多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库

1.本技术涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库。


背景技术：

2.标准单元是组成集成电路的基本单元，也是集成电路物理实现阶段最重要的电路单元。标准单元库通常包括具备多种逻辑功能的电路单元，例如反相器、与非门、或非门、与门、或门、异或门、触发器等。在集成电路物理实现阶段，集成电路所能达到的性能和功耗主要受制于所使用标准单元库中的单元延时与功耗。例如，如果某个标准单元库中的单元均具有较小的延时，那么在相同电路结构下集成电路能够达到更高的频率，获得更好的性能。如果某个标准单元库中的单元均具有较低的功耗，那么在相同电路结构下集成电路能够达到更低的功耗，获得更好的能效比。
3.为了能够满足集成电路高性能或低功耗的物理设计需求，传统的标准单元库物理实现中往往会提供多种阈值的标准单元库。例如，在集成电路商用28纳米工艺下通常会提供极低阈值标准单元库、低阈值标准单元库、普通阈值标准单元库、高阈值标准单元库以及极高阈值标准单元库共五种不同阈值的标准单元库，每一种单元库中标准单元内部均由相同阈值的晶体管构成。低阈值(或极低阈值)类标准单元库具有更小的单元延时以及更高的单元功耗，高阈值(或极高阈值)类标准单元库具有更大的单元延时以及更低的单元功耗。在集成电路物理实现阶段，通过组合使用不同阈值类型的电路单元，来达到更高的电路性能或者更低的电路功耗。虽然传统标准单元库提供了多种阈值，但由于不同阈值标准单元库之间单元延时的差异较大，在一些追求高能效集成电路物理实现过程中仍难以更好地进行功耗回收。
4.在同一标准单元内使用多种阈值、建立多阈值标准单元库是减小单阈值单元库之间延时差异的有效手段。中国专利cn111898334b公开了一种用于系统级芯片设计的标准单元及应用其的数据处理单元、运算芯片和计算设备，提出了在同一标准单元内使用多种阈值，以均衡单元上升跳变延时和下降跳变延时的方法。该方法所提出的标准单元建立方法能够改变单元的总延时和功耗，为集成电路物理设计提供了一种可供选择的标准单元库。
5.然而，仅仅通过该方法所提出的标准单元库仍然不能高效地进行功耗回收，其主要原因包括：第一，一个标准单元的总延时由上升跳变延时、高(或低)电平持续延时、下降跳变延时组成，其中上升跳变延时和下降跳变延时在总延时中所占的比例不高，通常不超过10％左右。由于上述方法主要用于均衡单元上升跳变延时和下降跳变延时，并不能显著增大或减小单元的总延时，因此其与传统单阈值标准单元库的延时差异较小。第二，为了达到均衡单元的上升跳变延时和下降跳变延时的目的，该方法在不同阈值的选择上具有一定的局限性，大大缩小了上述专利能够提供的标准单元库种类，无法更高效地完成功耗回收过程。基于以上原因，为了在集成电路中更高效地进行功耗回收，降低集成电路的整体功耗，仍需探索更有效的多阈值标准单元库实现技术。


技术实现要素：

6.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够解决传统单阈值标准单元库之间延时差异过大问题的多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库。
7.一种多阈值标准单元库设计方法，所述方法包括：
8.获取标准单元库中的标准单元；所述标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管；
9.根据所述标准单元的电路结构，构建所述功能晶体管对应的功能晶体管版图和所述驱动晶体管对应的驱动晶体管版图；
10.采用第一阈值图层覆盖所述功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖所述驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图；
11.拼接所述第一阈值功能晶体管版图和所述第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。
12.在其中一个实施例中，还包括：所述第一阈值图层和所述第二阈值图层的阈值不同。
13.在其中一个实施例中，还包括：所述第一阈值图层和所述第二阈值图层的阈值包括极低阈值、低阈值、普通阈值、高阈值或极高阈值。
14.在其中一个实施例中，还包括：所述多阈值标准单元库中的多阈值标准单元的电路结构包括与门、或门或触发器。
15.在其中一个实施例中，还包括：所述功能晶体管包括pmos晶体管和nmos晶体管。
16.在其中一个实施例中，还包括：所述驱动晶体管包括pmos晶体管和nmos晶体管。
17.在其中一个实施例中，还包括：所述第一阈值功能晶体管版图的第一阈值图层和所述第二阈值驱动晶体管版图的第二阈值图层之间间隔预先设置的最小距离。
