用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板的制作方法

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板。


背景技术：

2.串扰是指当信号在信号线上传输时，因电磁耦合对相邻的信号线产生的不期望的电压噪声干扰，这种噪声干扰由于信号线之间的互感和互容耦合引起的。串扰包括近端串扰(near-end cross talk，next)和远端串扰(far-end cross talk，fext)，沿导体中电流的流动方向，电流的输入端处产生的噪声干扰即为近端串扰，电流的输出端处产生的噪声干扰即为远端串扰。远端串扰随信号线之间的互感和互容耦合长度的增加而叠加，由于远端串扰存在这样的叠加特征，因此，相比于近端串扰，远端串扰对信号的传输过程产生的影响更加显著。
3.相关技术中，通过在相邻的信号线之间直接设置地线，以改善远端串扰。但是，随着半导体结构或者电路板的集成度越来越高，相邻的信号线之间的间距过小，导致无法设置地线进行改善，远端串扰问题越来越严重。


技术实现要素：

4.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.本公开提供了一种用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板。
6.本公开的第一方面提供了一种用于改善远端串扰的导体结构，所述用于改善远端串扰的导体结构包括：
7.相互平行的两个导体；
8.第一导线和第二导线，所述第一导线的至少部分和所述第二导线的至少部分设置于两个所述导体之间，两个所述导体其中之一与所述第一导线连接，两个所述导体其中另一与所述第二导线连接；
9.所述第一导线和所述第二导线用于产生电容，所述电容用于抵消两个所述导体之间产生的远端串扰。
10.其中，沿所述导体的延伸方向，所述第一导线的至少部分与所述第二导线的至少部分层叠设置。
11.其中，以垂直于所述导体的延伸方向的平面为参考平面，所述第一导线和所述第二导线分别平行于所述参考平面，且所述第一导线和所述第二导线位于同一平面；
12.所述第一导线的侧边和所述第二导线的侧边至少部分相对设置。
13.其中，所述第一导线包括第一延伸段，所述第二导线包括第二延伸段，所述第一延伸段和所述第二延伸段位于两个所述导体之间。
14.其中，所述第一导线还包括与所述第一延伸段相连的第一环绕段，和/或，所述第
二导线还包括与所述第二延伸段相连的第二环绕段；
15.两个所述导体为第一导体和第二导体；
16.所述第一延伸段与所述第一导体连接，沿所述第二导体的周向方向，所述第一环绕段环绕至少部分所述第二导体；和/或，所述第二延伸段与所述第二导体连接，沿所述第一导体的周向方向，所述第二环绕段环绕至少部分所述第一导体。
17.其中，所述第一延伸段与所述第二延伸段相对的区域之间具有第一预设距离，所述第一预设距离与所述电容呈负相关。
18.其中，所述第一环绕段的内圈与所述第二导体之间具有第二预设距离，所述第二环绕段的内圈与所述第一导体之间具有第三预设距离；
19.所述第二预设距离和所述第三预设距离分别与所述电容呈负相关。
20.其中，所述第一环绕段的内圈与外圈之间具有第一预设环宽，所述第二环绕段的内圈与外圈之间具有第二预设环宽；
21.所述第一预设环宽和所述第二预设环宽分别与所述电容呈正相关。
22.其中，所述第一环绕段环绕所述第二导体的环绕角度为第一预设角度，所述第二环绕段环绕所述第一导体的环绕角度为第二预设角度；
23.所述第一预设角度和所述第二预设角度分别与所述电容呈正相关。
24.其中，所述第一导线和所述第二导线层叠设置时，所述第一预设角度和所述第二预设角度的范围均为0
°
至360
°
。
25.其中，所述第一导线和所述第二导线均呈片状，沿所述导体的延伸方向，所述第一导线具有第一预设厚度，所述第二导线具有第二预设厚度，所述第一预设厚度和所述第二预设厚度分别与所述电容呈正相关。
26.其中，所述第一导线和所述第二导线设置于两个所述导体的信号流出端。
27.其中，所述导体包括过孔或布线。
