透明显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种透明显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.随着显示技术的日益发展，各种新型技术不断涌现，透明显示技术因其透明的显示面板这一特性的应用，越来越受到人们的关注。但是目前现有透明显示器件的透过率较低，透过率一般《60％，因此提高透明显示器件的透过率和产品的性能是目前透明显示技术的重中之重。
3.透明显示技术的关键器件是透明显示面板，该面板在关闭状态下仿佛一块透明玻璃；当其工作时，观看者不仅能够看到在面板上显示的内容同时还能透过面板观看到面板后的物体，因此要求透明显示面板不但具有超高透过率而且具有优异的显示效果。
4.综上所述，现有技术中的透明显示面板存在无法兼顾透过率和显示效果的技术问题。


技术实现要素：

5.本技术针对现有方式的缺点，提出一种透明显示面板及其制备方法，用以解决现有技术中的透明显示面板存在无法兼顾透过率和显示效果的技术问题。
6.第一个方面，本技术实施例提供了一种透明显示面板，包括：
7.基板，具有透明区和显示区；
8.发光器件层，覆设于基板一侧的显示区；
9.黑色矩阵，间隔分布于发光器件层远离基板的一侧；
10.封装层，一部分封装层覆设于基板的透明区，另一部分封装层覆设于发光器件层和黑色矩阵。
11.在本技术的一些实施例中，透明显示面板还包括第一导电种子层，第一导电种子层位于黑色矩阵与发光器件层之间。
12.在本技术的一些实施例中，黑色矩阵在基板上的正投影覆盖第一导电种子层在基板上的正投影。
13.第二方面，本技术实施例提供一种透明显示面板，包括：
14.提供基板，基板具有显示区和透明区；
15.在基板的显示区制备发光器件层；
16.在基板的透明区制备牺牲层；
17.在发光器件层和牺牲层均远离基板的一侧制备遮光材料层；
18.图案化遮光材料层，形成黑色矩阵，黑色矩阵位于部分发光器件层远离基板的一侧；
19.去除牺牲层。
20.在本技术的一些实施例中，在基板的透明区制备牺牲层的步骤中包括：
21.在基板的一侧制备导电种子层，导电种子层包括覆设于发光器件层的第一导电种子层和覆设于基板的透明区的第二导电种子层；
22.在第一导电种子层远离基板的一侧制备挡墙；
23.在第二导电种子层远离基板的一侧制备导电生长层，第二导电种子层与导电生长层形成牺牲层。
24.在本技术的一些实施例中，在基板的透明区制备导电生长层，使得导电生长层的上表面高度不小于第一导电种子层的上表面高度的1/2、且不大于第一导电种子层的上表面高度的3/2。
25.在本技术的一些实施例中，在发光器件层和牺牲层远离基板的一侧制备遮光材料的步骤中包括：
26.去除挡墙；
27.在第一导电种子层和牺牲层均远离基板的一侧制备遮光材料。
28.在本技术的一些实施例中，在基板的透明区制备导电生长层，使得导电生长层的上表面高度不小于发光器件层的上表面高度的1/2、且不大于发光器件层的上表面高度的3/2。
29.在本技术的一些实施例中，在发光器件层和牺牲层远离基板的一侧制备遮光材料的步骤中包括：
30.去除挡墙和第一导电种子层；
31.在发光器件层和牺牲层均远离基板的一侧制备遮光材料。
32.在本技术的一些实施例中，在第二导电种子层远离基板的一侧制备导电生长层的步骤中包括：
33.在第二导电种子层远离基板的一侧制备金属层，金属层形成导电生长层，金属层包括铜、镍、金、钯镍、锡铅和银中的至少一种。
34.在本技术的一些实施例中，在第一导电种子层远离基板的一侧制备挡墙的步骤中包括：
35.在第一导电种子层和第二导电种子层均远离基板的一侧涂覆正性光刻胶以形成挡墙材料层；
36.将挡墙材料层图案化，露出第二导电种子，得到位于第一导电种子层远离基板一侧的挡墙。
37.在本技术的一些实施例中，在发光器件层和牺牲层均远离基板的一侧制备遮光材料的步骤中包括：
38.在发光器件层和牺牲层均远离基板的一侧涂覆负性光刻胶以形成遮光材料层。
39.在本技术的一些实施例中，去除牺牲层的步骤之后包括：
40.在基板的一侧制备封装层，封装层包覆基板的透明区、发光器件层和黑色矩阵。
