麦克风组件、封装结构及电子设备的制作方法

1.本技术涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种麦克风组件、封装结构及电子设备。


背景技术：

2.近年来mems微麦克风得到了蓬勃发展，并在高端手机、笔记本电脑、蓝牙耳机等消费电子产品中广泛应用。mems微麦克风是一种基于硅微机械加工技术而研制成的新型微麦克风，其中，电容式mems微麦克风是目前研发的重点。
3.电容式mems微麦克风包括mems芯片，通过mems芯片将声音信号转换为电信号。mems芯片包括衬底、分别与衬底平行的背极板和振膜，背极板和振膜共同组成一个平行板电容，当外部声压作用在振膜上引起振膜的振动，改变了平行板电容器的电容量，相应输出电压信号，从而实现由声信号向电信号的转换。
4.电容式mems微麦克风通常接收的声压都比较小，因此对麦克风的灵敏度有较高的要求。为了获得较高的灵敏度，需要将振膜的面积增大，来提高电路中的电容变化量，但无论是振膜还是背极板面积的增大都会导致生产成本的增加，同时还会导致麦克风在长度以及宽度上增大，使得麦克风的封装结构在长度以及宽度上也随之增大，最后只能适用于长度与宽度的比值较小的产品中，限制了麦克风的适用范围。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种麦克风组件、封装结构及电子设备，以有效解决现有产品为了获得较高灵敏度，增加振膜面积后成本增加，并且只能适用于长度与宽度的比值较小的产品中，麦克风适用范围小的问题。
6.根据本技术的一方面，本技术提供一种麦克风组件，所述麦克风组件包括基底、与所述基底固定连接的第一支撑件和第二支撑件、以及位于所述第一支撑件和所述第二支撑件之间的两个振膜和两个背极板，所述两个振膜和所述两个背极板交错分布，所述基底的中部具有腔体，所述第一支撑件部分封闭所述腔体的一侧，所述第二支撑件位于所述腔体内；在所述基底的厚度方向上，所述两个振膜以及所述两个背极板的一端分别与所述第一支撑件固定连接，并且所述两个振膜以及所述两个背极板的另一端分别与所述第二支撑件固定连接，所述两个振膜、所述两个背极板、所述第一支撑件以及所述第二支撑件共同将所述腔体至少分隔出一个背腔和空间隔离的第一振动腔和第二振动腔；其中，所述两个振膜中的一个振膜构成第一电极，所述两个振膜中的另一个振膜构成第二电极，所述两个背极板中的一个背极板构成第三电极，所述两个背极板中的另一个背极板构成第四电极，所述第一电极位于所述第三电极和所述第四电极之间，所述第四电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述第一电极与所述第三电极形成与所述第一振动腔对应的第一可变电容，并且所述第一电极远离所述第三电极的一侧与所述背腔相连通，所述第三电极远离所述第一电
极的一侧与所述背腔相隔离；所述第二电极与所述第四电极形成与所述第二振动腔对应的第二可变电容，并且所述第二电极远离所述第四电极的一侧与所述背腔相隔离，所述第四电极远离所述第二电极的一侧与所述背腔相连通。
7.进一步地，所述第四电极上具有镂空区域，或者所述第四电极和所述第三电极上均具有镂空区域，所述第四电极上的镂空区域将所述背腔与所述第二振动腔连通；所述第一可变电容和所述第二可变电容构成差分电容，以感测传入所述麦克风组件中的声压。
8.进一步地，所述腔体具有与所述两个振膜和所述两个背极板垂直的两个第一内表面以及与所述两个振膜和所述两个背极板平行的两个第二内表面；构成所述第一电极的所述振膜、构成所述第三电极的所述背极板、两个所述第一内表面位于所述第一电极与所述第三电极之间的区域以及所述第二支撑件共同形成所述第一振动腔，构成所述第二电极的所述振膜、构成所述第四电极的所述背极板、两个所述第一内表面位于所述第二电极与所述第四电极之间的区域以及所述第二支撑件共同形成所述第二振动腔。
9.进一步地，所述第二支撑件包括第一子支撑件以及与所述第一子支撑件间隔设置的第二子支撑件，所述第一子支撑件的三个侧面分别与两个所述第一内表面、紧邻所述第三电极的所述第二内表面固定连接，另外一个侧面悬空，所述第二子支撑件的三个侧面分别与两个所述第一内表面、紧邻所述第二电极的所述第二内表面固定连接，另外一个侧面悬空；其中，构成所述第三电极的所述背极板、邻近所述第三电极的所述第二内表面、两个所述第一内表面位于所述第三电极与邻近所述第三电极的所述第二内表面之间的区域以及所述第一子支撑件共同形成第一子腔，构成所述第二电极的所述振膜、邻近所述第二电极的所述第二内表面、两个所述第一内表面位于所述第二电极与邻近所述第二电极的所述第二内表面之间的区域以及所述第二子支撑件共同形成第二子腔，并且所述第一支撑件不封闭所述第一子腔以及所述第二子腔。
10.进一步地，所述第一支撑件不封闭所述第一振动腔和所述第二振动腔。
11.进一步地，所述第一支撑件封闭所述第一振动腔和所述第二振动腔。
12.进一步地，所述镂空区域由至少一个呈圆形和/或矩形的子区域构成。
13.进一步地，所述第一支撑件封闭所述背腔的区域上设置有至少一个第一泄气通道。
14.进一步地，所述第一支撑件封闭所述振动腔的区域上设置有至少一个第一通孔。
15.进一步地，所述第一泄气通道是泄气孔和/或者贯穿所述第一支撑件的非封闭环形泄气槽。
16.进一步地，所述非封闭环形泄气槽在所述第一支撑件上形成对应的悬空部，所述悬空部的根部设置有加强筋。
17.进一步地，所述振膜上开设有至少一个第二泄气通道。
18.进一步地，所述第二泄气通道是泄气孔，和/或，贯穿所述振膜的非封闭环形泄气槽或矩形泄气槽。
19.进一步地，所述振膜和/或所述背极板上设置有防止所述振膜与对应的所述背极板粘接的防粘结构。
20.进一步地，所述防粘结构是所述振膜朝向对应的所述背极板的一侧和/或所述背极板朝向对应的所述振膜的一侧上设置的凸起结构，或者，所述防粘结构是所述振膜朝向对应的所述背极板的一侧和/或所述背极板朝向对应的所述振膜的一侧表面上涂覆的防粘涂层。
21.进一步地，所述振膜的至少部分区域是波纹膜，其中，所述波纹膜的波纹平行于所述第二支撑件。
22.进一步地，所述背极板的有效面积小于对应的所述振膜的有效面积。
23.进一步地，所述振膜包括振膜主体以及位于所述振膜主体两端的弯折结构。
24.进一步地，所述镂空区域包括多个矩形子区域，所述多个矩形子区域大小相等且等间距分布，或者所述多个矩形子区域的大小不等和/或非等间距分布。
25.进一步地，所述镂空区域包括多个圆形子区域，所述多个圆形子区域大小相等且均匀分布，或者所述多个圆形子区域的大小不等和/或非均匀分布。
26.进一步地，所述麦克风组件还包括悬置于所述第一支撑件上方并通过支撑结构与所述第一支撑件固定连接的防尘结构，所述防尘结构覆盖所述第一振动腔、所述第二振动腔、所述第一子腔、所述第二子腔。
27.进一步地，在所述基底参与形成所述第一振动腔和所述第二振动腔的区域上设置有至少一个第三泄气通道。
