一种电致发射率可变器件

技术特征：
1.一种电致发射率可变器件，其特征在于，所述电致发射率可变器件包括透明基底、以及依次分布在透明基底表面的第一金属反射层、二氧化钒层、树脂基离子传导层、硅层和第二金属反射层；所述第一金属反射层的反射率为90%～100%，所述第二金属反射层的反射率为20～50%。2.根据权利要求1所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述透明基底为聚酰亚胺基底、聚乙烯基底、石英基底、或玻璃基底。3.根据权利要求1或2所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述第一金属反射层和的第二金属反射层材质为贵金属、钨、铜、铝、铁、钴和镍中的至少一种；所述贵金属为金、银、铂和钯中的至少一种。4.根据权利要求3所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述第一金属反射层的厚度为大于40nm；所述第二金属反射层的厚度为5～30 nm。5.根据权利要求1-4中任一项所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述硅层的厚度至少为0.5μm，优选为0.5～5微米，更优选为0.5～3μm。6.根据权利要求1-5中任一项所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述二氧化钒层的厚度为30 nm～300 nm。7.根据权利要求1-6中任一项所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述树脂基离子传导层是由uv树脂或热固化树脂中的一种、阳离子金属盐、溶剂、稳定剂、还原剂和引发剂固化后得到；所述uv树脂、阳离子金属盐、溶剂、稳定剂、还原剂和引发剂的质量比为（2～5）：（0.5～2）：（5～10）：（2～3）：（0.1～0.5）：0.001。8.根据权利要求7所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述固化的方式为紫外光固化；所述紫外光固化所用紫外光的功率为50～200w，固化的时间为1～30秒。9.根据权利要求1-8中任一项所述的电致发射率可变器件，其特征在于，所述树脂基离子传导层的厚度20μm～100μm。10.根据权利要求1-9中任一项所述的电致发射率可变器件，其特征在于，当所述第一金属反射层在8微米～13微米处的反射率为90%～100%，所述第二金属反射层在8微米～13微米处的反射率为20～50%时；所述电致发射率可变器件在0～-2v时，在波长8微米～13微米处有较高的发射率为50～98%，所述电致发射率可变器件在0～ 2时，在波长8微米～13微米处的发射率为0～30%。

技术总结
本发明涉及一种电致发射率可变器件，所述电致发射率可变器件包括透明基底、以及依次分布在透明基底表面的第一金属反射层、二氧化钒层、树脂基离子传导层、硅层和第二金属反射层；所述第一金属反射层的反射率为90%～100%，所述第二金属反射层的反射率为20～50%。述第二金属反射层的反射率为20～50%。述第二金属反射层的反射率为20～50%。


技术研发人员：曹逊 黄爱彬 邵泽伟 贾汉祥 金平实
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2021.03.01
技术公布日：2022/9/1