41.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：通过将封装层直接覆设于基板的透明区，提高了透明区的透过率、降低了雾度；在基板的透明区制备和去除牺牲层，使得在制备黑色矩阵的步骤中，透明区与显示区的段差变小或者齐平，从而避免了黑色矩阵在段差底部出现残留、在段差顶部厚度减薄等不良，提高了显示区的遮光能力，进而同
时提高了透明显示面板的透光率和显示效果。本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
42.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
43.图1为本技术一个实施例中透明显示面板的结构示意图；
44.图2为本技术一个实施例中透明显示面板的制备方法的流程示意图；
45.图3为本技术另一个实施例中透明显示面板的制备方法的流程示意图；
46.图4a-4g为本技术另一个实施例中透明显示面板的制备方法的分步示意图；
47.图5为本技术又一个实施例中透明显示面板的制备方法的流程示意图；
48.图6a-6e为本技术又一个实施例中透明显示面板的制备方法的分步示意图。
49.图中：
50.1-基板；101-透明区；102-显示区；
51.2-发光器件层；201-缓冲层；202-第一栅极绝缘层；203-第二栅极绝缘层；204-层间介质层；205-第一平坦层；206-第一钝化层；207-第二钝化层；208-第二平坦层；209-半导体层；210-第一栅极层；211-第二栅极层；212-数据层；213-源漏极层；
52.3-牺牲层；31-导电种子层；301-第一导电种子层；302-第二导电种子层；303-导电生长层；304-挡墙；
53.4-黑色矩阵；5-发光二极管；6-封装层
具体实施方式
54.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
55.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
56.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“上述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
57.研究发现，现有技术中的透明显示面板存在无法兼顾透过率和显示效果的技术问
题。
58.本技术提供的一种透明显示面板及其制备方法，旨在解决现有技术的如上技术问题。下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
59.第一个方面，本技术实施例提供一种透明显示面板，如图1所示，图1为本技术一个实施例中透明显示面板的结构示意图。透明显示面板，包括：
60.基板1，具有透明区101和显示区102；
61.发光器件层2，覆设于所述基板1一侧的显示区102；
62.黑色矩阵4，间隔分布于所述发光器件层2远离所述基板1的一侧；
63.封装层6，一部分所述封装层6覆设于所述基板1的透明区101，另一部分所述封装层6覆设于所述发光器件层2和所述黑色矩阵4。
64.在本实施例中，基板1的透明区101与封装层6直接接触，两者之间不存在其他有色膜层，封装层6的材料为透明材料，得以提高透明显示面板的透过率。
65.在本技术的一些实施例中，所述透明显示面板还包括第一导电种子层301，所述第一导电种子层301位于所述黑色矩阵4与所述发光器件层2之间。
66.在本技术的其中一个实施例中，黑色矩阵4与发光器件层2之间设置有第一导电种子层301。
67.在本技术的另一个实施例中，黑色矩阵4直接与光学器件层接触。
68.在本技术的一些实施例中，所述黑色矩阵4在所述基板1上的正投影覆盖所述第一导电种子层301在所述基板1上的正投影。
69.在一个实施例中，去除第一导电种子层301的步骤在制备黑色矩阵4的步骤之后，黑色矩阵4实际上成为第一导电种子层301的掩模板，黑色矩阵4在第一导电种子层301上的正投影覆盖一定区域，第一导电种子层301中被上述投影覆盖的区域未被去除，则黑色矩阵4在基板1上的正投影覆盖第一导电种子层301在基板1上的正投影。