28.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种麦克风组件，所述麦克风组件包括基底、与所述基底固定连接的第一支撑件和第二支撑件、以及位于所述第一支撑件和所述第二支撑件之间的两个振膜、两个背极板和一个第三支撑件，所述两个背极板位于所述两个振膜之间并且所述第三支撑件位于所述两个背极板之间，以将所述两个背极板相隔离，所述基底的中部具有腔体，所述第一支撑件部分封闭所述腔体的一侧，所述第二支撑件位于所述腔体内；在所述基底的厚度方向上，所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件的一端分别与所述第一支撑件固定连接，并且所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件的另一端分别与所述第二支撑件固定连接，所述两个振膜、所述两个背极板、所述第三支撑件、所述第一支撑件以及所述第二支撑件共同将所述腔体至少分隔出一个背腔和两个彼此隔离的第一振动腔和第二振动腔；其中，所述两个振膜中的一个振膜构成第一电极，所述两个振膜中的另一个振膜构成第二电极，所述两个背极板中的一个背极板构成第三电极，所述两个背极板中的另一个背极板构成第四电极，所述第三电极位于所述第一电极和所述第三支撑件之间，所述第四电极位于所述第三支撑件和所述第二电极之间；所述第一电极与所述第三电极形成与所述第一振动腔对应的第一可变电容，并且所述第一电极远离所述第三电极的一侧与所述背腔相连通，所述第三电极远离所述第一电极的一侧与所述背腔相隔离；所述第二电极与所述第四电极形成与所述第二振动腔对应的第二可变电容，并且所述第二电极远离所述第四电极的一侧与所述背腔相隔离，所述第四电极远离所述第二电
极的一侧与所述背腔相连通。
29.进一步地，所述第四电极上具有镂空区域，或者所述第四电极和所述第三电极上均具有镂空区域，所述第四电极上的镂空区域将所述背腔与所述第二振动腔连通；所述第一可变电容和所述第二可变电容构成差分电容，以感测传入所述麦克风组件中的声压。
30.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种麦克风组件，所述麦克风组件包括基底、与所述基底固定连接的第一支撑件和第二支撑件、以及位于所述第一支撑件和所述第二支撑件之间的两个振膜、两个背极板和一个第三支撑件，所述两个振膜和所述两个背极板交错分布，所述基底的中部具有腔体，所述第一支撑件部分封闭所述腔体的一侧，所述第二支撑件位于所述腔体内；在所述基底的厚度方向上，所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件的一端分别与所述第一支撑件固定连接，并且所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件的另一端分别与所述第二支撑件固定连接，所述两个振膜、所述两个背极板、所述第三支撑件、所述第一支撑件以及所述第二支撑件共同将所述腔体至少分隔出一个背腔和两个彼此隔离的第一振动腔和第二振动腔；其中，所述两个振膜中的一个振膜构成第一电极，所述两个振膜中的另一个振膜构成第二电极，所述两个背极板中的一个背极板构成第三电极，所述两个背极板中的另一个背极板构成第四电极，所述第三电极位于所述第一电极和所述第三支撑件之间，所述第二电极位于所述第三支撑件和所述第四电极之间；所述第一电极与所述第三电极形成与所述第一振动腔对应的第一可变电容，并且所述第一电极远离所述第三电极的一侧与所述背腔相连通，所述第三电极远离所述第一电极的一侧与所述背腔相隔离；所述第二电极与所述第四电极形成与所述第二振动腔对应的第二可变电容，并且所述第二电极远离所述第四电极的一侧与所述背腔相隔离，所述第四电极远离所述第二电极的一侧与所述背腔相连通。
31.进一步地，所述第四电极上具有镂空区域，或者所述第四电极和所述第三电极上均具有镂空区域，所述第四电极上的镂空区域将所述背腔与所述第二振动腔连通；所述第一可变电容和所述第二可变电容构成差分电容，以感测外部环境与所述背腔之间的声压。
32.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种封装结构，所述封装结构包括壳体以及如上所述的麦克风组件，所述麦克风组件位于所述壳体内；所述壳体的下表面开设有用于进音的进音孔，声波从所述进音孔进入后，传入到所述麦克风组件的背腔中；其中，所述壳体的长与宽的比值大于3。
33.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种封装结构，所述封装结构包括壳体以及如上所述的麦克风组件，所述麦克风组件位于所述壳体内；所述壳体的上表面开设有用于进音的进音孔，所述声波从进音孔进入后，传入到所述麦克风组件的第一子腔和第二子腔中；其中，所述壳体的长与宽的比值大于3。
34.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种麦克风组件，所述麦克风组件包括中部具有腔体的基底、在所述基底的长度方向上阵列排布的多个感测组件以及位于相邻两个所述感测组件之间的第四支撑件，其中，所述第四支撑件使相邻的两个所述感测组件相隔离；所述感测组件包括两个振膜、两个背极板、第一支撑件、第二支撑件以及第三支撑件，所述第一支撑件与所述基底固定连接，所述第二支撑件位于所述腔体内且与所述基底固定连接，所述感测组件的两个背极板位于所述感测组件的两个振膜之间并且所述第三支撑件位于所述两个背极板之间，所述两个振膜中的一个振膜和所述两个背极板中的一个背极板形成第一可变电容，所述两个振膜中的另一个振膜和所述两个背极板中的另一个背极板形成第二可变电容；在所述基底的厚度方向上，所述感测组件的两个振膜、两个背极板以及所述第三支撑件的一端与所述第一支撑件固定连接，并且该组件中的两个振膜、两个背极板以及所述第三支撑件的另一端分别与对应的第二支撑件固定连接，该组件中的两个振膜和两个背极板、所述第三支撑件、所述第一支撑件、该组件对应的第二支撑件共同将所述腔体至少分隔出该组件对应的第一振动腔和第二振动腔、以及背腔；其中，所述多个感测组件通过所述第一支撑件首尾相连，并且所述首尾相连的第一支撑件部分封闭所述腔体的一侧，所有所述感测组件对应的所述第一振动腔和第二振动腔彼此不连通，并且所有所述感测组件对应同一背腔。
