电子装置的制作方法

技术特征：
1.一种电子装置，其特征在于，包括：一基板；一第一线路层，配置在该基板上，并包括一外层金属层，其中该外层金属层含有重量百分比在97％以上的钼；一氧化物绝缘层，配置在该第一线路层上，并接触该外层金属层；以及一氮化物绝缘层，配置在该氧化物绝缘层上，其中该氧化物绝缘层位于该氮化物绝缘层与该外层金属层之间，而该氧化物绝缘层的厚度与该氮化物绝缘层的厚度之间的一厚度差大于或等于250纳米。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该氧化物绝缘层的厚度小于或等于50纳米。3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，该氮化物绝缘层的厚度大于或等于300纳米。4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该氮化物绝缘层的厚度小于或等于50纳米。5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，该氧化物绝缘层的厚度大于或等于300纳米。6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该氧化物绝缘层为氧化硅层。7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该外层金属层为钼金属层。8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该外层金属层为钼铬合金层。9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该氮化物绝缘层为氮化硅层。10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一线路层还包括：一第一内层金属层，配置在该基板上；以及一第二内层金属层，配置在该第一内层金属层与该外层金属层之间。11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，该第二内层金属层的材料不同于该外层金属层的材料。12.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：一第二线路层，配置在该基板上，并位于该基板与该第一线路层之间。13.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，还包括：至少一绝缘层，覆盖该第二线路层，并位于该第一线路层与该第二线路层之间。14.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，还包括：多个半导体层，配置在该至少一绝缘层上，其中该些半导体层与该第二线路层重叠，而该第一线路层局部覆盖各该半导体层，并电性连接该些半导体层。15.根据权利要求14所述的电子装置，其特征在于，各该半导体层的材料为氧化铟镓锌。16.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：多个接合垫，配置在该氮化物绝缘层上，并电性连接该第一线路层。17.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：一显像部，配置在该氮化物绝缘层上；以及一对向基板，配置在该显像部上。

技术总结
一种电子装置包括基板、第一线路层、氧化物绝缘层与氮化物绝缘层。第一线路层配置在基板上，并包括外层金属层。外层金属层含有重量百分比在97％以上的钼。氧化物绝缘层配置在第一线路层上，并接触外层金属层。氮化物绝缘层配置在氧化物绝缘层上，其中氧化物绝缘层的厚度与氮化物绝缘层的厚度之间的厚度差大于或等于250纳米。在以上氧化物绝缘层与氮化物绝缘层两者厚度差大于或等于250纳米的条件下，氧化物绝缘层与第一线路层之间能产生足够强度的结合力，以减少或防止氧化物绝缘层与氮化物绝缘层剥离。物绝缘层剥离。物绝缘层剥离。


技术研发人员：王裕霖 陈蔚宗
受保护的技术使用者：川奇光电科技(扬州)有限公司
技术研发日：2022.04.01
技术公布日：2022/10/24