显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种包括光信号透射穿过的显示区域的显示装置和一种包括所述显示装置的电子装置。


背景技术：

2.电子装置包括各种电子部件，诸如显示面板和电子模块。电子模块包括相机、红外传感器和接近传感器。电子模块设置在显示面板下面。显示面板的一些区域具有比显示面板的其它区域的透射率高的透射率。电子模块通过具有相对高的透射率的区域接收光信号或输出光信号。


技术实现要素：

3.本公开提供一种能够减少光信号的失真并简化布线设计的显示装置。
4.本公开提供一种包括所述显示装置的电子装置。
5.本实用新型的实施例提供一种显示装置，包括：显示面板，包括：基体层，包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域和与所述第二区域相邻的第三区域；连接线，设置在所述基体层上；以及第一像素、第二像素和第三像素，设置在所述基体层上。所述第一像素可以包括：第一组的第一发光元件，包括设置在所述第一区域中的第一像素电极；所述第一组的第二发光元件，包括设置在所述第一区域中的第二像素电极；以及第一像素电路，电连接到所述第一组的所述第一发光元件和所述第一组的所述第二发光元件，并且所述第一像素电路设置在所述第二区域中。所述第二像素可以包括：第二组的发光元件，包括设置在所述第二区域中的像素电极；以及第二像素电路，电连接到所述第二组的所述发光元件，并且所述第二像素电路设置在所述第二区域中。所述第三像素可以包括：第三组的发光元件，包括设置在所述第三区域中的像素电极；以及第三像素电路，电连接到所述第三组的所述发光元件，并且所述第三像素电路设置在所述第三区域中。所述连接线可以包括：第一连接线，电连接所述第一像素电极和所述第一像素电路；以及第二连接线，电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极。
6.所述第一像素可以包括第一颜色像素和第二颜色像素，所述第一颜色像素和所述第二颜色像素产生具有彼此不同的颜色的光，并且电连接所述第一颜色像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述第二连接线与电连接所述第二颜色像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述第二连接线交叉，并且电连接所述第一颜色像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述第二连接线设置在与设置有电连接所述第二颜色像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述第二连接线的层不同的层中。
7.所述第一组的所述第二发光元件可以提供为多个第二发光元件，并且所述第一像素可以包括所述第一组的所述多个第二发光元件。
8.所述第一像素还可以包括所述第一组的第三发光元件，并且所述第一组的所述第三发光元件可以包括电连接到所述第二像素电极并且设置在所述第一区域中的第三像素
电极。
9.所述第一像素还可以包括所述第一组的第三发光元件。所述第一组的所述第三发光元件可以包括设置在所述第一区域中的第三像素电极。所述连接线还可以包括电连接所述第二像素电极和所述第三像素电极的第三连接线。所述第三连接线可以包括透明导电氧化物。
10.所述第三连接线和所述第二像素电极可以设置在第一绝缘层上，并且所述第二连接线可以经由穿过所述第一绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素电极。
11.在平面图中，所述第三像素电极可以具有比所述第二像素电极的面积小的面积。
12.所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一者的边缘可以包括曲线；或所述第一像素电极可以具有椭圆形形状，并且所述第二像素电极可以具有圆形形状。
13.在平面图中，所述第一像素电极可以具有比所述第二像素电极的面积大的面积。
14.所述第二连接线和所述第一像素电极可以设置在同一绝缘层上。
15.所述第一区域可以包括透射区域和元件区域，从电子模块提供或施加到电子模块的光信号透射穿过所述透射区域，所述元件区域与所述第一像素电极重叠。
16.所述第三组的所述发光元件的所述像素电极可以具有比所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一者的面积小的面积，并且可以具有比所述第二组的所述发光元件的所述像素电极的面积小的面积。
17.设置在单位面积中的所述第三组的所述发光元件的所述像素电极的数量可以大于设置在所述单位面积中的所述第二组的所述发光元件的所述像素电极的数量。
18.本实用新型的实施例提供一种显示装置，包括：显示面板，包括：基体层，包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域和与所述第二区域相邻的第三区域；以及第一像素、第二像素和第三像素，设置在所述基体层上。所述第一像素可以包括：第一组的第一发光元件，包括设置在所述第一区域中的第一像素电极；所述第一组的第二发光元件，包括电连接到所述第一像素电极并且设置在所述第一区域中的第二像素电极；以及第一像素电路，电连接到所述第一组的所述第一发光元件和所述第一组的所述第二发光元件，并且所述第一像素电路设置在所述第二区域中。所述第二像素可以包括：第二组的发光元件，包括设置在所述第二区域中的像素电极；以及第二像素电路，电连接到所述第二组的所述发光元件，并且所述第二像素电路设置在所述第二区域中。所述第三像素可以包括：第三组的发光元件，包括设置在所述第三区域中的像素电极；以及第三像素电路，电连接到所述第三组的所述发光元件，并且所述第三像素电路设置在所述第三区域中。所述第一像素电极可以包括具有弯曲形状的第一外边缘和具有弯曲形状以限定开口的第一内边缘。
19.所述显示面板还可以包括：环形图案，在平面图中与所述第一外边缘重叠；以及虚设图案，在所述平面图中与所述开口和所述第一内边缘重叠。所述环形图案和所述虚设图案中的每一者可以包括黑色着色剂。
20.所述显示面板还可以包括像素限定层。所述像素限定层可以提供有第一开口和第二开口。所述第一开口和所述第二开口被限定为分别通过所述第一开口和所述第二开口暴露所述第二组的所述发光元件的所述像素电极和所述第三组的所述发光元件的所述像素电极。所述第二组的所述发光元件的所述像素电极可以包括具有弯曲形状的第二外边缘和具有弯曲形状以限定所述第一开口的第二内边缘。
21.所述显示面板还可以包括在平面图中与所述第一开口和所述第二内边缘重叠的虚设图案。
22.所述第一像素电极可以具有椭圆形形状，并且所述第二像素电极可以具有圆形形状；和/或在平面图中，所述第一像素电极可以具有比所述第二像素电极的面积大的面积。
23.所述第二组的所述发光元件的所述像素电极和所述第三组的所述发光元件的所述像素电极中的每一者可以具有圆形形状。
24.本实用新型的实施例提供一种电子装置，包括：显示面板，包括：基体层，包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域和与所述第二区域相邻的第三区域；以及，第一像素、第二像素和第三像素，设置在所述基体层上。所述第一像素可以包括：第一组的发光元件，包括设置在所述第一区域中的像素电极；以及第一像素电路，电连接到所述第一组的所述发光元件，并且所述第一像素电路设置在所述第二区域中。所述第二像素可以包括：第二组的第一发光元件，包括设置在所述第二区域中的第一像素电极；所述第二组的第二发光元件，包括电连接到所述第一像素电极并且设置在所述第二区域中的第二像素电极；以及第二像素电路，电连接到所述第二组的所述第一发光元件和所述第二组的所述第二发光元件，并且所述第二像素电路设置在所述第二区域中。所述第三像素可以包括：第三组的发光元件，包括设置在所述第三区域中的像素电极；以及第三像素电路，电连接到所述第三组的所述发光元件，并且所述第三像素电路设置在所述第三区域中。
25.所述第二组的所述第二发光元件可以提供为多个第二发光元件，并且所述第二像素可以包括所述第二组的所述多个第二发光元件。
26.所述显示面板还可以包括电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极的连接线，并且所述连接线和所述第一像素电极可以设置在同一绝缘层中。所述连接线与所述第一像素电极可以一体地提供，并且所述连接线与所述第一像素电极可以包括相同的材料。
27.所述显示面板还可以包括电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极的连接线，并且所述连接线和所述第一像素电极可以设置在彼此不同的层中。
28.所述第二像素还可以包括所述第二组的第三发光元件，并且所述第二组的所述第三发光元件可以包括电连接到所述第二像素电极并且设置在所述第二区域中的第三像素电极。所述显示面板还可以包括：第一连接线，电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极；以及第二连接线，电连接所述第二像素电极和所述第三像素电极。所述第一连接线和所述第二连接线中的每一者与所述第一像素电极可以设置在同一层中。所述第一连接线与所述第一像素电极可以一体地提供，并且所述第一连接线与所述第一像素电极可以包括相同的材料。
29.所述第二像素还可以包括所述第二组的第三发光元件，并且所述第二组的所述第三发光元件可以包括经由连接线电连接到所述第一像素电极或所述第二像素电极并且设置在所述第二区域中的第三像素电极。所述连接线和所述第一像素电极可以直接设置在彼此不同的绝缘层上；或者，在平面图中，所述第二像素电极与所述第三像素电极可以具有相同的面积。
30.本实用新型的实施例提供一种显示装置，包括：显示面板，包括基体层、设置在所述基体层上的连接线以及设置在所述基体层上的第一像素、第二像素和第三像素，所述基体层包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域和与所述第二区域相邻的第三区域。
所述第一像素包括：第一组的第一发光元件，包括设置在所述第一区域中的第一像素电极；所述第一组的第二发光元件，包括设置在所述第一区域中的第二像素电极；以及第一像素电路，电连接到所述第一组的所述第一发光元件和所述第一组的所述第二发光元件，并且所述第一像素电路设置在所述第二区域中。所述第二像素包括：第二组的发光元件，包括设置在所述第二区域中的像素电极；以及第二像素电路，电连接到所述第二组的所述发光元件，并且所述第二像素电路设置在所述第二区域中。所述第三像素包括：第三组的发光元件，包括设置在所述第三区域中的像素电极；以及第三像素电路，电连接到所述第三组的所述发光元件，并且所述第三像素电路设置在所述第三区域中。所述连接线包括：第一连接线，电连接所述第一像素电极和所述第一像素电路；以及第二连接线，电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极。所述第一像素包括第一颜色像素和第二颜色像素，所述第一颜色像素和所述第二颜色像素产生具有彼此不同的颜色的光。电连接所述第一颜色像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述第二连接线与电连接所述第二颜色像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述第二连接线交叉，并且设置在与设置有电连接所述第二颜色像素的所述第一像素电极和所述第二像素电极的所述第二连接线的层不同的层中。
31.所述第一组的所述第二发光元件可以提供为多个第二发光元件，并且所述第一像素可以包括所述第一组的所述多个第二发光元件。
32.所述第一像素还可以包括所述第一组的第三发光元件，并且所述第一组的所述第三发光元件可以包括电连接到所述第二像素电极并且设置在所述第一区域中的第三像素电极。
33.所述第一连接线和所述第二连接线中的每一者可以包括透明导电氧化物。
34.所述第一像素还可以包括所述第一组的第三发光元件。所述第一组的所述第三发光元件包括设置在所述第一区域中的第三像素电极。所述连接线还可以包括：第三连接线，电连接所述第二像素电极和所述第三像素电极，并且所述第三连接线可以包括透明导电氧化物。
35.所述第三连接线和所述第二像素电极可以设置在第一绝缘层上，并且所述第二连接线可以经由穿过所述第一绝缘层限定的接触孔连接到所述第二像素电极。
36.在平面图中，所述第三像素电极可以具有比所述第二像素电极的面积小的面积。