35.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种麦克风组件，所述麦克风组件包括中部具有腔体的基底、在所述基底的长度方向上阵列排布的多个感测组件；所述感测组件包括第一支撑件、第二支撑件、第三支撑件以及分别位于所述第三支撑件两侧的两对振膜/背极板组合，所述第一支撑件与所述基底固定连接，所述第二支撑件位于所述腔体内且与所述基底固定连接，所述两对振膜/背极板组合中的一个振膜/背极板组合形成第一可变电容，所述两对振膜/背极板组合中的另一个振膜/背极板组合形成第二可变电容；在所述基底的厚度方向上，所述感测组件的两个振膜、两个背极板以及所述第三支撑件的一端与所述第一支撑件固定连接，并且该组件中的两个振膜、两个背极板以及所述第三支撑件的另一端分别与第二支撑件固定连接，该组件中的两个振膜和两个背极板、所述第三支撑件、所述第一支撑件、该组件对应的第二支撑件共同将所述腔体至少分隔出该组件对应的第一振动腔和第二振动腔、以及背腔；其中，所述多个感测组件通过所述第一支撑件首尾相连，并且所述首尾相连的第一支撑件部分封闭所述腔体的一侧，所有所述感测组件对应的所述第一振动腔和第二振动腔彼此不连通，并且所有所述感测组件对应同一背腔。
36.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种麦克风组件，所述麦克风组件包括中部具有腔体的基底、在所述基底的长度方向上阵列排布的多个感测组件以及位于相邻两个所述感测组件之间的第四支撑件，其中，所述第四支撑件使相邻的两个所述感测组件相隔离；所述感测组件包括第一支撑件、第二支撑件、两个振膜以及两个背极板，所述两个振膜和所述两个背极板交错分布，所述第一支撑件与所述基底固定连接，所述第二支撑件
位于所述腔体内且与所述基底固定连接，所述两个振膜中的一个振膜和所述两个背极板中的一个背极板形成第一可变电容，所述两个振膜中的另一个振膜和所述两个背极板中的另一个背极板形成第二可变电容；在所述基底的厚度方向上，所述感测组件的两个振膜以及两个背极板的一端与所述第一支撑件固定连接，并且该组件中的两个振膜、两个背极板的另一端分别与第二支撑件固定连接，该组件中的两个振膜和两个背极板、所述第一支撑件、该组件对应的第二支撑件共同将所述腔体至少分隔出该组件对应的第一振动腔和第二振动腔、以及背腔；其中，所述多个感测组件通过所述第一支撑件首尾相连，并且所述首尾相连的第一支撑件部分封闭所述腔体的一侧，所有所述感测组件对应的所述第一振动腔和第二振动腔彼此不连通，并且所有所述感测组件对应同一背腔。
37.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括如前所述的麦克风组件。
38.根据本技术的另一方面，本技术还提供一种电子设备，所述电子设备包括如前所述的封装结构。
39.本技术的优点在于，由上可见，通过设置与基底的厚度方向平行的振膜以及背极板，仅需要增大振膜以及背极板的长度就可以增加振膜以及背极板的面积，无需同时增加长度以及宽度，从而在有效提高麦克风产品的灵敏度的同时可以避免生产成本大幅增加，相较于振膜与背极板垂直于基底的厚度方向设置的结构，在保证同样性能的情况下，本技术中的麦克风组件更加小型化，且能够达到较高的长宽比，以适用于高长宽比的产品，同样地，本技术中的麦克风组件也能够适用于低长宽比的产品，适用范围增加。此外，通过第一可变电容与第二可变电容构成差分电容检测以过滤外界的干扰信号，从而提高信噪比，相较于传统的三层膜结构的差分式电容检测，本技术中的第一可变电容与第二可变电容不需要共用振膜、或者共用背极板，能够保证第一可变电容与第二可变电容的灵敏度、以及静态电容的一致性，增强差分效果。此外，通过设置防尘结构、防粘结构、泄气通道进一步提高麦克风组件的性能。
附图说明
40.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
41.图1a为本技术一实施例提供的麦克风组件的结构示意图；图1b为图1a实施例中提供的基底结构示意图；图1c为图1a实施例中提供的麦克风组件的剖视图；图1d-图1g为图1a实施例中提供的背极板的结构示意图；图1h-图1j为图1a实施例中提供的第一泄气通道的结构示意图；图1k-图1m为图1a实施例中提供的第二泄气通道的结构示意图；图1n-图1p为图1a实施例中提供的防粘结构的示意图；图1q为图1a实施例中提供的波纹膜的结构示意图；图1r为图1a实施例中提供的弯折结构的示意图；图1s为图1a实施例中提供的麦克风组件的电极引出点阵列排布的结构示意图；
图1t为图1a实施例中提供的电极引出通路的结构示意图；图1u为图1a实施例中提供的防尘结构的结构示意图；图1v为图1a实施例中提供的第三泄气通道的结构示意图；图2为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图；图3为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图；图4为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图；图5为本技术一实施例提供的封装结构的结构示意图；图6为本技术一实施例提供的封装结构的结构示意图；图7为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图；图8为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图；图9为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图。
具体实施方式
42.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
43.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
44.本技术至少一实施例提供一种麦克风组件，该麦克风组件包括基底、与所述基底固定连接的第一支撑件和第二支撑件、以及位于所述第一支撑件和所述第二支撑件之间的两个振膜和两个背极板，所述两个振膜和所述两个背极板交错分布，所述基底的中部具有腔体，所述第一支撑件部分封闭所述腔体的一侧，所述第二支撑件位于所述腔体内；在所述基底的厚度方向上，所述两个振膜以及所述两个背极板的一端分别与所述第一支撑件固定连接，并且所述两个振膜以及所述两个背极板的另一端分别与所述第二支撑件固定连接，所述两个振膜、所述两个背极板、所述第一支撑件以及所述第二支撑件共同将所述腔体至少分隔出一个背腔和两个彼此隔离的第一振动腔和第二振动腔；其中，所述两个振膜中的一个振膜构成第一电极，所述两个振膜中的另一个振膜构成第二电极，所述两个背极板中的一个背极板构成第三电极，所述两个背极板中的另一个背极板构成第四电极，所述第一电极位于所述第三电极和所述第四电极之间，所述第四电极位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述第一电极与所述第三电极形成与所述第一振动腔对应的第一可变电容，并且所述第一电极远离所述第三电极的一侧与所述背腔相连通，所述第三电极远离所述第一电极的一侧与所述背腔相隔离；所述第二电极与所述第四电极形成与所述第二振动腔对应的第二可变电容，并且所述第二电极远离所述第四电极的一侧与所述背腔相隔离，所述第四电极远离所述第二电
