失效点的定位方法、装置、计算机设备、介质和程序产品与流程

1.本技术涉及芯片检测技术领域，特别是涉及一种失效点的定位方法、装置、计算机设备、介质和程序产品。


背景技术：

2.随着电子产品朝小型化、高密度化、高可靠性、低功耗方向发展，将多种芯片、器件集成于同一封装体的三维(3d)先进封装成为满足技术发展的新方向。叠层3d封装因具有集成度高、质量轻、封装尺寸小、制造成本低等特点，在人工智能、自动驾驶、5g网络、物联网等新兴产业具有广阔的应用前景。
3.然而在多层堆叠的3d封装结构中，由于工艺复杂性的增加，失效故障可能发生在任何一个组件内的走线、过孔或连接组件的互连处。随着封装厚度的增加和特征尺寸的缩小，对于3d封装中的失效定位也提出了新的挑战。首先，3d封装中的几何结构高度复杂并且越来越小，因此失效定位的精确度变得更加重要。目前现有技术中对于多层堆叠的芯片中失效点的定位精度，特别是深度方向定位精度很低。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高芯片内部失效点定位精度的失效点的定位方法、装置、计算机设备、介质和程序产品。
5.第一方面，本技术提供了一种失效点的定位方法。所述方法包括：
6.获取通过热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
7.获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
8.根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
9.在其中一个实施例中，
10.所述获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片的表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角，包括：
11.通过红外热成像装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片的表面的热成像图片；
12.使用与所述测试信号的锁相频率相同的正弦函数参考信号对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数；
13.根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面
各点的相位角。
14.在其中一个实施例中，所述使用与所述测试信号的锁相频率相同的正弦函数参考信号对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数之后，还包括：
15.根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的温度振幅。
16.在其中一个实施例中，所述根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标，包括：
17.根据所述待测试芯片表面各点的振幅可以在水平方向确认所述失效点的位置所在区域；
18.根据所述芯片表面各点的相位角和所述区域中各点对应的三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
19.在其中一个实施例中，通过如下公式计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标：
[0020][0021]
其中，φ为相位角，z
eff
为所述失效点到所述待测试芯片表面各点的等效距离，λ为所述待测试芯片材料的热扩散长度，所述待测试芯片表面任意一点的三维坐标为(x，y，z)，所述失效点的三维坐标为(x0，y0，z0)。
[0022]
在其中一个实施例中，所述根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标，包括：
[0023]
将所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标代入所述公式进行参数拟合，获得所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0024]
第二方面，本技术还提供了一种失效点的定位装置。所述装置包括：
[0025]
相位角获取模块，用于获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0026]
三维坐标获取模块，用于获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0027]
失效点定位模块，用于根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0028]
第三方面，本技术还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
[0029]
获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0030]
获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各
点的三维坐标；
[0031]
根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0032]
第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0033]
获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0034]
获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0035]
根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0036]
第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0037]
获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0038]
获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0039]
根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0040]
上述失效点的定位方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。通过上述方式，本技术通过将待测试芯片表面各点的相位角和表面各点的三维坐标结合，实现空间定位，本发明能够实现快速进行失效点的定位，且不会受到芯片的几何结构的影响，因此定位的精度高。
附图说明
[0041]
图1为一个实施例中失效点的定位方法的应用环境图；
[0042]
图2为一个实施例中失效点的定位方法的流程示意图；
[0043]
图3为一个实施例中失效点的定位装置的结构框图；
[0044]
图4为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0045]
为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0046]
本技术实施例提供的失效点的定位方法，可以应用于如图1所示的应用环境中，该系统包括红外热成像装置102、图像扫描装置103和计算设备104。其中，红外热成像装置102、图像扫描装置103能够通过有线或者无线方式与服务器104进行通信。数据存储系统可以存储服务器104需要处理的数据。数据存储系统可以集成在服务器104上，也可以放在云上或其他网络服务器上。红外热成像装置102用于对待测试芯片进行扫描，获得热成像图片，图像扫描装置103用于对待测试芯片进行扫描，获得待测试芯片表面上各点的三维坐标，红外热成像装置102将获得的热成像图片发送给计算设备104，图像扫描装置103将获得的待测试芯片表面上各点的三维坐标发送给计算设备104，计算设备104根据待测试芯片的热成像图片和其表面上各点的三维坐标计算获得待测试芯片中失效点的三维坐标。其中，红外热成像装置102可以但不限于是各种红外相机、红外成像仪等，图像扫描装置103可以但不限于是各种激光雷达扫描仪、便携式扫描仪等。计算设备104可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、物联网设备和便携式可穿戴设备，物联网设备可为智能音箱、智能电视、智能空调等。便携式可穿戴设备可为智能手表、智能手环、头戴设备等。
