一种高电平有效的延时控制复位电路的制作方法

1.本实用新型涉及电路技术领域，具体为一种高电平有效的延时控制复位电路。


背景技术：

2.复位电路，就是利用它把电路恢复到起始状态。就像计算器的清零按钮的作用一样，以便回到原始状态，重新进行计算。和计算器清零按钮有所不同的是，复位电路启动的手段有所不同。一是在给电路通电时马上进行复位操作：二是在必要时可以由手动操作：三是根据程序或者电路运行的需要自动地进行。
3.现有技术的复位电路通常通过串联的电容和电阻来形成延时电路，然而，若电容失效或短路，流到芯片的电流会很大，会对芯片造成损坏.


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种可对芯片进行保护的高电平有效的延时控制复位电路。
5.本实用新型实施例中，提供了一种高电平有效的延时控制复位电路，其包括电容c1、电阻r1、r2、二极管d1，电容c1和电阻r1依次串联于高电平和地之间，二极管d1的正极接地，负极接电容c1与电阻r1的连接点p，电容c1与电阻r1的连接点p通过电阻r2接芯片的复位控制端口rst。
6.本实用新型实施例中，所述的高电平有效的延时控制复位电路，还包括开关sw3，开关sw3的一端接高电平，另一端接电容c1与电阻r1的连接点p.
7.本实用新型实施例中，开关sw3采用按键开关。
8.本实用新型实施例中，二极管d1采用开关二极管。
9.与现有技术相比较，本实用新型的高电平有效的延时控制复位电路包括电容c1、电阻r1、r2、二极管d1，电容c1和电阻r1依次串联于高电平和地之间，二极管d1的正极接地，负极接电容c1与电阻r1的连接点p，开关sw3的一端接高电平，另一端接电容c1与电阻r1的连接点p，电容c1与电阻r1的连接点p通过电阻r2接芯片的复位控制端口，通过在电容c1与电阻r1的连接点p与芯片的复位控制端口之间设置电阻r2，可以对流入至芯片的复位控制端口的电流进行限流，从而防止电容失效或者短路导致的大电流对芯片造成损害。
附图说明
10.图1是本实用新型实施例一的高电平有效的延时控制复位电路的结构示意图。
11.图2是本实用新型实施例二的高电平有效的延时控制复位电路的结构示意图。
具体实施方式
12.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释
本实用新型，并不用于限定本实用新型。
13.以下结合具体实施例对本实用新型的实现进行详细描述。
14.如图1所示，本实用新型实施例一中，提供了一种高电平有效的延时控制复位电路，其包括电容c1、电阻r1、r2、二极管d1，电容c1和电阻r1依次串联于高电平和地之间，二极管d1的正极接地，负极接电容c1与电阻r1的连接点p，电容c1与电阻r1的连接点p通过电阻r2接芯片的复位控制端口rst。
15.需要说明的是，在高电平vcc上电瞬间，对电容c1充电，此时，有电流流经电容c1、电阻r1至地，vcc＝vc1 vr1,其中，vc1为电容c1两端的电压，vr1为电阻r1两端的电压，也就是p点的电压为vc1，在充电瞬间，vc1为零，vr1几乎等于vcc，也就是施加给芯片的复位控制端口rst了一个高电平，使得芯片进行复位，电容c1充电完成后，p点电压为零，施加给芯片的复位控制端口rst的为低电平，芯片不进行动作。
16.其中，高电平vcc可采用3.3v电压。二极管d1采用开关二极管，用于在高电平vcc断电时快速将电容上的电压释放出来，为下次上电复位做准备，确保复位信号准确无误。电阻r2为限流电阻，用于限制流入芯片的复位控制端口rst的电流，从而防止电容失效或者短路导致的大电流对芯片造成损害。
17.如图2所示，本实用新型实施例二提供的高电平有效的延时控制复位电路，与实施例一相比，其区别在于还包括开关sw3，开关sw3的一端接高电平，另一端接电容c1与电阻r1的连接点p。开关sw3采用按键开关，其作用是在电容c1由于电磁干扰陷入混乱的充放电状态而导致芯片无法复位时，直接通过手动按压开关sw3，从而使得芯片复位。
18.与现有技术相比较，本实用新型的高电平有效的延时控制复位电路包括电容c1、电阻r1、r2、二极管d1，电容c1和电阻r1依次串联于高电平和地之间，二极管d1的正极接地，负极接电容c1与电阻r1的连接点p，开关sw3的一端接高电平，另一端接电容c1与电阻r1的连接点p，电容c1与电阻r1的连接点p通过电阻r2接芯片的复位控制端口，通过在电容c1与电阻r1的连接点p与芯片的复位控制端口之间设置电阻r2，可以对流入至芯片的复位控制端口的电流进行限流，从而防止电容失效或者短路导致的大电流对芯片造成损害。
19.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种高电平有效的延时控制复位电路，其特征在于，包括电容c1、电阻r1、r2、二极管d1，电容c1和电阻r1依次串联于高电平和地之间，二极管d1的正极接地，负极接电容c1与电阻r1的连接点p，电容c1与电阻r1的连接点p通过电阻r2接芯片的复位控制端口rst。2.如权利要求1所述的高电平有效的延时控制复位电路，其特征在于，还包括开关sw3，开关sw3的一端接高电平，另一端接电容c1与电阻r1的连接点p。3.如权利要求1所述的高电平有效的延时控制复位电路，其特征在于，开关sw3采用按键开关。4.如权利要求1所述的高电平有效的延时控制复位电路，其特征在于，二极管d1采用开关二极管。

技术总结
本实用新型提供了一种高电平有效的延时控制复位电路，其包括电容C1、电阻R1、R2、二极管D1，电容C1和电阻R1依次串联于高电平和地之间，二极管D1的正极接地，负极接电容C1与电阻R1的连接点P，电容C1与电阻R1的连接点P通过电阻R2接芯片的复位控制端口RST。采用本实用新型的技术方案，可以防止突发大电流对芯片造成的冲击。的冲击。的冲击。


技术研发人员：刘加象 李相宏 谭红军 闵刚
受保护的技术使用者：深圳市兆驰数码科技股份有限公司
技术研发日：2022.07.01
技术公布日：2022/10/28