用于在后端及晶片级封装中半导体检验的高分辨率检查的系统及方法与流程

1.本公开涉及晶片缺陷检查。


背景技术：

2.半导体制造产业的发展对良率管理提出更高要求。临界尺寸不断缩小，但产业需要减小实现高良率、高价值生产的时间。最小化从检测出良率问题到解决所述问题的总时间确定半导体制造商的投资回报率。
3.用于后端及晶片级封装(wlp)的当前检查方法包含在可见光、紫外线(uv)或深紫外线(duv)波长带中使用干式数字化光学显微镜。虽然此类封装的设计规则是5μm或更大，但受关注缺陷(doi)可为2μm或更大。具有高数值孔径(na)的当前系统可能够提供用于缺陷分类目的足够质量的图像。
4.随着先进wlp(awlp)为行业带来延续摩尔(moore)定律的动力，设计规则缩减到1μm且路线图在0.4μm。例如，此类设计规则中的缺陷大小可为0.2μm。归因于在na上波长的物理限制(其中na限制为小于或等于1.0)，之前提及的检查方法目前无法提供此类设计规则中检测及分类所需的图像质量。此外，uv或duv可损害晶片，所以波长可限于可见光范围。
5.成本低廉且速度慢的扫描电子显微镜(sem)可用于在当前检查方法不足时对缺陷进行检测及分类。但是，当awlp或后端晶片中的特定材料归因于脱气或静电吸盘而与真空不兼容时，sem可能无法用于所述材料。此外，一些样品可在sem中在电子束照明下受损。最终，当前sem能力比光学检查更缓慢且更昂贵。
6.因此，需要改进的光学检查系统。


技术实现要素：

7.在第一实施例中提供一种检查系统。所述检查系统包括：载台，其具有安置于其上的样本；光源，其经配置以向所述样本发射光束；检测器，其经配置以检测由所述样本反射的所述光束的一部分；多个物镜；及处理器，其与所述检测器电子通信。所述处理器经配置以对所述样本执行缺陷检查。所述样本是晶片级封装晶片或后端晶片。此外，所述检查系统进一步包含：浸入子系统，其包含流体供应单元及流体去除单元；所述光源包含多个发光二极管，其经配置以形成用于差分相位对比(differential phase contrast)的照明图案；及/或所述光源包含白光源，其发射紫外线或深紫外线波长。
8.所述光源可包含所述多个发光二极管。所述发光二极管可为彩色的。
9.所述光源可包含中继透镜。所述中继透镜可经配置以使由所述样本反射的所述光束通过所述物镜中的至少一者成像到所述检测器。所述检测器可使用帧抓取器模块将来自所述中继透镜的所述光束转换为图像。所述帧抓取器模块可与所述载台同步。
10.所述光源可为所述白光源。所述光源可进一步包含滤色器及空间滤光器。
11.所述处理器可进一步配置以产生强度图像及相位图像。可依据高度产生所述强度
图像及所述相位图像。所述处理器可进一步配置以从所述强度图像及所述相位图像产生复合图像。
12.在例子中，所述检查系统包含所述浸入子系统，所述光源是所述白光源，且所述系统包含所述多个发光二极管。
13.检验系统可包含第一实施例的所述检查系统。
14.在第二实施例中提供一种方法。所述方法包括引导光束朝向载台上的样本。所述样本是晶片级封装晶片或后端晶片。在检测器处接收从所述样本反射的所述光束。使用处理器来对所述样本执行缺陷检查。还进行下文中的一或多者。首先，通过包含流体供应单元的浸入子系统在所述样本与光学物镜之间供应流体。第二，用所述光束形成照明图案以用于差分相位对比。第三，所述光束处于紫外线或深紫外线波长。
15.所述光束可通过多个发光二极管产生。所述发光二极管可为彩色的。
16.所述方法可包含使用中继透镜使由所述样本反射的所述光束通过至少一个物镜成像到所述检测器。来自所述中继透镜的所述光束可使用帧抓取器模块转换为图像。所述帧抓取器模块可与所述载台同步。
17.所述光源可为所述白光源。所述光源进一步可包含滤色器及空间滤光器。
18.所述方法可进一步包含使用所述处理器产生强度图像及相位图像。依据高度产生所述强度图像及所述相位图像。可从所述强度图像及所述相位图像产生复合图像。
19.在例子中，所述方法包含供应所述流体，形成所述照明图案以用于所述差分相位对比，且所述光束处于所述紫外线或深紫外线波长。
附图说明
20.为更充分理解本公开的性质及目的，应参考结合附图进行的以下详细描述，其中：
21.图1说明根据本公开的系统的实施例；