[0047]
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种失效点的定位方法，包括以下步骤：
[0048]
步骤s200，获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0049]
现有技术(例如，锁相红外热成像lock-in thermography，lit)对3d封装芯片进行失效定位时，失效点的热波扩散有强烈阻尼效应，和传输距离成指数关系。而其探测能力即表面温度升高，会随着锁相频率的增加而增加，因此提高锁相频率会增加失效点热源向z轴方向的传热，改善探测能力。但提高频率同样也会使得失效点热源增加x，y轴方向传热，使得失效点直径增加，结果的准确性无法保证。
[0050]
本实施例中，以该方法应用于图1中的计算设备为例进行说明，计算机设备可以控制红外热成像装置对已施加测试信号的待测试芯片进行扫描，红外热成像装置将扫描获得的待测试芯片的表面的热成像图片发送给计算机设备，计算机设备对收到的热成像图片采用上述方法进行分析，从而可以获得该待测试芯片表面各点的相位角φ。
[0051]
具体地，作为一个实施例中，步骤s200，可以包括：
[0052]
步骤s201，通过红外热成像图片装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片的热成像图片；
[0053]
步骤s202，对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数；
[0054]
步骤s203，根据所述第一电压、第二电压和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的相位角。
[0055]
在失效点的定位过程中，需要先将待测芯片施加测试信号，在待测芯片上施加测
试信号后，被待测芯片中失效点和其他热点(需要说明的是本技术中所述的失效点为待测试芯片中发热异常的热点)都会产热，各热点和失效点产生的热以热波形式传到至待测芯片的表面，热波可以由热波函数表示：
[0056]
f(t)＝a sin(2πf
lock-in
t φ)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0057]
其中，a为表面温度振幅；φ为相位角(相移)，f
lock-in
为测试信号的锁相频率，t为时间。
[0058]
其中，测试信号一般为电激励信号，电激励信号一般为方波(具体实施中还可以为其他形状的电激励信号)，当然在具体实施中还可以电激励信号还可以为正弦、余弦、三角形等。
[0059]
对待测试芯片施加与所述测试信号的锁相频率相同的正弦函数参考信号，作为一种实施例，正弦函数参考信号分别为s0°
、s-90
°
，s0°
表示的是相位角为0
°
的正弦函数参考信号，s-90
°
表示的是相位角为-90
°
正弦函数参考信号，具体实施中还可以采用s0°
、s
90
°
这两个正弦函数参考信号，只需要满足正弦函数参考信号相对测试信号的相位关系是相等的即可(也可以理解为两个信号对应的相位关系相差90
°
)。施加正弦函数参考信号后，通过电脑分别进行数字化锁相信号相干处理(经过相干处理后，能够去除噪音点，只留下锁相频率的热点)，可得一段积分施加内的线性平均：
[0060][0061]
其中，i∈[1，n]、j∈[1，n]，n为两个正弦函数参考信号的每个锁相周期中数字化信号数量，n为锁相周期数量，fj、k
i，j
分别为施加两个正弦函数参考信号的待测试芯片表面温度的波动。
[0062]
根据两个正弦函数参考信号的输出计算待测试芯片表面的相位角φ图像：
[0063][0064]
根据表面热对流边界条件，表面温度正弦函数的相位角可以表达为热源和探测位置间距离、材料性质、以及锁相频率的函数：
[0065][0066]
其中，z为热源和失效点之间的距离；λ为材料热扩散长度。
[0067]
其中，待测试芯片材料的热扩散长度λ为待测试芯片材料的固定属性，在实际应用中，可以将热扩散长度λ预存，在使用时，查找预存的热扩散长度λ进行使用。具体实施中还可以通过如下方式获得：
[0068]
根据锁相频率f
lock-in
计算获得热扩散长度。
[0069]
具体通过如下公式计算获得：
[0070][0071]
其中，a表示材料热扩散率。a则根据待测试芯片的热参数导热率λ、比热容c
p
、密度ρ计算获得。
[0072]
即热扩展长度还可以根据热参数导热率λ、比热容c
p
、密度ρ和锁相频率f
lock-in
计算获得。
[0073]
具体如下计算公式进行计算：
[0074][0075]
可以理解的是，本领域技术人员可以知对热成像图片的分析，获得待测芯片表面各点的相位角的功能还可以集成于红外热成像装置中。本实施例中可以采用lit技术获得待测试芯片的相位角，具体实施中还可以采用其他算法，例如采用脉冲热成像法(pt,pulsed thermography)、或者脉冲相位热成像技术(pulsed phase thermography，ppt)，只需要能够该技术能够获得待测芯片表面各点的相位角φ，此处不做限定。
[0076]
需要说明的是，为提高结果的准确性，在实际应用中，可以向待测试芯片施加多个不同锁相频率的激励信号，根据获得的多个激励信号对应的测试结果，从中选择出测试结果最优的激励信号作为测试信号，以选择的测试信号对应获得的待测芯片表面各点的相位角φ进行后续处理。
[0077]
步骤s210，获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0078]
计算机设备可以控制图像扫描装置对待测试芯片进行扫描分析，然后接收图像扫描装置，得到待测试芯片表面的三维图像。对接收到的三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标。本步骤可以在获得待测试芯片表面各点的相位角φ后执行，也可以在获得待测试芯片表面各点的相位角φ之前执行，甚至可以获得待测试芯片表面各点的相位角φ的同时执行，此处不做限定。
[0079]
可以理解的是，本领域技术人员可以知对三维图像的分析，获得待测芯片表面各点的三维坐标的功能还可以集成于图像扫描装置中。此外需要说明的是，为了保证结果的准确性，在扫描待测试芯片分别获得相位角和三维坐标的过程中，保持待测试芯片的位置不变。
[0080]
步骤s220，根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0081]
在获得待测试芯片表面各点的相位角φ，以及待测试芯片表面各点的三维坐标后，则可以根据各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0082]
具体过程可以包括：
[0083]
假设失效点的坐标已知，坐标可以表示为(x0，y0，z0)，需要说明的是失效点坐标所在的坐标系与上述步骤获取三维坐标的坐标系为同一坐标系。
[0084]
失效点defect(x0,y0,z0)到表面任意一点(x,y,z)的空间距离定义为等效距离zeff，可得，
[0085][0086]
结合上述公式(5)，相位角
[0087][0088]
根据获得的待测试芯片表面各个点相位角与三维坐标，带入上述公式(5)，进行参数拟合，即可获得失效点的坐标。参数拟合的具体实现方法可以采用现有参数拟合方法。
[0089]