18.在其中一个实施例中，还包括：根据第一阈值功能晶体管的延时值和第二阈值驱动晶体管的延时值得到所述多阈值标准单元的单元延时值。
19.在其中一个实施例中，还包括：根据多个具有不同单元延时值的所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。
20.一种多阈值标准单元库，所述多阈值标准单元库的匹配方法包括：
21.获取待优化的集成电路的优化任务；
22.解析所述优化任务，得到集成电路中数据路径的时序余量和待替换单阈值标准单元；
23.从所述多阈值标准单元库中匹配与所述待替换单阈值标准单元功能相同的多阈值标准单元，将所述多阈值标准单元替换所述数据路径中的待替换单阈值标准单元以使替换后数据路径的时序余量仍大于或等于0。
24.在其中一个实施例中，还包括：所述单阈值标准单元包括极低阈值标准单元、低阈值标准单元、普通阈值标准单元、高阈值标准单元或极高阈值标准单元。
25.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
26.获取标准单元库中的标准单元；所述标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管；
27.根据所述标准单元的电路结构，构建所述功能晶体管对应的功能晶体管版图和所
述驱动晶体管对应的驱动晶体管版图；
28.采用第一阈值图层覆盖所述功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖所述驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图；
29.拼接所述第一阈值功能晶体管版图和所述第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。
30.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
31.获取标准单元库中的标准单元；所述标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管；
32.根据所述标准单元的电路结构，构建所述功能晶体管对应的功能晶体管版图和所述驱动晶体管对应的驱动晶体管版图；
33.采用第一阈值图层覆盖所述功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖所述驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图；
34.拼接所述第一阈值功能晶体管版图和所述第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。
35.上述多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库，通过获取标准单元库中与包含功能晶体管和驱动晶体管的标准单元，通过在功能晶体管对应的功能晶体管版图上覆盖第一阈值图层，得到第一阈值功能晶体管版图，在驱动晶体管对应的驱动晶体管版图上覆盖第二阈值图层，得到第二阈值功能晶体管版图，拼接第一阈值功能晶体管版图和第二阈值功能晶体管版图，得到多阈值标准单元，从而获得分布更加密集的单元延时，多阈值标准单元库可以提高集成电路物理实现阶段的功耗回收效率，达到提高集成电路能效的目的。本发明实施例，能够为集成电路物理实现过程提供多种具备多阈值晶体管的标准单元库，减小单阈值晶体管的标准单元库之间较大的延时差异，使部分数据路径能够进行功耗回收，从而更有效的降低集成电路芯片的功耗。
附图说明
36.图1为一个实施例中多阈值标准单元库设计方法的流程示意图；
37.图2为一个实施例中4倍驱动与门单元的电路结构示意图；
38.图3为一个实施例中普通阈值和高阈值的4倍驱动与门单元版图；其中，(a)为普通阈值功能晶体管版图，(b)为高阈值驱动晶体管版图，(c)为普通阈值和高阈值的多阈值单元版图；
39.图4为另一个实施例中低阈值和普通阈值的4倍驱动与门单元的版图；其中，(a)为低阈值功能晶体管版图，(b)为普通阈值驱动晶体管版图，(c)为低阈值和普通阈值的多阈值单元版图；
40.图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
41.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对
本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
