用于漂移补偿的光刻装置和方法与流程

用于漂移补偿的光刻装置和方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年1月14日提交的美国临时专利申请号62/960,859的优先权，其全部内容通过引入并入本文。
技术领域
3.本发明涉及一种光刻装置和照射均匀性校正系统。本发明一般涉及光刻，更具体涉及一种用于补偿均匀性漂移的系统和方法，该均匀性漂移由(例如)照射射束移动、光学柱均匀性、均匀性补偿器漂移等引起。


背景技术：

4.光刻装置是将期望图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(ic)。在该情况下，图案形成装置(其可替代地称为掩模或掩模版)可以用于生成与ic的各个层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的一部分)上，该衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。一般而言，单个衬底包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次性曝光到目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描器，其中通过由给定方向(“扫描”方向)上的射束来扫描图案，同时平行或反平行于该方向同步扫描衬底，从而辐射每个目标部分。
5.光刻装置通常包括照射系统，该照射系统被布置为在辐射被入射到图案形成装置上之前调节由辐射源生成的辐射。照射系统可以例如修改辐射的一个或多个特性，诸如偏振和/或照射模式。该照射系统可以包括均匀性校正系统，该均匀性校正系统被布置为校正或减小辐射中存在的不均匀性，例如，强度不均匀性。均匀性校正设备可以采用插入到辐射射束的边缘的致动指状物，来校正强度变化。然而，可以被校正的强度变化的空间时段的宽度取决于致动设备的尺寸，该致动设备用于移动均匀性校正系统的指状物。更进一步地，在一些示例中，如果用于校正辐射射束的不规则性的指状物的尺寸或形状被修改，则均匀性校正系统可能以非想要方式损害或修改辐射射束的一个或多个特性，诸如由辐射射束形成的光瞳。
6.为了降低ic的制造成本，通常使每个ic的多个衬底曝光。同样，通常光刻装置几乎处于持续的使用中。也就是说，为了将所有类型的ic的制造成本保持在可能最小值，还使衬底曝光之间的空闲时间最小。因此，光刻装置吸收热量，该热量引起装置的部件膨胀，导致漂移、移动和均匀性改变。
7.为了确保图案形成装置和衬底上的良好成像质量，维持照射射束的受控均匀性。也就是说，在反射离开图案形成装置或透射穿过图案形成装置之前的、照射射束可能具有不均匀的强度分布。期望在整个光刻过程中，以至少一些均匀性来控制照射射束。均匀性可能是指跨越整个照射射束的恒定强度，而且还可能是指将照射控制到目标照射的能力。目标照射均匀性具有平坦或非平坦轮廓。图案形成装置将图案赋予辐射射束，然后将图案成
像到衬底上。该经投影的辐射射束的图像质量受照射射束的均匀性影响。
8.市场要求光刻装置尽可能有效地执行光刻过程，以使制造能力最大并且保持每个器件的低成本。这意味着将制造缺陷保持到最小，这就是为什么照射射束的均匀性的影响可以尽可能地最小化的原因。