22.图2说明根据本公开的系统的进一步实施例；及
23.图3说明根据本公开的方法的实施例。
具体实施方式
24.尽管将依据特定实施例描述所主张的主题，但其它实施例(包含未提供本文中阐述的全部优点及特征的实施例)也在本公开的范围内。可在不脱离本公开的范围的情况下进行各种结构、逻辑、过程步骤及电子改变。因此，仅参考随附权利要求书定义本公开的范围。
25.本文公开的系统及方法可对awlp及be应用提供检查支持。对于awlp及be晶片的样本，实施例可1)应用浸入技术来检查且分类缺陷；2)应用差分相位对比(dpc)技术来检查且分类缺陷；3)应用具有dpc技术的聚焦扫描来检查且分类缺陷；4)使用针对dpc的定量建模算法对照明源及镜筒透镜进行偏光控制；或5)使用紫外线(uv)或深紫外线(duv)利用技术1)到4)中的一或多者来检查且分类缺陷。可针对不同应用配置系统。例如，系统可将duv及浸入与dpc组合在一起用于一个应用，将可见波长与浸入及dpc组合在一起用于另一应用，并将可见波长与dpc及聚焦扫描组合在一起用于另一应用。这些不同应用可在同一检查系统中执行。
26.使用技术1)到4)中的一或多者可取决于缺陷的大小及材料，及/或可涉及性能的速度的平衡。如果缺陷较大(例如，1μm)，且晶片上的材料与duv兼容，那么可使用duv或浸入duv。如果缺陷大小较大(例如，1μm)并且材料与uv/duv不兼容，那么可使用浸入可见光成像。如果需要更高分辨率，那么可需要dpc，尽管此稍缓慢。对于较小缺陷(例如，0.4μm)，可使用通过聚焦扫描dpc应用的浸入duv。一般来说，对于找到断裂/短路cu线，duv及浸入可为更有用。对于cu线/表面上的组织缺陷，dpc及通过聚焦扫描可提供更多价值。
27.半导体行业正在发展到2μm。以前，缺陷大小约为2μm到5μm，并且高na干式光学显微镜满足应用要求。更多半导体制造商开始采用2μm或小于2μm的设计规则。需要改进产量或无法为此类缺陷提供多个扫描电子显微镜步骤的半导体制造商可使用本文公开的实施例。
28.可针对半导体制造商的需求配置本文公开的实施例。可平衡性能、速度及成本。
29.在图1中展示系统100的实施例。系统100包含基于光学的子系统101(即，光学检查工具)。一般来说，基于光学的子系统101经配置用于通过将光引导到(或使光扫描遍及)样本102且从样本102检测光而针对样本102产生基于光学的输出。在一个实施例中，样本102包含晶片、构造晶片或接合的晶片。晶片可包含所属领域中已知的任何晶片，例如awlp或be晶片。
30.在图1中展示的系统100的实施例中，基于光学的子系统101包含经配置以将光引导到样本102的照明子系统。照明子系统包含至少一个光源。举例来说，如在图1中展示，照明子系统包含光源103。在一个实施例中，照明子系统经配置以按一或多个入射角将光引导到样本102，所述入射角可包含一或多个倾斜角及/或一或多个法向角。例如，如在图1中展示，来自光源103的光按法向入射角引导通过光学元件104及接着通过透镜105到样本102。倾斜入射角可包含任何合适倾斜入射角，其可取决于例如样本102的特性而变化。
31.基于光学的子系统101可经配置以在不同时间按不同入射角将光引导到样本102。例如，基于光学的子系统101可经配置以更改照明子系统的一或多个元件的一或多个特性，使得光可按不同于图1中展示的入射角的入射角引导到样本102。在一个此实例中，基于光学的子系统101可经配置以移动光源103、光学元件104、透镜105及光学物镜110，使得光按不同入射角或倾斜(或近法向)入射角引导到样本102。
32.倾斜入射角的照明光束还可经由物镜110外侧实现，如任选的第二光源116展示。
33.扫描机构可改变样本102与物镜110之间的距离。可在一或多个预定位置处获得各种图像或其它数据。
34.在一些例子中，基于光学的子系统101可经配置以同时按超过一个入射角将光引导到样本102。例如，照明子系统可包含超过一个照明通道。照明通道中的一者可包含如图1中展示的光源103、光学元件104及透镜105，且所述照明通道中的另一者(未展示)可包含可不同(例如波长偏光)或相同配置的类似元件(或不类似的透镜，例如在物镜110外侧照明)，或可包含至少一个光源及可能一或多个其它组件(例如本文中进一步描述的组件)。如果在与其它光相同的时间将此光引导到样品，那么按不同入射角引导到样本102的光的一或多个特性(例如，波长、偏光等)可不同，使得可在(若干)检测器处将源自按不同入射角照明样本102的光彼此区分。