42.为了解决不同阈值单元之间延时差异过大，导致集成电路中部分路径无法进行功耗回收的问题，本发明主要针对与门、或门、触发器等由功能晶体管和驱动晶体管组成的标准单元设计多阈值标准单元库，采用第一阈值晶体管构建第一阈值功能晶体管，采用第二阈值晶体管构建第二驱动晶体管，通过上述方式，物理实现一个标准单元内同时存在两种阈值晶体管的结构。本发明能够为集成电路物理实现过程提供一种具备多阈值晶体管的标准单元库，解决传统单阈值晶体管的标准单元库之间延时差异过大问题，使部分数据路径能够进行功耗回收，从而提高集成电路芯片的能效。
43.在一个实施例中，如图1所示，提供了一种多阈值标准单元库设计方法，包括以下步骤：
44.步骤102，获取标准单元库中的标准单元。
45.标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管。功能晶体管指的是确定电路功能的链电路所包含的晶体管，驱动晶体管指的是在电路中驱动下一级单元的链电路所包含的晶体管，如图2所示，在本发明实施例的4倍驱动与门单元中，左侧与非门链路所包含的晶体管为功能晶体管，主要用于执行与非功能，右侧反相器链路所包含的晶体管为驱动晶体管，主要用于反相输出和驱动下一级单元。
46.步骤104，根据标准单元的电路结构，构建功能晶体管对应的功能晶体管版图和驱动晶体管对应的驱动晶体管版图。
47.步骤106，采用第一阈值图层覆盖功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图。
48.本发明首先确定某种制造工艺所能使用的阈值图层种类和数量，然后将不同阈值图层进行两两组合。每种组合中的第一阈值用于构建功能晶体管，第二阈值用于构建驱动晶体管。覆盖方式为覆盖全部的功能晶体管或覆盖全部的驱动晶体管，通过构建第一阈值功能晶体管版图，得到第一阈值功能晶体管，通过构建第二阈值驱动晶体管版图，得到第二阈值驱动晶体管，从而实现一个标准单元中同时存在两种阈值的晶体管。
49.步骤108，拼接第一阈值功能晶体管版图和第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。
50.多阈值标准单元中包括第一阈值功能晶体管和第二阈值驱动晶体管，多阈值标准单元的延时值为第一阈值功能晶体管的延时值加上第二阈值驱动晶体管的延时值。在集成电路功耗回收过程中，多阈值标准单元库可以与传统单阈值标准单元库共同使用。解析集成电路的数据路径并计算数据路径的时序余量。选取时序余量大于0的数据路径。在该数据路径中选取待替换单阈值标准单元，并在多阈值标准单元库中选取与待替换单阈值标准单元功能相同，且延时大于待替换单阈值标准单元的多阈值标准单元。将单阈值标准单元替换为多阈值标准单元，并且确保替换后的数据路径时序余量仍大于或等于0。
51.上述多阈值标准单元库设计方法中，通过获取标准单元库中与包含功能晶体管和驱动晶体管的标准单元，通过在功能晶体管对应的功能晶体管版图上覆盖第一阈值图层，得到第一阈值功能晶体管版图，在驱动晶体管对应的驱动晶体管版图上覆盖第二阈值图
层，得到第二阈值功能晶体管版图，拼接第一阈值功能晶体管版图和第二阈值功能晶体管版图，得到多阈值标准单元，从而获得分布更加密集的单元延时，多阈值标准单元库可以提高集成电路物理实现阶段的功耗回收效率，达到提高集成电路能效的目的。本发明实施例，能够为集成电路物理实现过程提供多种具备多阈值晶体管的标准单元库，减小单阈值晶体管的标准单元库之间较大的延时差异，使部分数据路径能够进行功耗回收，从而更有效的降低集成电路芯片的功耗。
52.在步骤108中，根据第一阈值功能晶体管版图和第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元版图，根据多阈值标准单元版图得到多阈值标准单元。
53.得到多阈值标准单元版图的具体步骤包括：
54.第一步，选取标准单元库中同时包含功能晶体管和驱动晶体管的标准单元，例如与门、或门、触发器单元等。
55.第二步，确定某种制造工艺所能使用的图层种类和数量，将不同种类图层进行两两组合。
56.第三步，选取某一种阈值组合，采用一定尺寸的pmos晶体管以及noms晶体管构建功能晶体管版图结构，并采用组合中的第一阈值图层包围所有功能晶体管；
57.第四步，采用一定尺寸的pmos晶体管以及noms晶体管构建驱动晶体管版图结构(反相器或驱动器)，并采用组合中的第二阈值图层包围所有驱动晶体管；
58.第五步，将功能晶体管版图与驱动晶体管版图进行拼接，物理实现完整的多阈值(功能晶体管第一阈值 驱动晶体管第二阈值)标准单元版图。
59.第六步，交换第三、四步中的阈值图层，即采用第二阈值图层包围功能晶体管版图，采用第一阈值图层包围驱动晶体管版图。
60.第七步，再次将功能晶体管版图与驱动晶体管版图进行拼接，物理实现完整的多阈值(功能晶体管第二阈值 驱动晶体管第一阈值)标准单元版图；
61.第八步，选取其他阈值组合，并重复第三、四、五、六步，物理实现其他多阈值组合的标准单元版图。
