显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术是申请日为2017年6月13日、申请号为201710441393.3、发明名称为“显示装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
2.一个或更多个示例性实施例涉及一种显示装置。


背景技术：

3.通常，显示装置包括显示元件和用于控制将被施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件包括薄膜晶体管(“tft”)、存储电容器和多条布线。
4.为了精确地控制显示元件的发射和发射程度，电连接到一个显示元件的tft的数量已经增加，向tft传输电信号的多条布线的数量也已经增加。


技术实现要素：

5.根据相关技术的显示装置，随着薄膜晶体管(“tft”)的元件和/或显示装置的布线之间的间隔减小以实现微型化的或高分辨率的显示装置，诸如驱动tft的寄生电容的缺点已经增加。
6.一个或更多个示例性实施例包括防止寄生电容的发生并且减少截止电流的发生的显示装置。然而，上面的实施例仅作为示例提供，发明的范围不限于此。
7.附加的示例性实施例将在下面的描述中部分地进行阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者通过呈现的示例性实施例的实践而了解。
8.根据一个或更多个示例性实施例，一种显示装置包括：第一扫描线，在第一方向上延伸；数据线和驱动电压线，均在与第一方向交叉的第二方向上延伸；开关tft，连接到第一扫描线和数据线；驱动tft，连接到开关tft并且包括驱动半导体层和驱动栅电极；存储电容器，连接到驱动tft并且包括第一存储电容器板和第二存储电容器板；节点连接线，连接到驱动栅电极并且布置在数据线与驱动电压线之间；屏蔽部，布置在数据线与节点连接线之间。
9.在示例性实施例中，显示装置还可以包括具有补偿半导体层和补偿栅电极的补偿tft，其中，补偿薄膜tft响应于第一扫描线的扫描信号而导通并且使驱动tft二极管连接。
10.在示例性实施例中，节点连接线的一侧可以连接到补偿半导体层。
11.在示例性实施例中，驱动电压线可以覆盖补偿tft的至少一部分。
12.在示例性实施例中，屏蔽部可以在第二方向上延伸。
13.在示例性实施例中，显示装置还可以包括提供初始化电压的初始化电压线，屏蔽部可以电连接到初始化电压线。
14.在示例性实施例中，屏蔽部可以包括屏蔽半导体层和金属屏蔽层中的至少一个，屏蔽半导体层包括与驱动半导体层的材料相同的材料，金属屏蔽层包括金属材料。
15.在示例性实施例中，显示装置还可以包括在第一方向上延伸并且与屏蔽部交叉的
第二扫描线。
16.在示例性实施例中，屏蔽半导体层可以包括第一屏蔽区和第二屏蔽区，第一屏蔽区和第二屏蔽区在第二方向上彼此分隔开并且有第二扫描线位于第一屏蔽区与第二屏蔽区之间。
17.在示例性实施例中，第一屏蔽区可以通过导电层电连接到第二屏蔽区。
18.在示例性实施例中，导电层可以是金属屏蔽层。
19.在示例性实施例中，屏蔽半导体层可以包括多晶硅。
20.在示例性实施例中，金属屏蔽层可以包括与数据线、节点连接线和第二存储电容器板中的至少一个的材料相同的材料。
21.在示例性实施例中，驱动栅电极和第一存储电容器板可以包括相同的材料。
22.在示例性实施例中，显示装置还可以包括电连接到驱动tft的有机发光二极管。
23.根据示例性实施例的显示装置可以防止寄生电容的发生并且通过减小截止电流提供高品质的图像。本发明的范围不被该效果限制。
附图说明
24.通过下面结合附图的示例性实施例的描述，这些和/或其它示例性实施例将变得明显并且更容易理解，在附图中：
25.图1是显示装置的示例性实施例的平面图；
26.图2是图1的显示装置的一个像素的示例性实施例的等效电路图；
27.图3是图2中的像素的多个薄膜晶体管(“tft”)、存储电容和像素电极的位置的平面图；
28.图4至图8是在层的基础上示出图3的诸如多个tft、存储电容器和像素电极的元件的平面图；
29.图9是沿着图3的线ix-ix截取的多个tft、存储电容和像素电极的剖视图；
30.图10至图14是像素的结构的另一示例性实施例的平面图。
具体实施方式
31.因为本发明允许各种改变和许多示例性实施例，所以将在附图中示出并在书面描述中详细地描述示例性实施例。当对参照附图描述的示例性实施例做出参考时，本公开的效果和特性以及实现本公开的效果和特性的方法将是明显的。然而，本公开可以以很多不同的形式实施并且不应该解释为限于在此阐述的示例性实施例。
32.在下文中，将参照示出本公开的示例性实施例的附图来更加充分地描述本公开。当参照附图进行描述时，附图中同样的附图标记表示同样或相应的元件，将省略其重复描述。
33.如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。
34.当诸如
“……
中的至少一个”的表述位于一系列元件之后时，修饰整列元件而不是修饰该列的单个元件。
35.将理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这