28.其中，所述导体、所述第一导线和所述第二导线均由金属材料制成；
29.用于制成所述导体的材料与用于制成所述第一导线和所述第二导线的材料相同；或者，用于制成所述导体的材料与用于制成所述第一导线和所述第二导线的材料不同。
30.本公开的实施例第二方面提供了一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括基底，所述基底设置多个相互平行的导体，相邻的两个所述导体被设置为如第一方面所述的用于改善远端串扰的导体结构。
31.本公开的实施例第三方面提供了一种电路板，所述电路板包括基板，所述基板设置多个相互平行的导体，相邻的两个所述导体被设置为如第一方面所述的用于改善远端串扰的导体结构。
32.本公开提供的用于改善远端串扰的导体结构、半导体封装结构和电路板，通过在相邻的两个导体之间设置第一导线和第二导线，且第一导线和第二导线之间能够产生电容，相当于形成一个电容器，通过增加第一导线和第二导线之间的互容耦合，能够抵消两个导体之间的互感耦合，达到改善远端串扰的效果。
33.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
circuit boards，pcb)。改善远端串扰的导体结构包括相互平行的两个导体，以及第一导线3和第二导线4。第一导线3的至少部分结构，以及第二导线4的至少部分结构设置于两个导体之间，即第一导线3和第二导线4可以全部设置两个导体之间，第一导线3和第二导线4也可以分别之后部分设置在两个导体之间，其余的部分设置在两个导体的侧部。两个导体其中之一与第一导线3连接，两个导体其中另一与第二导线4连接。本实施例中为了便于对本公开的技术方案进行解释，将两个导体区分为第一导体1和第二导体2。其中，第一导体1和第二导体2可以为半导体封装结构中相邻的两个过孔中的金属层，也可以为印刷电路板中位于同一平面中相邻的两条金属走线。
53.本实施例中，以第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接为示例进行说明。第一导体1和第二导体2中有电信号通过，第一导体1和第二导体2在出现远端串扰问题时，当第一导体1为攻击线时，第二导体2为受害线；当第二导体2为攻击线时，第一导体1为受害线。攻击线会在受害线上产生串扰噪声，对于远端串扰而言，串扰噪声中以电感信号干扰为主导。但是，由于相邻的导体之间对于电感耦合的优化空间受限，无法进一步通过改善电感耦合解决远端串扰问题。因此，本实施例中，采用通过改善电容耦合的方式，解决远端串扰问题。
54.当第一导体1和第二导体2中有电信号通过时，由于第一导体1与第一导线3，第二导体2与第二导线4连接，第一导体1中的电信号会有部分经过第一导线3，第二导体2中的电信号会有部分经过第二导线4。第一导线3和第二导线4至少部分相对设置，相对的部分在第一导线3或第二导线4中有电信号流过时会产生电容，构成一个电容器，该部分电容可以用于平衡第一导体1和第二导体2之间的远端串扰。
55.下面对在第一导体1与第二导体2之间引入电容，以改善远端串扰问题的原理进行说明。
56.远端串扰的表达式如下：
[0057][0058]
上式中：
[0059]
fext—远端串扰；vf—串扰噪声电压；va—攻击线上的信号电压；c
ml
—导体之间的单位长度耦合电容；l
ml
—导体之间的单位长度耦合电感；c
l
—攻击线单位长度电容；l
l
—攻击线单位长度电感；len—耦合长度；rt—攻击线上的信号上升边；v—信号传播速度；kf—远端耦合系数。
[0060]
由上式可知，能够降低远端串扰的方式有很多，例如，减小耦合长度、增加信号上升边等，其中，由于电路布局空间受到限制以及复杂电路系统的影响，前述方式都难以充分实施，使得改善的远端串扰效果有限。例如，在多层电路板中，电路板过孔的长度是很难进行调整的，也即无法减小耦合长度。
[0061]
需要说明的是，由互容耦合产生的干扰电流，分别向受扰线的近端和远端两个方向流动，而由互感耦合产生的干扰电流，总是从受扰线的远端流向近端。因此，可以通过对互容耦合的强度进行调节，使得互容耦合产生的流向受扰线远端的电流与互感耦合产生的电流相互抵消，从而改善远端串扰。