35.在另一例子中，照明子系统可包含仅一个光源(例如，图1中展示的光源103)且来
自光源的光可通过照明子系统的一或多个光学元件(未展示)而分成不同光学路径(例如，基于波长、偏光等)。接着，可将不同光学路径的每一者中的光引导到样本102。多个照明通道可经配置以在相同时间或不同时间(例如，当使用不同照明通道依序照明样品时)将光引导到样本102。在另一例子中，相同照明通道可经配置以在不同时间将具有不同特性的光引导到样本102。例如，在一些例子中，光学元件104可经配置为光谱滤光器且可以多种不同方式(例如，通过换掉光谱滤光器)改变光谱滤光器的性质，使得可在不同时间将不同波长的光引导到样本102。照明子系统可具有所属领域中已知的用于依序或同时按不同或相同入射角将具有不同或相同特性的光引导到样本102的任何其它适合配置。
36.系统100还可包含任选第二光源116及光调节光学器件117。第二光源116可提供倾斜照明通道。
37.如图1中进一步展示，检测通道经展示定位于纸平面中且照明子系统也经展示定位于纸平面中。因此，在此实施例中，检测通道定位(例如，居中)于入射平面中。然而，检测通道中的一或多者可定位于入射平面外。
38.如上文进一步描述，包含于基于光学的子系统101中的检测通道中的每一者可经配置以检测散射光。因此，图1中展示的基于光学的子系统101可经配置用于样品102的暗场(df)输出产生。然而，基于光学的子系统101还可或替代地包含经配置用于样品102的明场(bf)输出产生的(若干)检测通道。换句话说，基于光学的子系统101可包含经配置以检测从样本102镜面反射的光的至少一个检测通道。因此，本文中描述的基于光学的子系统101可经配置用于仅df成像、仅bf成像或df及bf成像两者。尽管集光器中的每一者在图1中展示为单折射式光学元件，但应理解，集光器中的每一者可包含一或多个折射式光学裸片及/或一或多个反射式光学元件。
39.检测器109可包含电荷耦合装置(ccd)、时间延迟积分(tdi)相机及所属领域中已知的任何其它适合检测器。检测器还可包含非成像检测器或成像检测器。以此方式，如果具有多个检测通道的检测器是非成像检测器，那么检测器中的每一者可经配置以检测散射光的某些特性(例如强度)但不可经配置以检测依据成像平面内的位置而变化的此类特性。因而，通过包含于基于光学的子系统的检测通道中的每一者中的检测器中的每一者产生的输出可为信号或数据而非图像信号或图像数据。在此类例子中，处理器(例如处理器114)可经配置以从检测器的非成像输出产生样本102的图像。然而，在其它例子中，检测器可经配置为经配置以产生成像信号或图像数据的成像检测器。因此，基于光学的子系统可经配置以按数种方式产生本文中描述的光学图像或其它基于光学的输出。
40.光源103可包含任何适当光源。在实例中，光源103包含经配置以形成用于dpc的照明图案的多个发光二极管(led)。在一个实例中，led在具有离散网格图案的32x32阵列中。在另一实例中，led呈4到8环形状，每一环中有16个led。每一led可视为相干点源。例如，可在半圆的半径内激活led。led阵列的半径可变化。
41.在另一实例中，光源103包含从可见光发射到uv及duv波长的白光源，例如xe灯。在此实例中，光源103也可为一或多个led。光源103可进一步包含滤色器及空间滤光器。白光源可提供duv波长。滤色器可固定在轮上，或可为可变滤光器。空间滤光器可为可编程针孔或闪烁。
42.存在提供大约355nm或大约388nm的中心波长的uv led。可见光led可为435nm、
530nm及635nm。其它波长是可能的。具有滤色器的xe灯可用于duv。
43.在又一实例中，光源103包含多个led。在此实例中，led为彩色的。
44.光源103还可包含偏光光源及/或镜筒透镜。
45.基于光学的子系统101可具有多个物镜。一些物镜在干燥条件下工作，且其它物镜使用各种na及视场(fov)浸入工作。可使用(例如)可旋转或线性移动的机动转塔为特定接收改变或选择物镜。
