一种钳位电路结构的制作方法

技术特征：
1.一种钳位电路结构，其特征在于，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管包含共同输出端；所述第一场效应晶体管包括第一源电压输入端和第一控制信号输入端，所述第二场效应晶体管包括第二源电压输入端和第二控制信号输入端；所述第一源电压输入端连接第一源电压，所述第二源电压输入端连接第二源电压，所述第一控制信号输入端连接第一控制信号；所述第二控制信号输入端连接第二控制信号；所述第一、第二源电压为钳位电平或输入电压，所述第一源电压和所述第二源电压不相同。2.根据权利要求1所述的钳位电路结构，其特征在于，所述第一、第二场效应晶体管均为pmos管。3.根据权利要求2所述的钳位电路结构，其特征在于，所述第一、第二源电压输入端均为栅极，所述第一、第二控制信号输入端均为导通时的源极；所述第一pmos管的栅极连接所述钳位电平，所述第一pmos管导通时的源极连接所述输入电压；所述第二pmos管的栅极连接所述输入电压，所述第二pmos管导通时的源极连接所述钳位电平；所述第一控制信号为输入电压，所述第二控制信号为钳位电平。4.根据权利要求1所述的钳位电路结构，其特征在于，所述第一、第二场效应晶体管均为cmos管，所述cmos管包括上管和下管。5.根据权利要求4所述的钳位电路结构，其特征在于，所述第一、第二控制信号输入端均为所述cmos管的上管的栅极；所述第一控制信号和第二控制信号均为根据所述输入电压和钳位电平处理后的处理信号，所述第一控制信号与所述第二控制信号的信号值相反。6.根据权利要求5所述的钳位电路结构，其特征在于，包括比较器、非门逻辑电路以及第一、第二cmos管，所述第一cmos管和第二cmos管包含共同输出端；所述比较器的输入端连接钳位电平和输入电压，所述比较器输出端有一路输出端和二路输出端，所述一路输出端分别连接第二cmos管中的上管的栅极以及第一cmos管中的下管的栅极，所述二路输出端通过非门逻辑电路分别连接第一cmos管中的上管的栅极以及第二cmos管中的下管的栅极。7.根据权利要求6所述的钳位电路结构，其特征在于，所述上管为pmos管，所述下管为nmos管。8.一种偏置电路，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的钳位电路结构。

技术总结
本发明公开了一种钳位电路结构，包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管包含共同输出端；第一场效应晶体管包括第一源电压输入端和第一控制信号输入端，第二场效应晶体管包括第二源电压输入端和第二控制信号输入端；第一源电压输入端连接第一源电压，第二源电压输入端连接第二源电压，第一控制信号输入端连接第一控制信号；第二控制信号输入端连接第二控制信号；第一、第二源电压为钳位电平或输入电压，第一源电压和所述第二源电压不相同。本发明的电路结构给钳位电路提供了很大的灵活性，能够根据具体需要来调节对输入信号的低端钳位电平。据具体需要来调节对输入信号的低端钳位电平。据具体需要来调节对输入信号的低端钳位电平。


技术研发人员：刘辉
受保护的技术使用者：杭州雄迈集成电路技术股份有限公司
技术研发日：2022.09.13
技术公布日：2022/11/11