37.所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一者的边缘可以包括曲线。
38.在平面图中，所述第一像素电极可以具有比所述第二像素电极的面积大的面积。
39.所述第二连接线和所述第一像素电极可以设置在同一绝缘层上。
40.所述第一像素电极可以具有椭圆形形状，并且所述第二像素电极可以具有圆形形状。
41.所述显示装置还可以包括分别与所述第一像素电极、所述第二像素电极、所述第二组的所述发光元件的所述像素电极和所述第三组所述发光元件的所述像素电极重叠并且设置在所述显示面板上的多个滤色器。
42.所述显示装置还可以包括输入传感器，所述输入传感器包括至少与所述第三区域重叠的感测电极，并且所述输入传感器设置在所述显示面板上。
43.所述第一区域可以包括透射区域和元件区域，从电子模块提供或施加到电子模块
的光信号通过所述透射区域传输，所述元件区域与所述第一像素电极重叠。
44.所述第三组的所述发光元件的所述像素电极可以具有比所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每一者的面积小的面积，并且具有比所述第二组的所述发光元件的所述像素电极的面积小的面积。
45.设置在单位面积中的所述第三组的所述发光元件的所述像素电极的数量大于设置在所述单位面积中的所述第二组的所述发光元件的所述像素电极的数量。
46.本实用新型的实施例提供一种显示装置，包括：显示面板，包括基体层以及设置在所述基体层上的第一像素、第二像素和第三像素，所述基体层包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域和与所述第二区域相邻的第三区域。所述第一像素包括：第一组的第一发光元件，包括设置在所述第一区域中的第一像素电极；所述第一组的第二发光元件，包括电连接到所述第一像素电极并且设置在所述第一区域中的第二像素电极；以及第一像素电路，电连接到所述第一组的所述第一发光元件和所述第一组的所述第二发光元件，并且所述第一像素电路设置在所述第二区域中。所述第二像素包括：第二组的发光元件，包括设置在所述第二区域中的像素电极；以及第二像素电路，电连接到所述第二组的所述发光元件，并且所述第二像素电路设置在所述第二区域中。所述第三像素包括：第三组的发光元件，包括设置在所述第三区域中的像素电极；以及第三像素电路，电连接到所述第三组的所述发光元件，并且所述第三像素电路设置在所述第三区域中。在平面图中，所述第一像素电极具有比所述第二像素电极的面积大的面积，并且所述第一像素电极包括具有弯曲形状的第一外边缘和具有弯曲形状以限定开口的第一内边缘。
47.所述显示面板还可以包括：环形图案，在所述平面图中与所述第一外边缘重叠；以及虚设图案，在所述平面图中与所述开口和所述第一内边缘重叠。
48.所述环形图案和所述虚设图案中的每一者可以包括黑色着色剂。
49.所述显示面板还可以包括像素限定层，并且所述像素限定层提供有第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口被限定为分别通过所述第一开口和所述第二开口暴露所述第二组的所述发光元件的所述像素电极和所述第三组的所述发光元件的所述像素电极。
50.所述第二组的所述发光元件的所述像素电极可以包括具有弯曲形状的第二外边缘和具有弯曲形状以限定所述第一开口的第二内边缘。
51.所述显示面板还可以包括在所述平面图中与所述第一开口和所述第二内边缘重叠的虚设图案。
52.所述第一像素电极可以具有椭圆形形状，并且所述第二像素电极可以具有圆形形状。
53.所述第二组的所述发光元件的所述像素电极和所述第三组的所述发光元件的所述像素电极中的每一者具有圆形形状。
54.本实用新型的实施例提供一种显示装置，包括：显示面板，包括基体层以及设置在所述基体层上的第一像素、第二像素和第三像素，所述基体层包括第一区域、与所述第一区域相邻的第二区域和与所述第二区域相邻的第三区域。所述第一像素包括：第一组的发光元件，包括设置在所述第一区域中的像素电极；以及第一像素电路，电连接到所述第一组的所述发光元件，并且所述第一像素电路设置在所述第二区域中。所述第二像素包括：第二组
的第一发光元件，包括设置在所述第二区域中的第一像素电极；所述第二组的第二发光元件，包括电连接到所述第一像素电极并且设置在所述第二区域中的第二像素电极；以及第二像素电路，电连接到所述第二组的所述第一发光元件和所述第二组的所述第二发光元件，并且所述第二像素电路设置在所述第二区域中。所述第三像素包括：第三组的发光元件，包括设置在所述第三区域中的像素电极；以及第三像素电路，电连接到所述第三组的所述发光元件，并且所述第三像素电路设置在所述第三区域中。
55.所述第二组的所述第二发光元件可以提供为多个第二发光元件，并且所述第二像素可以包括所述第二组的所述多个第二发光元件。
56.所述显示面板还可以包括电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极的连接线。所述连接线和所述第一像素电极可以设置在同一绝缘层中。
57.所述连接线可以与所述第一像素电极一体地提供并且与所述第一像素电极包括相同的材料。
58.所述显示面板还可以包括电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极的连接线。所述连接线和所述第一像素电极可以设置在彼此不同的层上。
59.所述第二像素还可以包括所述第二组的第三发光元件，并且所述第二组的所述第三发光元件可以包括电连接到所述第二像素电极并且设置在所述第二区域中的第三像素电极。
60.所述显示面板还可以包括：第一连接线，电连接所述第一像素电极和所述第二像素电极；以及第二连接线，电连接所述第二像素电极和所述第三像素电极。所述第一连接线和所述第二连接线中的每一者与所述第一像素电极设置在同一层上。
61.所述第一连接线可以与所述第一像素电极一体地提供并且与所述第一像素电极包括相同的材料。
62.所述第二像素还可以包括所述第二组的第三发光元件。所述第二组的所述第三发光元件可以包括经由连接线电连接到所述第一像素电极或所述第二像素电极并且设置在所述第二区域中的第三像素电极。
63.所述连接线和所述第一像素电极可以直接设置在彼此不同的绝缘层上。
64.在平面图中，所述第二像素电极可以与所述第三像素电极具有基本上相同的面积。
65.根据上述，设置在第一区域中的像素电极包括具有弯曲形状的边缘，并且因此，减少了光信号的衍射。由于设置在第一区域和第二区域中的连接线的数量减少，因此有效地防止了连接线之间的短路。
66.此外，由于像素电极具有环形图案，因此在制造过程中产生的气体从像素电极的下部排放到像素电极的上部。因此，有效地减少了显示面板的制造过程中出现的缺陷。
附图说明
67.当结合附图考虑时，通过参照以下详细描述，本公开的上述和其它优点将容易变得显而易见，在附图中：
68.图1是示出根据本公开的实施例的电子装置的透视图；
69.图2是示出根据本公开的实施例的电子装置的一些组件的分解透视图；
70.图3是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图；
71.图4是示出根据本公开的实施例的像素的等效电路图；
72.图5是示出根据本公开的实施例的显示面板的平面图；
73.图6a和图6b是示出图5的区域aa'的放大平面图；
74.图7是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图；
75.图8是示出根据本公开的实施例的显示装置的截面图；
76.图9是示出根据本公开的实施例的像素限定层和像素限定图案的平面图；
77.图10a是示出根据本公开的实施例的显示装置的一些组件的平面图；
78.图10b是示出图10a的一些组件的截面图；
79.图10c是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的一些组件的平面图；
80.图10d是示出图10c的一些组件的截面图；
81.图10e是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的一些组件的平面图；
82.图10f是示出图10e的一些组件的截面图；
83.图10g是示出根据本公开的实施例的显示装置的一些组件的截面图；
84.图11是示出图5的区域aa'的放大平面图；
85.图12a是示出根据本公开的实施例的第一区域的平面图；
86.图12b是示出根据本公开的另一实施例的第一区域的平面图；
87.图13a是示出根据本公开的实施例的第二区域的平面图；
88.图13b是示出根据本公开的另一实施例的第二区域的平面图；
89.图14a是示出根据本公开的实施例的显示面板的一部分的放大平面图；以及
90.图14b是示出图14a中所示的第一数据线的截面图。
具体实施方式
91.在本说明书中，将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或另一层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或另一层时，所述元件或所述层可以直接在所述另一元件或另一层上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件或另一层，或者可以存在居间元件或居间层。
92.同样的附图标记始终指代同样的元件。在附图中，为了有效描述技术内容，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。
93.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
94.为了便于描述，在本文中可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或一个特征与另一元件(多个元件)或另一特征(多个特征)的关系。
95.还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述
的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
96.除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释这些术语。
97.在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
98.图1是示出根据本公开实施例的电子装置1000的透视图。
99.参考图1，电子装置1000可以包括显示装置，并且在本实施例中移动电话被示出为代表性示例。然而，电子装置1000不应限于移动电话，电子装置1000可以是平板计算机、监视器、电视机、汽车导航单元、游戏单元或可穿戴装置。
100.电子装置1000可以通过显示区域1000a显示图像。显示区域1000a可以包括由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面。显示区域1000a还可以包括从平面的至少两侧弯曲的弯曲表面。然而，根据本实用新型的显示区域1000a的形状不应限于此或由此限制。例如，显示区域1000a可以仅包括平面，或者在另一实施例中，显示区域1000a还可以包括两个或更多个弯曲表面(例如，分别从平面的四个侧弯曲的四个弯曲表面)。
101.显示区域1000a的一区域可以被限定为感测区域1000sa。图1示出了一个感测区域1000sa作为代表性示例，然而，感测区域1000sa的数量不应限于此或由此限制。感测区域1000sa可以是显示区域1000a的一部分，然而，相对于光信号，感测区域1000sa可以具有比显示区域1000a的其它区域的透射率高的透射率。因此，可以通过感测区域1000sa显示图像，并且可以通过感测区域1000sa提供光信号。
102.电子装置1000可以包括设置在与感测区域1000sa重叠的区域中的电子模块。电子模块可以通过感测区域1000sa接收从外部提供的光信号，或者可以通过感测区域1000sa输出光信号。作为示例，电子模块可以是摄像头模块cm(参考图2)、测量目标与移动电话之间的距离的传感器(诸如接近传感器)、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜或脸)的传感器、或者输出光的小灯，然而，电子模块不应限于此或由此限制。
103.第三方向dr3可以指示显示区域1000a的法线方向，即，电子装置1000的厚度方向。电子装置1000的每个构件的前(或上)和后(或下)表面可以相对于第三方向轴dr3彼此区分。