70.基于同一发明构思，第二个方面，本技术实施例提供了一种透明显示面板的制备方法。如图2所示，图2为本技术一个实施例中透明显示面板的制备方法的流程示意图。透明显示面板的制备方法，包括以下步骤：
71.s101、提供基板1，所述基板1具有显示区102和透明区101；
72.s102、在所述基板1的显示区102制备发光器件层2；
73.s103、在所述基板1的透明区101制备牺牲层3；
74.s104、在所述发光器件层2和所述牺牲层3均远离所述基板1的一侧制备遮光材料层；
75.s105、图案化所述遮光材料层，形成黑色矩阵4，所述黑色矩阵4位于部分所述发光器件层2远离所述基板1的一侧；
76.s106、去除所述牺牲层3。
77.在本实施例中，通过去除透明区101的至少部分膜层来提高透明显示面板的透过率，通过在相邻子像素之间设置黑色矩阵4(black matrix，bm)用以遮挡金属走线、降低反射率、提高对比度，还可以减少色偏来提高透明显示面板的显示效果。
78.在上述实施例的基础上，为了避免：去除透明区101的至少部分膜层的方式导致显
示区102和透明区101存在较大的段差，致使黑色矩阵4在段差底部出现残留，降低面板的透过率、提高了雾度，在段差顶部黑色矩阵4厚度较薄，避光能力不足影响遮光效果。
79.本实施例中的制备方法还提供了：在去除透明区101的至少部分膜层的步骤之后、在制备黑色矩阵4的步骤之前，在所述基板1的透明区101制备牺牲层3。由于牺牲层3的存在，透明区101与显示区102的段差变小或者齐平，从而避免了黑色矩阵4在段差底部出现残留、在段差顶部厚度减薄等不良。再后续步骤中去除牺牲层3，还可以提高了透明区101的透过率、降低了雾度，提高了显示区102的遮光能力，进而同时提高了透明显示面板的透光率和显示效果。
80.在本技术的一些实施例中，在所述基板1的透明区101制备牺牲层3的步骤中包括：
81.在所述基板1的一侧制备导电种子层31，所述导电种子层31包括覆设于所述发光器件层2的第一导电种子层301和覆设于所述基板1的透明区101的第二导电种子层302；
82.在所述第一导电种子层301远离所述基板1的一侧制备挡墙304；
83.在所述第二导电种子层302远离所述基板1的一侧制备导电生长层303，所述第二导电种子层302与所述导电生长层303形成所述牺牲层3。
84.在本实施例中，在所述基板1的透明区101制备牺牲层3的步骤之前：去除了透明区101的至少部分膜层，基板1的透明区101和显示区102存在较大段差。为了避免不良，在本步骤中，在基板1靠近发光器件层2的一侧制备导电种子层31，导电种子层31整面覆盖基板1，将覆盖基板1上发光器件层2的导电种子层31定义为第一导电种子层301，将直接覆设于基板1的透明区101的导电种子层31定义为第二导电种子层302。
85.由于基板1的显示区102的高度大于透明区101的高度，为了避免显示区102的高度继续增加，仅在透明区101内制备牺牲层3，在第一导电种子层301远离基板1的一侧制备挡墙304。为了防止导电生长层303在第一导电种子层301上的无序生长，制备覆盖第一导电种子层301的挡墙304。
86.挡墙304制备完成后，在导电种子层31远离基板1的一侧进行电镀，裸露的导电种子层31会生长出电镀层，第一导电种子层301由于挡墙304覆盖不会生长或者较少生长，电镀层将会在第二导电种子层302的种子引线的表面向外生长，形成导电生长层303。
87.在本技术的一些实施例中，在所述基板1的透明区101制备所述导电生长层303，使得所述导电生长层303的上表面高度不小于所述第一导电种子层301的上表面高度的1/2、且不大于所述第一导电种子层301的上表面高度的3/2。
88.为了保证基板1的透明区101和显示区102之间的段差较小，即透明区101和显示区102中分别承载遮光材料的膜层上表面高度差较小，才能有效避免黑色矩阵4在段差底部残留和在段差顶部变薄。本实施例使得透明区101和显示区102中分别承载遮光材料的膜层上表面高度差较小，甚至为0。