极的一侧与所述背腔相连通，其中，所述第四电极上具有镂空区域，或者所述第四电极和所述第三电极上均具有镂空区域，所述第四电极上的镂空区域将所述背腔与所述第二振动腔连通；所述第一可变电容和所述第二可变电容构成差分电容，以感测传入所述麦克风组件中的声压。
45.由上可见，通过设置与基底的厚度方向平行的振膜以及背极板，仅需要增大振膜以及背极板的长度就可以增加振膜以及背极板的面积，无需同时增加长度以及宽度，从而在有效提高麦克风产品的灵敏度的同时可以避免生产成本大幅增加，相较于振膜与背极板垂直于基底的厚度方向设置的结构，在保证同样性能的情况下，本技术中的麦克风组件更加小型化，且能够达到较高的长宽比，以适用于高长宽比的产品，同样地，本技术中的麦克风组件也能够适用于低长宽比的产品，适用范围增加。此外，通过第一可变电容与第二可变电容构成差分电容检测以过滤外界的干扰信号，从而提高信噪比，相较于传统的三层膜结构的差分式电容检测，本技术中的第一可变电容与第二可变电容不需要共用振膜、或者共用背极板，能够保证第一可变电容与第二可变电容的灵敏度、以及静态电容的一致性，增强差分效果。
46.图1a为本技术一实施例提供的麦克风组件的结构示意图，图1b为图1a实施例中提供的基底结构示意图，图1c为图1a实施例中提供的麦克风组件的剖视图，图1d-图1g为图1a实施例中提供的背极板的结构示意图，图1h-图1j为图1a实施例中提供的第一泄气通道的结构示意图，图1k-图1m为图1a实施例中提供的第二泄气通道的结构示意图，图1n-图1p为图1a实施例中提供的防粘结构的示意图，图1q为图1a实施例中提供的波纹膜的结构示意图，图1r为图1a实施例中提供的弯折结构的示意图，图1s为图1a实施例中提供的麦克风组件的电极引出点阵列排布的结构示意图，图1t为图1a实施例中提供的电极引出通路的结构示意图，图1u为图1a实施例中提供的防尘结构的结构示意图，图1v为图1a实施例中提供的第三泄气通道的结构示意图。
47.如图1a、图1c所示，麦克风组件包括基底10、与基底10固定连接的第一支撑件20和第二支撑件30、以及位于第一支撑件20和第二支撑件30之间的两个振膜和两个背极板，两个振膜和两个背极板交错分布，基底10的中部具有腔体110，第一支撑件20部分封闭腔体110的一侧，第二支撑件30位于腔体110内；在基底10的厚度方向上，两个振膜以及两个背极板的一端分别与第一支撑件20固定连接，并且两个振膜以及两个背极板的另一端分别与第二支撑件30固定连接，两个振膜、两个背极板、第一支撑件20以及第二支撑件30共同将腔体110至少分隔出一个背腔60和两个彼此隔离的第一振动腔810和第二振动腔820；其中，两个振膜中的一个振膜构成第一电极510，两个振膜中的另一个振膜构成第二电极520，两个背极板中的一个背极板构成第三电极410，两个背极板中的另一个背极板构成第四电极420，第一电极510位于第三电极410和第四电极420之间，第四电极420位于第一电极510和第二电极520之间；第一电极510与第三电极410形成与第一振动腔810对应的第一可变电容，并且第一电极510远离第三电极410的一侧与背腔60相连通，第三电极410远离第一电极510的一侧与背腔60相隔离；
第二电极520与第四电极420形成与第二振动腔820对应的第二可变电容，并且第二电极520远离第四电极420的一侧与背腔60相隔离，第四电极420远离第二电极520的一侧与背腔60相连通，其中，第四电极420上具有镂空区域430，或者第四电极420和第三电极410上均具有镂空区域430，第四电极420上的镂空区域430将背腔60与第二振动腔820连通；第一可变电容和第二可变电容构成差分电容，以感测传入麦克风组件中的声压。通过第一可变电容和第二可变电容构成差分电容，在声波作用下，差分电容中的一个增大，另一个减小，从而实现声波的差分检测，以有效过滤外界的干扰信号，提高信噪比。
48.如图1b所示，在本实施例中，腔体110具有与两个振膜和两个背极板垂直的两个第一内表面1101以及与两个振膜和两个背极板平行的两个第二内表面1102；构成第一电极510的振膜、构成第三电极410的背极板、两个第一内表面1101位于第一电极510与第三电极410之间的区域以及第二支撑件30共同形成第一振动腔810，构成第二电极520的振膜、构成第四电极420的背极板、两个第一内表面1101位于第二电极520与第四电极420之间的区域以及第二支撑件30共同形成第二振动腔820。
49.如图1c所示，在本实施例中，第二支撑件30包括第一子支撑件310以及与第一子支撑件310间隔设置的第二子支撑件320，第一子支撑件310的三个侧面分别与两个第一内表面1101、紧邻第三电极410的第二内表面1102固定连接，另外一个侧面悬空，第二子支撑件320的三个侧面分别与两个第一内表面1101、紧邻第二电极520的第二内表面1102固定连接，另外一个侧面悬空。通过第一子支撑件310以及第二子支撑件320的一个侧面悬空，使得从背腔60进入的声波可以作用在构成第一电极510的振膜上、通过镂空区域430后作用在构成第二电极520的振膜上，从而使该麦克风组件可以适用于底进音的封装结构。
50.例如，当有声波从背腔60进入时，作用在构成第一电极510的振膜上，第一可变电容的两个电容之间的间距变小，第一可变电容变大；通过镂空区域430作用在构成第二电极520的振膜上，第二可变电容的两个电容之间的间距变大，第二可变电容变小，从而实现声波的差分检测。
51.其中，构成第三电极410的背极板、邻近第三电极410的第二内表面1102、两个第一内表面1101位于第三电极410与邻近第三电极410的第二内表面1102之间的区域以及第一子支撑件310共同形成第一子腔710，构成第二电极520的振膜、邻近第二电极520的第二内表面1102、两个第一内表面1101位于第二电极520与邻近第二电极520的第二内表面1102之间的区域以及第二子支撑件320共同形成第二子腔720，并且第一支撑件20不封闭第一子腔710以及第二子腔720。需要说明的是，第一子腔710与第二子腔720均与外部环境连通，从而及时泄气。
52.在本实施例中，第一支撑件20不封闭第一振动腔810和第二振动腔820。需要说明的是，因第一振动腔810、第二振动腔820不封闭，所以该麦克风组件不适用于前进音的封装结构，只适用于底进音的封装结构。
53.在本实施例中，镂空区域430由至少一个呈圆形和/或矩形的子区域构成。通过在背极板上设置镂空区域430，不仅可以减小背极板相对于振膜的有效面积，同时还可以降低声阻，减小压膜阻尼。
54.示例性地，在本实施例中，背极板上的镂空区域430包括多个矩形子区域4301。需要说明的是，多个矩形子区域4301的大小、以及相邻两个矩形子区域4301之间的间距可以