104.图2是示出根据本公开的实施例的电子装置1000的一些组件的分解透视图。
105.参考图2，电子装置1000可以包括显示装置dd和摄像头模块cm。显示装置dd可以产生图像并且可以感测外部输入。摄像头模块cm可以设置在显示装置dd下面。当显示装置dd被限定为用于电子装置1000的第一电子模块时，摄像头模块cm可以被限定为第二电子模块。
106.显示装置dd可以包括显示区域100a和外围区域100n。显示区域100a可以对应于图1中所示的显示区域1000a。显示装置dd的一部分可被限定为感测区域100sa，感测区域100sa可以具有比显示区域100a的其它区域(在下文中被称为主显示区域)的透射率高的透射率。因此，感测区域100sa可以将外部光提供到摄像头模块cm。感测区域100sa可以是显示区域100a的一部分，并且因此，可以通过感测区域100sa显示图像。
107.像素px可以设置在显示区域100a中。像素px可以设置在感测区域100sa和主显示区域中的每一者中。然而，设置在感测区域100sa中的像素px和设置在主显示区域中的像素px可以具有彼此不同的结构，并且这将在后面进行详细描述。
108.图3是示出根据本公开的实施例的显示装置dd的截面图。
109.参考图3，显示装置dd可以包括显示面板100、传感器层200和防反射层300。
110.显示面板100可以具有实质上产生图像的配置。显示面板100可以是发光型显示面板。例如，显示面板100可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、微型发光二极管(led)显示面板或纳米led显示面板。显示面板100可以被称为显示层。
111.显示面板100可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
112.基体层110可以是提供设置有电路层120的基体表面的构件。基体层110可以是刚性基底或可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。基体层110可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底，然而，本实用新型不应限于此或由此限制。根据另一实施例，基体层110可以是无机层、有机层或复合材料层。
113.基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110可以包括第一合成树脂层、具有单层结构或多层结构的无机层、以及设置在具有单层结构或多层结构的无机层上的第二合成树脂层。第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括聚酰亚胺类树脂，然而，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者不应受到特别限制。
114.电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以通过涂覆工艺或沉积工艺形成在基体层110上。然后，绝缘层、半导体层和导电层可以通过几个光刻工艺被选择性地图案化。
115.发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件ld(参考图4)。例如，发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型led或纳米led。
116.封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130免受湿气、氧气和诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。封装层140可以包括至少一个无机层。封装层140可以包括无机层、有机层和无机层顺序地堆叠的堆叠结构。
117.传感器层200可以设置在显示面板100上。传感器层200可以感测从外部施加到传感器层200的外部输入。例如，外部输入可以是用户输入。用户输入可以包括多种外部输入，诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力。
118.传感器层200可以通过连续的工艺形成在显示面板100上。在这种情况下，传感器层200可以直接设置在显示面板100上。在本公开中，表述“传感器层200直接设置在显示面板100上”意味着在传感器层200与显示面板100之间不存在居间元件。也就是说，在传感器层200与显示面板100之间可以不设置单独的粘合构件。
119.防反射层300可以设置在传感器层200上。防反射层300可以降低从外部入射到显示装置dd的外部光的反射率。防反射层300可以通过连续的工艺形成在传感器层200上。防反射层300可以包括滤色器。滤色器可以以预定排列布置。滤色器的排列可以通过考虑从包括在显示面板100中的像素发射的光的颜色进行确定。此外，防反射层300还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。稍后将详细描述防反射层300。
120.根据实施例，可以省略传感器层200。在这种情况下，防反射层300可以直接设置在
显示面板100上。根据实施例，传感器层200的位置和防反射层300的位置可以彼此改变。
121.尽管附图中未示出，但是根据实施例，显示装置dd还可以包括设置在防反射层300上的光学层。作为示例，光学层可以通过连续的工艺形成在防反射层300上。光学层可以控制从显示面板100入射的光的方向以改善显示装置dd的正面亮度。作为示例，光学层可以包括有机绝缘层和高折射率层，穿过有机绝缘层限定开口以分别对应于包括在显示面板100中的像素的发光区域，高折射率层覆盖有机绝缘层并被填充在开口中。高折射率层可以具有比有机绝缘层的折射率高的折射率。
122.图4是示出根据本公开的实施例的像素px的等效电路图。
123.图4示出了图2中所示的像素px之中的一个像素px的等效电路图。像素px可以包括发光元件ld和像素电路pc。发光元件ld可以是被包括在图3的发光元件层130中的组件，并且像素电路pc可以是被包括在图3的电路层120中的组件。
124.像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1至t7、升压电容器cbs和存储电容器cst。薄膜晶体管t1至t7和存储电容器cst可以电连接到信号线sl1、sl2、sl3、sl1 1、el和dl、第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2(或者被称为阳极初始化电压线)、以及驱动电压线pl。
125.薄膜晶体管t1至t7可以包括驱动薄膜晶体管t1(或者被称为第一薄膜晶体管)、开关薄膜晶体管t2(或者被称为第二薄膜晶体管)、补偿薄膜晶体管t3(或者被称为第三薄膜晶体管)、第一初始化薄膜晶体管t4(或者被称为第四薄膜晶体管)、操作控制薄膜晶体管t5(或者被称为第五薄膜晶体管)、发射控制薄膜晶体管t6(或者被称为第六薄膜晶体管)和第二初始化薄膜晶体管t7(或者被称为第七薄膜晶体管)。
126.发光元件ld可以包括第一电极(例如，阳极电极或像素电极)和第二电极(例如，阴极电极或公共电极)。发光元件ld的第一电极可以经由发射控制薄膜晶体管t6连接到驱动薄膜晶体管t1以接收驱动电流i
ld
，并且第二电极可以接收低电源电压elvss。发光元件ld可以产生具有与驱动电流i
ld
对应的亮度的光。
127.薄膜晶体管t1至t7中的一些晶体管可以是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)(“nmos”)，并且薄膜晶体管t1至t7中的其它晶体管可以是p沟道mosfet(“pmos”)。作为示例，薄膜晶体管t1至t7之中的补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4可以是n沟道mosfet(nmos)，并且薄膜晶体管t1至t7之中的其它晶体管可以是p沟道mosfet(pmos)。
128.根据实施例，在薄膜晶体管t1至t7之中，补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7可以是nmos，并且其它晶体管可以是pmos。根据实施例，在薄膜晶体管t1至t7之中，仅一个晶体管可以是nmos，并且其它晶体管可以是pmos。根据实施例，全部薄膜晶体管t1至t7可以是nmos或pmos。
129.信号线sl1、sl2、sl3、sl1 1、el和dl可以包括传输第一扫描信号sn的第一当前扫描线sl1、传输第二扫描信号sn'的第二当前扫描线sl2、将第三扫描信号si传输到第一初始化薄膜晶体管t4的第三扫描线sl3、将发射控制信号en传输到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制线el、将下一扫描信号sn 1传输到第二初始化薄膜晶体管t7的下一扫描线sl1 1以及与第一当前扫描线sl1交叉并传输数据信号dm的数据线dl。第一扫描信号sn可以是当前扫描信号，并且下一扫描信号sn 1可以是紧随第一扫描信号sn之后
的扫描信号。
130.驱动电压线pl可以将驱动电压elvdd传输到驱动薄膜晶体管t1，并且第一初始化电压线vl1可以传输初始化电压vint1以使驱动薄膜晶体管t1和发光元件ld的第一电极初始化。
131.驱动薄膜晶体管t1的栅极可以连接到存储电容器cst，驱动薄膜晶体管t1的源极可以经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl，并且驱动薄膜晶体管t1的漏极可以经由发射控制薄膜晶体管t6电连接到发光元件ld的第一电极。驱动薄膜晶体管t1可以响应于开关薄膜晶体管t2的开关操作接收数据信号dm，并且可以将驱动电流i
ld
供应到发光元件ld。
132.开关薄膜晶体管t2的栅极可以连接到传输第一扫描信号sn的第一当前扫描线sl1，开关薄膜晶体管t2的源极可以连接到数据线dl，并且开关薄膜晶体管t2的漏极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的源极并可以经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl。开关薄膜晶体管t2可以响应于通过第一当前扫描线sl1提供的第一扫描信号sn而导通，并且可以执行开关操作以将施加到数据线dl的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的源极。
133.补偿薄膜晶体管t3的栅极可以连接到第二当前扫描线sl2。补偿薄膜晶体管t3的漏极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的漏极并且可以经由发射控制薄膜晶体管t6连接到发光元件ld的第一电极。补偿薄膜晶体管t3的源极可以连接到存储电容器cst的第一电极ce10和驱动薄膜晶体管t1的栅极。此外，补偿薄膜晶体管t3的源极可以连接到第一初始化薄膜晶体管t4的漏极。
134.补偿薄膜晶体管t3可以响应于经由第二当前扫描线sl2施加到补偿薄膜晶体管t3的第二扫描信号sn'而导通，并且可以电连接驱动薄膜晶体管t1的栅极和漏极以允许驱动薄膜晶体管t1以二极管式配置连接。
135.第一初始化薄膜晶体管t4的栅极可以连接到第三扫描线sl3。第一初始化薄膜晶体管t4的源极可以连接到第一初始化电压线vl1。第一初始化薄膜晶体管t4的漏极可以连接到存储电容器cst的第一电极ce10、补偿薄膜晶体管t3的源极和驱动薄膜晶体管t1的栅极。第一初始化薄膜晶体管t4可以响应于通过第三扫描线sl3施加到第一初始化薄膜晶体管t4的第三扫描信号si而导通，并且可以将初始化电压vint1传输到驱动薄膜晶体管t1的栅极以执行使驱动薄膜晶体管t1的栅极电压初始化的初始化操作。
136.操作控制薄膜晶体管t5的栅极可以连接到发射控制线el，操作控制薄膜晶体管t5的源极可以连接到驱动电压线pl，并且操作控制薄膜晶体管t5的漏极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的源极和开关薄膜晶体管t2的漏极。
137.发射控制薄膜晶体管t6的栅极可以连接到发射控制线el，发射控制薄膜晶体管t6的源极可以连接到驱动薄膜晶体管t1的漏极和补偿薄膜晶体管t3的漏极，并且发射控制薄膜晶体管t6的漏极可以连接到第二初始化薄膜晶体管t7的漏极和发光元件ld的第一电极。
