一种计算光刻光束焦点的方法、装置和计算机设备与流程

技术特征：
1.一种计算光刻光束焦点的方法，其特征在于：包括以下步骤：s0：获取掩模图形的关键尺寸；s1：根据所述关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；s2：在预设的计量水平下，将所述关键尺寸带入所述焦深模型，通过预设的第一算法计算所述关键尺寸的焦点偏移量以及特征信息；s3：根据所述焦点偏移量以及特征信息算出所述关键尺寸的最终焦点。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述关键尺寸包括多状态关键尺寸和单状态关键尺寸，在步骤s2中，通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量以及多状态关键尺寸和单状态关键尺寸的特征信息。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：通过预设的第一算法计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量包含以下步骤：s21：在预设的计量水平下，将一条多状态关键尺寸在不同状态下的参数带入所述焦深模型，并在预设的成像点范围内进行仿真计算，得到所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围内对应的cd值，所述cd用于描述成像清晰度；s22：根据所述多状态关键尺寸在预设的成像点范围内对应的cd值在以成像点和cd值为坐标轴建立的拟合坐标系上建立不同状态下的偏移拟合二次曲线，得到拟合焦点以及拟合权重；s23：将所述拟合焦点以及拟合权重在预设的计量水平下，通过加权平均算法得到多状态关键尺寸的焦点偏移量。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：计算所述多状态关键尺寸的焦点偏移量包含以下步骤：s24：判断是否还有多状态关键尺寸还未进行焦点偏移量的计算，若有，则通过上述步骤进行计算，并对所有多状态关键尺寸计算出的结果做加权平均计算，得到所述焦点偏移量，若没有，则直接得到焦点偏移量。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述特征信息包括最佳焦点和焦深。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：计算所述特征信息包括以下步骤：s26：将所述多状态关键尺寸和单状态关键尺寸在同一状态下的参数带入所述焦深模型，并在预设的成像点范围内进行仿真计算，得到每一条所述关键尺寸在预设的成像点范围内的cd值；s27：根据每一条所述关键尺寸在预设的成像点范围内的cd值，在以成像点和cd值为坐标轴建立的拟合坐标系上建立焦深拟合二次曲线，得到每一条所述关键尺寸的在同一状态下的焦深；s28：以所述焦深为基准，按照预设的筛选条件对所述关键尺寸进行筛选，得到筛选后的所述关键尺寸；s29：将所述筛选后的关键尺寸对应的所述拟合二次曲线的数据带入以下公式进行计算，得到在预设的计量水平下的最佳焦点。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述预设的筛选条件包括：将所述关键尺寸按照所述焦深的大小降序排列，删除序列中的后40％～60％的所述关
键尺寸。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：在计算所述最佳焦点时，将cd值大于预设值的尺寸不带入计算。9.如权利要求6所述的方法，其特征在于：将所述焦点偏移量以及所述最佳焦点带入以下公式进行计算，得到在预设的计量水平下的最终焦点。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括以下步骤：s4：对所述最终焦点的光学误差进行验证。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：对所述最终焦点的光学误差进行验证包含以下步骤：s40：提供初始焦点，在预设的计量水平下，将所述关键尺寸及所述初始焦点带入所述光学建模模型，得到初始光学误差；s41：在预设的计量水平下，将所述关键尺寸以及所述最终焦点带入所述光学建模模型，得到优化光学误差；s42：比较所述初始光学误差以及所述优化光学误差，得出结论。12.一种装置，用于实现如权利要求1-11任意一项所述方法，其特征在于：所述装置包括：输入模块：用于获取掩模图形的关键尺寸；建模模块：用于根据关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；计算模块：用于计算焦点偏移量、特征信息以及最终焦点。13.一种计算机设备，其特征在于：所述计算机设备包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序以实现如权利要求1-11任一项所述方法。

技术总结
本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种计算光刻光束焦点的方法、装置和计算机设备，方法包括以下步骤：S 0：获取掩模图形的关键尺寸；S 1：根据关键尺寸以及预设的光学建模模型建立焦深模型；S 2：在预设的计量水平下，将关键尺寸带入焦深模型，通过预设的第一算法计算关键尺寸的焦点偏移量以及特征信息；S 3：根据焦点偏移量以及特征信息通过预设的第二算法计算出关键尺寸的最终焦点。本发明提供的方法将焦点偏移和焦深信息纳入考虑范围，能够更加精准地找到光刻光束焦点。精准地找到光刻光束焦点。精准地找到光刻光束焦点。


技术研发人员：何振飞
受保护的技术使用者：东方晶源微电子科技(北京)有限公司
技术研发日：2022.05.23
技术公布日：2022/9/6