89.本实施例中，显示区102中承载遮光材料的膜层为第一导电种子层301，透明区101中承载遮光材料的膜层为导电生长层303，即牺牲层3。在基板1、牺牲层3和第一导电种子层301均进行平坦化的情况下，导电生长层303的上表面高度d1是指导电生长层303的上表面与基板1上表面之间的间距，第一导电种子层301的上表面高度d2是指第一导电种子层301的上表面与基板1上表面之间的间距，1/2*d2≤d1≤3/2*d2。从而减少了黑色矩阵4的残留和改善了变薄。
90.在一个可选的实施例中，导电生长层303的上表面高度d1与第一导电种子层301的上表面高度d2相等，d1＝d2。即导电生长层303的上表面与第一导电种子层301的上表面齐平，在制备黑色矩阵4的步骤中，遮光材料分别落于显示区102的第一导电种子层301上表面和透明区101的导电生长层303的上表面，显示区102与透明区101之间没有段差，黑色矩阵4也不会发生残留和变薄。
91.在本技术的一些实施例中，在所述发光器件层2和所述牺牲层3远离所述基板1的一侧制备遮光材料的步骤中包括：
92.去除所述挡墙304；
93.在所述第一导电种子层301和所述牺牲层3均远离所述基板1的一侧制备所述遮光材料。
94.在上述实施例的基础上，在导电生长层303制备完成后，为了避免遮光材料落于挡墙304上，形成新的段差，去除挡墙304。在第一导电种子层301和牺牲层3的上表面制备遮光材料。
95.与下述去除第一导电种子层301的实施例相比，在其他条件相同的情况下，本实施例中没有完全去除第一导电种子层301，减少了一道工序，节省了制造时间，提高了生产效率。
96.在本技术的一些实施例中，在所述基板1的透明区101制备所述导电生长层303，使得所述导电生长层303的上表面高度不小于所述发光器件层2的上表面高度的1/2、且不大于所述发光器件层2的上表面高度的3/2。
97.为了保证基板1的透明区101和显示区102之间的段差较小，即透明区101和显示区102中分别承载遮光材料的膜层上表面高度差较小，才能有效避免黑色矩阵4在段差底部残留和在段差顶部变薄。本实施例使得透明区101和显示区102中分别承载遮光材料的膜层上表面高度差较小，甚至为0。
98.在本技术的另一个实施例中，显示区102中承载遮光材料的膜层为发光器件层2，透明区101中承载遮光材料的膜层为导电生长层303，即牺牲层3。在基板1、牺牲层3和发光器件层2均进行平坦化的情况下，导电生长层303的上表面高度d3是指导电生长层303的上表面与基板1上表面之间的间距，发光器件层2的上表面高度d4是指发光器件层2的上表面与基板1上表面之间的间距，1/2*d4≤d3≤3/2*d4。从而减少了黑色矩阵4的残留和改善了变薄。
99.在一个可选的实施例中，导电生长层303的上表面高度d3与发光器件层2的上表面高度d4相等，d3＝d4。即导电生长层303的上表面与发光器件层2的上表面齐平，在制备黑色矩阵4的步骤中，遮光材料分别落于显示区102的发光器件层2上表面和透明区101的导电生长层303的上表面，显示区102与透明区101之间没有段差，黑色矩阵4也不会发生残留和变薄。
100.在本技术的一些实施例中，在所述发光器件层2和所述牺牲层3远离所述基板1的一侧制备遮光材料的步骤中包括：
101.去除所述挡墙304和所述第一导电种子层301；
102.在所述发光器件层2和所述牺牲层3均远离所述基板1的一侧制备所述遮光材料。
103.在上述实施例的基础上，在导电生长层303制备完成后，为了避免遮光材料落于挡
墙304和第一导电种子层301上，形成新的段差，去除挡墙304。在发光器件层2和牺牲层3的上表面制备遮光材料。
104.与上述保留至少部分第一导电种子层301的实施例相比，在其他条件相同的情况下，本实施例中去除第一导电种子层301，一方面，所需牺牲层3的高度d3变小，一定程度上节省了材料，降低了成本；另一方面，显示区102的膜层数量减少，整体高度也降低，有利于透明显示面板的轻薄化。
105.在本技术的一些实施例中，在所述第二导电种子层302远离所述基板1的一侧制备导电生长层303的步骤中包括：
106.在所述第二导电种子层302远离所述基板1的一侧制备金属层，所述金属层形成所述导电生长层303。
107.所述金属层包括铜、镍、金、钯镍、锡铅和银中的至少一种。