[0062]
对于上述公式中涉及到的其中的是与电感有关影响远端串扰的因素，如果能够改变第一导体1与第二导体2之间的电容，使得则可以将远端串扰彻底消除。当然，可以理解的是，根据上述描述中涉及到的远端串扰为0的情况为理想情况，在实际应用中，受到各种外界环境的影响，只能够做到改善远端串扰，无法做到消除远端串扰的效果。
[0063]
本公开实施例中，通过在相邻的两个导线之间设置第一导线3和第二导线4，以产生额外的电容，且该互容耦合强度可选择性设置，进而能够与原有互容耦合进行叠加，以达到能够抵消互感耦合，从而达到改善远端串扰的效果。
[0064]
在一个示例性实施例中，如图1和图2所示，示出了一种用于改善远端串扰的导体结构，改善远端串扰的导体结构包括相互平行的第一导体1和第二导体2，以及第一导线3和第二导线4，第一导线3和第二导线4至少部分设置在第一导体1和第二导体2之间。第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接。其中，第一导线3和第二导线4位于不同平面。
[0065]
如图1和图2所示，沿导体的延伸方向(图1中所示z方向)，第一导线3的至少部分与第二导线4的至少部分层叠设置。以图2所示方位为例，沿竖向方向，第一导线3和第二导线4层叠设置，即第一导线3和第二导线4遵循一上一下的空间布置。第一导线3的下表面与第二导线4的上表面具有相对面积，相对的部分形成电容器，从而用于产生电容以抵消部分远端串扰。当然，可以理解的是，第一导线3和第二导线4之间的上下位置不会影响电容器的效果。
[0066]
本实施例中，由于将第一导线3和第二导线4层叠设置，第一导线3和第二导线4之间相对的面积可以比较大，相当于增加了电容器的两个极板之间的相对面积。
[0067]
在一个示例性实施例中，如图4和图5所示，示出了一种用于改善远端串扰的导体结构，改善远端串扰的导体结构包括相互平行的第一导体1和第二导体2，以及第一导线3和第二导线4，第一导线3和第二导线4至少部分设置在第一导体1和第二导体2之间。第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接。其中，第一导线3和第二导线4位于同一平面中。
[0068]
如图4和图5所示，以垂直于导体的延伸方向的平面为参考平面，其中，延伸方向即图4中所示z方向，参考平面即图4中所示的x方向和y方向所在的平面。第一导线3和第二导线4分别平行于参考平面，且第一导线3和第二导线4位于同一平面。以图4所示方位为例，第一导体1和第二导体2并列设置，第一导线3沿y方向的反向延伸，第二导线4沿y方向延伸，第一导线3和第二导线4位于同一高度，第一导线的侧边和第二导线的侧边至少部分相对设置。需要说明的是，本实施例中涉及到的第一导线3和第二导线4位于同一高度是指第一导线3的顶面和第二导线4的顶面位于同一平面，或者，第一导线3的底面和第二导线4的底面位于同一平面。
[0069]
第一导线3和第二导线4均具有一定的厚度，第一导线3与第二导线4相对的一侧具有相对面积，相对的部分形成电容器，能够产生期望的互容耦合，从而用于产生电容以抵消部分远端串扰。当然，可以理解的是，在实际实施过程中，第一导线3和第二导线4在图4中示出的z方向上可以存在错位，也即，第一导线3在第二导线4上的投影可以只覆盖第二导线4
的部分侧壁，第二导线4在第一导线3上的投影可以只覆盖第一导线3的部分侧壁。
[0070]
本实施例中，第一导线3和第二导线4位于同一平面，在实现电容器功能，以改善远端串扰的同时，方便走线，利于生产制造。
[0071]
在一个示例性实施例中，如图1和图4所示，示出了一种用于改善远端串扰的导体结构，改善远端串扰的导体结构包括相互平行的第一导体1和第二导体2，以及第一导线3和第二导线4。第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接。其中，第一导线3和第二导线4可以采用层叠设置方式，如图1中示出的结构；或者，第一导线3和第二导线4也可以位于同一平面，如图4中示出的结构。
[0072]