138.操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6可以响应于经由发射控制线el施加到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制信号en而基本上同时导通，并且驱动电压elvdd可以被施加到发光元件ld以允许驱动电流i
ld
流经发光元件ld。
139.第二初始化薄膜晶体管t7的栅极可以连接到下一扫描线sl1 1，第二初始化薄膜晶体管t7的漏极可以连接到发射控制薄膜晶体管t6的漏极和发光元件ld的第一电极，并且
第二初始化薄膜晶体管t7的源极可以连接到第二初始化电压线vl2以接收阳极初始化电压vint2。第二初始化薄膜晶体管t7可以响应于经由下一扫描线sl1 1施加到第二初始化薄膜晶体管t7的下一扫描信号sn 1而导通，以使发光元件ld的第一电极初始化。
140.根据另一实施例(未示出)，第二初始化薄膜晶体管t7可以连接到发射控制线el，并且可以响应于发射控制信号en而被驱动。
141.同时，薄膜晶体管t1至t7的源极的位置和漏极的位置可以根据晶体管的类型(例如，p型或n型)而彼此改变。
142.存储电容器cst可以包括第一电极ce10和第二电极ce20。存储电容器cst的第一电极ce10可以连接到驱动薄膜晶体管t1的栅极，并且存储电容器cst的第二电极ce20可以连接到驱动电压线pl。存储电容器cst可以被充入有与驱动薄膜晶体管t1的栅极的电压和驱动电压elvdd之间的差相对应的电荷。
143.升压电容器cbs可以包括第一电极ce11和第二电极ce21。升压电容器cbs的第一电极ce11可以连接到存储电容器cst的第一电极ce10，并且升压电容器cbs的第二电极ce21可以接收第一扫描信号sn。升压电容器cbs可以在第一扫描信号sn的供应停止的时间点对驱动薄膜晶体管t1的栅极的电压进行升压，并且因此可以补偿栅极的电压降。
144.根据实施例的每个像素px的详细操作如下。
145.当在初始化时段期间经由第三扫描线sl3提供第三扫描信号si时，第一初始化薄膜晶体管t4可以响应于先前的扫描信号sn-1而导通，通过从第一初始化电压线vl1提供的初始化电压vint1可以使驱动薄膜晶体管t1初始化。
146.当在数据编程时段期间经由第一当前扫描线sl1和第二当前扫描线sl2提供第一扫描信号sn和第二扫描信号sn'时，开关薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3可以响应于第一扫描信号sn和第二扫描信号sn'而导通。在这种情况下，驱动薄膜晶体管t1可以通过使补偿薄膜晶体管t3导通而以二极管式配置连接并且可以被正向偏置。
147.然后，通过从由数据线dl提供的数据信号dm中减去驱动薄膜晶体管t1的阈值电压vth而获得的补偿电压可以被施加到驱动薄膜晶体管t1的栅极。
148.驱动电压elvdd和补偿电压可以分别被施加到存储电容器cst的两端，并且存储电容器cst可以被充入与存储电容器cst的两端之间的电压之差相对应的电荷。
149.在发光时段期间，操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6可以通过从发射控制线el提供的发射控制信号en而导通。根据驱动薄膜晶体管t1的栅极的电压与驱动电压elvdd之间的差，可以产生驱动电流i
ld
，并且驱动电流i
ld
可以经由发射控制薄膜晶体管t6被供应到发光元件ld。
150.根据本实施例，薄膜晶体管t1至t7中的至少一个薄膜晶体管可以包括包含氧化物的半导体层，并且薄膜晶体管t1至t7中的其它薄膜晶体管可以包括包含硅的半导体层。
151.详细地，直接影响显示装置的亮度的驱动薄膜晶体管t1可以包括包含具有高可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此可以实现具有高分辨率的显示装置。
152.同时，由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和低漏电流，因此即使驱动时间长，电压降也不大。也就是说，即使当以低频驱动像素px时，由于电压降而引起的图像的颜色的变化也不大，并且因此可以以低频驱动像素px。
153.如上所述，由于氧化物半导体具有低漏电流，因此补偿薄膜晶体管t3、第一初始化
薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7中的连接到驱动薄膜晶体管t1的栅极的至少一个薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。因此，可以防止漏电流流向驱动薄膜晶体管t1的栅极，并且可以减少功耗。
154.图5是示出根据本公开的实施例的显示面板100的平面图。图6a和图6b是示出图5的区域aa'的放大平面图。
155.参考图5和图6a，显示面板100可以包括显示区域dp-a和外围区域dp-na。外围区域dp-na可以被限定为与显示区域dp-a相邻，并且可以围绕显示区域dp-a的至少一部分。
156.显示区域dp-a可以包括第一区域dp-a1、第二区域dp-a2和第三区域dp-a3。第二区域dp-a2设置为与第一区域dp-a1相邻，并且第三区域dp-a3设置为与第二区域dp-a2相邻。第一区域dp-a1可以与图1中所示的感测区域1000sa或图2中所示的感测区域100sa重叠或对应。在本实施例中，第一区域dp-a1被示出为圆形形状，然而根据本实用新型的第一区域dp-a1的形状不限于此或由此限制。在另一实施例中，第一区域dp-a1可以具有多种形状，诸如多边形形状、椭圆形形状、具有至少一个弯曲侧的图形、或者不规则形状。
157.第一区域dp-a1、第二区域dp-a2和第三区域dp-a3可以通过透光率或分辨率彼此区分。可以以单位面积测量透光率和分辨率。在本文中，“光透射率”可以简称为“透射率”。
158.第一区域dp-a1可以具有比第二区域dp-a2的透光率和第三区域dp-a3的透光率中的每一者大的透光率。这是因为：关于由稍后描述的光阻挡结构占据的面积与整个面积的比率，第一区域dp-a1中的该比率低于第二区域dp-a2中的对应比率和第三区域dp-a3中的对应比率。光阻挡结构可以包括稍后图8中描述的电路层120的导电图案、像素限定层pdl和像素限定图案pdp。
159.第三区域dp-a3可以具有比第一区域dp-a1的分辨率和第二区域dp-a2的分辨率中的每一者高的分辨率。第三区域dp-a3中的设置在单元面积中(或相同大小的面积中)的发光元件的数量可以大于第一区域dp-a1中的对应数量和第二区域dp-a2中的对应数量中的每一者。
160.当基于透光率进行区分时，第一区域dp-a1可以是第一透射率区域，第二区域dp-a2和第三区域dp-a3可以对应于区别于第一透射率区域的第二透射率区域中的不同部分。第二区域dp-a2可以具有与第三区域dp-a3的透射率基本上相同的透射率。尽管第二区域dp-a2的透射率与第三区域dp-a3的透射率不相同，但是由于第一区域dp-a1的透射率显著高于第二区域dp-a2和第三区域dp-a3中的每一者的透射率，因此当第一区域dp-a1被限定为第一透射率区域时，第二区域dp-a2和第三区域dp-a3可以被限定为第二透射率区域。
161.当基于分辨率进行区分时，第一区域dp-a1和第二区域dp-a2可以对应于第一分辨率区域的不同部分，并且第三区域dp-a3可以是区别于第一分辨率区域的第二分辨率区域。第一区域dp-a1的每单位面积的发光元件的数量可以与第二区域dp-a2的每单位面积的发光元件的数量基本上相同。
162.显示面板100可以包括多个像素px。显示面板100可以包括：第一像素px1，包括设置在第一区域dp-a1中的发光元件；第二像素px2，包括设置在第二区域dp-a2中的发光元件；以及第三像素px3，包括设置在第三区域dp-a3中的发光元件。第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者可以包括图4中所示的像素电路pc。根据本实施例，当第三像素px3包括一个图4中所示的发光元件ld时，第一像素px1和第二像素px2中的至少一个可以
包括彼此并联连接的两个或更多个发光元件ld。这将稍后详细描述。
163.第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者可以提供为多个。在这种情况下，根据实施例，第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3可以分别包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且还可以包括白色像素。
164.参考图6a，第一像素px1可以包括第一组的发光元件ld1-1和ld1-2以及电连接到(例如，用于驱动)第一组的发光元件ld1-1和ld1-2的第一像素电路pc1。第二像素px2可以包括第二组的发光元件ld2和用于驱动第二组的发光元件ld2的第二像素电路pc2，并且第三像素px3可以包括第三组的发光元件ld3和用于驱动第三组的发光元件ld3的第三像素电路pc3。
165.图5中所示的第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3是相对于对应的发光元件ld1-1、ld1-2、ld2和ld3的位置而示出的。在图6a中，发光元件的第一电极被示出为第一组的发光元件ld1-1和ld1-2、第二组的发光元件ld2以及第三组的发光元件ld3中的每一者的代表。
166.每单位面积的第一组的发光元件ld1-1和ld1-2的数量小于每单位面积的第三组的发光元件ld3的数量，以增加透射尺寸并且改善第一区域dp-a1的透射率。作为示例，第一区域dp-a1的分辨率可以是第三区域dp-a3的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，第三区域dp-a3的分辨率可以等于或大于大约400像素每英寸(ppi)，并且第一区域dp-a1的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi。然而，这仅仅是一个示例，并且本实用新型不应限于此或由此限制。然而，第一组的发光元件ld1-1和ld1-2的第一电极的面积可以大于第三组的发光元件ld3的第一电极的面积。
167.此外，第一像素电路pc1可以不设置在第一区域dp-a1中，而是设置在第二区域dp-a2或外围区域dp-na(参考图5)中，以通过从第一区域dp-a1中去除诸如晶体管的光阻挡结构来改善第一区域dp-a1的透射率。第一区域dp-a1中的未设置有第一组的发光元件ld1-1和ld1-2的区域可以被限定为透射区域。作为示例，第一区域dp-a1中的未设置有第一组的发光元件ld1-1和ld1-2的第一电极的区域可以被限定为透射区域。
168.单元面积中的第二组的发光元件ld2的数量小于第三组的发光元件ld3的数量，以确保在第二区域dp-a2中布置有第一像素电路pc1的面积。在第二区域dp-a2中，第一像素电路pc1可以设置在未设置有第二像素电路pc2的区域中。
169.在第一组的发光元件ld1-1和ld1-2之中，第一发光元件ld1-1可以经由第一连接线twl1电连接到第一像素电路pc1。在第一组的发光元件ld1-1和ld1-2之中，第二发光元件ld1-2可以经由第二连接线twl2电连接到第一发光元件ld1-1。因此，第二发光元件ld1-2可以经由第一发光元件ld1-1电连接到第一像素电路pc1。这将稍后详细描述。
170.第一连接线twl1和第二连接线twl2中的每一者可以与第一区域dp-a1的透射区域重叠。第一连接线twl1和第二连接线twl2中的每一者可以包括透明导电材料。作为示例，第一连接线twl1和第二连接线twl2中的每一者可以包括透明导电氧化物(“tco”)，诸如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化铟镓锌(“igzo”)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)。包括透明导电材料的第一连接线twl1和第二连接线twl2可以不对应于光阻挡结构。
171.由于不需要单独驱动第二发光元件ld1-2的附加像素电路，并且由第一像素电路pc1驱动两个或更多个发光元件ld1-1和ld1-2，因此可以有效地改善设计第一区域dp-a1和
