量子点材料qd2，但是第一光l1的其他波长范围却不容易(甚至不能)激发量子点材料qd2。藉由所述量子点材料qd1与qd2的成分调制，所述第一蓝光成分与所述第二蓝光成分可以依照实际设计来决定。例如在一些实施例中，所述第一蓝光成分可以属于强伤害的波长范围(例如是415～455nm的蓝光波长范围)，而所述第二蓝光成分可以属于弱伤害的波长范围(例如是455～480nm的蓝光波长范围)。
68.量子点材料qd1可以受第一光l1的所述第一蓝光成分的激发而产生第二光。其中，第一光l1的所述第一蓝光成分的波长不同于量子点材料qd1所产生的所述第二光的波长。感测元件se1可以感测量子点材料qd1所产生的所述第二光。量子点材料qd2可以受第一光l1的所述第二蓝光成分的激发而产生第三光。其中，第一光l1的所述第二蓝光成分的波长不同于量子点材料qd2所产生的所述第三光的波长。感测元件se2可以感测量子点材料qd2所产生的所述第三光。因为量子点材料qd1与qd2覆盖了感测元件se1与se2，所以感测元件se1的位置与感测元件se2的位置均在第一光l1的照射范围外。
69.图15是依照本发明的另一实施例说明图13所示子像素111-11的剖面示意图。图15绘示了显示部dp的控制元件1520与显示结构1530，以及绘示了感测部sp的量子点材料qd1、感测元件se1、量子点材料qd2与感测元件se2。图15所示显示部dp以及感测部sp可以参照图1所示显示部dp以及感测部sp的相关说明。图15所示控制元件1520与显示结构1530可以参照图5所示晶体管220与发光元件230的相关说明去类推，或是参照图6所示开关310与液晶电容330的相关说明去类推。图1与图4所示实施例所提及的量子点材料qd与感测元件se可以参照图15所示量子点材料qd1、量子点材料qd2、感测元件se1与感测元件se2的相关说明。
70.图15所示量子点材料qd1以及量子点材料qd2可以参照图5所示量子点材料qd的相
关说明。图15所示感测元件se1、量子点材料qd1、感测元件se2以及量子点材料qd2可以参照图14所示感测元件se1、量子点材料qd1、感测元件se2以及量子点材料qd2的相关说明。不同于图14所示实施例之处在于，在图15所示实施例中，量子点材料qd2可以受环境光lamb的激发而产生第三光给感测元件se2。图15所示感测元件se1与量子点材料qd1可以参照图5(或图6)所示感测元件se与量子点材料qd的相关说明去类推。
71.请参照图13。基于被量子点材料qd1所产生的第二光影响的漏电流，感测元件se1泄漏感测电容c131的电荷。基于被量子点材料qd2所产生的第三光影响的漏电流，感测元件se2泄漏感测电容c132的电荷。在读出期间，感测电容c131与感测电容c132未被重置线rl1充电，以及感测元件se1与感测元件se2为导通。因此，处理电路140可以经由感测线s1_1与感测元件se1去侦测感测电容c131的电荷量(第一蓝光成分感测结果)，以及处理电路140可以经由感测线s1_2与感测元件se2去侦测感测电容c132的电荷量(第二蓝光成分感测结果)。处理电路140可以比较所述第一蓝光成分感测结果与所述第二蓝光成分感测结果，或是计算所述第一蓝光成分感测结果与所述第二蓝光成分感测结果的比值。
72.综上所述，子像素(子像素电路)的感测部sp包括量子点材料qd1、感测元件se1量子点材料qd2以及感测元件se2。量子点材料qd1对来自于显示部dp的第一光l1的第一蓝光成分具有鉴别性。量子点材料qd1受第一光l1的第一蓝光成分的激发而产生第二光给感测元件se1。在一些实施例中，量子点材料qd2对来自于显示部dp的第一光l1的第二蓝光成分具有鉴别性。量子点材料qd2受第一光l1的第二蓝光成分的激发而产生第三光给感测元件se2。在另一些实施例中，量子点材料qd2对环境光lamb具有鉴别性。量子点材料qd2受环境光lamb的激发而产生第三光给感测元件se2。处理电路140可以依据感测元件se1与se2的感测结果而即时地知道来自于显示部dp的第一光l1的第一蓝光成分与第二蓝光成分的强度比例(或是第一光l1的第一蓝光成分与环境光lamb的强度比例)。也就是说，所述显示面板110可以自我感测显示画面的特定成分(例如第一蓝光成分)，而不需要额外的感测器(外接式感测器)。
73.虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。