本实施例中，如图1和图4所示，第一导线3包括第一延伸段31，第二导线4包括第二延伸段41，第一延伸段31和第二延伸段41位于第一导体1和第二导体2之间。第一延伸段31的第一端与第一导体1连接，第一导线3的第一延伸段31沿y方向的反向延伸，第一延伸段31的第二端不与第二导体2连接，第一延伸段31与第二导体2之间留有一定距离。第二延伸段41与第二导体2连接，第二导线4的第二延伸段41沿y方向延伸，第二延伸段41的第一端与第二导体2连接，第二延伸段41的第二端不与第一导体1连接，第二延伸段41与第一导体1之间留有一定距离。
[0073]
在一个示例中，参照图1，第一延伸段31与第二延伸段41层叠设置，参照图1中示出的方位，第一延伸段31位于第二延伸段41的上方，第一延伸段31的下表面和第二延伸段41的上表面具有相对面积，形成电容器，在有电流通过时，产生电容。
[0074]
在另一个示例中，参照图4所示，第一延伸段31与第二延伸段41位于同一平面，第一延伸段31的一侧侧壁与第二延伸段41的一侧侧壁具有相对面积，形成电容器，在有电流通过时，产生电容。
[0075]
在一个示例性实施例中，如图2和图5所示，示出了一种用于改善远端串扰的导体结构，改善远端串扰的导体结构包括相互平行的第一导体1和第二导体2，以及第一导线3和第二导线4。第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接。其中，第一导线3和第二导线4可以采用层叠设置方式，如图2中示出的结构；或者，第一导线3和第二导线4也可以位于同一平面，如图5中示出的结构。
[0076]
如图2和图5所示，第一导线3包括第一延伸段31，以及与第一延伸段31相连的第一环绕段32，第一延伸段31与第一导体1连接，沿第二导体2的周向方向，第一环绕段32至少环绕部分第二导体2。第二导线4包括第二延伸段41，以及与第二延伸段41相连的第二环绕段42，沿第一导体1的周向方向，第二环绕段42环绕至少部分第一导体1。可以理解的是，第一环绕段32和第二环绕段42可以仅设置任意一个，也可以两个同时设置。
[0077]
在一个示例中，参照图2所示，第一导线3和第二导线4层叠设置，第一导线3的第一环绕段32沿整个周向范围环绕第二导体2，即360
°
环绕第二导体2。第二导线4的第二环绕段42沿整个周向范围环绕第一导体1。第一环绕段32环绕第二导体2，以及第二环绕段42环绕第一导体1时，第一环绕段32不能与第二导体2接触，第二环绕段42不能与第一导体1接触。本示例中，除了采用360
°
环绕的方式外，还可以部分环绕第一导体1或者第二导体2，比如270
°
环绕，180
°
环绕，90
°
环绕等。
[0078]
在另一个示例中，参照图5所示，第一导线3和第二导线4位于同一平面，为了避免第一导线3和第二导线4接触，第一导线的第一环绕段32只能部分环绕第二导体2，第二导线
的第二环绕段42只能部分环绕第一导体1。本示例中，第一环绕段32和第二环绕段42均采用180
°
环绕方式。当然，可以理解的是，除了采用180
°
环绕方式外，还可以采用270
°
环绕，90
°
环绕，45
°
环绕等，只要确保第一导线3和第二导线4之间不会接触即可。
[0079]
在本实施例中，示例性地示出了的第一环绕段32和第二环绕段42均为圆形环绕段，圆形环绕段便于加工，且由于过孔一般为圆孔，所以圆形环绕段更符合实际使用需求。这并不构成对本公开技术方案的限定，环绕段的形状还可以为三角形、方形或者异形等，可以根据实际应用过程中过孔的截面形状或者走线方式灵活设置。另外，本实施例中的第一导线3和第二导线4两者尽量设置为中心对称结构，方便加工的同时，改善远端串扰的效果更佳。
[0080]
本实施例中，通过设置环绕段，且环绕段环绕导体设置，能够进一步提升第一导体1和第二导体2之间的互容，从而能够对第一导体1和第二导体2之间所产生的互感进行抵消，以改善远端串扰。
[0081]
在一个示例性实施例中，如图2和图5所示，示出了一种用于改善远端串扰的导体结构，改善远端串扰的导体结构包括相互平行的第一导体1和第二导体2，以及第一导线3和第二导线4。第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接。其中，第一导线3和第二导线4可以采用层叠设置方式，如图2中示出的结构；或者，第一导线3和第二导线4也可以位于同一平面，如图5中示出的结构。第一导线3包括第一延伸段31和第一环绕段32，第二导线4包括第二延伸段41和第二环绕段42。