些组件不应被这些术语所限制。这些组件仅用于将一个组件与另一个组件区分开。
36.如在此使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种(者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。
37.还将理解的是，在此使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但是并不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
38.为了便于描述，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，因为为了便于描述而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以下面的示例性实施例不限于所示出的内容。
39.当可以不同地实施某个实施例时，可以以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
40.将理解的是，当层、区域或组件被称作“连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接连接”到所述另一层、区域或组件或者可以“间接连接”到所述另一层、区域或组件并且有其它层、区域或组件置于其间。例如，可以存在中间层、区域或组件。将理解的是，当层、区域或组件被称作“电连接”到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可以“直接电连接”到所述另一层、区域或组件或者可以“间接电连接”到所述另一层、区域或组件并且有其它层、区域或组件置于其间。
41.如这里使用的“大约”或“近似”包括陈述的值并且意味着考虑到正在谈及的测量和与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，而由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围之内。例如，“大约”可意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％之内。
42.除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非在此明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域和本发明的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想化或者过于形式化的意思来解释。
43.在这里参照作为理想实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预计到例如由制造技术和/或公差引起的图示形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被解释为局限于这里示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造引起的形状偏差。在示例性实施例中，示出或描述为平坦的区域可以典型地具有粗糙和/或非线性的特征。另外，示出的尖角可以被倒圆。因此，示出在图中的区域实际上是示意性的，它们的形状不意图限制本权利要求的范围。
44.图1是根据示例性实施例的显示装置的平面图。
45.参照图1，显示装置包括基底110。基底110包括显示图像的显示区da和在显示区da周围的外围区pa。外围区pa不显示图像，从而外围区pa可以与无效区对应。
46.具有诸如有机发光二极管(“oled”)的各种显示元件的像素px可以位于基底110的显示区da中。传输将被施加到显示区da的电信号的各种布线可以位于基底110的外围区pa中。在下文中，为了便于描述，描述了具有作为显示元件的oled的显示装置。然而，发明不限于此。
47.图2是根据示例性实施例的图1的显示装置的一个像素px的等效电路图。
48.参照图2，像素px包括信号线121、122、123、124和171、连接到信号线的多个薄膜晶
体管(“tft”)t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、存储电容器cst、初始化电压线134、驱动电压线172以及oled。
49.虽然图2示出了每个像素包括信号线121、122、123、124和171、初始化电压线134以及驱动电压线172，但是发明不限于此。在另一示例性实施例中，信号线121、122、123、124和171中的至少一条以及/或者初始化电压线134可以被相邻的像素共用。
50.tft可以包括驱动tft t1、开关tft t2、补偿tft t3、第一初始化tft t4、操作控制tft t5、发射控制tft t6和第二初始化tft t7。
