一种多层ic卡的一次层压加工工艺
技术领域
1.本发明属于ic卡制作技术领域，具体为一种多层ic卡的一次层压加工工艺。
背景技术：
2.ic卡是将一个微电子芯片嵌入符合iso 7816标准的卡基中，做成卡片形式。ic卡与读写器之间的通讯方式可以是接触式也可以是非接触式。由于ic卡具有体积小便于携带、存储容量大、可靠性高、使用寿命长、保密性强安全性高等特点。
3.目前的ic卡加工过程中，通常的做法是先将两侧临近芯片保护层pvc刷胶，使用200目丝网版，半自动机器丝网印刷后送到烘房烘干半小时，再和中间芯片层pet叠张复合，两侧再外加填充层pvc，叠张复合，配成中料层，然后两面各放两张高温布，后经过第一次层压得到中料层。再在正面印刷层背面刷胶、反面印刷层正面刷胶，使用300目丝网版，半自动机器丝网印刷，再依次按正面印刷层、中料层、反面印刷层复合叠张，进行第二次层压，并得到最终的ic卡成品。
4.目前的ic卡，与其他手机等磁性较强的物体放置在一起时，常会受到干扰，发生消磁，影响了使用时的便利性。
技术实现要素：
5.本发明的目的在于：为了解决上述提出的问题，提供一种多层ic卡的一次层压加工工艺。
6.本发明采用的技术方案如下：一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
7.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
8.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.1～～0.15mm；
9.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
10.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
11.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
12.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
13.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；
14.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工
15.在一优选的实施方式中，所述步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm。
16.在一优选的实施方式中，所述步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s。
17.在一优选的实施方式中，所述步骤s8中，升压至70bar、保持的时间为300秒。
18.在一优选的实施方式中，所述步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间。
19.在一优选的实施方式中，所述步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
20.综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
21.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
具体实施方式
22.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.实施例一：
24.一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
25.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
26.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.1mm；步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm；
27.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
28.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
29.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
30.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
31.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s；
32.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工；步骤s8中，升压至
70bar、保持的时间为300秒；步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间；步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
33.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
34.实施例二：
35.一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
36.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
37.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.12mm；步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm；
38.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
39.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
40.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
41.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
42.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s；
43.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工；步骤s8中，升压至70bar、保持的时间为300秒；步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间；步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
44.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
45.实施例三：
46.一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
47.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属
混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
48.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.15mm；步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm；
49.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
50.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
51.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
52.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
53.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s；
54.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工；步骤s8中，升压至70bar、保持的时间为300秒；步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间；步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
55.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
56.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
57.以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
技术领域
1.本发明属于ic卡制作技术领域，具体为一种多层ic卡的一次层压加工工艺。
背景技术：
2.ic卡是将一个微电子芯片嵌入符合iso 7816标准的卡基中，做成卡片形式。ic卡与读写器之间的通讯方式可以是接触式也可以是非接触式。由于ic卡具有体积小便于携带、存储容量大、可靠性高、使用寿命长、保密性强安全性高等特点。
3.目前的ic卡加工过程中，通常的做法是先将两侧临近芯片保护层pvc刷胶，使用200目丝网版，半自动机器丝网印刷后送到烘房烘干半小时，再和中间芯片层pet叠张复合，两侧再外加填充层pvc，叠张复合，配成中料层，然后两面各放两张高温布，后经过第一次层压得到中料层。再在正面印刷层背面刷胶、反面印刷层正面刷胶，使用300目丝网版，半自动机器丝网印刷，再依次按正面印刷层、中料层、反面印刷层复合叠张，进行第二次层压，并得到最终的ic卡成品。
4.目前的ic卡，与其他手机等磁性较强的物体放置在一起时，常会受到干扰，发生消磁，影响了使用时的便利性。
技术实现要素：
5.本发明的目的在于：为了解决上述提出的问题，提供一种多层ic卡的一次层压加工工艺。
6.本发明采用的技术方案如下：一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
7.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
8.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.1～～0.15mm；
9.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
10.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
11.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
12.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
13.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；
14.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工
15.在一优选的实施方式中，所述步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm。
16.在一优选的实施方式中，所述步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s。
17.在一优选的实施方式中，所述步骤s8中，升压至70bar、保持的时间为300秒。
18.在一优选的实施方式中，所述步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间。
19.在一优选的实施方式中，所述步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
20.综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：
21.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
具体实施方式
22.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.实施例一：
24.一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
25.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
26.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.1mm；步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm；
27.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
28.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
29.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
30.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
31.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s；
32.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工；步骤s8中，升压至
70bar、保持的时间为300秒；步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间；步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
33.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
34.实施例二：
35.一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
36.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
37.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.12mm；步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm；
38.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
39.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
40.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
41.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
42.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s；
43.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工；步骤s8中，升压至70bar、保持的时间为300秒；步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间；步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
44.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
45.实施例三：
46.一种多层ic卡的一次层压加工工艺，所述多层ic卡的一次层压加工工艺包括以下步骤：
47.s1:先进行片材配方选用，拼料方式为：pet abs 匹配好cob的天线芯片 陶瓷金属
混合屏蔽纤维单片 abs pet，即匹配好的天线芯片两边为两片abs材料，层合后的中料再与最外层的两片pet面料进行层合；
48.s2:进行片材厚度的确认，abs片材厚度选用0.16mm，pet片材厚度选用0.1mm，陶瓷金属混合屏蔽纤维单片选用0.15mm；步骤s2中，总厚度为0.1 0.16 0.16 0.1 0.1＝0.62mm；
49.s3:在pet层面向abs层处刷胶后，将pet保护层和abs层叠张复合；
50.s4:取来陶瓷金属混合屏蔽纤维单片，将陶瓷金属混合屏蔽纤维单片面向cob的一侧天线芯片处刷胶；
51.s5:在abs层层面向匹配好cob的天线芯片处刷胶后，将abs保护层和cob天线芯片层叠张复合；并同时在设有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的一侧pet层面做上凸起标记；
52.s6:之后在天线芯片的两侧分别将剩余另一面的的pet层和abs层刷胶粘接好；
53.s7:按照步骤s6中叠放粘接好的顺序进行叠张；叠张完成后，进行一次层压，加热至高温温度；步骤s7中，加热至高温温度为150摄氏度，加热时间为200～～300s；
54.s8:之后开始升压，并保持一定的时间，再降温，经过升压和保持时间，作为一个循环，循环三次之后，确定凸起标记清晰可见之后，最终完成成品的加工；步骤s8中，升压至70bar、保持的时间为300秒；步骤s8中，层压设备的参数设置需要控制层合后中料的厚度在0.30-0.31mm之间，即中料经过层合冷却后芯片位置附近厚度在0.31mm，非芯片位置厚度在0.30-0.31mm之间；步骤s8中，降至温度为25～～35摄氏度。
55.本发明中，通过一次层压，缩短了加工时间，从而也使得加工效率得到了显著提高，避免ic卡产生厚薄不均的现象；同时陶瓷金属混合屏蔽纤维附着在cob天线芯片的一侧，使得人们在后续的使用过程中，当ic卡需要与手机等物品放置在一起时，可以将设置有陶瓷金属混合屏蔽纤维单片的朝向手机一侧，从而尽量减少了ic卡受到其他物品的干扰，提高了使用时ic卡的稳定性和抗干扰性。
56.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
57.以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
再多了解一些
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