上述失效点的定位方法，获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。通过上述方式，本技术通过将待测试芯片表面各点的相位角和表面各点的三维坐标结合，实现空间定位，本发明能够实现快速进行失效点的定位，且不会受到芯片的几何结构的影响，因此定位的精度高。
[0090]
在一个实施例中，基于上述实施例，对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数之后，还包括：
[0091]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的温度振幅。
[0092]
根据两个正弦函数参考信号的输出计算待测试芯片表面的温度振幅a图像：
[0093][0094]
在一个实施例中，基于上述实施例，所述根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标的步骤，可以包括：
[0095]
步骤s221，根据所述待测试芯片表面各点的振幅可以在水平方向确认所述失效点的位置所在区域；
[0096]
步骤s222，根据所述芯片表面各点的相位角和所述区域中各点对应的三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0097]
作为一种实施例，本实施例还可以在获得根据上述获得的温度振幅a图像，根据获得的温度振幅a图，则可以根据获得的振幅图像确定失效点在水平方向所处的区域，即可以确定失效点在待测试芯片表面上的所处的区域。然后利用该区域中各表面点对应的三维坐标以及相位角即可计算失效点的三维坐标。
[0098]
通过上述方式，本实施例中先计算待测试芯片表面各点的温度振幅图像，可以确定失效点所处的区域，再利用该区域上各点的相位角和三维坐标计算失效点的三维坐标，能够提升失效点三维坐标的准确性。
[0099]
应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的
步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
[0100]
基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的失效点的定位方法的失效点的定位装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个失效点的定位装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于失效点的定位方法的限定，在此不再赘述。
[0101]
在一个实施例中，如图3所示，提供了一种失效点的定位装置，包括：
[0102]
相位角获取模块310，用于获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0103]
三维坐标获取模块320，用于获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0104]
失效点定位模块330，用于根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0105]
在一个实施例中，所述测试信号包括互为正交电压的第一电压和第二电压，相位角获取模块310，还用于：
[0106]
通过红外热成像图片装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片表面的热成像图片；
[0107]
使用与所述测试信号的锁相频率相同的正弦函数参考信号对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数；
[0108]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的相位角。
[0109]
在一个实施例中，该失效点的定位装置，还包括：
[0110]
温度振幅获取模块(图未示)，用于根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的温度振幅。
[0111]
在一个实施例中，失效点定位模块330还用于：
[0112]
根据所述待测试芯片表面各点的振幅可以在水平方向确认所述失效点的位置所在区域；
[0113]
根据所述芯片表面各点的相位角和所述区域中各点对应的三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0114]
在一个实施例中，失效点定位模块330还用于：
[0115]
通过如下公式计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标：
[0116][0117]
其中，φ为相位角，z
eff
为所述失效点到所述待测试芯片表面各点的等效距离，λ为所述待测试芯片的材料的热扩散长度，所述待测试芯片表面任意一点的三维坐标为(x，y，z)，所述失效点的三维坐标为(x0，y0，z0)。
[0118]
在一个实施例中，失效点定位模块330还用于：
[0119]
将所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标代入所述公式进行参数拟合，获得所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0120]
上述该失效点的定位装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
[0121]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是服务器，其内部结构图可以如图4所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器和网络接口。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的数据库可以用于存储待测试芯片表面各点的相位角、待测试芯片表面各点的三维坐标，还可以存储待测试芯片表面各点的相位角、待测试芯片表面各点的三维坐标、待测试芯片的热成像图片、待测试芯片的三维图像。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种该失效点的定位方法。
[0122]
本领域技术人员可以理解，图4中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
[0123]
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
[0124]
获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0125]
获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0126]
根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0127]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0128]
所述测试信号包括互为正交电压的第一电压和第二电压，所述通过红外热成像图片装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角，包括：
[0129]
通过红外热成像图片装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片的热成像图片；
[0130]
使用与所述测试信号的锁相频率相同的正弦函数参考信号对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数；
[0131]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的相位角。
[0132]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0133]
所述对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数
