曝光缺陷感知装置、显示终端及曝光缺陷感知方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种曝光缺陷感知装置、显示终端及曝光缺陷感知方法。


背景技术：

2.随着液晶显示(liquid crystal display，lcd)技术的不断发展，用户对液晶显示屏的需求也不断提高。例如，由于液晶显示屏的分辨率越来越高，单位的面积像素数量越来越多，像素参数也越来越小，像素的细部结构已经超出工厂设计初期的检查精度极限，需要借助测量数据协助进行质量检查。
3.相关技术中，液晶显示面板的源/漏(即source/drain)金属层经过曝光工艺后，沟道部位的厚度差异缺陷容易造成沟道短路或断路，从而导致显示面板批量异常。上述现象无法被当前的光学检测设备(automated optical inspection，aoi)发现。这是因为现有技术仅依赖于刻蚀后临界参数(criticaldimension，cd)测定来反映实际工艺有无异常，而临界参数的测定受限于光线检测设备的限制，只能进行抽样测试，且测量点位非常有限，经常无法有效拦截异常风险，导致最终检查发现异常时，已经存在大批量异常的显示面板。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提出了一种曝光缺陷感知装置、显示终端及曝光缺陷感知方法，能够将测量点位与曝光过程中的缺陷相关联，进而针对可能发生缺陷的测量点位进行提前感知，自动在相关缺陷产生之前对所述测量点位进行调整，从而降低显示面板批量异常的风险。
5.根据本技术的一方面，提供了一种曝光缺陷感知装置，所述曝光缺陷感知装置应用于显示面板，所述曝光缺陷感知装置包括：位置获取模块，用于获取与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位；参数测量模块，与所述位置获取模块电连接，用于测量各所述测量点位对应的临界参数；比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于将各所述临界参数分别与预设的临界参数阈值进行比较，得到对应于各所述测量点位的测量结果；调整模块，与所述比较模块电连接，用于根据所述测量结果调整对应的测量点位。
6.进一步地，所述显示面板还包括多个阵列设置的像素单元，各像素单元中设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极。
7.进一步地，所述位置获取模块包括缺陷定位模块以及测量点位确定模块，其中：所述缺陷定位模块，用于识别并确定样品曝光过程中的多个缺陷位置；测量点位确定模块，与所述缺陷定位模块电连接，用于根据所述多个缺陷位置确定与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位。
8.进一步地，所述临界参数包括第一临界参数和/或第二临界参数，其中：所述第一临界参数包括与所述源极邻近的所述漏极的走线宽度，所述第二临界参数包括所述源极与所述漏极之间的最小距离。
9.进一步地，所述临界参数阈值包括第一临界参数阈值以及第二临界参数阈值，所述比较模块包括：第一比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于在所述临界参数小于或等于所述第一临界阈值的情况下，确定对应薄膜晶体管的源极与漏极之间短路；第二比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于在所述临界参数大于或等于所述第二临界阈值的情况下，确定对应薄膜晶体管的源极与漏极之间断路；第三比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于在所述临界参数大于所述第一临界阈值且小于所述第二临界阈值的情况下，确定对应薄膜晶体管的源极与漏极正常。
10.进一步地，所述多个测量点位的位置包括goa区域以及有源区。
11.进一步地，所述调整模块还包括预警模块，所述预警模块与所述比较模块电连接，所述预警模块用于根据对应于各所述测量点位的测量结果识别出异常的测量点位，并基于异常的测量点位发出预警信息。
12.进一步地，所述调整模块还包括执行模块，所述执行模块与所述预警模块电连接，所述执行模块用于根据所述预警信息对异常的测量点位对应的临界参数进行补偿，以弥补所述曝光过程中的缺陷。
13.根据本技术的另一方面，提供了一种显示终端，所述显示终端包括曝光缺陷感知装置以及显示面板，所述显示面板与所述曝光缺陷感知装置相连接。
