一种基于激光解键合实现巨量转移的方法及应用

技术特征：
1.一种基于激光解键合实现巨量转移的方法，其特征在于，包括：a)提供转移装置，所述转移装置包括一透明的转移基板和设于转移基板的转移面上的若干凸台结构，于转移面上依次形成覆盖凸台结构的激光释放层和临时键合层，将待转移元件通过临时键合层连接于凸台结构上；b)提供一目标基板，所述目标基板设有若干焊盘区；将转移装置与目标基板对位使元件的焊盘面与目标基板的焊盘区一一相对，对元件和目标基板进行热压键合；c)使激光透过转移基板和凸台结构作用于激光释放层，将元件与转移装置分离；d)去除元件上残留的临时键合层。2.根据权利要求1所述的基于激光解键合实现巨量转移的方法，其特征在于：步骤c)中，采用的激光为波长小于415nm的紫外/近紫外光，通过激光扫略或整面曝光的形式实现特定区域或整面解键合。3.根据权利要求1所述的基于激光解键合实现巨量转移的方法，其特征在于：步骤a)中，所述凸台结构由转移基板本身蚀刻形成；或于转移基板表面形成透明材料层，蚀刻透明材料层形成。4.根据权利要求1所述的基于激光解键合实现巨量转移的方法，其特征在于：所述目标基板包括rdl层，rdl层上设有介质层并通过介质层分隔所述焊盘区，所述焊盘区包括焊盘和连接焊盘的锡球结构，所述元件的焊盘面设有引脚端，所述锡球结构和引脚端一一对应。5.根据权利要求1所述的基于激光解键合实现巨量转移的方法，其特征在于：步骤b)中，所述转移装置和目标基板分别设有标记点，通过摄像头对齐转移装置和目标基板的标记点实现对位。6.一种全彩化micro-led显示装置的制作方法，其特征在于：采用权利要求1～5任一项所述的基于激光解键合实现巨量转移的方法分别将蓝光、红光和绿光芯片批量转移至目标基板上；其中目标基板的焊盘区按x方向上三色交替的阵列排布，转移装置x方向上相邻两凸台结构的距离大于芯片于该方向上长度的2倍。7.根据权利要求6所述的全彩化micro-led显示装置的制作方法，其特征在于：所述激光释放层的厚度＜0.5μm，所述临时键合层的厚度为10-40μm。8.根据权利要求6所述的全彩化micro-led显示装置的制作方法，其特征在于：还包括进行转移良率检测以及填补芯片空缺的步骤。9.根据权利要求8所述的全彩化micro-led显示装置的制作方法，其特征在于：所述转移良率检测的步骤为：1)划定像素点，每一像素点包括两个单元，每一单元包括三色芯片各一个；2)检查各像素点的芯片缺失，若一像素点同色两个芯片均缺失则判定需要填补芯片空缺。10.根据权利要求8所述的全彩化micro-led显示装置的制作方法，其特征在于，所述填补芯片空缺的步骤为：1)于所述转移基板与转移面相对的表面上覆盖反光层，反光层开设有对应补缺操作的凸台结构的窗口；于所述转移面上依次形成激光释放层和临时键合层，将待转移芯片通过临时键合层连接于凸台结构上；2)将转移基板置于目标基板上方并对位，采用激光通过所述窗口作用于激光释放层，
使对应的芯片释放并下落至目标基板空缺位上，然后进行回流焊接。11.根据权利要求8所述的全彩化micro-led显示装置的制作方法，其特征在于，所述填补芯片空缺的步骤为：1)于所述转移基板上对应需补缺位置形成凸台结构，于所述转移面上依次形成激光释放层和临时键合层，将待转移芯片通过临时键合层连接于凸台结构上；2)将转移基板置于目标基板上方并对位，采用激光作用于激光释放层，使全部与凸台结构连接的芯片释放并下落至目标基板空缺位上，然后进行回流焊接。

技术总结
本发明属于半导体加工的技术领域，公开了一种基于激光解键合实现巨量转移的方法，采用转移装置，转移装置的转移面上通过凸台结构、激光释放层和临时键合层的组合形成转移头，将芯片临时键合于转移头上，与目标基板进行键合固定后再通过激光释放解除键合，令芯片与转移装置分离。本发明还提供了基于上述巨量转移方法的全彩化Micro-LED显示装置的制作方法。本发明可保证转移精度，提高转移良率。提高转移良率。提高转移良率。


技术研发人员：于大全 朱云亭 于宸
受保护的技术使用者：厦门大学
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2022/11/11