108.在一个具体的实施例中，金属铜层具有良好的导电、导热、延展性等优点，电镀材料采用金属铜，在导电种子层31表面涂覆或者浸泡电镀液，将导电种子层31接入阴极，电镀液接入阳极，在阴极和阳极之间通电。在电场作用下，导电种子层31与电镀液的接触面生长出导电生长层303。
109.在本技术的一些实施例中，在所述第一导电种子层301远离所述基板1的一侧制备挡墙304的步骤中包括：
110.在所述第一导电种子层301和所述第二导电种子层302均远离所述基板1的一侧涂覆正性光刻胶以形成挡墙304材料层；
111.将所述挡墙304材料层图案化，露出所述第二导电种子，得到位于所述第一导电种子层301远离所述基板1一侧的所述挡墙304。
112.在本技术的一些实施例中，在所述发光器件层2和所述牺牲层3均远离所述基板1的一侧制备遮光材料层的步骤中包括：
113.在所述发光器件层2和所述牺牲层3均远离所述基板1的一侧涂覆负性光刻胶以形成遮光材料层。
114.在本实施例中，挡墙304材料与遮光材料采用光学特性相反的光刻胶材料。
115.在一个实施例中，挡墙304的材料为负性光刻胶，黑色矩阵4为正性光刻胶。
116.在另一个实施例中，由于遮光材料同时制备于基板1的显示区102和透明区101，且透明区101的膜层高度小于等于显示区102的膜层高度，则透明区101的遮光材料厚度大于等于显示区102的膜层厚度。若遮光材料采用正性光刻胶，在后续制程中去除透明区101的遮光材料时，显影时间较长，不可避免地会剥离掉部分显示区102的遮光材料，存在黑色矩阵4厚度过薄的风险。
117.又由于遮光材料形成的黑色矩阵4会保留在透明显示面板中，且在后续使用中经常接触光线，为了防止黑色矩阵4的形貌、性质改变，无法采用正性光刻胶，本实施例黑色矩阵4采用负性光刻胶。
118.相应的，挡墙304采用正性光刻胶。
119.黑色矩阵4的材料包括铬、氧化铬或者黑色树酯。
120.黑色矩阵4位于部分所述发光器件层2远离基板1的一侧，即黑色矩阵4间隔排布于显示区102的部分区域，具体地，包括相邻子像素之间的过渡区域，但不可以直接遮挡发光
子像素，子像素位于相邻黑色矩阵4之间。
121.在本技术的一些实施例中，去除所述牺牲层3的步骤之后包括：
122.在所述基板1的一侧制备封装层6，所述封装层6包覆所述基板1的透明区101、所述发光器件层2和所述黑色矩阵4。
123.在去除牺牲层3的步骤之后、在制备封装层6的步骤之前，本实施例中还包括在显示区102中黑色矩阵4未覆盖的区域制备发光二极管5，具体地，包括小型发光二极管5(micro-led)或微型发光二极管5(mini-led)。
124.为了防止发光二极管5和发光器件层2会水氧侵蚀、性质改变，在基板1靠近发光器件层2的一侧制备封装层6，所述封装层6包覆所述基板1的透明区101、所述发光器件层2和所述黑色矩阵4。
125.本技术实施例提供了一种透明显示面板的制备方法的扩展方法，如图3和图4a-4g所示，图3为本技术另一个实施例中透明显示面板的制备方法的流程示意图；图4a-4g为本技术另一个实施例中透明显示面板的制备方法的分步示意图。制备方法，包括以下步骤：
126.s201、提供基板1，所述基板1具有显示区102和透明区101；
127.s202、在所述基板1的显示区102制备发光器件层2；
128.可选地，发光器件层2包括：从下到上依次层叠的缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间介质层、第一平坦层、第一钝化层、第二钝化层、第二平坦层。发光器件层2还包括：从下到上依次层叠的半导体层、第一栅极层、第二栅极层、数据层、源漏极层。
129.s203、去除所述基板1的透明区101的膜层；如图4a所示。
130.s204、在所述基板1的一侧制备导电种子层31，所述导电种子层31包括覆设于所述发光器件层2的第一导电种子层301和覆设于所述基板1的透明区101的第二导电种子层302；如图4b所示。
131.s205、在所述第一导电种子层301远离所述基板1的一侧制备挡墙304；如图4c所示。
132.s206、在所述第二导电种子层302远离所述基板1的一侧制备导电生长层303，所述第二导电种子层302与所述导电生长层303形成所述牺牲层3；如图4d所示。
133.s207、去除所述挡墙304；如图4e所示。