[0082]
第一延伸段31与第二延伸段41相对的区域之间具有第一预设距离d，第一预设距离d与电容呈负相关。在一个示例中，第一导线3与第二导线4层叠设置，参照图2中，第一预设距离为第一导线3和第二导线4在z方向上间隔的长度。在另一个示例中，按照图5中，第一导线3与第二导线4位于同一平面，第一预设距离d为第一导线3和第二导线4在x方向上间隔的长度。
[0083]
电容器的电容表达式如下：
[0084][0085]
上式中，ε是一个常数，s为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。
[0086]
由上式可知，电容极板之间的距离d越大，电容c越小。可以理解的是，第一延伸段31和第二延伸段41相当于电容器的两个极板，第一延伸段31和第二延伸段41之间的第一预设距离d，也即电容极板的距离，因此，第一预设距离d与电容呈负相关，能够通过对第一预设距离d进行调整，选择第一导线3与第二导线4产生的电容的大小，以产生期望的互容用以抵消远端串扰。
[0087]
本实施例中，如图6所示，图6中示出了去除第一导体1和第二导体2底部的引线的示意图。第一环绕段32的内圈与第二导体2之间具有第二预设距离m，第二环绕段42的内圈与第一导体1之间具有第三预设距离n，第二预设距离m和第三预设距离n分别与电容c呈负相关。第二预设距离m和第三预设距离n的尺寸可以相同，也可以不同。参照上文中电容器的电容表达式，本实施例中的第一环绕段32的内圈与第二导体2之间的第二预设距离m，以及第二环绕段42的内圈与第一导体1之间的第三预设距离n会影响电容表达式中的电容极板
的距离d，因此，当第二预设距离m和第三预设距离n越小时，电容c的值约到，即第二预设距离m和第三预设距离n分别与电容c呈负相关。当第二预设距离m和第三预设距离n的尺寸相等时，可以获得更好的改善远端串扰的效果。
[0088]
本实施例中，如图6所示，第一环绕段32的内圈与外圈之间具有第一预设环宽p，第二环绕段42的内圈与外圈之间具有第二预设环宽q。第一预设环宽p和第二预设环宽q可以相等，也可以不相等。当第一导线3与第二导线4层叠设置时，当第一预设环宽p和第二预设环宽q增大时，在一定程度上会增大电容器的两个电容极板之间的正对面积，从而增大电容器的电容。因此，第一预设环宽和第二预设环宽分别与电容呈正相关。通过对第一预设环宽p和第二预设环宽q进行调节，以获取期望的互容效果，进而对互感耦合进行抵消，实现改善远端串扰的效果。
[0089]
本实施例中，如图3和图6所示，第一环绕段32环绕第二导体2的环绕角度为第一预设角度，第二环绕段42环绕第一导体1的环绕角度为第二预设角度，以第一环绕段32为例，第一预设角度用于表征第一环绕段的环形结构的角度，例如，第一预设角度为180
°
时，第一环绕段32为半圆环；当第一预设角度为360
°
时，第一环绕段32为完整圆环。其中，第一预设角度与第二预设角度分别与电容呈正相关。参照上文中的电容器的电容表达式，本实施例中的第一预设角度和第二预设角度会影响电容表达式中电容极板的正对面积s，第一预设角度越大，第二预设角度越大，则电容极板的正对面积s也越大，电容c越大。
[0090]
在一个示例中，图5和图6示出了第一导线3和第二导线4位于同一平面的情况，并且，第一预设角度和第二预设角度约为180
°
。可以理解的是，由于第一导线3和第二导线4位于同一平面，因此当第一预设角度和第二预设角度较大时(参照图2和图3)，可能导致第一环绕段32与第二环绕段42接触导电的情况，因此，在第一导线3和第二导线4分别平行于参考平面(图2中所示x方向和y方向所在平面)，且第一导线3和第二导线4位于同一平面时，第一预设角度和第二预设角度的范围为0
°
～n
°
，n＜360，n比如可以是300、270、240等，只需保证第一环绕段32和第二环绕段42不会接触通电即可。
[0091]