51.信号线包括扫描线121、前一扫描线122和下一扫描线124、发射控制线123和数据线171，其中，扫描线121向开关tft t2和补偿tft t3传输扫描信号sn，前一扫描线122和下一扫描线124分别向第一初始化tft t4和第二初始化tft t7传输前一扫描信号sn-1和下一扫描信号sn 1，发射控制线123向操作控制tft t5和发射控制tft t6传输发射控制信号en，数据线171与扫描线121交叉并且传输数据信号dm。驱动电压线172向驱动tft t1传输驱动电压elvdd，初始化电压线134传输使驱动tft t1和像素电极初始化的初始化电压vint。
52.驱动tft t1的驱动栅电极g1连接到存储电容器cst的第一存储电容器板c1，驱动tft t1的驱动源电极s1经由操作控制tft t5连接到驱动电压线172，驱动tft t1的驱动漏电极d1经由发射控制tft t6电连接到oled的像素电极。驱动tft t1响应于开关tft t2的开关操作接收数据信号dm并且向oled供应驱动电流i
oled
。
53.开关tft t2的开关栅电极g2连接到扫描线121，开关tft t2的开关源电极s2连接到数据线171，开关tft t2的开关漏电极d2连接到驱动tft t1的驱动源电极s1并且经由操作控制tft t5同时连接到驱动电压线172。开关tft t2响应于经由扫描线121接收的扫描信号sn而导通并且执行向驱动tft t1的驱动源电极s1传输经由数据线171接收的数据信号dm的开关操作。
54.补偿tft t3的补偿栅电极g3连接到扫描线121，补偿tft t3的补偿源电极s3连接到驱动tft t1的驱动漏电极d1并且经由发射控制tft t6同时连接到oled的像素电极，补偿tft t3的补偿漏电极d3同时连接到存储电容器cst的第一存储电容器板c1、第一初始化tft t4的第一初始化漏电极d4和驱动tft t1的驱动栅电极g1。补偿tft t3响应于经由扫描线121接收的扫描信号sn而导通并且通过将驱动栅电极g1电连接到驱动tft t1的驱动漏电极d1来使驱动tft t1二极管连接。
55.第一初始化tft t4的第一初始化栅电极g4连接到前一扫描线122，第一初始化tft t4的第一初始化源电极s4连接到第二初始化tft t7的第二初始化漏电极d7和初始化电压线134，第一初始化tft t4的第一初始化漏电极d4连接到存储电容器cst的第一存储电容器板c1、补偿tft t3的补偿漏电极d3和驱动tft t1的驱动栅电极g1。第一初始化tft t4响应于经由前一扫描线122接收的前一扫描信号sn-1而导通并且执行通过向驱动tft t1的驱动栅电极g1传输初始化电压vint来使驱动tft t1的驱动栅电极g1的电压初始化的初始化操作。
56.操作控制tft t5的操作控制栅电极g5连接到发射控制线123，操作控制tft t5的操作控制源电极s5连接到驱动电压线172，操作控制tft t5的操作控制漏电极d5连接到驱动tft t1的驱动源电极s1和开关tft t2的开关漏电极d2。
57.发射控制tft t6的发射控制栅电极g6连接到发射控制线123，发射控制tft t6的
发射控制源电极s6连接到驱动tft t1的驱动漏电极d1和补偿tft t3的补偿源电极s3，发射控制tft t6的发射控制漏电极d6电连接到第二初始化tft t7的第二初始化源电极s7和oled的像素电极。
58.操作控制tft t5和发射控制tft t6响应于经由发射控制线123接收的发射控制信号en而同时导通，将驱动电压elvdd传输到oled，使得驱动电流i
oled
流过oled。
59.第二初始化tft t7的第二初始化栅电极g7连接到下一扫描线124，第二初始化tft t7的第二初始化源电极s7连接到发射控制tft t6的发射控制漏电极d6和oled的像素电极，并且第二初始化tft t7的第二初始化漏电极d7连接到第一初始化tft t4的第一初始化源电极s4和初始化电压线134。第二初始化tft t7响应于经由下一扫描线124接收的下一扫描信号sn 1而导通并且使oled的像素电极初始化。
60.虽然图2示出了第一初始化tft t4和第二初始化tft t7分别连接到前一扫描线122和下一扫描线124，但是发明不限于此。在另一示例性实施例中，第一初始化tft t4和第二初始化tft t7两者可以连接到前一扫描线122。
61.存储电容器cst的第二存储电容器板c2连接到驱动电压线172，oled的对向电极连接到共电压elvss。因此，oled可以通过从驱动tft t1接收驱动电流i
oled
并且发光来显示图像。
62.虽然图2示出了补偿tft t3和第一初始化tft t4具有双栅电极，但是发明不限于此。在示例性实施例中，补偿tft t3和第一初始化tft t4可以具有例如一个栅电极。此外，除了补偿tft t3和第一初始化tft t4之外的tft t1、t2、t5、t6和t7中的至少一个tft可以具有双栅电极。可以对其进行各种修改。
63.下面描述根据示例性实施例的每个像素px的操作。
64.在初始化时间段期间，当经由前一扫描线122供应前一扫描信号sn-1时，第一初始化tft t4响应于前一扫描信号sn-1而导通，通过经由初始化电压线124供应的初始化电压vint使驱动tft t1初始化。