62.在一个实施例中，第一阈值图层和第二阈值图层的阈值不同，且第一阈值图层和第二阈值图层的阈值包括极低阈值、低阈值、普通阈值、高阈值或极高阈值。
63.在本实施例中，如图3的多阈值4倍驱动与门单元的版图所示，其中，(a)为普通阈值功能晶体管版图，(b)为高阈值驱动晶体管版图，(c)为普通阈值和高阈值的多阈值单元版图，对功能晶体管采用普通阈值晶体管，对驱动晶体管采用高阈值晶体管；如图4的多阈值4倍驱动与门单元的版图所示，其中，(a)为低阈值功能晶体管版图，(b)为普通阈值驱动晶体管版图，(c)为低阈值和普通阈值的多阈值单元版图，功能晶体管采用低阈值晶体管，对驱动晶体管采用普通阈值晶体管。如果标准单元库中的标准单元均具有较小的延时，那么在相同电路结构下集成电路能够达到更高的频率，获得更好的性能，如果标准单元库中的标准单元均具有较低的功耗，那么在相同电路结构下集成电路能够达到更低的功耗，获得更好的能效比。在集成电路物理实现阶段，通过使用不同阈值组合的多阈值标准单元，来达到更高的电路性能或者更低的电路功耗。
64.在一个具体实施例中，图3提供了一种普通阈值和高阈值的4倍驱动与门单元版图，得到该版图的具体步骤包括：根据标准单元的电路结构图选取同时包含功能晶体管和
驱动晶体管的单元；依据电路图采用pmos晶体管和nmos晶体管构建左侧的功能晶体管版图，并采用普通阈值版图图层覆盖上述晶体管；依据电路图采用pmos晶体管和nmos晶体管构建右侧的驱动晶体管版图，并采用高阈值版图图层覆盖上述晶体管，两种阈值图层之间间隔预先设置的最小距离；将功能晶体管版图与驱动晶体管版图拼接在一起，完成4倍驱动与门单元版图的物理实现，该与门单元中同时包含普通阈值和高阈值两种阈值的晶体管。
65.在一个实施例中，多阈值标准单元库中的多阈值标准单元的电路结构包括与门、或门或触发器。在本实施例中，与门、或门、触发器等是由功能晶体管和驱动晶体管组成的标准单元。
66.在一个实施例中，功能晶体管包括pmos晶体管和nmos晶体管，驱动晶体管包括pmos晶体管和nmos晶体管。在本实施例中，通过划分功能晶体管和驱动晶体管，可以避免影响单元的噪声容限，信号上升下降跳变时间等特性。
67.在一个实施例中，第一阈值功能晶体管版图的第一阈值图层和第二阈值驱动晶体管版图的第二阈值图层之间间隔预先设置的最小距离。在本实施例中，最小距离指的是为设计工艺下两种阈值图层间所需间隔的最小值。通过间隔最小距离，使得多阈值标准单元在使用过程中尽可能得减少占用空间，同时避免两种阈值图层连接在一起，保证多阈值标准单元的正常使用。
68.在一个实施例中，所述方法还包括：根据第一阈值功能晶体管的延时值和第二阈值驱动晶体管的延时值得到所述多阈值标准单元的单元延时值。
69.在一个实施例中，所述根据所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库包括：根据多个具有不同单元延时值的所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。
70.具体的多阈值标准单元库可以通过以下步骤实现：
71.s1：确定某种制造工艺能够使用的阈值图层为低阈值图层、普通阈值图层和高阈值图层，将上述阈值图层进行两两组合，共得到低阈值-普通阈值、低阈值-高阈值、普通阈值-高阈值共三种组合。
72.s2：根据标准单元的电路结构图选取同时包含功能晶体管和驱动晶体管的单元。图2中所示的与门电路结构图即是一个典型的同时包含功能晶体管和驱动晶体管的单元，其左侧晶体管主要用于执行与非功能，右侧晶体管主要用于反相输出和驱动下一级单元。
73.s3：选取一种阈值组合，例如普通阈值-高阈值组合，依据电路图采用pmos晶体管和nmos晶体管构建左侧的功能晶体管版图，并采用普通阈值版图图层覆盖上述晶体管。
74.s4：依据电路图采用pmos晶体管和nmos晶体管构建右侧的驱动晶体管版图，并采用高阈值版图图层覆盖上述晶体管，两种阈值图层之间间隔一定的距离，其距离值为该工艺下两种阈值图层间所需间隔的最小值。
75.s5：将功能晶体管版图与驱动晶体管版图拼接在一起，完成4倍驱动与门单元版图的物理实现，该与门单元中同时包含普通阈值和高阈值两种阈值的晶体管。
76.s6：交换s3、s4中的阈值图层，即采用高阈值图层包围功能晶体管版图，采用普通阈值图层包围驱动晶体管版图。
77.s7：再次将功能晶体管版图与驱动晶体管版图拼接在一起，完成4倍驱动与门单元版图的物理实现。
78.s8：选取一种阈值组合，例如低阈值-普通阈值组合，重复第3至7步，完成另一种多
阈值单元的版图结构。
79.s9：根据多个不同阈值组合的多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。
