一种激光间接辅助激励的等离子体焦点装置的制作方法

技术特征：
1.一种激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，所述装置包括：阳极、阴极和绝缘支撑隔板，所述阴极为中空壳体，且阴极底部与绝缘支撑隔板密封连接，所述阳极穿过绝缘支撑板位于阴极中空壳体内，阳极、阴极和绝缘支撑隔板构成了所述等离子体焦点装置的放电室；其特征在于，所述阳极顶端中心设置镀金膜靶区，所述阴极顶部开设有多个光入射光窗；所述装置还包括激光系统，所述激光系统的出射光通过阴极顶部的多个光入射光窗聚焦到镀金膜靶区。2.根据权利要求1所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述镀金膜靶区为圆顶锥形凹孔或截锥形凹孔。3.根据权利要求2所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述圆顶锥形凹孔或截锥形凹孔，其锥形面相对凹孔轴线的角度设置保证凹孔的锥形面对垂直于凹孔轴线的入射光线的反射光线能够完全覆盖焦斑以及等离子体密度达到焦斑位置处等离子体密度的50％以上的轴线段。4.根据权利要求1～3中任一项所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述镀金膜靶区的金膜厚度不超过5μm。5.根据权利要求4所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述镀金膜靶区的金膜厚度为20～100nm。6.根据权利要求1所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述镀金膜靶区的金膜与阳极电极基体之间镀制铍层。7.根据权利要求6所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述铍膜厚度为不小于100nm。8.根据权利要求7所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述铍膜厚度为2μm～10μm。9.根据权利要求1所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述激光系统包括按激光传输方向依次设置的高功率激光器、激光分束器、激光传输系统和聚焦透镜，从聚焦透镜射出的光束通过阴极顶部的光窗聚焦到镀金膜靶区。10.根据权利要求9所述的激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，其特征在于，所述高功率激光器峰值瞬时功率＞100gw，所述波长小于532nm。

技术总结
本发明公开了一种激光间接辅助激励的等离子体焦点装置，所述装置包括：阳极、阴极和绝缘支撑隔板，所述阴极为中空壳体，所述阴极底部与绝缘支撑隔板密封连接，所述阳极穿过绝缘支撑板位于阴极中空壳体内，阳极、阴极和绝缘支撑隔板构成了所述等离子体焦点装置的放电室；所述阳极顶端中心设置镀金膜靶区，所述阴极顶部开设有多个光入射光窗；所述装置还包括激光系统。所述装置通过在DPF阳极中心区域设计一个锥形镀金膜靶区及其脉冲激励激光源，利用激光进行间接辅助激励，进一步提高聚焦等离子体的温度，从而提升其中子产额。从而提升其中子产额。从而提升其中子产额。


技术研发人员：李洪涛 肖金水 马勋 冯元伟 李波 栾崇彪
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院流体物理研究所
技术研发日：2022.08.15
技术公布日：2022/10/18