65.在数据编程时间段期间，当扫描信号sn经由扫描线121供应时，开关tft t2和补偿tft t3响应于扫描信号sn而导通。在这种情况下，通过已经导通的补偿tft t3使驱动tft t1二极管连接并且正向偏置。
66.然后，向驱动tft t1的驱动栅电极g1施加补偿电压dm vth(vth具有(-)值)，其中，补偿电压dm vth(vth具有(-)值)已经从经由数据线171供应的数据信号dm减少了驱动tft t1的阈值电压vth。驱动电压elvdd和补偿电压dm vth被施加到存储电容器cst的两端，与两端之间的电压差对应的电荷存储在存储电容器cst中。
67.在发射时间段期间，操作控制tft t5和发射控制tft t6响应于经由发射控制线123供应的发射控制信号en而导通。与驱动tft t1的栅电极g1的电压与驱动电压elvdd之间的电压差对应的驱动电流i
oled
发生，经由发射控制tft t6向oled供应该驱动电流i
oled
。
68.在下文中，参照图3至图9描述图2中示出的像素的结构。
69.图3是图2的像素px的多个tft、存储电容器和像素电极的位置的平面图，图4至图8是在层的基础上示出图3的诸如多个tft、存储电容器和像素电极的元件的平面图，图9是沿图3的线ix-ix截取的多个tft、存储电容器和像素电极的剖视图。
70.图4至图8示出了布线、电极和半导体层的布置，图4至图8中的每幅图示出一个层，
绝缘层可以位于图4至图8中示出的层之间。例如，在示例性实施例中，第一栅极绝缘层141(参照图9)位于图4中示出的层与图5中示出的层之间，第二栅极绝缘层143(参照图9)位于图5中示出的层与图6中示出的层之间，层间绝缘层150(参照图9)位于图6中示出的层与图7中示出的层之间，平坦化绝缘层160(参照图9)位于图7中示出的层与图8中示出的层之间。图4至图8中示出的层可以经由限定在上述绝缘层的至少一层中的接触孔彼此电连接。
71.参照图3，像素px包括扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、下一扫描线124和初始化电压线134，每条线在第一方向(例如，x方向)上延伸并且分别施加扫描信号sn、前一扫描信号sn-1、发射控制信号en、下一扫描信号sn 1和初始化电压vint(参照图2)。此外，像素px可以包括数据线171和驱动电压线172，数据线171和驱动电压线172分别施加数据信号dm(参照图2)和驱动电压elvdd(参照图2)，并在与扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、下一扫描线124和初始化电压线134交叉的第二方向(y方向)上延伸。此外，像素px包括tft t1至t7、存储电容器cst以及电连接到tft t1至t7、存储电容器cst的oled(参照图2)。像素px包括防止或者减小数据线171与将驱动tft t1连接到补偿tft t3的节点连接线174之间的寄生电容的屏蔽部106。
72.屏蔽部106位于数据线171与节点连接线174之间并且可以通过减少数据线171与节点连接线174之间的寄生电容的发生来减少串扰。屏蔽部106可以包括屏蔽半导体层126和与屏蔽半导体层126叠置的金属屏蔽层186。恒定电压被施加到屏蔽部106。例如，在示例性实施例中，屏蔽部106连接到初始化电压线134，大约-3.5伏(v)的初始化电压可以被施加到屏蔽部106。
73.在下文中，为了方便起见，根据堆叠顺序来提供描述。
74.参照图3、图4和图9，驱动tft t1、开关tft t2、补偿tft t3、第一初始化tft t4、操作控制tft t5、发射控制tft t6和第二初始化tft t7各自的半导体层130a至130g位于同一层中并且包括同一材料。
75.半导体层130a至130g可以设置在基底110上的缓冲层111之上。在示例性实施例中，基底110可以包括玻璃材料、金属材料、或者诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(“pet”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“pen”)或聚酰亚胺的塑料材料。在示例性实施例中，缓冲层111可以包括诸如sio
x
的氧化层和/或诸如sin
x
的氮化物层。
76.驱动tft t1的驱动半导体层130a、开关tft t2的开关半导体层130b、补偿tft t3的补偿半导体层130c、第一初始化tft t4的第一初始化半导体层130d、操作控制tft t5的操作控制半导体层130e、发射控制tft t6的发射控制半导体层130f和第二初始化tft t7的第二初始化半导体层130g可以彼此连接并且以各种形状弯曲。
77.屏蔽半导体层126可以位于数据线171与节点连接线174之间并且布置在第二方向上。屏蔽半导体层126可以包括第一屏蔽区126a和第二屏蔽区126b，第一屏蔽区126a和第二屏蔽区126b布置在第二方向上，彼此分隔开并且有前一扫描线122位于第一屏蔽区126a与第二屏蔽区126b之间。