134.s208、在所述第一导电种子层301和所述牺牲层3均远离所述基板1的一侧制备所述遮光材料；
135.s209、图案化所述遮光材料层，形成黑色矩阵4，所述黑色矩阵4位于部分所述发光器件层2远离所述基板1的一侧；如图4f所示。
136.s210、去除所述牺牲层3。如图4g所示。
137.可选地，同时去除第一导电种子层301中未被黑色矩阵4覆盖的部分。
138.s211、在显示区102中黑色矩阵4未覆盖的区域制备发光二极管5；
139.s212、在基板1靠近发光器件层2的一侧制备封装层6，所述封装层6包覆所述基板1的透明区101、所述发光器件层2和所述黑色矩阵4。如图1所示。
140.本技术实施例提供了另一种透明显示面板的制备方法的扩展方法，如图5和图6a-6e所示，图5为本技术又一个实施例中透明显示面板的制备方法的流程示意图；图6a-6e为本技术又一个实施例中透明显示面板的制备方法的分步示意图。制备方法，包括以下步骤：
141.s301、提供基板1，所述基板1具有显示区102和透明区101；
142.s302、在所述基板1的显示区102制备发光器件层2；
143.可选地，发光器件层2包括：从下到上依次层叠的缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间介质层、第一平坦层、第一钝化层、第二钝化层、第二平坦层。发光器件层2还包括：从下到上依次层叠的半导体层、第一栅极层、第二栅极层、数据层、源漏极层。
144.s303、去除所述基板1的透明区101的膜层；
145.s304、在所述基板1的一侧制备导电种子层31，所述导电种子层31包括覆设于所述发光器件层2的第一导电种子层301和覆设于所述基板1的透明区101的第二导电种子层302；
146.s305、在所述第一导电种子层301远离所述基板1的一侧制备挡墙304；
147.s306、在所述第二导电种子层302远离所述基板1的一侧制备导电生长层303，所述第二导电种子层302与所述导电生长层303形成所述牺牲层3；
148.s307、去除所述挡墙304和所述第一导电种子层301；如图6a和6b所示。
149.s308、在所述发光器件层2和所述牺牲层3均远离所述基板1的一侧制备所述遮光材料；
150.s309、图案化所述遮光材料层，形成黑色矩阵4，所述黑色矩阵4位于部分所述发光器件层2远离所述基板1的一侧；如图6c所示。
151.s310、去除所述牺牲层3。如图6d所示。
152.s311、在显示区102中黑色矩阵4未覆盖的区域制备发光二极管5；
153.s312、在基板1靠近发光器件层2的一侧制备封装层6，所述封装层6包覆所述基板1的透明区101、所述发光器件层2和所述黑色矩阵4。如图6e所示。
154.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：通过通过将封装层直接覆设于基板的透明区，提高了透明区的透过率、降低了雾度，并在基板的透明区制备和去除牺牲层，使得在制备黑色矩阵的步骤中，透明区与显示区的段差变小或者齐平，从而避免了黑色矩阵在段差底部出现残留、在段差顶部厚度减薄等不良，提高了显示区的遮光能力，进而同时提高了透明显示面板的透光率和显示效果。
155.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
156.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
157.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
158.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
159.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
160.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
161.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。