多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库

技术特征：
1.一种多阈值标准单元库设计方法，其特征在于，所述方法包括：获取标准单元库中的标准单元；所述标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管；根据所述标准单元的电路结构，构建所述功能晶体管对应的功能晶体管版图和所述驱动晶体管对应的驱动晶体管版图；采用第一阈值图层覆盖所述功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖所述驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图；拼接所述第一阈值功能晶体管版图和所述第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阈值图层和所述第二阈值图层的阈值不同。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一阈值图层和所述第二阈值图层的阈值包括极低阈值、低阈值、普通阈值、高阈值或极高阈值。4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述多阈值标准单元库中的多阈值标准单元的电路结构包括与门、或门或触发器。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功能晶体管包括pmos晶体管和nmos晶体管。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驱动晶体管包括pmos晶体管和nmos晶体管。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阈值功能晶体管版图的第一阈值图层和所述第二阈值驱动晶体管版图的第二阈值图层之间间隔预先设置的最小距离。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据第一阈值功能晶体管的延时值和第二阈值驱动晶体管的延时值得到所述多阈值标准单元的单元延时值。9.根据权利要求1或8任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库包括：根据多个具有不同单元延时值的所述多阈值标准单元，构建多阈值标准单元库。10.一种基于权利要求1至9任一项所述的多阈值标准单元库设计方法设计的多阈值标准单元库，其特征在于，所述多阈值标准单元库的匹配方法包括：获取待优化的集成电路的优化任务；解析所述优化任务，得到集成电路中数据路径的时序余量和待替换单阈值标准单元；从所述多阈值标准单元库中匹配与所述待替换单阈值标准单元功能相同的多阈值标准单元，将所述数据路径中的待替换单阈值标准单元替换为所述多阈值标准单元以使替换后数据路径的时序余量仍大于或等于0。

技术总结
本申请涉及一种多阈值标准单元库设计方法及多阈值标准单元库。所述方法包括：获取标准单元库中的标准单元；标准单元包括功能晶体管和驱动晶体管；根据标准单元的电路结构，构建功能晶体管对应的功能晶体管版图和驱动晶体管对应的驱动晶体管版图；采用第一阈值图层覆盖功能晶体管版图中的功能晶体管，得到第一阈值功能晶体管版图，采用第二阈值图层覆盖驱动晶体管版图中的驱动晶体管，得到第二阈值驱动晶体管版图；拼接第一阈值功能晶体管版图和第二阈值驱动晶体管版图，得到多阈值标准单元，根据多阈值标准单元，得到多阈值标准单元库。采用本方法得到的多阈值标准单元库，能够在集成电路中更高效地进行功耗回收，降低集成电路的整体功耗。电路的整体功耗。电路的整体功耗。


技术研发人员：宋睿强 邵津津 刘必慰 胡春媚 吴振宇 池雅庆 梁斌 袁珩洲 陈建军
受保护的技术使用者：中国人民解放军国防科技大学
技术研发日：2022.09.01
技术公布日：2022/10/25