46.来自光学元件104的光可通过透镜105聚焦到样本102上。尽管透镜105在图1中经展示为单折射光学元件，但应理解，实际上，透镜105可包含组合地将来自光学元件的光聚焦到样品的若干折射及/或反射光学元件。在图1中展示且在本文中描述的照明子系统可包含任何其它合适光学元件(未展示)。此类光学元件的实例包含(但不限于)(若干)偏光组件、(若干)光谱滤光器、(若干)空间滤光器、(若干)反射光学元件、(若干)变迹器、(若干)分束器(例如分束器113)、(若干)孔隙及可包含所属领域中已知的任何此类适合光学元件的类似物。另外，基于光学的子系统101可经配置以基于待用于产生基于光学的输出的照明类型更改照明子系统的元件中的一或多者。
47.来自光学元件104的光可在物镜的后焦平面上成像。
48.当需要dpc时，可利用预编程的照明图案来获得从样本102反射的光的图像。
49.当需要进行聚焦扫描时，从样本102反射的光的图像是在样本102与物镜110之间的不同相对距离处获得。
50.在例子中，光源103(或照明子系统的透镜105)包含中继透镜(例如，镜筒透镜)。中继透镜可经配置以将由样本反射的光束通过至少一个物镜(例如物镜110)成像到检测器109。
51.基于光学的子系统101还可包含经配置以使光扫描遍及样本102的扫描子系统。例如，基于光学的子系统101可包含在基于光学的输出产生期间在其上安置样本102的载台106。扫描子系统可包含可经配置以移动样本102使得光可扫描遍及样本102的任何适合机械及/或机器人组合件(包含载台106)。另外或替代性地，基于光学的子系统101可经配置使得基于光学的子系统101的一或多个光学元件执行光遍及样本102的一些扫描。光可以任何适合方式(例如以蛇形路径或以螺旋路径)扫描遍及样本102。
52.在实施例中，基于光学的子系统101包含浸入子系统111，其可包含流体供应单元及流体去除单元。在样本102与光学物镜110之间提供流体。流体可具有高于空气的折射率。流体可为折射率约为1.4的水，或为与样本102兼容的另一液体。例如，可将酒精或油用作流体。在例子中，流体具有大于1.5的折射率。通过使用所述流体，等效na大于1.0，此可避免uv或duv光损坏样本102。
53.可需要极少液体来填充大约1mm或小于1mm的间隙。测量完成后，需要使液体干燥。因此，系统经配置使得一侧清洁液体供应器118到间隙(例如，针或喷嘴)及液体去除器119(例如，真空)。在第7,436,527号美国专利中公开额外细节，所述案的全部内容以引用的方式并入本文中。
54.间隙可为光学物镜110的端面与样本102的表面之间的图2中描绘的分开距离h。间隙可为气隙或真空。在图2中，流体112占据光学物镜110与样本102之间的间隙。光学物镜110与样本102之间的间隙可由空气或液体完全填充。
55.在例子中，流体包含在浸入子系统111的流体供应单元中。可将流体泵抽到光学物镜110的底表面。使用液体供应器118可迫使流体进入光学物镜110与样本102之间的容积。残留液体可用液体去除器119干燥。液体可返回到浸入子系统111。因此，系统经配置以在检查期间在光学物镜110与样本102的表面之间产生液体的流动。在第7,130,037号美国专利中公开额外细节，所述案的全部内容以引用的方式并入本文中。
56.利用浸入子系统111，光源103可包含多个发光二极管。光源103可为白光源。
57.应注意，本文中提供图1以大体上说明可包含于本文中描述的系统实施例中或可产生通过本文中描述的系统实施例使用的基于光学的输出的基于光学的子系统101的配置。如通常在设计商业输出获取系统时执行，本文中描述的基于光学的子系统101配置可经更改以优化基于光学的子系统101的性能。另外，本文中描述的系统可使用现有系统实施(例如，通过将本文中描述的功能性添加到现有系统)。对于一些此类系统，本文中描述的方法可被提供为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性外)。替代地，本文中描述的系统可被设计为全新系统。