14.根据本技术的又一方面，提供了一种曝光缺陷感知方法，所述曝光缺陷感知方法应用于所述曝光缺陷感知装置，所述曝光缺陷感知方法包括：获取与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位；测量各所述测量点位对应的临界参数；将各所述临界参数分别与预设的临界参数阈值进行比较，得到对应于各所述测量点位的测量结果；根据所述测量结果调整对应的测量点位。
15.通过获取与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位，接着测量各所述测量点位对应的临界参数，然后将各所述临界参数分别与预设的临界参数阈值进行比较得到对应于各所述测量点位的测量结果，最后根据所述测量结果调整对应的测量点位，根据本技术的各方面能够将测量点位与曝光过程中的缺陷相关联，进而针对可能发生缺陷的测量点位进行提前感知，自动在相关缺陷产生之前对所述测量点位进行调整，从而降低显示面板批量异常的风险。
附图说明
16.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
17.图1示出相关技术的像素单元的示意图。
18.图2示出相关技术的源漏短路的示意图。
19.图3示出相关技术的测量点位的示意图。
20.图4示出相关技术的测量结果的示意图。
21.图5示出本技术实施例的测量点位的示意图。
22.图6示出本技术实施例的临界参数的示意图。
23.图7示出本技术实施例的goa区域的示意图。
24.图8示出本技术实施例的第一临界参数的示意图。
25.图9示出本技术实施例第一临界阈值以及第二临界阈值的示意图。
26.图10示出本技术实施例的缺陷补偿前后的示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
29.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
30.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本技术的主旨。
31.图1示出相关技术的像素单元的示意图。
32.如图1所示，相关技术中，显示面板包括多个阵列设置的像素单元，各像素单元包括像素电极11以及驱动器件12。驱动器件12可以是薄膜晶体管(tft)。各像素单元中的薄膜晶体管的栅极与对应的扫描线电连接，各像素单元中的薄膜晶体管的源极与该像素单元的像素电极电连接，各像素单元中的薄膜晶体管的漏极与对应的数据线电连接。所述扫描线用于控制一行像素单元中的薄膜晶体管全部开启，所述数据线用于在对应薄膜晶体管开启时将数据信号递送至像素电极，以使对应的像素单元充电，驱动该像素单元对应的液晶工作，从而实现显示画面的显示。
33.图2示出相关技术的源漏短路的示意图。
34.如图2所示，图2为图1中驱动器件12的局部放大图。其中，21为该像素单元对应的数据线，22为该像素单元中薄膜晶体管的源极与漏极的连接部。在显示面板的制作过程中，
经过曝光工艺后，薄膜晶体管的沟道可能存在图2中22所示的缺陷。该缺陷可以是水平方向的s形，分别与薄膜晶体管的源极和漏极电连接，从而使得薄膜晶体管的源漏之间短路，即造成沟道短路现象。
35.图3示出相关技术的测量点位的示意图。
36.如图3所示，相关技术中，多个不同参数的显示面板可以形成混合(hybrid)架构显示面板。例如，在图3中，0a、0b、0c可以是65inch(英寸)大小的显示面板，0d、0e、0f、0g、0h、0i可以是32inch大小的显示面板。测量点位31位于显示面板0a的左下角。从图3可以看出，相关技术中的测量点位分布在不同参数显示面板的交界处，或者沿显示面板本身的对称轴规则分布。
37.图4示出相关技术的测量结果的示意图。
38.如图4所示，横轴表示测量时间点，纵轴表示临界参数。图4中的每个小圆点表示在对应的测量时间点，在图3中规则分布的测量点位所测量的临界参数。41可以是一个显示面板的多个测量点位的数据，42可以是一个测量点位的数据，即图4中的一列数据可以对应一个显示面板。在图4中，临界参数的阈值设置为5.5。在测量点位对应的临界参数大于或等于该阈值的情况下，表明该测量点位的工艺异常，需要进行修复处理；在测量点位对应的临界参数小于该阈值的情况下，表明该测量点位的工艺异常，需要进行修复处理。其中，所述临界参数为光刻构图形成的晶片的特征线宽(critical dimension，cd)，是光刻过程中的关键工艺参数。
39.结合图3和图4可以看出，相关技术中的测量点位在混合架构的显示面板中是规则分布的，在实际测量时，只能测定均匀分布的既有点位。对于显示面积中的除已有测量点位的其他位置，相关技术并不能够覆盖到。当这些位置出现工艺参数异常时，会导致现有设定的阈值失效，导致异常点位的遗漏。