78.第一屏蔽区126a可以连接到第一初始化半导体层130d和第二初始化半导体层130g，第二屏蔽区126b可以在与第一屏蔽区126a分隔开的同时在开关半导体层130b与补偿半导体层130c之间延伸。虽然示出的示例性实施例示出了屏蔽半导体层126的第一屏蔽区126a连接到第一初始化半导体层130d和第二初始化半导体层130g，但是发明不限于此。在
另一示例性实施例中，屏蔽半导体层126可以是不连接到第一初始化半导体层130d和第二初始化半导体层130g的岛型半导体层。
79.屏蔽半导体层126可以与其中布置有半导体层130a至130g的层位于同一层中。在示例性实施例中，屏蔽半导体层126和半导体层130a至130g可以包括多晶硅。在可替换的示例性实施例中，屏蔽半导体层126和半导体层130a至130g可以包括非晶硅或者诸如g-i-z-o层([(in2o3)a(ga2o3)b(zno)c层](其中，a、b和c中的每个是满足a≥0、b≥0以及c≥0的实数))的氧化物半导体。在下文中，为了便于描述，描述了屏蔽半导体层126和半导体层130a至130g包括多晶硅的情况。
[0080]
半导体层130a至130g可以包括沟道区，并且源区可以位于沟道区的一侧处，漏区可以位于沟道区的另一侧处。例如，在示例性实施例中，半导体层130a至130g可以通过将参照图5描述的扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、下一扫描线124和第一电极层125a作为自对齐掩膜掺杂有杂质。因此，不与扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、下一扫描线124和第一电极层125a叠置的源区和漏区可以包括n型杂质或p型杂质。当源区和漏区掺杂有杂质时，屏蔽半导体层126也可以掺杂有与源区和漏区的杂质相同的杂质。半导体层130a至130g的源区和漏区分别与源电极和漏电极对应。在下文中，使用术语源区和漏区来代替源电极和漏电极。
[0081]
驱动半导体层130a包括驱动沟道区131a，驱动源区176a设置在驱动沟道区131a的一侧处，驱动漏区177a设置在驱动沟道区131a的另一侧处。驱动沟道区131a可以比沟道区131b至131g长。例如，在示例性实施例中，驱动半导体层130a具有诸如ω或字母“s”形状的弯曲多次的形状，因此可以在窄的空间内提供长的沟道长度。因为驱动沟道区131a具有长的长度，所以施加到作为驱动栅电极的第一电极层125a的栅极电压的驱动范围变宽，因此可以更精细地控制从oled发射的光的灰度级并且可以改善显示品质。
[0082]
开关半导体层130b包括开关沟道区131b、开关源区176b设置在开关沟道区131b的一侧处，开关漏区177b设置在开关沟道区131b的另一侧处。开关漏区177b连接到驱动源区176a。
[0083]
补偿半导体层130c包括补偿沟道区131c1和131c3，补偿源区176c设置在补偿沟道区131c1的一侧处，补偿漏区177c设置在补偿沟道区131c3的一侧处。补偿半导体层130c中的补偿tft t3是双tft并且包括两个补偿沟道区131c1和131c3。补偿沟道区131c1和131c3之间的区域131c2是掺杂有杂质的区域，局部地用作该双tft中的一个tft的源区并且同时用作另一个tft的漏区。
[0084]
第一初始化半导体层130d包括第一初始化沟道区131d1和131d3，第一初始化源区176d设置在第一初始化沟道区131d1的一侧处，第一初始化漏区177d设置在第一初始化沟道区131d3的一侧处。第一初始化半导体层130d中的第一初始化tft t4是双tft并且包括两个第一初始化沟道区131d1和131d3。第一初始化沟道区131d1和131d3之间的区域131d2是掺杂有杂质的区域，局部地用作该双tft中的一个tft的源区并且同时用作另一个tft的漏区。
[0085]
操作控制半导体层130e包括操作控制沟道区131e，操作控制源区176e设置在操作控制沟道区131e的一侧处，操作控制漏区177e设置在操作控制沟道区131e的另一侧处。操作控制漏区177e可以连接到驱动源区176a。
[0086]
发射控制半导体层130f包括发射控制沟道区131f，发射控制源区176f设置在发射控制沟道区131f的一侧处，发射控制漏区177f设置在发射控制沟道区131f的另一侧处。发射控制源区176f可以连接到驱动漏区177a。
[0087]
第二初始化半导体层130g包括第二初始化沟道区131g，第二初始化源区176g设置在第二初始化沟道区131g的一侧处，第二初始化漏区177g设置在第二初始化沟道区131g的另一侧处。
[0088]
第一栅极绝缘层141设置在半导体层130a至130g之上。第一栅极绝缘层141可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。在示例性实施例中，第一栅极绝缘层141可以包括例如sio2、sin
x
、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2或zno2。
[0089]