第二区域dp-a2的自由度，可以减少与第一区域dp-a1和第二区域dp-a2重叠的第一连接线twl1的数量，并且可以减少设置在第二区域dp-a2中的第一像素电路pc1的数量或面积。因此，可以有效地确保用于信号线(例如，图4中示出的信号线sl1、sl2、sl3、sl1 1、el和dl)排列的空间。
172.第二区域dp-a2可以设置为与第一区域dp-a1相邻。第二区域dp-a2可以围绕第一区域dp-a1的至少一部分。第二区域dp-a2可以具有比第一区域dp-a1的透射率低的透射率。这是因为第二区域dp-a2中的由稍后描述的光阻挡结构占据的面积与整个面积的比率高于第一区域dp-a1中的对应比率。
173.如图5中所示，第二区域dp-a2可以与外围区域dp-na间隔开，然而，本实用新型不应限于此或由此限制。根据另一实施例，第二区域dp-a2可以与外围区域dp-na接触。
174.参考图6a，第一像素电路pc1、第二组的发光元件ld2和第二像素电路pc2可以设置在第二区域dp-a2中。由于第一像素电路pc1设置在第二区域dp-a2中，因此第二区域dp-a2中的设置有第二像素电路pc2的面积可以减小，并且因此，第二区域dp-a2的分辨率可以低于第三区域dp-a3的分辨率。
175.在图6a中，第二区域dp-a2中的未连接到第二组的发光元件ld2的像素电路可以基本上对应于第一像素电路pc1。即使在图6a中未示出连接，第二区域dp-a2中的没有任何连接的像素电路也基本上对应于可以连接到第一发光元件ld1-1的第一像素电路pc1。
176.第三区域dp-a3可以被限定为与第二区域dp-a2相邻。第三区域dp-a3可以具有比第一区域dp-a1的透射率低的透射率。第三发光元件ld3和第三像素电路pc3可以设置在第三区域dp-a3中。
177.参考图6a，第一发光元件行pxl1、第二发光元件行pxl2、第三发光元件行pxl3和第四发光元件行pxl4可以设置在第一区域dp-a1和第二区域dp-a2中。用于发射绿光的绿色发光元件可以沿着第一方向dr1布置在第一发光元件行pxl1和第三发光元件行pxl3中的每一者中。
178.用于发射蓝光的蓝色发光元件和用于发射红光的红色发光元件可以沿着第一方向dr1彼此交替地布置在第二发光元件行pxl2和第四发光元件行pxl4中的每一者中。在第二方向dr2上，第二发光元件行pxl2的红色发光元件可以与第四发光元件行pxl4的蓝色发光元件对齐。在平面图中，蓝色发光元件的第一电极可以具有比红色发光元件的第一电极的面积大的面积。
179.布置在第三区域dp-a3中的第一电极中的每一者可以具有比布置在第一区域dp-a1和第二区域dp-a2中的第一电极中的每一者的面积小的面积。在第三区域dp-a3中，与第一发光元件行pxl1至第四发光元件行pxl4对应的第一发光元件行至第四发光元件行可以形成一个组并且可以在第二方向dr2上重复地布置。
180.在图6b中，描述将集中于与图6a中所示的显示区域dp-a1至显示区域dp-a3不同的特征。参考图6b，第二组的发光元件ld2-1和ld2-2可以包括第一发光元件ld2-1和第二发光元件ld2-2。第一发光元件ld2-1可以电连接到第二像素电路pc2。第二发光元件ld2-2可以经由连接线twl2_1电连接到第一发光元件ld2-1。因此，第二发光元件ld2-2可以经由第一发光元件ld2-1电连接到第二像素电路pc2。这将稍后详细描述。
181.由于不进一步需要用于独立地驱动第二发光元件ld2-2的另一像素电路，并且由
第二像素电路pc2驱动两个或更多个发光元件ld2-1和ld2-2，因此可以有效地改善设计第二区域dp-a2的自由度。可以有效地减少设置在第二区域dp-a2中的第二像素电路pc2的数量或面积。
182.图6b示出了包括第一发光元件ld1-1和第二发光元件ld1-2的第一组的发光元件作为代表性示例，然而，本实用新型不应限于此或由此限制。根据另一实施例，第一组的发光元件可以仅包括第一发光元件ld1-1，而不包括第二发光元件ld1-2。
183.图7是示出根据本公开实施例的显示装置dd的截面图。图8是示出根据本公开的实施例的显示装置dd的截面图。图7是示出第三区域dp-a3的截面图，并且图8是示出第一区域dp-a1和第二区域dp-a2的截面图。
184.图7示出了第三组的发光元件ld3和第三像素电路pc3(参考图6a)的硅薄膜晶体管s-tft和氧化物薄膜晶体管o-tft。在图4中所示的等效电路中，第三薄膜晶体管t3和第四薄膜晶体管t4可以是氧化物薄膜晶体管o-tft，并且其它晶体管可以是硅薄膜晶体管s-tft。图8示出了第一组的发光元件ld1、第一像素电路pc1的一部分、第二组的发光元件ld2和第二像素电路pc2的一部分。图8中所示的第一组的第一发光元件ld1可以基本上对应于图6a中所示的第一组的第一发光元件ld1-1。图8中所示的薄膜晶体管可以是图4中所示的第六薄膜晶体管t6。
185.参考图7和图8，电路层120可以包括顺序地堆叠的缓冲层10br、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50、第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80。缓冲层10br可以设置在基体层110上。缓冲层10br可以防止金属原子或杂质从基体层110扩散到第一半导体图案。此外，缓冲层10br可以控制在用于形成第一半导体图案的结晶工艺期间的供热速率，使得可以均匀地形成第一半导体图案。
186.第一后表面金属层bmla可以设置在硅薄膜晶体管s-tft下面，第二后表面金属层bmlb可以设置在氧化物薄膜晶体管o-tft下面。第一后表面金属层bmla和第二后表面金属层bmlb可以设置为与第一像素电路pc1、第二像素电路pc2和第三像素电路pc3重叠。第一后表面金属层bmla和第二后表面金属层bmlb可以防止由极化现象引起的电位对第一像素电路pc1、第二像素电路pc2和第三像素电路pc3造成影响。
187.第一后表面金属层bmla可以设置为与第一像素电路pc1、第二像素电路pc2和第三像素电路pc3中的每一者的至少一部分重叠。第一后表面金属层bmla可以设置为与由硅薄膜晶体管s-tft实现的驱动薄膜晶体管t1(参考图4)重叠。
188.第一后表面金属层bmla可以设置在基体层110与缓冲层10br之间。根据实施例，无机阻挡层可以进一步设置在第一后表面金属层bmla与缓冲层10br之间。第一后表面金属层bmla可以连接到电极或布线，并且可以从电极或布线接收恒定电压或信号。根据实施例，第一后表面金属层bmla可以是与其它电极或布线隔离的浮置电极。
189.第二后表面金属层bmlb可以设置在氧化物薄膜晶体管o-tft下面。第二后表面金属层bmlb可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。第二后表面金属层bmlb可以与存储电容器cst的第二电极ce20设置在同一层上。第二后表面金属层bmlb可以连接到接触电极bml2-c以接收恒定电压或信号。接触电极bml2-c可以与氧化物薄膜晶体管o-tft的栅极gt2设置在同一层上。
190.第一后表面金属层bmla和第二后表面金属层bmlb中的每一者可以包括反射金属。
作为示例，第一后表面金属层bmla和第二后表面金属层bmlb中的每一者可以包括银(ag)、包含银(ag)的合金、钼(mo)、包含钼(mo)的合金、铝(al)、包含铝(al)的合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、钛(ti)或p 掺杂的非晶硅等。第一后表面金属层bmla和第二后表面金属层bmlb可以包括相同的材料或者可以包括不同的材料。
191.尽管未单独示出，但是根据实施例，可以省略第二后表面金属层bmlb。第一后表面金属层bmla可以延伸并可以设置在氧化物薄膜晶体管o-tft下面，并且第一后表面金属层bmla可以防止由极化现象引起的电位对氧化物薄膜晶体管o-tft造成影响。
192.第一半导体图案可以设置在缓冲层10br上。第一半导体图案可以包括硅半导体。作为示例，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如，第一半导体图案可以包括低温多晶硅。
193.图7仅示出了第一半导体图案的设置在缓冲层10br上的一部分，并且第一半导体图案还可以设置在其它区域中。第一半导体图案可以遍及像素以特定规则布置。第一半导体图案可以依据第一半导体图案是否被掺杂或者第一半导体图案是被掺杂有n型掺杂剂还是被掺杂有p型掺杂剂而具有不同的电特性。第一半导体图案可以包括具有相对高的电导率的第一区和具有相对低的电导率的第二区。第一区可以被掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管可以包括被掺杂有p型掺杂剂的掺杂区，并且n型晶体管可以包括被掺杂有n型掺杂剂的掺杂区。第二区可以是非掺杂区或以比第一区域的对应浓度低的浓度被掺杂的区。
194.第一区可以具有比第二区的电导率大的电导率，并且可以基本上用作电极或信号线。第二区可以基本上对应于晶体管的有源区域(或沟道)。换言之，第一半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，第一半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且第一半导体图案的另一部分可以是连接电极或连接信号线。
195.硅薄膜晶体管s-tft的源极区域se1(或源极)、有源区域ac1(或沟道)和漏极区域de1(或漏极)可以由第一半导体图案形成。在截面中，源极区域se1和漏极区域de1可以在彼此相反的方向上从有源区ac1延伸。
196.第一绝缘层10可以设置在缓冲层10br上。第一绝缘层10可以与像素px(参考图5)公共地重叠，并且可以覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。在本实施例中，第一绝缘层10可以具有氧化硅层的单层结构。不仅第一绝缘层10，而且稍后描述的电路层120的绝缘层也可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，然而，本实用新型不应限于此或由此限制。
197.硅薄膜晶体管s-tft的栅极gt1可以设置在第一绝缘层10上。栅极gt1可以是金属图案的一部分。栅极gt1可以与有源区域ac1重叠。栅极gt1可以用作对第一半导体图案进行掺杂的工艺中的掩模。栅极gt1可以包括钛(ti)、银(ag)、包含银(ag)的合金、钼(mo)、包含钼(mo)的合金、铝(al)、包含铝(al)的合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、氧化铟锡(“ito”)或氧化铟锌(“izo”)等，然而，栅极gt1不应受到特别限制。
198.第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极gt1。第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。存储电容器cst的第二电极ce20可以设置在第二绝缘层20与
第三绝缘层30之间。此外，存储电容器cst的第一电极ce10可以设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
199.第二半导体图案可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。依据金属氧化物是否被还原，氧化物半导体可以包括彼此区分的多个区域。金属氧化物被还原的区域(在下文中称为“还原区域”)具有比金属氧化物未被还原的区域(在下文中称为“非还原区域”)的电导率大的电导率。还原区域可以用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原区域可以基本上对应于晶体管的半导体区域(有源区域或沟道)。换言之，第二半导体图案的一部分可以是晶体管的半导体区域，第二半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极/漏极，并且第二半导体图案的另一部分可以是信号传输区域。
200.氧化物薄膜晶体管o-tft的源极区域se2(或源极)、有源区域ac2(或沟道)和漏极区域de2(或漏极)可以由第二半导体图案形成。在截面中，源极区域se2和漏极区域de2可以在彼此相反的方向上从有源区域ac2延伸。