40.有鉴于此，本技术提出了一种曝光缺陷感知装置，所述曝光缺陷感知装置应用于显示面板，所述曝光缺陷感知装置包括：位置获取模块，用于获取与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位；参数测量模块，与所述位置获取模块电连接，用于测量各所述测量点位对应的临界参数；比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于将各所述临界参数分别与预设的临界参数阈值进行比较，得到对应于各所述测量点位的测量结果；调整模块，与所述比较模块电连接，用于根据所述测量结果调整对应的测量点位。
41.通过获取与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位，接着测量各所述测量点位对应的临界参数，然后将各所述临界参数分别与预设的临界参数阈值进行比较得到对应于各所述测量点位的测量结果，最后根据所述测量结果调整对应的测量点位，本技术能够将测量点位与曝光过程中的缺陷相关联，进而针对可能发生缺陷的测量点位进行提前感知，自动在相关缺陷产生之前对所述测量点位进行调整，从而降低显示面板批量异常的风险。
42.进一步地，所述显示面板还包括多个阵列设置的像素单元，各像素单元中设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极。需要说明的是，本技术实施例的薄膜晶体管可以是n型，也可以是p型。对于不同类型的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源极和漏极的位置可以不同。可以理解，本技术对于薄膜晶体管的类型并不限定。
43.进一步地，所述位置获取模块包括缺陷定位模块以及测量点位确定模块，其中：所述缺陷定位模块，用于识别并确定样品曝光过程中的多个缺陷位置；测量点位确定模块，与
所述缺陷定位模块电连接，用于根据所述多个缺陷位置确定与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位。
44.其中，所述样品可以是带有已知缺陷的显示面板。示例性的，可以对已生产出的样品进行统计分析，识别并确定样品曝光过程中的多个缺陷位置，并对出现频次比较高的缺陷位置进行标定。在后续测量时，可以将出现频次比较高的缺陷位置作为测量点位进行测量。当然，对于不同类型的显示面板，缺陷位置可以不同。对于不同类型的显示面板，可以根据需要设定测量点位。
45.由于本技术实施例将测量点位设定在缺陷容易集中的位置(即薄弱位置)，相比于相关技术中将测量点位设定为均匀分布，能够针对可能发生缺陷的测量点位进行提前感知，从而解决相关技术中显示面板薄弱位置容易超过阈值但无法检测到，导致显示面板批量异常的问题。
46.图5示出本技术实施例的测量点位的示意图。
47.如图5所示，本技术实施例的测量点位51可以设置在显示面板0a左下角的附件，而非如图3均匀设置测量点位。因此，本技术实施例的测量点位的数量可以根据需要进行调整。例如，在图5中可以设置两个测量点位。当然，当图3所示的测量点位存在缺陷的风险时，本技术的测量点位也可以如图3设置在对应显示面板的交界处。
48.需要说明的是，本技术实施例可以首先筛选显示面板的薄弱位置，单独设定管理项目，生成独立的测量数据，并进行单独管控，强化规格线的管理设定。由于总测定点位少，因此可以设定为单个测量点位数据超过阈值整个装置即发起异常报警，从而使得可以立即着手调整改善，降低显示面板批量异常的风险。
49.进一步地，所述临界参数包括第一临界参数和/或第二临界参数，其中：所述第一临界参数包括与所述源极邻近的所述漏极的走线宽度，所述第二临界参数包括所述源极与所述漏极之间的最小距离。
50.图6示出本技术实施例的临界参数的示意图。
51.如图6所示，l3可以是一个薄膜晶体管的漏极的走线宽度，即所述第一临界参数，l5可以是该薄膜晶体管的源极的走线宽度。l6和l7可以分别是另一个薄膜晶体管的漏极以及源极的走线宽度。所述第二临界参数可以图6中一个薄膜晶体管的漏极与邻近的源极之间的最小距离。有源区61可以设置在图6的左上角。
52.进一步地，所述多个测量点位的位置包括goa区域以及有源区。
53.图7示出本技术实施例的goa区域的示意图。
54.如图7所示，显示面板的goa区域可包括4条u形走线，走线71为其中的一条u形走线。在相关技术中，由于测量点位是均匀分布的，并没有在goa区域以及有源区中设置测量点位，而在本技术中，可以根据实际需要在图7中的goa区域以及图6中的有源区设置测量点位。
55.图8示出本技术实施例的第一临界参数的示意图。
56.如图8所示，以图5中的左下角为坐标原点，x可以表示沿水平方向当前测量点位与坐标原点的距离，y可以表示沿竖直方向当前测量点位与坐标原点的距离。其中，cd3可以是所述第一临界参数，即图6中的l3。需要说明的是，cd1、cd5、cd6、cd10以及cd16可以表示显示面板中的其他参数，本技术并不限定。