参照图3、图5和图9，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、下一扫描线124和第一电极层125a设置在第一栅极绝缘层141之上。扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a包括同一材料。在示例性实施例中，扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123和第一电极层125a可以包括例如包含mo、al、cu、ti等的单层或多层。
[0090]
扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、下一扫描线124和第一电极层125a中的每个的一部分或突出部分与tft t1至t7的栅电极对应。
[0091]
扫描线121的与开关沟道区131b以及补偿沟道区131c1和131c3叠置的区域分别与开关栅电极125b以及补偿栅电极125c1和125c2对应。前一扫描线122的与第一初始化沟道区131d1和131d3叠置的区域分别与提供第一初始化栅电极125d的第一初始化栅电极125d1和125d2对应。发射控制线123的与操作控制沟道区131e和发射控制沟道区131f叠置的区域分别与操作控制栅电极125e和发射控制栅电极125f对应。下一扫描线124的与第二初始化沟道区131g叠置的区域与第二初始化栅电极125g对应。
[0092]
补偿栅电极125c是包括第一补偿栅电极125c1和第二补偿栅电极125c2的双栅电极并且可以防止或者减少漏电流的发生。
[0093]
第一电极层125a的与驱动沟道区131a叠置的部分与驱动栅电极g1对应。第一电极层125a用作驱动栅电极g1并且同时用作存储电容器cst的第一存储电容器板c1。即，驱动栅电极g1和第一存储电容器板c1可以理解为一体。
[0094]
第二栅极绝缘层143设置在扫描线121、前一扫描线122、发射控制线123、下一扫描线124和第一电极层125a之上。第二栅极绝缘层143可以包括包含氧化物或氮化物的无机材料。在示例性实施例中，第二栅极绝缘层143可以包括例如sio2、sin
x
、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2或zno2。
[0095]
参照图3、图6和图9，初始化电压线134和第二电极层127设置在第二栅极绝缘层143之上。初始化电压线134和第二电极层127包括同一材料。例如，在示例性实施例中，初始化电压线134和第二电极层127可以包括例如含有mo、al、cu、ti等的导电材料的单层或多层。
[0096]
初始化电压线134传输使驱动tft t1和像素电极210初始化的初始化电压vint(参照图2)。初始化电压线134电连接到第一初始化源电极176d和第二初始化漏电极177g。例如，在示例性实施例中，初始化电压线134可以经由金属屏蔽层186电连接到第一初始化源电极176d和第二初始化漏电极177g。
[0097]
第二电极层127与第一电极层125a叠置并且有第二栅极绝缘层143位于第二电极
层127与第一电极层125a之间。第二电极层127与存储电容器cst的第二存储电容器板c2(参照图2)对应。暴露第一电极层125a的开口127h可以限定在第二电极层127中。节点连接线174的一端经由开口127h连接到第一电极层125a。
[0098]
层间绝缘层150设置在初始化电压线134和第二电极层127之上。在示例性实施例中，层间绝缘层150可以包括例如sio2、sin
x
、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2或zno2。
[0099]
参照图3、图7和图9，数据线171、驱动电压线172、节点连接线174、中间连接线175和金属屏蔽层186设置在层间绝缘层150之上。数据线171、驱动电压线172、节点连接线174、中间连接线175和金属屏蔽层186位于同一层中并且包括同一材料。
[0100]
在示例性实施例中，数据线171、驱动电压线172、节点连接线174、中间连接线175和金属屏蔽层186可以包括包含例如mo、al、cu、ti等的单层或多层。在示例性实施例中，数据线171、驱动电压线172、节点连接线174、中间连接线175和金属屏蔽层186可以包括例如ti/al/ti的多层结构。
[0101]
数据线171在第二方向上延伸并且经由穿过层间绝缘层150的接触孔151连接到开关tft t2的开关源区176b。
[0102]
驱动电压线172在第二方向上延伸并且经由限定在层间绝缘层150中的接触孔152和153连接到操作控制tft t5的操作源区176e和第二电极层127。
[0103]
驱动电压线172覆盖补偿tft t3的至少一部分并且可以防止或者减少由外部光引起的截止电流的发生。在示例性实施例中，驱动电压线172可以覆盖在作为双栅电极的补偿栅电极125c1和125c2之间暴露的区域，即，补偿沟道区131c1和131c3之间的区域131c2。例如，在示例性实施例中，驱动电压线172可以覆盖补偿tft t3的包括与节点连接线174相邻的双栅电极的区域的至少一部分。