201.第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以与像素px(参考图5)公共地重叠以覆盖第二半导体图案。氧化物薄膜晶体管o-tft的栅极gt2可以设置在第四绝缘层40上。氧化物薄膜晶体管o-tft的栅极gt2可以是金属图案的一部分。氧化物薄膜晶体管o-tft的栅极gt2可以与有源区域ac2重叠。
202.第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上并且可以覆盖栅极gt2。第一连接电极cne1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极cne1可以经由穿过第一绝缘层10至第五绝缘层50限定的接触孔连接到硅薄膜晶体管s-tft的漏极区域de1。
203.第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极cne2可以经由穿过第六绝缘层60限定的接触孔连接到第一连接电极cne1。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上并且可以覆盖第二连接电极cne2。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。
204.第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一者可以是有机层。作为示例，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一者可以包括诸如苯并环丁烯(“bcb”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“hmdso”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)或聚苯乙烯(“ps”)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、以及氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们的共混物。
205.第一组的发光元件ld1可以包括第一电极ae1(或像素电极)、发光层el1和第二电极ce(或公共电极)，第二组的发光元件ld2可以包括第一电极ae2(或像素电极)、发光层el2和第二电极ce(或公共电极)，并且第三组的发光元件ld3可以包括第一电极ae3(或像素电极)、发光层el3和第二电极ce(或公共电极)。可以彼此一体地提供并且可以公共地提供第一组的发光元件ld1的第二电极ce、第二组的发光元件ld2的第二电极ce和第三组的发光元件ld3的第二电极ce。
206.第一组的发光元件ld1的第一电极ae1、第二组的发光元件ld2的第一电极ae2和第三组的发光元件ld3的第一电极ae3可以设置在第八绝缘层80上。第一组的发光元件ld1的第一电极ae1、第二组的发光元件ld2的第一电极ae2和第三组的发光元件ld3的第一电极ae3中的每一者可以是半透射电极、透射电极或反射电极。根据实施例，第一组的发光元件
ld1的第一电极ae1、第二组的发光元件ld2的第一电极ae2和第三组的发光元件ld3的第一电极ae3中的每一者可以包括由ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或它们的化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化铟镓锌(“igzo”)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)和铝掺杂氧化锌(“azo”)组成的组中选择的至少一种。例如，第一组的发光元件ld1的第一电极ae1、第二组的发光元件ld2的第一电极ae2和第三组的发光元件ld3的第一电极ae3中的每一者可以包括ito/ag/ito的堆叠结构。
207.像素限定层pdl和像素限定图案pdp可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层pdl和像素限定图案pdp可以包括相同的材料，并且可以通过相同的工艺形成。像素限定层pdl和像素限定图案pdp中的每一者可以具有光吸收特性，例如，像素限定层pdl和像素限定图案pdp中的每一者可以具有黑色。像素限定层pdl和像素限定图案pdp中的每一者可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属材料或其氧化物。像素限定层pdl和像素限定图案pdp中的每一者可以对应于具有光阻挡特性的光阻挡图案。
208.像素限定图案pdp可以设置在第一区域dp-a1中。像素限定图案pdp可以覆盖第一组的发光元件ld1的第一电极ae1的一部分。作为示例，像素限定图案pdp可以覆盖第一组的发光元件ld1的第一电极ae1的边缘。
209.像素限定层pdl可以设置在第二区域dp-a2和第三区域dp-a3中。像素限定层pdl可以覆盖第二组的发光元件ld2的第一电极ae2和第三组的发光元件ld3的第一电极ae3中的每一者的一部分。作为示例，像素限定层pdl可以提供有第一开口pdl-op1和第二开口pdl-op2，穿过像素限定层pdl限定第一开口pdl-op1以暴露第二组的发光元件ld2的第一电极ae2的一部分，穿过像素限定层pdl限定第二开口pdl-op2以暴露第三组的发光元件ld3的第一电极ae3的一部分。
210.像素限定图案pdp可以增加第一组的发光元件ld1的第一电极ae1的边缘与第二电极ce之间的距离，并且像素限定层pdl可以增加第二组的发光元件ld2的第一电极ae2的边缘和第三组的发光元件ld3的第一电极ae3的边缘中的每一者与第二电极ce之间的距离。因此，可以通过像素限定图案pdp和像素限定层pdl来防止在第一电极ae1、ae2和ae3中的每一者的边缘上出现电弧。
211.在第一区域dp-a1中，与设置有第一组的发光元件ld1的第一电极ae1的区域和像素限定图案pdp重叠的区域可以被限定为元件区域ea，并且另一区域可以被限定为透射区域ta。
212.第一组的发光元件ld1的第一电极ae1可以电连接到设置在第二区域dp-a2中的第一像素电路pc1。作为示例，第一组的发光元件ld1的第一电极ae1可以经由连接线twl以及连接电极cne2'和cpn电连接到第一像素电路pc1。在这种情况下，连接线twl可以与透射区域ta重叠。因此，连接线twl可以包括透光材料。根据实施例，可以省略连接电极cpn，并且连接线twl可以直接连接到第一像素电路pc1的导电图案。
213.图8中所示的第一组的发光元件ld1的第一电极ae1可以是图6中所示的第一发光元件ld1-1的第一电极。图8中所示的连接线twl可以是图6a中所示的第一连接线twl1。
214.连接线twl可以设置在第五绝缘层50与第六绝缘层60之间，然而，连接线twl不应
受到特别限制。连接电极cne2'和cpn可以设置在第六绝缘层60与第七绝缘层70之间。
215.第一组的发光元件ld1的发光层el1可以设置在第一组的发光元件ld1的第一电极ae1上，第二组的发光元件ld2的发光层el2可以设置在第二组的发光元件ld2的第一电极ae2上，并且第三组的发光元件ld3的发光层el3可以设置在第三组的发光元件ld3的第一电极ae3上。在本实施例中，发光层el1、el2和el3中的每一者可以发射具有蓝色、红色和绿色之中的至少一种颜色的光。
216.第二电极ce可以公共地设置在发光层el1、el2和el3上。第二电极ce可以具有一体的形状，并且可以公共地设置为遍及像素px(参考图5)。
217.尽管附图中未示出，但是空穴控制层可以设置在第一电极ae1、ae2和ae3与发光层el1、el2和el3之间。空穴控制层可以包括空穴传输层并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在发光层el1、el2和el3与第二电极ce之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以使用开口掩模公共地遍及多个像素px(参考图5)形成。
218.封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括顺序地堆叠的无机层141、有机层142和无机层143，然而，包括在根据本实用新型的封装层140中的层不应限于此或由此限制。
219.无机层141和143可以保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130免受诸如灰尘颗粒的外来物质的影响。无机层141和143可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层142可以包括丙烯酸类有机层，然而，本实用新型不应限于此或由此限制。
220.传感器层200可以设置在显示面板100上。传感器层200可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层200可以包括基体层210、第一导电层220、感测绝缘层230和第二导电层240。
221.基体层210可以设置在显示面板100上。基体层210可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。根据实施例，基体层210可以是包括环氧树脂、丙烯酸类树脂或酰亚胺类树脂的有机层。基体层210可以具有单层结构或在第三方向dr3上堆叠的层的多层结构。
222.第一导电层220和第二导电层240中的每一者可以具有单层结构或在第三方向dr3上堆叠的层的多层结构。第一导电层220和第二导电层240可以包括导线以限定具有网格形状的感测电极。在平面图中，导线可以不与第一开口pdl-op1、第二开口pdl-op2以及开口pdp-op重叠，并且可以与像素限定图案pdp和像素限定层pdl重叠。由第一导电层220和第二导电层240限定的感测电极可以至少与图5中所示的第三区域dp-a3重叠。
223.具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(zno)或氧化铟锌锡(“itzo”)等。此外，透明导电层可以包括诸如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(“pedot”)的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯等。
224.具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
225.感测绝缘层230可以设置在第一导电层220与第二导电层240之间。感测绝缘层230
可以包括无机层。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
226.根据实施例，感测绝缘层230可以包括有机层。有机层可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
227.防反射层300可以设置在传感器层200上。防反射层300可以包括分隔层310、第一滤色器321、第二滤色器322、第三滤色器323和平坦化层330。
228.用于分隔层310的材料不应受到特别限制，只要该材料吸收光即可。分隔层310可以具有黑色，并且可以具有黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属材料或其氧化物。
229.分隔层310可以覆盖传感器层200的第二导电层240。分隔层310可以防止外部光被第二导电层240反射。在平面图中，分隔层310可以与第二区域dp-a2和第三区域dp-a3重叠，并且可以不与第一区域dp-a1重叠。也就是说，由于分隔层310不设置在第一区域dp-a1中，因此可以有效地改善第一区域dp-a1的透射率。
230.分隔层310可以提供有穿过分隔层310限定的多个开口310-op1和310-op2。第一开口310-op1可以与第二组的发光元件ld2的第一电极ae2重叠，并且第二开口310-op2可以与第三组的发光元件ld3的第一电极ae3重叠。
231.第一滤色器321可以与第一区域dp-a1重叠，第二滤色器322可以与第二区域dp-a2重叠，并且第三滤色器323可以与第三区域dp-a3重叠。第一滤色器321、第二滤色器322和第三滤色器323中的每一者可以与第一电极ae1、ae2和ae3之中的对应的电极重叠。
