一种多端仿树突型神经形态器件及其制备方法

技术特征：
1.一种多端仿树突型神经形态器件，其特征在于，包括：衬底；二维半导体材料，形成在所述衬底上，作为沟道；源电极和漏电极形成在所述二维半导体材料两侧；铪基铁电薄膜，覆盖上述结构；离子栅介质层，形成在所述铪基铁电薄膜上，位于所述沟道区的上方；多端顶栅，形成在所述离子栅介质层上，通过先后对多端顶栅施加不同时间、空间序列的电学脉冲刺激，获得时空影响下的树突器件的神经突触可塑性。2.根据权利要求1所述的多端仿树突型神经形态器件，其特征在于，所述二维半导体材料为mos2，ws2，res2，mose2，mote2，wse2。3.根据权利要求1所述的多端仿树突型神经形态器件，其特征在于，所述铪基铁电薄膜为hflao
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。4.根据权利要求1所述的多端仿树突型神经形态器件，其特征在于，所述离子栅介质层为liclo4，naclo4。5.根据权利要求1所述的多端仿树突型神经形态器件，其特征在于，所述多端顶栅为四个，四个电极两两相对，彼此分隔，整体呈十字状排列。6.一种多端仿树突型神经形态器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在所述衬底上形成二维半导体材料，作为沟道；在所述二维半导体材料两侧形成源电极和漏电极；形成铪基铁电薄膜，使其覆盖上述结构，在氮气氛围下进行快速热退火，使之具有铁电性；在所述铪基铁电薄膜上，所述沟道区的上方形成离子栅介质层；在所述离子栅介质层上形成多端顶栅，通过先后对多端顶栅施加不同时间、空间序列的电学脉冲刺激，获得时空影响下的树突器件的神经突触可塑性。7.根据权利要求6所述的多端仿树突型神经形态器件制备方法，其特征在于，所述二维半导体材料为mos2，ws2，res2，mose2，mote2，wse2。8.根据权利要求6所述的多端仿树突型神经形态器件制备方法，其特征在于，所述铪基铁电薄膜为hflao
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。9.根据权利要求6所述的多端仿树突型神经形态器件制备方法，其特征在于，所述离子栅介质层为liclo4，naclo4。10.根据权利要求6所述的多端仿树突型神经形态器件制备方法，其特征在于，所述快速热退火的温度为60℃～120℃，时间为20s～120s。

技术总结
本发明公开一种多端仿树突型神经形态器件及其制备方法。该多端仿树突型神经形态器件包括：衬底；二维半导体材料，形成在所述衬底上，作为沟道；源电极和漏电极形成在所述二维半导体材料两侧；铪基铁电薄膜，覆盖上述结构；离子栅介质层，形成在所述铪基铁电薄膜上，位于所述沟道区的上方；多端顶栅，形成在所述离子栅介质层上，通过先后对多端顶栅施加不同时间、空间序列的电学脉冲刺激，获得时空影响下的树突器件的神经突触可塑性。的树突器件的神经突触可塑性。的树突器件的神经突触可塑性。


技术研发人员：王天宇 孟佳琳 陈琳 孙清清 张卫
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2022.07.28
技术公布日：2022/10/11