在保证背极板刚性的情况下，根据需要进行设置。例如，如图1d所示，多个矩形子区域4301大小相等且等间距分布。例如，如图1e所示，多个矩形子区域4301的大小不等且非等间距分布，并且位于背极板中间的矩形子区域4301大于位于背极板边缘的矩形子区域4301，可以有效减少麦克风在工作中的噪声，提高产品的信噪比。
55.示例性地，在本实施例中，背极板上的镂空区域430包括多个圆形子区域4302。需要说明的是，多个圆形子区域4302的大小、以及相邻两个圆形子区域4302之间的间距可以在保证背极板刚性的情况下，根据需要进行设置。例如，如图1f所示，多个圆形子区域4302大小相等且等间距分布。例如，如图1g所示，多个圆形子区域4302的大小不等且非等间距分布，并且位于背极板中间的圆形子区域4302小于位于背极板半边缘的圆形子区域4302，可以提高产品的灵敏度，进而提高产品的信噪比。
56.在本实施例中，第一支撑件20封闭背腔60的区域上设置有至少一个第一泄气通道210。通过设置第一泄气通道210，使麦克风组件可适用于外部大声压作用，避免第一支撑件20受到大声压冲击而损坏，实现及时泄压。
57.示例性地，如图1h所示，在本实施例中，第一泄气通道210是泄气孔91。
58.示例性地，如图1i所示，在本实施例中，第一泄气通道210是贯穿第一支撑件20的非封闭环形泄气槽92。
59.示例性地，如图1j所示，在本实施例中，非封闭环形泄气槽92在第一支撑件20上形成对应的悬空部，悬空部的根部设置有加强筋240。需要说明的是，加强筋240可以设置在第一支撑件20的朝向背腔60的一面，也可以设置在第一支撑件20的远离背腔60的一面。通过设置加强筋240提高悬空部的强度，避免悬空部断裂，提高产品的机械可靠性。
60.在本实施例中，振膜上开设有至少一个第二泄气通道530。通过在振膜上设置第二泄气通道530，均衡背腔60与振动腔的压力，提高产品的可靠性。
61.示例性地，如图1k所示，在本实施例中，第二泄气通道530是泄气孔91。需要说明的是，泄气孔91的形状可以是圆形、多边形，本技术不做限制。还需要说明的是，多个泄气孔91可以按照行列对齐等间距排布，也可以按照周向阵列排布，本技术不做限制。
62.示例性地，如图1l所示，在本实施例中，第二泄气通道530是贯穿振膜的矩形泄气槽93。
63.示例性地，如图1m所示，在本实施例中，第二泄气通道530是贯穿振膜的非封闭环形泄气槽92。示例性地，非封闭环形泄气槽92在振膜上形成对应的悬空部，悬空部的根部可以设置加强筋240。通过悬空部可根据外部声压大小调整泄气量，当外部声压大时，悬空部绕根部转动的角度大，泄气量变大，当外部声压大时，悬空部绕根部转动的角度大，泄气量变大，从而在及时泄气的同时，保证低频频响性能。
64.在本实施例中，振膜和/或背极板上设置有防止振膜与对应的背极板粘接的防粘结构230。通过在振膜上设置防粘结构230，避免在使用麦克风的过程中，振膜与对应的背极板之间出现粘连。
65.示例性地，如图1n所示，在本实施例中，防粘结构230是振膜朝向对应的背极板的一侧和/或背极板朝向对应的振膜的一侧上设置的凸起结构2301，需要说明是，凸起结构2301的截面形状可以圆形、也可以是多边形，本技术不做限制。还需要说明的是，凸起结构2301还可以是波纹状凸起结构2301，如图1o所示，波纹状凸起结构2301中的波纹可以是平
行于第二支撑体的形式，当然也可以如图1p所示，是垂直于第二支撑体的形式。通过设置凸起结构2301，避免振膜与对应的背极板之间大面积的接触，凸起结构2301上的粘连力不足以使振膜与背极板粘连在一起，从而减少粘连。
66.示例性地，防粘结构230是振膜朝向对应的背极板的一侧和/或背极板朝向对应的振膜的一侧表面上涂覆的防粘涂层。
67.在本实施例中，振膜的至少部分区域是波纹膜250，其中，波纹膜250的波纹平行于第二支撑件30。需要说明的是，波纹膜250在振膜上所处的区域以及区域大小，均可以根据需要进行设置。通过在振膜上设置波纹膜250，帮助振膜释放内应力，保证振膜面积较大时，麦克风也能获得高灵敏度。
68.示例性地，如图1q所示，在本实施例中，波纹膜250的波纹可以设置在振膜的整个区域，并且波纹膜250的波纹平行于第二支撑件30。
69.在本实施例中，背极板的有效面积小于对应的振膜的有效面积。通过设置背极板的有效面积小于对应振膜的有效面积，可以将检测信号中的无效电容分量去除，使检测信号的灵敏度仅与有效电容分量相关，即减少寄生电容，从而提高灵敏度。
70.本实施例中，振膜包括振膜主体以及位于振膜主体两端的弯折结构540。需要说明的是，弯折结构540的形状可以是l形，也可以是如图1r所示的s形，本技术不做限制。通过在振膜主体两端设置弯折结构540，不仅能帮助振膜进行应力释放以提高产品性能，还能从弯折结构540泄气以改善产品的机械可靠性。
71.在本实施例中，麦克风组件还包括与第一电极510电连接的第一电极引出通路5101、与第二电极520电连接的第二电极引出通路5201、与第三电极410电连接的第三电极引出通路4101以及与第四电极420电连接的第四电极引出通路4201；其中，第一电极引出通路5101通过一个电极引出点98或者多个阵列排布的电极引出点98与第一电极510电连接；第二电极引出通路5201通过一个电极引出点98或者多个阵列排布的电极引出点98与第二电极520电连接；第三电极引出通路4101通过一个电极引出点98或者多个阵列排布的电极引出点98与第三电极410电连接；第四电极引出通路4201通过多个阵列排布的电极引出点98与第四电极420电连接。
72.示例性地，如图1s所示，第一电极引出通路5101通过多个阵列排布的电极引出点98与第一电极510电连接；第二电极引出通路5201通过多个阵列排布的电极引出点98与第二电极520电连接；第三电极引出通路4101通过多个阵列排布的电极引出点98与第三电极410电连接；第四电极引出通路4201通过多个阵列排布的电极引出点98与第四电极420电连接。通过多个电极引出点98阵列排布的方式可提高麦克风组件的导通率，降低产品失效率。
73.示例性地，如图1t所示，在本实施例中，第一电极引出通路5101包括与第一电极510直接电连接的第一多晶体电极通路5102以及与第一多晶体电极通路5102直接电连接的第一金属电极5103，第一金属电极5103将第一多晶体电极通路5102与外部信号处理电路电连接；第一电极510产生的电信号通过第一多晶体电极通路5102以及第一金属电极5103传输至外部信号处理电路；