232.由于分隔层310不与第一区域dp-a1重叠，因此第一滤色器321可以与分隔层310间隔开。也就是说，第一滤色器321可以不与分隔层310接触。第二滤色器322可以覆盖第一开口310-op1，并且第三滤色器323可以覆盖第二开口310-op2。第二滤色器322和第三滤色器323中的每一者可以与分隔层310接触。第一开口310-op1和第二开口310-op2中的每一者的开口尺寸可以大于像素限定层pdl的第一开口pdl-op1和第二开口pdl-op2中的每一者的开口尺寸。
233.平坦化层330可以覆盖分隔层310、第一滤色器321、第二滤色器322和第三滤色器323。平坦化层330可以包括有机材料，并且可以在平坦化层330上提供平坦的表面。根据实施例，可以省略平坦化层330。
234.图9是示出根据本公开的实施例的像素限定层pdl和像素限定图案pdp的平面图。详细地，图9示出了被设置为对应于图5的区域aa'的像素限定层pdl和像素限定图案pdp。
235.参考图9，像素限定层pdl可以设置在第二区域dp-a2和第三区域dp-a3中。像素限定层pdl可以不与第一区域dp-a1重叠。由于具有黑色的像素限定层pdl不设置在第一区域dp-a1中，因此可以有效地改善第一区域dp-a1的透射率。
236.像素限定图案pdp可以设置在第一区域dp-a1中。像素限定图案pdp可以提供为多个，并且像素限定图案pdp可以设置为彼此间隔开。像素限定图案pdp可以提供有穿过像素限定图案pdp限定的开口pdp-op1和pdp-op2。开口pdp-op1和pdp-op2可以与第一电极ae1(参考图8)重叠。作为示例，每个像素限定图案pdp可以具有覆盖对应的第一电极ae1(参考图8)的边缘的形状。因此，当在平面中观察时(即，在平面图中)，像素限定图案pdp可以具有
环形形状或圆环(donut)形形状。
237.在第二区域dp-a2中，第一开口pdl-op1可以提供为多个，并且第一开口pdl-op1可以以特定规则布置。可以依据第二像素px2(参考图5)的颜色排列来确定第一开口pdl-op1的布置。图9示出了根据第一开口pdl-op1的尺寸而彼此区分的三种类型的第一开口pdl-op1作为代表性示例。这意味着布置了产生三种颜色的第二像素px2。三种类型的第二像素px2可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素。
238.像素限定图案pdp可以包括第一像素限定图案pdp1和具有与第一像素限定图案pdp1的形状不同的形状的第二像素限定图案pdp2。第一组第一像素限定图案pdp1和第二像素限定图案pdp2可以对应于红色像素，第二组第一像素限定图案pdp1和第二像素限定图案pdp2可以对应于绿色像素，并且第三组第一像素限定图案pdp1和第二像素限定图案pdp2可以对应于蓝色像素。第一组至第三组的第一像素限定图案pdp1的开口pdp-op1可以具有彼此不同的尺寸。第一组至第三组的第二像素限定图案pdp2的开口pdp-op2可以具有彼此不同的尺寸。
239.图10a是示出根据本公开的实施例的显示装置的一些组件的平面图。图10b是示出图10a的一些组件的截面图。图10c是示出根据本公开的另一实施例的显示装置的一些组件的平面图。图10d是示出图10c的一些组件的截面图。图10e是示出根据本公开的又一实施例的显示装置的一些组件的平面图。图10f是示出图10e的一些组件的截面图。图10g是示出根据本公开的实施例的显示装置的一些组件的截面图。
240.图10a和图10b示出了图6a中所示的第一发光元件ld1-1的第一电极ae1-1(在下文中称为第一像素电极)以及与第一像素电极ae1-1对应的第一像素限定图案pdp1。第一像素电极ae1-1可以包括弯曲的边缘a-e1。在平面中(即，在平面图中)，第一像素电极ae1-1可以具有椭圆形形状。第一像素电极ae1-1的形状可以由边缘a-e1限定。由于具有上述形状的第一像素电极ae1-1，可以减少穿过透射区域ta(参考图8)的光的衍射。
241.第一像素限定图案pdp1可以覆盖第一像素电极ae1-1的边缘a-e1。
242.第一像素限定图案pdp1可以包括与第一像素电极ae1-1重叠的第一边缘p-e1和不与第一像素电极ae1-1重叠的第二边缘p-e2。第一像素限定图案pdp1的第一边缘p-e1和第一像素限定图案pdp1的第二边缘p-e2中的每一者可以包括曲线。在平面图中，第二边缘p-e2可以围绕第一边缘p-e1。第一边缘p-e1可以限定第一像素限定图案pdp1的开口pdp-op1。
243.第一像素限定图案pdp1可以是光阻挡图案和环形图案。
244.图10c和图10d示出了图6a中所示的第二发光元件ld1-2的第一电极ae1-2(在下文中称为第二像素电极)以及与第二像素电极ae1-2对应的第二像素限定图案pdp2。第二像素限定图案pdp2可以是光阻挡图案和环形图案。
245.第二像素电极ae1-2可以包括弯曲的边缘a-e10。在平面中观察时(在平面图中)，第二像素电极ae1-2可以具有圆形形状。第二像素电极ae1-2的形状可以由边缘a-e10限定。由于具有上述形状的第二像素电极ae1-2，可以减少穿过透射区域ta(参考图8)的光的衍射。然而，第二像素电极ae1-2可以具有比第一像素电极ae1-1(参考图10a和图10b)的面积小的面积。
246.第二像素限定图案pdp2可以覆盖第二像素电极ae1-2的边缘a-e10。第二像素限定图案pdp2可以包括在平面图中与第二像素电极ae1-2重叠的第一边缘p-e10和不与第二像
素电极ae1-2重叠的第二边缘p-e20。第二像素限定图案pdp2的第一边缘p-e10和第二像素限定图案pdp2的第二边缘p-e20中的每一者可以包括曲线。
247.第二边缘p-e20可以围绕第一边缘p-e10。第一边缘p-e10可以限定第二像素限定图案pdp2的开口pdp-op2。第一边缘p-e10可以限定具有与图10a中所示的第一边缘p-e1的形状相同的形状的开口pdp-op。
248.图10e和图10f示出了具有与参照图10a描述的第一像素电极ae1-1的形状不同的形状的第一像素电极ae1-10。根据本实施例，第一像素电极ae1-10可以提供有穿过第一像素电极ae1-10限定的开口ae1-op。开口ae1-op可以由内边缘a-e2限定。外边缘a-e1可以对应于图10a的边缘a-e1。
249.由于第一像素电极ae1-10具有相对大的面积，因此在显示面板的制造过程期间在第一像素电极ae1-10下面产生的气体可能被聚集在第一像素电极ae1-10中。开口ae1-op可以形成为气体的排放通道以防止上述现象。
250.虚设图案pdp-d设置为与开口ae1-op重叠。虚设图案pdp-d可以与内边缘a-e2重叠。虚设图案pdp-d可以包括与第一像素限定图案pdp1的材料相同的材料。虚设图案pdp-d可以是与第一像素限定图案pdp1一样的光阻挡图案。虚设图案pdp-d可以是点图案。
251.尽管没有单独示出，但是参照图10c描述的第二像素电极ae1-2的形状也可以改变为图10e和图10f中所示的形状。此外，虚设图案pdp-d可以设置为与第二像素电极ae1-2的开口重叠。
252.参照图6a和图8描述的第一电极ae2的形状也可以改变为图10e中所示的形状。图8的第一电极ae2的改变后的形状在图10g中示出。此外，虚设图案pdl-d可以设置为与第一电极ae2的开口ae-op重叠。
253.图11是示出图5的区域aa'的放大平面图。在图11中，描述将集中于与图6a中所示的第一区域dp-a1不同的特征。
254.第一像素px1-1的最靠近第三像素px3的第一像素电极ae1-1具有与第一像素px1-2的不是最靠近第三像素px3的第一像素电极ae1-1的布置不同的布置。第一像素px1-1的最靠近第三像素px3的第一像素电极ae1-1的主轴(即，纵轴)可以基本上平行于布置第三像素px3的第一方向dr1。这是为了确保第一像素px1-1的最靠近第三像素px3的第一像素电极ae1-1与第三组的发光元件ld3的像素电极之间的充足的空间。
255.另一方面，另一第一像素px1-2的不是最靠近第三像素px3的第一像素电极ae1-1的主轴(即，纵轴)可以基本上平行于第二方向dr2。
256.图12a是示出根据本公开的实施例的第一区域dp-a1的平面图。图12b是示出根据本公开的另一实施例的第一区域dp-a1的平面图。
257.图12a详细示出了参照图5至图9描述的第一像素px1。第一像素px1可以包括第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b。在本实施例中，第一颜色像素px-r可以是红色像素，第二颜色像素px-g可以是绿色像素，并且第三颜色像素px-b可以是蓝色像素。
258.图12a示出了一个第一颜色像素px-r、四个第二颜色像素px-g和两个第三颜色像素px-b作为代表性例。如上所述，由于第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b中的每一者的像素电路不设置在第一区域dp-a1中，因此在图12a中未示出像素电
路。
259.第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b中的每一者可以包括彼此并联连接的两个或更多个发光元件。第一像素电极ae1-1、第二像素电极ae1-2、第三像素电极ae1-3和第四像素电极ae1-4中的每一者表示发光元件。如图8中所示的发光层el1和第二电极ce可以设置在像素电极ae1-1、ae1-2、ae1-3和ae1-4上。
260.第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b中的每一者的第一像素电极ae1-1可以连接到第一连接线twl1。考虑到由接触孔ch和chs占据的面积，在平面图中，第一像素电极ae1-1可以具有比不与接触孔ch重叠的像素电极(例如，第二像素电极ae1-2或第三像素电极ae1-3)的面积大的面积。第一连接线twl1可以对应于图8中所示的连接线twl。
261.在图12a中，第一类型接触孔ch可以指示第一连接线twl1穿过的直接连接到第一像素电极ae1-1的路径，并且第二类型接触孔chs可以指示第一连接线twl1穿过的经由连接电极cne2'(参考图8)连接到第一像素电极ae1-1的路径。连接电极cne2'可以是稍后进行描述的第二连接线twl2的一部分。
262.第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b的第一连接线twl1可以设置在同一层上，然而，本实用新型不应限于此或由此限制。当连接到第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b之中的第一颜色像素px-r的第一连接线twl1是图8中所示的连接线twl时，连接到第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b之中的第三颜色像素px-b的第一连接线twl1可以设置在图8的第六绝缘层60与第七绝缘层70之间或图8的第七绝缘层70与第八绝缘层80之间。
263.当连接到四个第二颜色像素px-g之中的位于左侧的两个第二颜色像素px-g的第一连接线twl1是图8中所示的连接线twl时，连接到四个第二颜色像素px-g之中的位于右侧的两个第二颜色像素px-g的第一连接线twl1可以设置在图8的第六绝缘层60与第七绝缘层70之间或图8的第七绝缘层70与第八绝缘层80之间。
264.当连接到一些第二颜色像素px-g的第一连接线twl1是图8中所示的连接线twl时，连接到其他的第二颜色像素px-g的第一连接线twl1可以设置在图8的第六绝缘层60与第七绝缘层70之间或图8的第七绝缘层70与第八绝缘层80之间。
265.第一颜色像素px-r可以包括第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件。在图12a中，第一像素电极ae1-1、第二像素电极ae1-2、第三像素电极ae1-3和第四像素电极ae1-4分别被示出为第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件的代表性示例。第二连接线twl2可以连接第一像素电极ae1-1和第二像素电极ae1-2。第二连接线twl2可以设置在与其上设置有连接到第一像素电极ae1-1的第一连接线twl1的层不同的层上。当连接到第一像素电极ae1-1的第一连接线twl1是图8中所示的连接线twl时，第二连接线twl2可以设置在图8的第六绝缘层60与第七绝缘层70之间或图8的第七绝缘层70与第八绝缘层80之间。