在另一个示例中，如图2和图3所示，示出了第一导线3和第二导线4上下(图2中所示z方向)层叠设置的情况，由于第一导线3和第二导线4上下层叠设置，即使第一预设角度和第二预设角度均为360
°
，第一导线3和第二导线4也不会接触，从而能够选用完整圆环型的第一环绕段32和第二环绕段42，从而能够获得更大区间范围的互容强度。因此，当第一导线和第二导线层叠设置时，第一预设角度和第二预设角度的范围均为0
°
至360
°
。
[0092]
需要说明的是，第一环绕段32和第二环绕段42的环绕角度可以相等，也可以不等，例如，第一预设角度为90
°
，第二预设角度可以为270
°
。
[0093]
在一个示例性实施例中，如图2和图5所示，示出了一种用于改善远端串扰的导体结构，改善远端串扰的导体结构包括相互平行的两个导体，以及第一导线3和第二导线4。第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接。其中，第一导线3和第二导线4上下(图2中所示z方向)层叠设置，或者第一导线3和第二导线4前后(图5中所示x方向)层叠设置。
[0094]
本实施例中，参照图1至图5所示，第一导线3和第二导线4均呈片状，沿第一导体1和第二导体2的延伸方向(图4中所示z方向)，第一导线3具有第一预设厚度，第二导线4具有第二预设厚度。当第一导线3与第二导线4位于同一平面时，增大第一导线3的第一预设厚
度，增加第二导线4的第二预设厚度，可以在一定程度上增加电容器的电容极板的正对面积，进而增大引入至第一导体1和第二导体2之间的电容，因此，第一预设厚度和第二预设厚度分别与电容呈正相关。其中，第一预设厚度和第二预设厚度可以相等，也可以不相等。通过对第一导线3和第二导线4的厚度进行选择性设置，能够得到期望的互容耦合强度，进而人为可控地抵消互感，从而改善远端串扰。
[0095]
在一个示例性实施例中，如图2所示，示出了一种用于改善远端串扰的导体结构，改善远端串扰的导体结构包括相互平行的两个导体，以及第一导线3和第二导线4。第一导体1与第一导线3连接，第二导体2与第二导线4连接。其中，第一导线3和第二导线4上下层叠设置，或者第一导线3和第二导线4位于同一平面。
[0096]
第一导线3和第二导线4分别包括信号流入端和信号流出端，信号流入端指电流流入的端部，信号流出端指电流流出的端部。远端串扰为对于信号流出端的干扰，因此，本实施例中，将第一导线3和第二导线4设置在两个导体的信号流出端，对于改善远端串扰，能够获得更好的改善效果。
[0097]
以图4所示方位为准，导体的两端部均与外部接线5连接，外部接线5包括第一接线51、第二接线52、第三接线53和第四接线54。其中，与第一导体1连接的导线为第一接线51和第二接线52，与第二导体2连接的导线为第三接线53和第四接线54。第一接线51连接第一导体1的顶端，第二接线52连接第一导体1的底端，信号的传输情况例如可以为依次流经第一接线51、第一导体1和第二接线52，从而从第一导体1的底端，即信号流出端流出。
[0098]
参照图5，当第一信号线作为攻击线时，可以将第一导线3、第二导线4靠下(图5中所示z方向的反向)设置，使得形成的电容器位于第一导体1的信号流出端，以提高改善远端串扰的效果。第二导体2的实现方式与第一导体1的实现方式相同，此处不再赘述。
[0099]
本实施例中，第一导体1和第二导体2包括过孔或布线。
[0100]
在一个示例中，如图1和图4所示，示出了第一导体1和第二导体2为过孔结构的情况，过孔比如用于贯穿半导体结构的硅穿孔。或者，第一导体1和第二导体2还可以是穿过印刷电路板的厚度方向上连接不同层的过孔。
[0101]
在另一个示例中(该示例未在图中示出)，第一导体1和第二导体2可以为布线，比如可以应用于电路板上的金属连接线。
[0102]
本实施例中，如图2所示，第一导体1、第二导体2、第一导线3和第二导线4均由金属材料制成，金属材料比如铜、铝、银等导电性能良好的金属。其中，第一导体1、第二导体2、第一导线3和第二导线4的材料可以相同，也可以不同。
[0103]
在一个示例中，第一导体1和第一导线3均由铜金属制成，第一导体1和第一导线3连接处可以通过焊接连接，第一导体1和第一导线3也可以为一体注塑成型。在另一个示例中，第一导体1由铜金属制成，第一导线3由银金属制成。