[0104]
当驱动电压线172不覆盖补偿tft t3时，由外部光引起的截止电流增大，漏电流被引入驱动tft t1，从而会发生颜色偏差。然而，根据示例性实施例，因为驱动电压线172覆盖补偿tft t3的至少一部分，所以可以防止或者减小由于漏电流的颜色偏差。
[0105]
节点连接线174经由接触孔154和155将第一电极层125a连接到补偿tft t3的补偿漏区177c。岛型第一电极层125a可以通过节点连接线174电连接到补偿tft t3。
[0106]
中间连接层175经由接触孔156连接到发射控制tft t6。例如，在示例性实施例中，中间连接线175可以连接到发射控制tft t6的发射控制漏区177f。
[0107]
经由接触孔158和159，金属屏蔽层186使彼此分隔开的第一屏蔽区126a和第二屏蔽区126b电连接。虽然金属屏蔽层186可以经由接触孔157连接到初始化电压线134，但是发明不限于此。
[0108]
平坦化绝缘层160可以位于数据线171、驱动电压线172、节点连接线174、中间连接线175和金属屏蔽层186之上。在示例性实施例中，平坦化绝缘层160可以包括诸如压克力、苯并环丁烯(“bcb”)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(“hmdso”)的有机材料。
[0109]
参照图3、图8和图9，像素电极210可以位于平坦化绝缘层160上。像素电极210经由限定在平坦化绝缘层160中的接触孔165连接到中间连接层175。像素电极210通过中间连接层175连接到发射控制tft t6的发射控制漏区177f。
[0110]
像素电极210可以是反射电极。在示例性实施例中，像素电极210可以包括例如包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或它们的组合的反射层以及位于该反射层之上的透明
电极层或者半透明电极层。在示例性实施例中，透明电极层或半透明电极层可以包括例如氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(“zno”)、in2o3、氧化铟镓(“igo”)和氧化铝锌(“azo”)中的至少一种。
[0111]
虽然未示出，但是暴露像素电极210的像素限定层设置在像素电极210之上，发射层220位于由像素限定层暴露的像素电极210上。例如，在示例性实施例中，发射层220可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。发射层220可以包括低分子量有机材料或者聚合物有机材料。诸如空穴传输层(“htl”)、空穴注入层(“hil”)、电子传输层(“etl”)和电子注入层(“eil”)的功能层还可以选择性地布置在发射层220之上或之下。
[0112]
对向电极230可以是透明电极。例如，在示例性实施例中，对向电极230可以是透明电极或者半透明电极并且可以包括包含li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg或它们的组合的具有低逸出功的薄金属层。在示例性实施例中，诸如ito、izo、zno或in2o3的透明导电氧化物(“tco”)还可以布置在薄金属层之上。
[0113]
如图3中所示，在驱动电压线172覆盖补偿tft t3的至少一部分的情况下，在数据线171与连接到作为驱动tft t1的驱动栅电极g1的第一电极层125a的节点连接线174之间设置预定的间隙。屏蔽部106位于数据线171与节点连接线174之间的间隙中，可以阻挡由于数据线171的信号变化而在数据线171与作为驱动栅电极g1的第一电极层125a之间产生的寄生电容，并且可以防止或者减少由于寄生电容导致的串扰的发生。
[0114]
如图3和图9中所示，屏蔽部106可以包括屏蔽半导体层126和金属屏蔽层186。在这种情况下，屏蔽半导体层126的第一屏蔽区126a和第二屏蔽区126b可以通过作为导电层的金属屏蔽层186而彼此电连接，并且可以电连接到初始化电压线134。屏蔽部106的屏蔽半导体层126和屏蔽金属层186可以分别阻挡数据线171、节点连接线174以及连接于它们的半导体层130b、130c之间的沿水平方向的寄生电容和沿竖直方向的寄生电容。
[0115]
根据图3至图9中示出的示例性实施例，虽然已经描述了屏蔽半导体层126通过金属屏蔽层186电连接到初始化电压线134的结构，但是本发明不限于此。在另一个示例性实施例中，屏蔽半导体层126(例如，第一屏蔽区126a)可以经由穿过位于初始化电压线134与屏蔽半导体层126之间的绝缘层(即，第一栅极绝缘层141和第二栅极绝缘层143)的接触孔直接连接到初始化电压线134。
[0116]
图10至图14是根据另一示例性实施例的像素px的结构的平面图。除了屏蔽部206、306、406、506和606之外，图10至图14的像素px的结构与上面参照图3描述的像素px的结构基本相同，因此，为了便于描述，下面主要描述与上面参照图3描述的像素px的结构的差异。
[0117]