之后，还包括：
[0134]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的温度振幅。
[0135]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0136]
根据所述待测试芯片表面各点的振幅可以在水平方向确认所述失效点的位置所在区域；
[0137]
根据所述芯片表面各点的相位角和所述区域中各点对应的三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0138]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0139]
通过如下公式计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标：
[0140][0141]
其中，φ为相位角，z
eff
为所述失效点到所述待测试芯片表面各点的等效距离，λ为所述待测试芯片的热扩散长度，所述待测试芯片表面任意一点的三维坐标为(x，y，z)，所述失效点的三维坐标为(x0，y0，z0)。
[0142]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0143]
将所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标代入所述公式进行参数拟合，获得所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0144]
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0145]
获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0146]
获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0147]
根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0148]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0149]
所述测试信号包括互为正交电压的第一电压和第二电压，所述通过红外热成像图片装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角，包括：
[0150]
通过红外热成像图片装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片表面的热成像图片；
[0151]
使用与所述测试信号的锁相频率相同的正弦函数参考信号对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数；
[0152]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的相位角。
[0153]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0154]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的温度振幅。
[0155]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0156]
根据所述待测试芯片表面各点的振幅可以在水平方向确认所述失效点的位置所在区域；
[0157]
根据所述芯片表面各点的相位角和所述区域中各点对应的三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0158]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0159]
通过如下公式计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标：
[0160][0161]
其中，φ为相位角，z
eff
为所述失效点到所述待测试芯片表面各点的等效距离，λ为所述待测试芯片的热扩散长度，所述待测试芯片表面任意一点的三维坐标为(x，y，z)，所述失效点的三维坐标为(x0，y0，z0)。
[0162]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0163]
将所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标代入所述公式进行参数拟合，获得所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0164]
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
[0165]
获取通过红外热成像装置对被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片的热成像图片，并对所述热成像图片进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的相位角；
[0166]
获取通过图像扫描装置对所述被施加测试信号的待测试芯片进行扫描，获得的所述待测试芯片表面的三维图像，并对所述三维图像进行分析，获得所述待测试芯片表面各点的三维坐标；
[0167]
根据所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0168]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0169]
通过红外热成像装置对所述待测试芯片进行扫描，获得所述待测试芯片表面的热成像图片；
[0170]
使用与所述测试信号的锁相频率相同的正弦函数参考信号对所述热成像图片进行数字化锁相信号相干处理，获得对应的线性平均函数；
[0171]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的相位角。
[0172]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0173]
根据所述正弦函数参考信号和所述线性平均函数计算获得所述待测试芯片表面各点的温度振幅。
[0174]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0175]
根据所述待测试芯片表面各点的振幅可以在水平方向确认所述失效点的位置所在区域；
[0176]
根据所述芯片表面各点的相位角和所述区域中各点对应的三维坐标计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0177]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0178]
通过如下公式计算所述待测试芯片中失效点的三维坐标：
[0179][0180]
其中，φ为相位角，z
eff
为所述失效点到所述待测试芯片表面各点的等效距离，λ为所述待测试芯片的热扩散长度，所述待测试芯片表面任意一点的三维坐标为(x，y，z)，所述失效点的三维坐标为(x0，y0，z0)。
[0181]
在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：
[0182]
将所述待测试芯片表面各点的相位角和三维坐标代入所述公式进行参数拟合，获得所述待测试芯片中失效点的三维坐标。
[0183]
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
[0184]
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0185]
以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。