第二电极引出通路5201包括与第二电极520直接电连接的第二多晶体电极通路5202以及与第二多晶体电极通路5202直接电连接的第二金属电极5203，第二金属电极5203将第二多晶体电极通路5202与外部信号处理电路电连接；第二电极520产生的电信号通过第二多晶体电极通路5202以及第二金属电极5203传输至外部信号处理电路；第三电极引出通路4101包括与第三电极410直接电连接的第三多晶体电极通路4102以及与第三多晶体电极通路4102直接电连接的第三金属电极4103，第三金属电极4103将第三多晶体电极通路4102与外部信号处理电路电连接；第三电极410产生的电信号通过第三多晶体电极通路4102以及第三金属电极4103传输至外部信号处理电路；第四电极引出通路4201包括与第四电极420直接电连接的第四多晶体电极通路4202以及与第四多晶体电极通路4202直接电连接的第四金属电极4203，第四金属电极4203将第四多晶体电极通路4202与外部信号处理电路电连接；第四电极420产生的电信号通过第四多晶体电极通路4202以及第四金属电极4203传输至外部信号处理电路；其中，第一多晶体电极通路5102、第一金属电极5103、第二多晶体电极通路5202、第二金属电极5203、第三多晶体电极通路4102、第三金属电极4103、第四多晶体电极通路4202以及第四金属电极4203均设置在第一支撑件20上。需要说明的是，第一金属电极5103、第二金属电极5203以及第三金属电极4103可以是金构成的电极。还需要说明的是，第一多晶体电极通路5102、第二多晶体电极通路5202、第三多晶体电极通路4102可以是多晶硅，多晶硅作为电极通路，可靠性和牢固性更好，因为多晶硅的台阶覆盖性比金属好。
74.通过在与基底的厚度方向平行的振膜以及背极板上设置多个阵列排布的电极引出点，保证产品的导通率，从而降低产品失效率。
75.在本实施例中，麦克风组件还包括悬置于第一支撑件20上方并通过支撑结构95与第一支撑件20固定连接的防尘结构94，防尘结构94覆盖第一振动腔810、第二振动腔820、第一子腔710、第二子腔720。示例性地，如图1u所示，防尘结构94覆盖第一振动腔810、第二振动腔820、第一子腔710以及第二子腔720。通过防尘结构94避免杂质进入到振动腔以及子腔内，从而降低产品失效率。
76.示例性地，防尘结构94上设置有至少一个第二通孔。需要说明的是，第二通孔的形状可以是圆形、也可以是多边形，但是本技术不做限制。
77.在本实施例中，在基底10参与形成第一振动腔810和第二振动腔820的区域上设置有至少一个第三泄气通道120。示例性地，如图1v所示，第三泄气通道120是贯通基底10的矩形泄气槽93。需要说明的是，第三泄气通道120还可以是泄气孔91、或贯穿基底10的非封闭环形泄气槽92，本技术不做限制。还需要说明的，第一振动腔810和第二振动腔820上均设置有第三泄气通道120。通过在基底10上设置第四泄气通路120，减小了声压在振动腔中的阻尼，减少产品的噪声，从而提高信噪比。
78.由上可见，通过设置与基底的厚度方向平行的振膜以及背极板，仅需要增大振膜以及背极板的长度就可以增加振膜以及背极板的面积，无需同时增加长度以及宽度，从而在有效提高麦克风产品的灵敏度的同时可以避免生产成本大幅增加，相较于振膜与背极板垂直于基底的厚度方向设置的结构，在保证同样性能的情况下，本技术中的麦克风组件更加小型化，且能够达到较高的长宽比，以适用于高长宽比的产品，同样地，本技术中的麦克风组件也能够适用于低长宽比的产品，适用范围增加。此外，通过第一可变电容与第二可变
电容构成差分电容检测以过滤外界的干扰信号，从而提高信噪比，相较于传统的三层膜结构的差分式电容检测，本技术中的第一可变电容与第二可变电容不需要共用振膜、或者共用背极板，能够保证第一可变电容与第二可变电容的灵敏度、以及静态电容的一致性，增强差分效果。此外，通过设置防尘结构、防粘结构、泄气通道进一步提高麦克风组件的性能。
79.图2是本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图。
80.如图2所示，示例性地，图2与图1a的区别在于：所述第一支撑件20封闭所述第一振动腔810和所述第二振动腔820。
81.在本实施例中，在第一支撑件20封闭第一振动腔810和第二振动腔820的情况下，第一支撑件20封闭所述第一振动腔810和所述第二振动腔820的区域上设置有至少一个第一通孔220。需要说明的是，多个第一通孔220可以按照行列对齐等间距排布，也可以按照周向阵列排布，本技术不做限制。
82.由上可见，通过使第一振动腔以及第二振动腔封闭，使该麦克风可以适用于前进音、底进音的封装结构。
83.例如，前进音的封装结构中，构成第三电极410的背极板上具有镂空区域430。声波从第一子腔710进入，通过镂空区域430作用到构成第一电极510的振膜上，振膜发生变形，第一电极510和第三电极410之间的距离变大，第一可变电容变小；声音从第二子腔720进入，作用到构成第二电极520的振膜上，振膜发生变形，第二电极520和第四电极420之间的距离变小，第一可变电容变大。
84.图3是本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图。
85.如图3所示，本技术至少一实施例还提供一种麦克风组件，该麦克风组件包括基底10、与所述基底10固定连接的第一支撑件20和第二支撑件30、以及位于所述第一支撑件20和所述第二支撑件30之间的两个振膜、两个背极板和一个第三支撑件90，所述两个背极板位于所述两个振膜之间并且所述第三支撑件90位于所述两个背极板之间，以将所述两个背极板相隔离，所述基底10的中部具有腔体110，所述第一支撑件20部分封闭所述腔体110的一侧，所述第二支撑件30位于所述腔体110内；在所述基底10的厚度方向上，所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件90的一端分别与所述第一支撑件20固定连接，并且所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件的另一端分别与所述第二支撑件30固定连接，所述两个振膜、所述两个背极板、所述第三支撑件90、所述第一支撑件20以及所述第二支撑件30共同将所述腔体110至少分隔出一个背腔60和两个彼此隔离的第一振动腔810和第二振动腔820；其中，所述两个振膜中的一个振膜构成第一电极510，所述两个振膜中的另一个振膜构成第二电极520，所述两个背极板中的一个背极板构成第三电极410，所述两个背极板中的另一个背极板构成第四电极420，所述第三电极410位于所述第一电极510和所述第三支撑件90之间，所述第四电极420位于所述第三支撑件90和所述第二电极520之间；所述第一电极510与所述第三电极410形成与所述第一振动腔810对应的第一可变电容，并且所述第一电极510远离所述第三电极410的一侧与所述背腔60相连通，所述第三电极410远离所述第一电极510的一侧与所述背腔60相隔离；声波从背腔60进入，作用到构成第一电极510的振膜上，振膜发生变形，第一电极510和第三电极410之间的距离变小，第一可变电容变大。