参照图10，屏蔽部206包括屏蔽半导体层226。屏蔽半导体层226可以包括在第二方向上彼此分隔开的第一屏蔽区226a和第二屏蔽区226b。屏蔽半导体层226可以包括与上述的屏蔽半导体层126(参照图3)的材料相同的材料。
[0118]
第一屏蔽区226a可以经由接触孔157连接到初始化电压线134并且可以经由作为导电层的金属屏蔽层286电连接到第二屏蔽区226b。
[0119]
虽然图3和图10示出了具有下述结构的屏蔽半导体层126和226：第一屏蔽区126a和226a与第二屏蔽区126b和226b彼此分隔开并且有前一扫描线122位于第一屏蔽区126a和226a与第二屏蔽区126b和226b之间，但是发明不限于此。
[0120]
参照图11，屏蔽部306包括屏蔽半导体层326和金属屏蔽层386。屏蔽半导体层326可以与前一扫描线122的一部分叠置和交叉并且在第二方向上延伸。
[0121]
在屏蔽半导体层326如图11所示地与前一扫描线122的一部分叠置的情况下，在使用前一扫描线122作为掩模掺杂第一初始化半导体层130d以提供第一初始化源区176d和第一初始化漏区177d的工艺期间，屏蔽半导体层326和前一扫描线122的叠置区域成为沟道区，这会设置不期望的tft。为了防止前述的现象，如参照图3和图10描述的，可以设置屏蔽半导体层126和226，屏蔽半导体层126和226包括彼此分隔开的第一屏蔽区126a和226a以及第二屏蔽区126b和226b并且前一扫描线122位于第一屏蔽区126a和226a与第二屏蔽区126b和226b之间。然而，在不期望的tft的操作可忽略或者与图11不同，前一扫描线122不与屏蔽半导体层326交叉的情况下，屏蔽半导体层326可以如图11所示地在第二方向上延伸。
[0122]
虽然图11示出了屏蔽部306包括具有屏蔽半导体层326和金属屏蔽层386的双层，但是发明不限于此。
[0123]
参照图12，屏蔽部406可以包括具有屏蔽半导体层426的单层。屏蔽半导体层426可以经由限定在屏蔽半导体层426与初始化电压线134之间的绝缘层中的接触孔147连接到初始化电压线134并且可以接收恒定电压。
[0124]
虽然上面的示例性实施例已经描述了屏蔽部106、206、306和406包括包含半导体材料的层的情况，但是示例性实施例不限于此。在另一示例性实施例中，屏蔽部可以仅包括包含金属材料的层。
[0125]
参照图13，屏蔽部506可以包括单金属屏蔽层586。单金属屏蔽层586可以包括与上面参照图3描述的金属屏蔽层186的材料相同的材料。
[0126]
参照图14，屏蔽部606可以包括具有第一金属屏蔽层676和第二金属屏蔽层686的双层。第一金属屏蔽层676可以与其中布置有初始化电压线134的层位于同一层中并且可以包括与初始化电压线134的材料相同的材料。例如，在示例性实施例中，第一金属屏蔽层676可以包括第一屏蔽区676a和第二屏蔽区676b，第一屏蔽区676a部分地从初始化电压线134突出，第二屏蔽区676b与第一屏蔽区676a分隔开并且在第二方向上延伸。
[0127]
第二金属屏蔽层686可以与其中布置有上述金属屏蔽层186(参照图3)的层位于同一层中，可以包括与金属屏蔽层186的材料相同的材料并且可以经由接触孔158'和159'分别连接到第一屏蔽区676a和第二屏蔽区676b。
[0128]
在下文中，表1示出数据线171与连接到驱动tft t1的栅电极层125a的节点连接线174之间的藉由根据示例性实施例的屏蔽部的寄生电容cgk。
[0129]
表1
[0130] 对比示例实施例1实施例2实施例3实施例4cgk(x10-15
f)0.1520.12430.12960.14870.1401
[0131]
对比示例表示在数据线171与节点连接线174之间没有设置屏蔽部的情况，实施例1表示设置有图3中示出的屏蔽部106的情况，实施例2表示设置有图12中示出的屏蔽部406的情况，实施例3表示设置有图13中示出的屏蔽部506的情况，实施例4表示设置有图14中示出的屏蔽部606的情况。
[0132]
参照表1，因为设置了屏蔽部，所以数据线171与节点连接线174之间的寄生电容减小，具体地，在屏蔽部包括包含半导体材料的层(实施例1和实施例2)的情况下，寄生电容已
经显著减小。这被理解为是由下列原因所导致的：分别连接到数据线171和节点连接线174的半导体层130b和130c之间在水平方向上的寄生电容的影响比位于同一层中的数据线171与节点连接线174之间在水平方向上的寄生电容的影响相对大。即，因为补偿半导体层130c直接连接到驱动tft t1的驱动半导体层130a，所以半导体层130b和130c之间的在水平方向上的寄生电容对驱动tft t1的操作具有相对大的影响。因此，屏蔽部可以包括有效防止寄生电容的屏蔽半导体层。
[0133]
虽然已经参照附图中示出的示例性实施例描述了发明，但这仅作为示例提供，本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求限定的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变及其等同布置。