266.第一连接线twl1和第二连接线twl2中的一条可以直接连接到第一像素电极ae1-1。连接电极可以进一步设置在第一连接线twl1和第二连接线twl2中的一条与第一像素电极ae1-1之间。
267.第二连接线twl2可以经由穿过设置在第二连接线twl2上的绝缘层限定的接触孔
直接连接到第一像素电极ae1-1或第二像素电极ae1-2。例如，第二连接线twl2可以经由穿过图8的第七绝缘层70和第八绝缘层80限定的接触孔或经由穿过图8的第八绝缘层80限定的接触孔直接连接到第一像素电极ae1-1或第二像素电极ae1-2。
268.第三连接线twl3可以连接第二像素电极ae1-2和第三像素电极ae1-3。第三连接线twl3可以与第二像素电极ae1-2和第三像素电极ae1-3设置在同一层上。与第一连接线twl1一样，第三连接线twl3可以包括透明导电材料。
269.第二像素电极ae1-2和第三连接线twl3中的任一者可以首先形成在第八绝缘层80(参考图8)上，并且然后另一者可以连续地形成。与图12a中所示的实施例不同，第三连接线twl3可以与第二像素电极ae1-2和第三像素电极ae1-3中的每一者重叠。
270.第四连接线twl4可以连接第三像素电极ae1-3和第四像素电极ae1-4。第四连接线twl4可以与第三连接线twl3包括相同的材料，并且可以与第三连接线twl3通过相同的工艺形成。第四连接线twl4可以与第三像素电极ae1-3和第四像素电极ae1-4中的每一者重叠。
271.第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b中的每一者可以包括第一像素电极ae1-1和第二像素电极ae1-2。第二连接线twl2可以连接第一像素电极ae1-1和第二像素电极ae1-2。第二连接线twl2可以与第一像素电极ae1-1和第二像素电极ae1-2设置在同一层上。与第一连接线twl1一样，第二连接线twl2可以包括透明导电材料。第二连接线twl2可以与第一颜色像素px-r的第三连接线twl3通过相同的工艺形成。
272.图12b详细示出了与图12a中所示的第一像素px1不同的第一像素px1。在图12b中，描述将集中于与图12a中所示的第一像素px1不同的特征。在图12b中，由于第二颜色像素px-g具有与图12a的布置相同的布置，因此未示出第二颜色像素px-g。
273.根据实施例，第一颜色像素px-r和第三颜色像素px-b可以包括参照图6a描述的多个第二发光元件ld1-2。参考第一颜色像素px-r和第三颜色像素px-b，在图12b中示出了两种类型的第二像素电极ae1-2。两种类型的第二像素电极ae1-2中的每一种可以通过第二连接线twl2连接到第一像素电极ae1-1。示出了设置在彼此不同的层上的两种类型的第二连接线twl2。
274.第一-第二像素电极ae1-21可以通过一条第二连接线twl2-1连接到第一像素电极ae1-1。第二-第二像素电极ae1-22可以通过另一条第二连接线twl2-2连接到第一像素电极ae1-1。
275.一条第二连接线twl2-1可以与第一像素电极ae1-1和第一-第二像素电极ae1-21设置在同一层上。与第一连接线twl1一样，一条第二连接线twl2-1可以包括透明导电材料。一条第二连接线twl2-1可以与第一像素电极ae1-1和第一-第二像素电极ae1-21重叠。
276.另一条第二连接线twl2-2可以设置在与其上设置有连接到第一像素电极ae1-1的第一连接线twl1的层不同的层上。当连接到第一像素电极ae1-1的第一连接线twl1是图8中所示的连接线twl时，另一条第二连接线twl2-2可以设置在图8的第六绝缘层60与第七绝缘层70之间或图8的第七绝缘层70与第八绝缘层80之间。
277.图13a是示出根据本公开的实施例的第二区域dp-a2的平面图。图13b是示出根据本公开的另一实施例的第二区域dp-a2的平面图。
278.图13a详细示出了参照图5至图9描述的第二像素px2。第二像素px2可以包括第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b。在本实施例中，第一颜色像素px-r
可以是红色像素，第二颜色像素px-g可以是绿色像素，并且第三颜色像素px-b可以是蓝色像素。
279.图13a示出了一个第一颜色像素px-r、两个第二颜色像素px-g和一个第三颜色像素px-b。第一颜色像素px-r、第二颜色像素px-g和第三颜色像素px-b中的每一者可以包括彼此并联连接的两个或更多个发光元件。作为发光元件的代表性示例，示出了像素电极ae1-1、ae1-2、ae1-3和ae1-4。图8中所示的发光层el1和第二电极ce可以设置在像素电极ae1-1、ae1-2、ae1-3和ae1-4上。
280.第二颜色像素px-g可以包括第一像素电极ae1-1、第二像素电极ae1-2、第三像素电极ae1-3和第四像素电极ae1-4。第一像素电极ae1-1可以经由接触孔ch-c连接到第二像素电路pc2。第一像素电极ae1-1与第二像素电路pc2之间的连接关系可以对应于图7中所示的第一电极ae3与硅薄膜晶体管s-tft之间的连接关系或图8中所示的第一电极ae2与第二像素电路pc2之间的连接关系。图13a还示出了五个第一像素电路pc1。
281.第一像素电极ae1-1可以包括用作电极并且具有圆形形状的电极部分和从电极部分延伸的连接部分。连接部分可以与接触孔ch-c重叠。
282.第二像素电极ae1-2可以经由连接线twl2电连接到第一像素电极ae1-1，第三像素电极ae1-3可以经由连接线twl2电连接到第二像素电极ae1-2，并且第四像素电极ae1-4可以经由连接线twl2电连接到第三像素电极ae1-3。第一像素电极ae1-1、第二像素电极ae1-2、第三像素电极ae1-3、第四像素电极ae1-4和连接线twl2可以通过相同的工艺形成，可以具有相同的堆叠结构，并且可以设置在同一绝缘层上。
283.尽管附图中未示出，但是与连接线twl2重叠的光阻挡图案可以设置在连接线twl2上以防止外部光被连接线twl2反射。光阻挡图案可以是参照图7和图8描述的像素限定层pdl。
284.根据实施例，与参照图12a描述的第一连接线twl1一样，连接线twl2可以包括透明导电材料。第二像素电极ae1-2和连接线twl2中的任一者可以形成在第八绝缘层80(参考图8)上，并且然后另一者可以连续地形成。在这种情况下，连接线twl2可以与第二像素电极ae1-2重叠。
285.第一颜色像素px-r和第三颜色像素px-b可以具有基本相同的配置，并且因此将省略对第三颜色像素px-b的描述。此外，关于图12a中描述的第二颜色像素px-g的相同配置或特征的细节也可以应用于图13a中所示的第二颜色像素px-g，并且因此将省略对第二颜色像素px-g的描述。
286.第三颜色像素px-b可以包括第一像素电极ae1-1、第二像素电极ae1-2和第三像素电极ae1-3。第三颜色像素px-b可以包括两个第二像素电极ae1-2。第一像素电极ae1-1可以经由接触孔ch-c连接到第二像素电路pc2。
287.两个第二像素电极ae1-2可以经由第一类型连接线twl2-1电连接到第一像素电极ae1-1。第一像素电极ae1-1、两个第二像素电极ae1-2和第一型连接线twl2-1可以通过相同的工艺形成，可以具有基本上相同的堆叠结构，并且可以设置在同一绝缘层上层。
288.两个第二像素电极ae1-2之中的一个第二像素电极ae1-2可以经由第二类型连接线twl2-2电连接到第三像素电极ae1-3。第二类型连接线twl2-2与图7中所示的氧化物薄膜晶体管o-tft的栅极gt2可以通过相同的工艺形成，可以具有基本上相同的堆叠结构，并且
可以设置在同一绝缘层上，然而，本实用新型不应限于此或由此限制。根据另一实施例，第二类型连接线twl2-2可以由设置在与其上设置有第二类型连接线twl2-2的层不同的层上的导电图案形成。
289.经由第二类型连接线twl2-2连接的第二像素电极ae1-2和第三像素电极ae1-3中的每一者可以包括电极部分和从电极部分延伸的连接部分，电极部分基本上用作电极部分并且具有圆形形状。连接部分可以与接触孔ch重叠。
290.与参照图12a和图12b描述的第一连接线twl1设置在不同的层上的导电图案可以应用于第二区域dp-a2的连接线twl2。因此，可以有效地防止从第二区域dp-a2延伸到第一区域dp-a1的第一连接线twl1和连接线twl2在第二区域dp-a2中短路。
291.参考图13b，第二像素px2可以包括一个第一颜色像素px-r、两个第二颜色像素px-g和一个第三颜色像素px-b。将省略关于参照图13a描述的第二颜色像素px-g的相同配置或相同特征的细节。
292.第一颜色像素px-r可以包括第一像素电极ae1-1和第二像素电极ae1-2。第一颜色像素px-r可以包括两种类型的第二像素电极ae1-21和ae1-22。第一-第二像素电极ae1-21可以经由第一类型连接线twl2-1连接到第一像素电极ae1-1。第二-第二像素电极ae1-22可以经由第二类型连接线twl2-2连接到第一像素电极ae1-1。
293.第三颜色像素px-b可以包括第一像素电极ae1-1、第二像素电极ae1-2和第三像素电极ae1-3。第三颜色像素px-b可以包括两个第三像素电极ae1-3。第一像素电极ae1-1和第二像素电极ae1-2可以经由第二类型连接线twl2-2彼此电连接。两个第三像素电极ae1-3可以经由第一类型连接线twl2-1电连接到第二像素电极ae1-2。
294.图13b中所示的接触孔ch-c可以类似于图12b中所示的接触孔chs。第一像素电极ae1-1可以连接到设置在第一像素电极ae1-1下面的第二类型连接线twl2-2，并且第二类型连接线twl2-2可以连接到设置在第二类型连接线twl2-2下面的硅薄膜晶体管s-tft(参考图7)的漏极区域de1(参考图7)。
295.图14a是示出根据本公开实施例的显示面板的一部分的放大平面图。图14b是示出图14a中所示的第一数据线dlx的截面图。
296.在下文中，将参照图5、图14a和图14b描述多条数据线dlx和dly。数据线dlx和dly可以包括在第二方向dr2上延伸的第一数据线dlx和第二数据线dly。
297.第一数据线dlx可以绕过第一区域dp-a1而不与第一区域dp-a1重叠。因此，可以增加第一区域dp-a1的透射率。第一数据线dlx中的每一条可以包括第一部分dlxa、第二部分dlxb和连接部分cl。第一部分dlxa和第二部分dlxb可以彼此间隔开，第一区域dp-a1介于第一部分dlxa与第二部分dlxb之间。第一部分dlxa和第二部分dlxb中的每一者可以在第二方向dr2上延伸，并且第一部分dlxa和第二部分dlxb可以在第二方向dr2上彼此间隔开。
298.连接部分cl可以电连接到第一部分dlxa和第二部分dlxb。连接部分cl可以将通过第一部分dlxa施加到连接部分cl的数据信号传输到第二部分dlxb。连接部分cl的一端可以经由第一接触孔cnt1连接到第一部分dlxa，并且连接部分cl的另一端可以经由第二接触孔cnt2连接到第二部分dlxb。
299.连接部分cl可以包括在第一方向dr1上延伸的第一传输线cl-h和在第二方向dr2上延伸的第二传输线cl-v。第一传输线cl-h可以与第一部分dlxa和第二部分dlxb设置在不
同的层上。第一传输线cl-h和第二传输线cl-v可以设置在彼此不同的层上。第一传输线cl-h和第二传输线cl-v可以经由第三接触孔cnt3彼此连接。
300.第一数据线dlx中的每一条可以包括数据传输线dlx'。数据传输线dlx'可以从连接部分cl延伸以将数据信号施加到设置在第二区域dp-a2中的第一像素电路pc1(参考图13b)。连接部分cl和数据传输线dlx'可以设置在彼此不同的层上。
301.数据传输线dlx'可以在第二方向dr2上延伸，并且可以连接到第一传输线cl-h。因此，通过第一部分dlxa提供的数据信号可以被施加到数据传输线dlx'。
302.第一传输线cl-h可以设置在第五绝缘层50与第六绝缘层60之间，并且第二传输线cl-v、第一部分dlxa和第二部分dlxb可以设置在第六绝缘层60与第七绝缘层70之间。第五绝缘层50和第六绝缘层60的在显示装置dd的堆叠结构中的位置与图7和图8中所示的相同。
303.尽管已经描述了本公开的实施例，但是将理解的是，本公开不应限于这些实施例，而是在如所附所要求保护的本公开的精神和范围内可以由本领域普通技术人员做出各种改变和修改。因此，所公开的主题不应限于本文中描述的任何单个实施例，并且本实用新型的范围应根据所附权利要求来确定。