58.处理器114可以任何适合方式(例如，通过一或多个传输媒体，其可包含有线及/或无线传输媒体)耦合到系统100的组件，使得处理器114可接收输出。处理器114可经配置以使用输出执行若干功能。系统100可从处理器114接收指令或其它信息。处理器114及/或电子数据存储单元115视情况可与晶片检验工具、晶片计量工具或晶片检查工具(未说明)电子通信以接收额外信息或发送指令。例如，处理器114及/或电子数据存储单元115可与sem电子通信。在另一例子中，系统100是检验系统的部分。
59.处理器114可经配置以产生强度图像及相位图像。可依据高度产生强度图像及相位图像。
60.为此，我们可使用不同照明条件获得多个图像(例如，环的右半部分、左半部分、上半部分及下半部分、仅内环、仅外环等中的led)。算法可使用那些图像作为输入，并且在经由算法处理所有数据后，可产生强度及相位图像。
61.处理器114可进一步配置以从强度图像及相位图像产生复合图像。此可使用在样本与物镜之间相对距离不同的额外图像执行。
62.使用处理器114，可使用dpc利用强度图像执行相位成像。相位图像可使用相位对比及部分相干照明来改进图像质量。可执行分别获得相位及强度图像。相位信息可帮助检查用于awlp或be的金属(如铜)上的薄透明材料，例如光致抗蚀剂、聚苯并恶唑(pbo)或类似者。可捕获两个图像以实施具有led阵列的dpc：点亮半圈led的一个图像及点亮另一半圈led的一个图像。阵列可为圆形的，或实现两个半圈激活区域的另一图案。两个图像可用于计算相位对比图像。可通过使用经计算的传递函数对dpc图像进行反回旋来恢复定量相位。由于led阵列的灵活图案化，因此可使用最少数量的机械零件实时地并沿着任意不对称轴实施dpc测量。
63.具有dpc配置的聚焦扫描可提供待检查的样本102上的结构的高度信息。高度信息归因于散焦改进图像质量，因为样本上的结构高度的结果通常比高na物镜的焦点深度高。高度信息还可提供利用(例如)通过浸入及/或短波长的高na来测量样本102上的特征的高度的方法。2d强度通常在单图像中测量。可扫描样本102，并且可在许多聚焦平面处捕获图像以建立3d强度测量。
64.dpc显微镜可使用不对称照明进行相位对比。例如，可用旋转式半圆源图案捕获四个图像。使用(例如)可编程led阵列实现动态源切换。
65.可对光源102及镜筒透镜执行偏光控制。在高na系统中(有利于空间分辨率)，聚焦光不再可视为比例波，但根据电磁波理论可需要考虑其向量性质。在dpc的参考文献中未考虑光的向量性质，在dpc中可需要对光传播进行定量建模。因此，可需要在系统中控制及/或在dpc算法中建模光的偏光。
66.在利用中继透镜的例子中，检测器109使用帧抓取器模块将来自中继透镜的光束转换为图像，帧抓取器模块可为处理器114的部分或在处理器114上运行。帧抓取器模块可与载台106或扫描透镜的移动同步。来自帧抓取器的数字化图像可存储在电子数据存储单元115中。在例子中，检测器109使用帧抓取器将来自中继透镜的光转换为数字化图像。
67.本文中描述的处理器114、(若干)其它系统或(若干)其它子系统可为各种系统的部分，包含个人计算机系统、图像计算机、主计算机系统、工作站、网络器具、因特网器具或其它装置。(若干)子系统或(若干)系统还可包含所属领域中已知的任何适合处理器，例如平行处理器、cpu或gpu。另外，(若干)子系统或(若干)系统可包含作为单独或联网工具的具有高速处理及软件的平台。
68.处理器114及电子数据存储单元115可安置于系统100或另一装置中或以其它方式成为系统100或另一装置的部分。在实例中，处理器114及电子数据存储单元115可为单独控制单元的部分或在集中式质量控制单元中。可使用多个处理器114或电子数据存储单元115。
69.实际上，处理器114可通过硬件、软件及固件的任何组合实施。同样地，如本文中描述的其功能可通过一个单元执行，或在不同组件间划分，所述组件中的每一者又可通过硬件、软件及固件的任何组合实施。处理器114实施各种方法及功能的程序代码或指令可存储于可读存储媒体(例如电子数据存储单元115中的存储器或其它存储器)中。
70.如果系统100包含超过一个处理器114，那么不同子系统可彼此耦合，使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。例如，一个子系统可通过任何适当传输媒体耦合到(若干)额外子系统，所述传输媒体可包含所属领域中已知的任何合适有线及/或无线传输媒体。此类子系统中的两者或更多者还可通过共享计算机可读存储媒体(未展示)有效耦合。