57.进一步地，所述临界参数阈值包括第一临界参数阈值以及第二临界参数阈值，所述比较模块包括：第一比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于在所述临界参数小于或等于所述第一临界阈值的情况下，确定对应薄膜晶体管的源极与漏极之间短路；第二比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于在所述临界参数大于或等于所述第二临界阈值的情况下，确定对应薄膜晶体管的源极与漏极之间断路；第三比较模块，与所述参数测量模块电连接，用于在所述临界参数大于所述第一临界阈值且小于所述第二临界阈值的情况下，确定对应薄膜晶体管的源极与漏极正常。
58.图9示出本技术实施例第一临界阈值以及第二临界阈值的示意图。
59.如图9所示，横轴表示测量时间点，纵轴表示临界参数。91和92分别表示两种不同类型的显示面板。93可以是第一临界阈值，94可以是第二临界阈值。从图9可以看出，对于不同类型的显示面板，可以设置同样的第一临界阈值以及第二临界阈值。在对应测量点位测定的第一临界参数位于第一临界阈值以及第二临界阈值之间时，表明薄膜晶体管的源极和漏极的位置适中，否则则表示需要修正薄膜晶体管的源极和漏极的相对位置，以避免在后续工艺实施后源极和漏极发生短路和断路，引发显示面板批量异常。
60.进一步地，所述调整模块还包括预警模块，所述预警模块与所述比较模块电连接，所述预警模块用于根据对应于各所述测量点位的测量结果识别出异常的测量点位，并基于异常的测量点位发出预警信息。因此，本技术可以通过针对产品的特征，单独对风险较高区域进行单独监管，在刻蚀工艺后实现风险区域针对性测定及自动预警功能，大大降低批量事故风险。
61.进一步地，所述调整模块还包括执行模块，所述执行模块与所述预警模块电连接，所述执行模块用于根据所述预警信息对异常的测量点位对应的临界参数进行补偿，以弥补所述曝光过程中的缺陷。
62.图10示出本技术实施例的缺陷补偿前后的示意图。
63.如图10所示，在没有提前进行缺陷补偿的情况下，图10中的l19处会出现微小变形。在利用曝光机提前修正偏移数据后，图10中的l19处则不会出现变形，处于正常状态。因此，经过所述调整模块进行调整后，在沟道短路事故发生前已经得到有效控制和改善。
64.由于目前的生产设备机台长期使用，存在老化以及平坦度逐步恶化等问题。而且，受针对产品品质管控的测量时间和测定点位的限制，无法对液晶显示面板进行全面管理，存在品质事故多发的隐患点。因此，本技术通过先获取各产品在曝光工艺容易造成异常的薄弱位置，在刻蚀后的产品增加对应位置的测量点位，针对少量点位的测定结果进行长期监管，单独区分管理项目并设定合理规格线，实现自动监控，在产品恶化之前感知并进行设备调试，避免发生批量品质异常。
65.此外，本技术提供了一种显示终端，所述显示终端包括曝光缺陷感知装置以及显示面板，所述显示面板与所述曝光缺陷感知装置相连接。本技术实施例的显示面板可用于穿戴设备，如智能手环、智能手表、vr(virtual reality，即虚拟现实)等设备、移动电话机、电子书和电子报纸电视机、个人便携电脑、可折叠以及可卷曲oled等柔性oled显示及照明等领域。可以理解，本技术对于显示面板的具体应用场景并不限定。
66.本技术还提供了一种曝光缺陷感知方法，所述曝光缺陷感知方法应用于所述曝光缺陷感知装置，所述曝光缺陷感知方法包括：获取与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量
点位；测量各所述测量点位对应的临界参数；将各所述临界参数分别与预设的临界参数阈值进行比较，得到对应于各所述测量点位的测量结果；根据所述测量结果调整对应的测量点位。
67.需要说明的是，以上各个步骤为示例性的。在实际应用中，可以根据需要对采用的工艺进行调整，以实现所述曝光缺陷感知方法，本技术对于所述显示面板的具体工艺并不限定。有关所述曝光缺陷感知方法的具体细节，可以参考上述有关曝光缺陷感知装置的实施例的叙述，不再赘述。
68.综上所述，本技术实施例通过获取与曝光过程中的缺陷相对应的多个测量点位，接着测量各所述测量点位对应的临界参数，然后将各所述临界参数分别与预设的临界参数阈值进行比较得到对应于各所述测量点位的测量结果，最后根据所述测量结果调整对应的测量点位，能够将测量点位与曝光过程中的缺陷相关联，进而针对可能发生缺陷的测量点位进行提前感知，自动在相关缺陷产生之前对所述测量点位进行调整，从而降低显示面板批量异常的风险。
69.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
70.以上对本技术实施例所提供的曝光缺陷感知装置、显示终端及曝光缺陷感知方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。