80.通过多阈值标准单元库的应用实例对本发明方法设计的多阈值标准单元库所产生的有益效果进行进一步的说明：
81.以商用28纳米工艺该4倍驱动与门单元为例，其低阈值单元的延时为20ps(皮秒)，多阈值单元(功能晶体管低阈值/驱动晶体管普通阈值)的延时为25ps，多阈值单元(功能晶体管普通阈值/驱动晶体管低阈值)的延时为35ps，普通阈值单元的延时为40ps，多阈值单元(功能晶体管普通阈值和驱动晶体管高阈值)的延时为70ps，多阈值单元(功能晶体管高阈值和驱动晶体管普通阈值)的延时为90ps，高阈值单元的延时为120ps。
82.存在某条数据路径包含普通阈值与门单元，并且该数据路径具有60ps的时序余量。此时进行功耗回收时可将普通阈值与门单元替换成多阈值(功能晶体管高阈值和驱动晶体管普通阈值)与门单元，单元延时将增大50ps，数据路径仍具有10ps的时序余量。
83.存在另一条数据路径包含普通阈值与门单元，并且该数据路径具有40ps的时序余量。此时进行功耗回收时可将普通阈值与门单元替换成多阈值(功能晶体管普通阈值和驱动晶体管高阈值)与门单元，单元延时将增大30ps，数据路径仍具有10ps的时序余量。
84.从多阈值标准单元库的应用实例中可以看出，本发明所提出的多阈值标准单元库能够解决单阈值晶体管的标准单元库之间延时差异过大问题，使更多的数据路径能够进行功耗回收，从而降低集成电路芯片的功耗。此外，本方法在不同阈值图层的选择上并没有局限性，能够建立更多种多阈值标准单元库。例如在普通阈值单元库之间和高阈值单元库之间，中国专利cn111898334b为了均衡上升延时和下降延时仅能提供一种单元库(pmos高阈值nmos普通阈值)，而本发明能够提供多种单元库进行选择。本发明所建立的多阈值标准单元库还能够显著增大或减小单元的总延时及功耗，为差异较大的单阈值标准单元库之间提供了更多的选择。
85.应该理解的是，虽然图1的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
86.在一个实施例中，提供了一种基于多阈值标准单元库设计方法设计的多阈值标准单元库，多阈值标准单元库的匹配方法包括：
87.获取待优化的集成电路的优化任务；
88.解析优化任务，得到集成电路中数据路径的时序余量和待替换单阈值标准单元；
89.从多阈值标准单元库中匹配与待替换单阈值标准单元功能相同的多阈值标准单元，将数据路径中的待替换单阈值标准单元替换为多阈值标准单元以使替换后数据路径的时序余量仍大于或等于0。
90.在本实施例中，多阈值标准单元库能够解决传统单阈值晶体管的标准单元库之间延时差异过大问题，使部分数据路径能够进行功耗回收，从而提高集成电路芯片的能效。
91.关于多阈值标准单元库的具体限定可以参见上文中对于多阈值标准单元库设计
方法的限定，在此不再赘述。上述多阈值标准单元库中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
92.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种多阈值标准单元库设计方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
93.本领域技术人员可以理解，图5中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
94.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，该存储器存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述实施例中方法的步骤。
95.在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中方法的步骤。
96.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(ram)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，ram以多种形式可得，诸如静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)、双数据率sdram(ddrsdram)、增强型sdram(esdram)、同步链路(synchlink)dram(sldram)、存储器总线(rambus)直接ram(rdram)、直接存储器总线动态ram(drdram)、以及存储器总线动态ram(rdram)等。
97.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
98.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。