71.处理器114可经配置以使用系统100的输出或其它输出执行若干功能。例如，处理器114可经配置以将输出发送到电子数据存储单元115或另一存储媒体。处理器114可如本文中描述般进一步配置。
72.如果系统包含超过一个子系统，那么不同子系统可彼此耦合，使得可在子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。例如，一个子系统可通过任何适当传输媒体耦合到(若干)额外子系统，所述传输媒体可包含所属领域中已知的任何适合有线及/或无线传输媒体。此类子系统中的两者或更多者还可通过共享计算机可读存储媒体(未展示)有效耦合。
73.可根据本文中描述的实施例中的任一者配置处理器114。处理器114还可经配置以使用系统100的输出或使用来自其它源的图像或数据执行其它功能或额外步骤。
74.当产生所有期望图像时，处理器114可分析图像。分析的输出可为强度图像及相位图像，强度图像及相位图像可依据高度。可进一步处理结果，例如以形成复合图像。可将分
析结果存储用于文件化(例如，在电子数据存储单元115中)，馈送到其它算法中进行训练(例如，训练用于对缺陷进行分类的深度学习模块)及/或显示给用户。
75.系统100的各种步骤、功能及/或操作及本文中公开的方法由以下中的一或多者执行：电子电路、逻辑门、多路复用器、可编程逻辑装置、asic、模拟或数字控制/开关、微控制器或计算系统。实施方法(例如本文所描述的方法)的程序指令可通过载体媒体而传输或存储于载体媒体上。载体媒体可包含存储媒体，例如只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、非易失性存储器、固态存储器、磁带及类似物。载体媒体可包含传输媒体，例如电线、电缆或无线传输链路。例如，可由单处理器114或替代地多个处理器114实行贯穿本公开描述的各种步骤。再者，系统100的不同子系统可包含一或多个计算或逻辑系统。因此，上文描述不应被解释为对本公开的限制而仅为说明。
76.系统100可为例如硅通孔、穿硅通孔(tsv)、铜微凸块或接触垫的awlp及be样本提供足够高的分辨率。其它样本可在衬底(例如，玻璃，空白si晶片或通常具有功能裸片的晶片)上的重布层(rdl)中。如果形成多个层，那么每一层具有用于导电的cu及隔离材料，例如pbo或聚酰亚胺(pi)。系统100对于不同样本是灵活的。系统100还可减轻uv/duv对样本的损害，是非破坏性的，并且避免真空兼容性的复杂性。
77.图3说明方法200的实施例。方法200包含在201处引导光束朝向载台上的样本。样本是awlp晶片或be晶片。在202处，在检测器处接收从样本反射的光束。在203处，使用来自检测器的信息对样本执行缺陷检查。
78.方法200包含以下中的至少一者：通过包含流体供应单元的浸入子系统在样本与光学物镜之间供应流体；用光束形成照明图案以用于差分相位对比；或光束处于紫外线或深紫外线波长。
79.在方法200的例子中，光束由多个led产生。led可为彩色的。
80.在方法200的例子中，使用中继透镜使由样本反射的光束通过至少一个物镜成像到检测器。来自中继透镜的光束可使用检测器的帧抓取器模块转换为图像。帧抓取器模块可与载台同步。
81.在方法200的例子中，光源是白光源。光源进一步包含滤色器及空间滤光器。
82.在例子中，方法200包含使用处理器产生强度图像及相位图像。依据高度产生强度图像及相位图像。方法200可进一步包含使用处理器来从强度图像及相位图像产生复合图像。
83.在例子中，方法200包含供应流体，光束形成所述照明图案以用于差分相位对比且光束处于紫外线或深紫外线波长。
84.本文描述的实施例可用于awlp或be中的样品上的缺陷的检查及/或分类。检查且分类缺陷的浸入技术、检查且分类缺陷的dpc技术、检查且分类缺陷的利用dpc技术的聚焦扫描、利用dpc的定量建模算法对照明源及镜筒透镜的偏光控制或使用这些技术中的一或多者与uv或duv一起用来检查且分类缺陷可改进awlp或be中的样本上的缺陷的检查及/或分类。
85.尽管已参考一或多个特定实施例描述本公开，但将理解，可在不脱离本公开的范围的情况下做出本公开的其它实施例。因此，本公开被视为仅受随附权利要求书及其合理解释限制。