[0104]
参照图7，图7示出了信号传输时间-远端串扰电压效果图，横坐标表示信号传输时间，单位比如可以为nsec(纳秒)，纵坐标表示远端串扰时的电压值，单位为v。其中，l1表示信号进入单个过孔之前，相邻信号线上的远端串扰电压，l2表示信号经过过孔之后，相邻信号线上的远端串扰电压，l3表示未进行优化的远端串扰电压，l4表示通过本公开实施例中的用于改善远端串扰的导体结构引入的第一导线和第二导线产生的互容耦合强度，l5表示远端串扰被互容耦合抵消改善后的电压。基于图7可以看出，引入的互容耦合产生的电压与
未进行优化的远端串扰电压的相位相反，从而在一定程度上抵消了远端串扰电压，达到了改善远端串扰的效果。
[0105]
参照图8，图8示出了信号传输时间-远端串扰电压效果图，横坐标表示信号传输时间，单位为nsec，纵坐标表示远端串扰电压值，单位为mv。l6表示信号进入单个过孔之前，相邻信号线上的远端串扰电压，l7表示信号经过过孔后，相邻信号线上的远端串扰电压，l8表示未进行优化时相邻信号线上的远端串扰电压，l9表示采用本公开方案优化过后的远端串扰电压。其中，l8’是未进行优化时，相邻信号线上远端串扰电压的极值点，l8’的横坐标为0.600.6nsec，纵坐标为-52mv。l9’是优化后相邻信号线上远端串扰电压的极值点，l9’的横坐标为0.6246nsec，纵坐标为-11mv，由上可知，优化过后的远端串扰电压由-52mv改善为-11mv。可以理解的是，通过对第一导线和第二导线的进一步优化，可以实现优化后的远端串扰电压更加接近0mv，从而更大程度地改善远端串扰。
[0106]
在一个示例中，未使用本公开实施例提供的改善远端串扰的导体结构的电路板，过孔之间产生的远端串扰约为50mv，而使用本公开实施例提供的改善远端串扰的导体结构的电路板，过孔之间产生的远端串扰被优化为11mv，对于远端串扰的改善效果明显。
[0107]
在此，需要说明的是，上文中涉及到的各个实施例中的用于改善远端串扰的半导体结构可以相互组合。
[0108]
根据本公开示例性实施例，本公开还提供一种半导体封装结构，半导体封装结构包括基底，基底设置多个相互平行的导体，相邻的两个导体被设置为如上述实施例提供的用于改善远端串扰的导体结构，以改善半导体封装结构中相邻的导体之间的远端串扰问题。
[0109]
根据本公开示例性实施例，本公开还提供一种电路板，电路板包括基板，基板设置多个相互平行的导体，相邻的两个导体之间被设置为如上述实施例提供的用于改善远端串扰的导体结构，从而有效改善电路板中相邻的两个导体之间的远端串扰问题。
[0110]
本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
[0111]
在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例性的实施例”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。
[0112]
在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
[0113]
在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
[0114]
可以理解的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本公开中用于描述各种结构，但这些结构不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个结构与另一个结构区分。
[0115]
在一个或多个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附
图中的多个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。
[0116]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。