86.所述第二电极520与所述第四电极420形成与所述第二振动腔820对应的第二可变电容，并且所述第二电极520远离所述第四电极420的一侧与所述背腔60相隔离，所述第四电极420远离所述第二电极520的一侧与所述背腔60相连通，其中，所述第四电极420上具有镂空区域430，或者所述第四电极420和所述第三电极410上均具有镂空区域430，所述第四电极420上的镂空区域430将所述背腔60与所述第二振动腔820连通；声波从背腔60进入，通过镂空区域430作用到构成第二电极520的振膜上，振膜发生变形，第二电极520和第四电极420之间的距离变大，第二可变电容变小。
87.所述第一可变电容和所述第二可变电容构成差分电容，以感测进入麦克风组件中的声压。
88.需要说明的是，第一支撑件封闭第一振动腔810与第二振动腔820，此时该麦克风可以适用于前进音、底进音的封装结构。
89.还需要说明的是，第一支撑件不封闭第一振动腔810与第二振动腔820，此时该麦克风只适用于底进音的封装结构。
90.由上可见，通过设置与基底的厚度方向平行的振膜以及背极板，仅需要增大振膜以及背极板的长度就可以增加振膜以及背极板的面积，无需同时增加长度以及宽度，从而在有效提高麦克风产品的灵敏度的同时可以避免生产成本大幅增加，相较于振膜与背极板垂直于基底的厚度方向设置的结构，在保证同样性能的情况下，本技术中的麦克风组件更加小型化，且能够达到较高的长宽比，以适用于高长宽比的产品，同样地，本技术中的麦克风组件也能够适用于低长宽比的产品，适用范围增加。示例性地，通过两个振膜、两个背极板、第三支撑件、第一支撑件以及第二支撑件共同将腔体两个彼此隔离的第一振动腔和第二振动腔，且利用第一可变电容与第二可变电容构成差分电容检测以过滤外界的干扰信号，从而提高信噪比，相较于传统的三层膜结构的差分式电容检测，本技术中的第一可变电容与第二可变电容不需要共用振膜、或者共用背极板，能够保证第一可变电容与第二可变电容的灵敏度、以及静态电容的一致性，增强差分效果。
91.图4是本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图。
92.如图4所示，本技术至少一实施例还提供一种麦克风组件，该麦克风组件包括基底10、与所述基底10固定连接的第一支撑件20和第二支撑件30、以及位于所述第一支撑件20和所述第二支撑件30之间的两个振膜、两个背极板和一个第三支撑件90，所述两个振膜和所述两个背极板交错分布，所述基底10的中部具有腔体110，所述第一支撑件20部分封闭所述腔体110的一侧，所述第二支撑件30位于所述腔体110内；在所述基底10的厚度方向上，所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件90的一端分别与所述第一支撑件20固定连接，并且所述两个振膜、所述两个背极板以及所述第三支撑件90的另一端分别与所述第二支撑件30固定连接，所述两个振膜、所述两个背极板、所述第三支撑件90、所述第一支撑件20以及所述第二支撑件30共同将所述腔体110至少分隔出一个背腔60和两个彼此隔离的第一振动腔810和第二振动腔820；其中，所述两个振膜中的一个振膜构成第一电极510，所述两个振膜中的另一个振膜构成第二电极520，所述两个背极板中的一个背极板构成第三电极410，所述两个背极板中的另一个背极板构成第四电极420，所述第三电极410位于所述第一电极510和所述第三支撑件90之间，所述第二电极520位于所述第三支撑件90和所述第四电极420之间；
所述第一电极510与所述第三电极410形成与所述第一振动腔810对应的第一可变电容，并且所述第一电极510远离所述第三电极410的一侧与所述背腔60相连通，所述第三电极410远离所述第一电极510的一侧与所述背腔60相隔离；声波从背腔60进入，作用到构成第一电极510的振膜上，振膜发生变形，第一电极510和第三电极410之间的距离变小，第一可变电容变大。
93.所述第二电极520与所述第四电极420形成与所述第二振动腔820对应的第二可变电容，并且所述第二电极520远离所述第四电极420的一侧与所述背腔60相隔离，所述第四电极420远离所述第二电极520的一侧与所述背腔60相连通，其中，所述第四电极420上具有镂空区域430，或者所述第四电极420和所述第三电极410上均具有镂空区域430，所述第四电极420上的镂空区域430将所述背腔60与所述第二振动腔820连通；声波从背腔60进入，通过镂空区域430作用到构成第二电极520的振膜上，振膜发生变形，第二电极520和第四电极420之间的距离变大，第二可变电容变小。
94.所述第一可变电容和所述第二可变电容构成差分电容，以感测进入麦克风组件中的声压。
95.需要说明的是，第一支撑件封闭第一振动腔810与第二振动腔820，此时该麦克风可以适用于前进音、底进音的封装结构。
96.还需要说明的是，第一支撑件不封闭第一振动腔810与第二振动腔820，此时该麦克风只适用于底进音的封装结构。
97.由上可见，通过设置与基底的厚度方向平行的振膜以及背极板，仅需要增大振膜以及背极板的长度就可以增加振膜以及背极板的面积，无需同时增加长度以及宽度，从而在有效提高麦克风产品的灵敏度的同时可以避免生产成本大幅增加，相较于振膜与背极板垂直于基底的厚度方向设置的结构，在保证同样性能的情况下，本技术中的麦克风组件更加小型化，且能够达到较高的长宽比，以适用于高长宽比的产品，同样地，本技术中的麦克风组件也能够适用于低长宽比的产品，适用范围增加。示例性地，通过两个振膜、两个背极板、第三支撑件、第一支撑件以及第二支撑件共同将腔体两个彼此隔离的第一振动腔和第二振动腔，且利用第一可变电容与第二可变电容构成差分电容检测以过滤外界的干扰信号，从而提高信噪比，相较于传统的三层膜结构的差分式电容检测，本技术中的第一可变电容与第二可变电容不需要共用振膜、或者共用背极板，能够保证第一可变电容与第二可变电容的灵敏度、以及静态电容的一致性，增强差分效果。
98.图5为本技术另一实施例提供的封装结构的结构示意图。
99.如图5所示，本技术至少一实施例还提供一种封装结构，该封装结构包括壳体97以及本技术任一实施例所述的麦克风组件2，麦克风组件2位于壳体97内；壳体97的下表面开设有用于进音的进音孔96，声波从进音孔96进入后，传入到麦克风组件2的背腔60中；其中，壳体97的长与宽的比值大于3。
100.封装结构还包括位于壳体97内的外部信号处理电路3，外部信号处理电路3通过电连接结构4与麦克风组件2电连接。需要说明的是，外部信号处理电路3可以是asic芯片，asic芯片用于检测mems芯片电容量变化，传递给后端处理器件。还需要说明的是，电连接结构4可以是金线。
101.麦克风组件2的结构可参阅如图１a-图1v、或图3、或图4所示，本技术不再赘述。
102.由上可见，本实施例中的封装结构具有较高的长宽比，从而使得封装结构适用于笔记本等需要封装结构为狭长型的产品中。
103.图6为本技术另一实施例提供的封装结构的结构示意图。
