垂直腔面发射激光器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供外延结构，所述外延结构包括依次层叠的衬底、n型接触层、n型反射层、量子阱层和p型反射层；在所述p型反射层上形成p极金属电极，并在所述p极金属电极上形成第一抗反射膜层以覆盖所述p型反射层；由所述第一抗反射膜层刻蚀沟槽至所述n型接触层；通过所述沟槽的侧壁向所述p型反射层内延伸形成氧化结构，并在所述第一抗反射膜层上形成第二抗反射膜层以覆盖所述沟槽；由所述沟槽刻蚀所述第二抗反射膜层露出所述n型接触层，在露出的所述n型接触层上形成n极金属电极；刻蚀所述第一抗反射膜层和所述第二抗反射膜层以露出所述p极金属电极；通过所述p极金属电极接出p电极，通过所述n极金属电极接出n电极。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述在所述p型反射层上形成p极金属电极，并在所述p极金属电极上形成第一抗反射膜层以覆盖所述p型反射层包括：在所述p型反射层上蒸镀形成所述p极金属电极。3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述由所述第一抗反射膜层刻蚀沟槽至所述n型接触层包括：刻蚀所述沟槽，所述沟槽形成倒梯形沟槽。4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述由所述第一抗反射膜层刻蚀沟槽至所述n型接触层包括：刻蚀所述沟槽，使所述沟槽的槽壁和水平面之间具有夹角，且所述夹角在60
°
～80
°
之间。5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，所述通过所述沟槽的侧壁向所述p型反射层内延伸形成氧化结构，并在所述第一抗反射膜层上形成第二抗反射膜层以覆盖所述沟槽包括：通过湿氧化工艺形成所述氧化结构。6.一种垂直腔面发射激光器，采用如权利要求1-5任一项所述的垂直腔面发射激光器的制备方法制备，其特征在于，包括依次层叠设置的外延结构、p极金属电极、第一抗反射膜层和第二抗反射膜层，所述p极金属电极位于所述外延结构的p型反射层上；还包括由所述第二抗反射膜层延伸至所述外延结构的n型接触层的沟槽，所述沟槽底部的所述n型接触层上设置n极金属电极，所述外延结构的p型反射层内还设置氧化结构，所述氧化结构由所述沟槽的侧壁向所述p型反射层内延伸。7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述外延结构包括依次层叠设置的衬底、所述n型接触层、n型反射层、量子阱层和所述p型反射层，所述p极金属电极设置在所述p型反射层上。8.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述沟槽为倒梯形沟槽，所述沟槽的槽壁和水平面之间具有夹角，且所述夹角在60
°
～80
°
之间。9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述沟槽的数量为多个，
多个所述沟槽均布在所述外延结构上，多个所述沟槽形成的所述氧化结构之间形成间隙孔径。10.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一抗反射膜层和第二抗反射膜层均包括氮氧硅或氮化硅。

技术总结
本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及垂直腔面发射激光器技术领域，包括提供外延结构，外延结构包括依次层叠的衬底、N型接触层、N型反射层、量子阱层和P型反射层；在P型反射层上形成P极金属电极，并在P极金属电极上形成第一抗反射膜层以覆盖P型反射层；由第一抗反射膜层刻蚀沟槽至N型接触层；通过沟槽的侧壁向P型反射层内延伸形成氧化结构，并在第一抗反射膜层上形成第二抗反射膜层以覆盖沟槽；由沟槽刻蚀第二抗反射膜层露出N型接触层，在露出的N型接触层上形成N极金属电极；刻蚀第一抗反射膜层和第二抗反射膜层以露出P极金属电极；通过P极金属电极接出P电极，通过N极金属电极接出N电极。过N极金属电极接出N电极。过N极金属电极接出N电极。


技术研发人员：潘德烈 李承远 李佳勋
受保护的技术使用者：深圳市德明利光电有限公司
技术研发日：2022.08.02
技术公布日：2022/11/8