104.如图6所示，本技术至少一实施例还提供一种封装结构，该封装结构包括壳体97以及麦克风组件2，麦克风组件2位于壳体97内；壳体97的上表面开设有用于进音的进音孔96，声波从进音孔96进入后，传入到麦克风组件的第一子腔710和第二子腔720中；其中，壳体97的长与宽的比值大于3。
105.封装结构还包括位于壳体97内的外部信号处理电路3，外部信号处理电路3通过电连接结构4与麦克风组件2电连接。需要说明的是，外部信号处理电路3可以是asic芯片，asic芯片用于检测mems芯片电容量变化，传递给后端处理器件。还需要说明的是，电连接结构4可以是金线。
106.在本实施例中，麦克风组件2的第一支撑件20封闭第一振动腔810以及第二振动腔820。麦克风组件2的其他细节可参阅图2，本技术不再赘述。
107.由上可见，本实施例中的封装结构具有较高的长宽比，从而使得封装结构适用于笔记本等需要封装结构为狭长型的产品中。
108.图7为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图。
109.如图7所示，本技术至少一实施例还提供一种麦克风组件，该麦克风组件包括中部具有腔体110的基底10、在基底10的长度方向上阵列排布的多个感测组件1以及位于相邻两个感测组件1之间的第四支撑件99，其中，第四支撑件99使相邻的两个感测组件1相隔离；感测组件1包括两个振膜、两个背极板、第一支撑件20、第二支撑件30以及第三支撑件90，第一支撑件20与基底10固定连接，第二支撑件30位于腔体110内且与基底10固定连接，感测组件1的两个背极板位于感测组件1的两个振膜之间并且第三支撑件90位于两个背极板之间，两个振膜中的一个振膜和两个背极板中的一个背极板形成第一可变电容，两个振膜中的另一个振膜和两个背极板中的另一个背极板形成第二可变电容；在基底10的厚度方向上，感测组件1的两个振膜、两个背极板以及第三支撑件90的一端与第一支撑件20固定连接，并且该组件中的两个振膜、两个背极板以及第三支撑件90的另一端分别与对应的第二支撑件30固定连接，该组件中的两个振膜和两个背极板、第三支撑件90、第一支撑件20、该组件对应的第二支撑件30共同将腔体110至少分隔出该组件对应的第一振动腔810和第二振动腔820、以及背腔60；其中，多个感测组件1通过第一支撑件20首尾相连，并且首尾相连的第一支撑件20部分封闭腔体的一侧，所有感测组件1对应的第一振动腔810和第二振动腔820彼此不连通，并且所有感测组件1对应同一背腔60。
110.由上可见，通过阵列排布的方式扩大了振膜以及背极板的面积，从而提高了麦克风组件的性能。
111.图8为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图。
112.如图8所示，本技术至少一实施例还提供一种麦克风组件，该麦克风组件包括中部具有腔体110的基底10、在基底10的长度方向上阵列排布的多个感测组件1；感测组件1包括第一支撑件20、第二支撑件30、第三支撑件90以及分别位于第三支撑件90两侧的两对振膜/背极板组合，第一支撑件20与基底10固定连接，第二支撑件30位于
腔体110内且与基底10固定连接，两对振膜/背极板组合中的一个振膜/背极板组合形成第一可变电容，两对振膜/背极板组合中的另一个振膜/背极板组合形成第二可变电容；在基底10的厚度方向上，感测组件1的两个振膜、两个背极板以及第三支撑件90的一端与第一支撑件20固定连接，并且该组件中的两个振膜、两个背极板以及第三支撑件90的另一端分别与第二支撑件30固定连接，该组件中的两个振膜和两个背极板、第三支撑件90、第一支撑件20、该组件对应的第二支撑件30共同将腔体110至少分隔出该组件对应的第一振动腔810和第二振动腔820、以及背腔60；其中，多个感测组件1通过第一支撑件20首尾相连，并且首尾相连的第一支撑件20部分封闭腔体的一侧，所有感测组件1对应的第一振动腔810和第二振动腔820彼此不连通，并且所有感测组件1对应同一背腔60。
113.由上可见，通过阵列排布的方式扩大了振膜以及背极板的面积，从而提高了麦克风组件的性能。
114.图9为本技术另一实施例提供的麦克风组件的结构示意图。
115.如图9所示，本技术至少一实施例还提供一种麦克风组件，该麦克风组件包括中部具有腔体110的基底10、在基底10的长度方向上阵列排布的多个感测组件1以及位于相邻两个感测组件1之间的第四支撑件99，其中，第四支撑件99使相邻的两个感测组件1相隔离；感测组件1包括第一支撑件20、第二支撑件30、两个振膜以及两个背极板，两个振膜和两个背极板交错分布，第一支撑件20与基底10固定连接，第二支撑件30位于腔体110内且与基底10固定连接，两个振膜中的一个振膜和两个背极板中的一个背极板形成第一可变电容，两个振膜中的另一个振膜和两个背极板中的另一个背极板形成第二可变电容；在基底10的厚度方向上，感测组件1的两个振膜以及两个背极板的一端与第一支撑件20固定连接，并且该组件中的两个振膜、两个背极板的另一端分别与第二支撑件30固定连接，该组件中的两个振膜和两个背极板、第一支撑件20、该组件对应的第二支撑件30共同将腔体110至少分隔出该组件对应的第一振动腔810和第二振动腔820、以及背腔60；其中，多个感测组件1通过第一支撑件20首尾相连，并且首尾相连的第一支撑件20部分封闭腔体的一侧，所有感测组件1对应的第一振动腔810和第二振动腔820彼此不连通，并且所有感测组件1对应同一背腔60。
116.由上可见，通过阵列排布的方式扩大了振膜以及背极板的面积，从而提高了麦克风组件的性能。
117.本技术至少一实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括如本技术任一实施例所述的麦克风组件。
118.本技术至少以实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括如本技术任一实施例所述的封装结构。
119.在本技术的各个实施例中，如果没有特殊说明以及逻辑冲突，不同的实施例之间的术语或描述具有一致性、且可以相互引用，不同的实施例中的技术特征根据其内在的逻辑关系可以组合形成新的实施例。本技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。
120.可以理解的是，在本技术的实施例中涉及的各种数字编号仅为描述方便进行的区分，并不用来限制本技术的实施例的范围。上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序
的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定。
121.以上对本技术实施例所提供的麦克风组件、封装结构及电子设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。