技术实现要素：

9.在一个实施例中，提供了一种系统，所述系统包括：光刻装置，该光刻装置包括至少两个传感器，每个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；以及处理器，被配置为确定与照射有关的属性的漂移。处理器被配置为：基于由传感器中的一个传感器所测量的经测量的特性相对于另一传感器所测量的经测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。
10.在一个实施例中，提供了一种确定与光刻装置相关联的漂移校正的方法。该方法包括：经由至少两个传感器接收与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性的测量；基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移；以及基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。
11.更进一步地，在一个实施例中，提供了一种非暂态计算机可读介质，包括指令，这些指令在由一个或多个处理器执行时，引起本文中所讨论的方法的操作。
12.更进一步地，在一个实施例中，提供了一种光刻装置。装置包括：照射源和照射光学器件，该照射光学器件被配置为对衬底进行成像；以及至少两个传感器，该至少两个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；以及处理器，被配置为确定与照射有关的属性的漂移。处理器被配置为：基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移；并且基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。还提供了一种均匀性补偿器系统，包括位于照射区域的路径中的一个或多个位置处的一个或多个均匀性补偿器，以在一个或多个位置处截取照射区域的一个或多个对应部分。均匀性灵敏度模型基于照射区域的漂移或属性的漂移，来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
附图说明
13.现在，参考附图，仅通过示例对实施例进行描述，在这些附图中：
14.图1是根据实施例的示例性光刻投影装置的图；
15.图2是根据实施例的另一示例性光刻装置；
16.图3示出了根据实施例的关于照射射束狭缝的均匀性补偿器的示例；
17.图4图示了根据实施例的光刻装置(例如，图1和图2)的照射中的、两个传感器相对于彼此和相对于能量传感器的示例位置；
18.图5是根据实施例的用于确定与晶片或批次内的每个晶片的成像相关联的漂移校
正的方法的流程图；
19.图6是根据实施例的示例性计算机系统的框图；
20.图7是根据实施例的示例性极紫外(euv)光刻投影装置的图；
21.图8是根据实施例的图7中的示例性装置的更详细视图；以及
22.图9是根据实施例的图7和图8的装置的源收集器模块的更详细视图。
具体实施方式
23.图1描绘了根据本发明的实施例的可以与本文中所描述的技术结合使用的示例性光刻投影装置。该装置包括：
[0024]-照射系统il，用于调节辐射射束b。在该特定情况下，照射系统还包括辐射源so；
[0025]-第一对象台(例如，图案形成装置台)mt，设有图案形成装置保持器，以保持图案形成装置ma(例如，掩模版)，并且连接到第一定位器，以相对于物品ps准确定位图案形成装置；
[0026]-第二对象台(衬底台)wt，设有衬底保持器以保持衬底w(例如，涂覆有抗蚀剂的硅晶片)，并且连接到第二定位器以相对于物品ps准确定位衬底；
[0027]-投影系统(“透镜”)ps(例如，折射、反射或反折射光学系统)，用于将图案形成装置ma的被照射部分成像到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上。
[0028]
如本文中所描绘的，装置是透射型的(即，具有透射图案形成装置)。然而，一般而言，它也可以是反射型的，例如(具有反射图案形成装置)。该装置可以采用与传统掩模不同类型的图案形成装置；示例包括可编程反射镜阵列或lcd矩阵。
[0029]
源so(例如，汞灯或准分子激光器、lpp(激光产生的等离子体)euv源)产生辐射射束。该射束要么直接馈送到照射系统(照射器)il中、要么在横穿调节装置(诸如例如，扩束器ex)之后馈送到照射系统(照射器)il中。照射器il可以包括调节装置ad，用于设置射束中的强度分布的外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，它通常包括各种其他部件，诸如积分器in和聚光器co。这样，照射到图案形成装置ma上的射束b在其横截面上具有期望均匀性和强度分布。
[0030]
关于图1应当指出，源so可以是光刻投影装置的整体部分，例如，在光刻投影装置的外壳内(例如，当源so是汞灯时，通常是这种情况)，但是它也可以远离光刻投影装置，源so产生的辐射射束被引导到装置中(例如，借助于合适的引导反射镜)；后一种场景通常是当源so是准分子激光器(例如，基于krf、arf或f2激光)时的情况。
[0031]
射束pb随后拦截保持在图案形成装置台mt上的图案形成装置ma。在横穿图案形成装置ma之后，射束b穿过透镜pl，该透镜pl将射束b聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位装置(和干涉测量装置if)，可以准确移动衬底台wt，例如，以便将不同的目标部分c定位在射束pb的路径中。同样，第一定位装置可以用于相对于射束b的路径准确定位图案形成装置ma，例如，在从图案形成装置库中机械取回图案形成装置ma之后，或在扫描期间。一般而言，将借助于未在图1中明确描绘的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现对象台mt、wt的移动。然而，在步进机(与步进扫描工具相反)的情况下，图案形成装置台mt可以仅连接到短行程致动器，或可以固定。
[0032]
照射系统il可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型光学部件、反射型光学部
件、磁性型光学部件、电磁型光学部件、静电型光学部件或其他类型的光学部件，或它们的任何组合，用于引导、成形或控制辐射b。照射系统il还可以包括提供能量(每脉冲)测量的能量传感器es、用于测量射束的移动的测量传感器、以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器uc。
[0033]
所描绘的工具可以在两个不同模式下使用：
[0034]-在步进模式下，图案形成装置台mt基本保持静止，并且整个图案形成装置图像一次性(即，单次“闪光”)投影到目标部分c上。然后，沿x方向和/或y方向移动衬底台wt，使得可以通过射束pb照射不同的目标部分c；
[0035]-在扫描模式下，除了给定目标部分c不在单次“闪光”中曝光之外，基本应用同一场景。相反，图案形成装置台mt可以沿给定方向(所谓的“扫描方向”，例如，y方向)以速度v移动，以使使得投影射束b在图案形成装置图像上扫描；同时，衬底台wt以速度v＝mv沿相同方向或相反方向同时移动，其中m是透镜pl的放大率(通常，m＝1/4或1/5)。这样，可以曝光相对较大的目标部分c，而不必损害分辨率。
[0036]-在另一模式下，保持掩模台mt基本静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台wt，同时赋予到辐射射束的图案投影到目标部分c上。在这种模式下，通常采用脉冲辐射源，并且在每次移动衬底台wt之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图案形成装置的无掩模光刻，诸如上述类型的可编程反射镜阵列。
[0037]
还可以采用上述使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。
[0038]
图2描绘了根据本发明的实施例的光刻装置。在所示的示例中，光刻装置可以包括源so、照射系统il、被配置为保持图案形成装置ma的支撑结构(未示出)、投影系统pl、衬底台wt、校正模块170、一个或多个测量设备190、以及位于衬底台wt上的衬底w。
[0039]
在一个示例中，照射系统il可以包括准直器10、场限定元件12、场透镜组14、均匀性校正系统16、掩模版遮蔽片18和聚光透镜20。照射系统il还可以包括提供能量(每脉冲)测量的能量传感器es、用于测量射束的移动的测量传感器、以及允许控制照射狭缝均匀性的均匀性补偿器uc。在一个实施例中，照射系统il包括照射均匀性校正模块(unicom)。来自传感器(例如，掩模版水平处的es)的信号用于控制unicom模块以修整照射狭缝，从而补偿照射中的不均匀性。
[0040]
在一个示例中，准直器10可以用于准直由源so生成的辐射射束(该射束由虚线示意性地表示)。场限定元件12可以将辐射射束形成为将被投影到衬底w上的场形状。场限定元件可以例如包括两个凸透镜阵列，第二阵列放置在第一阵列的焦平面中。
[0041]
在一个示例中，场透镜组14可以将辐射射束聚焦到场平面fp1上。在该示例中，包括可以沿光刻装置的扫描方向移动的一对片的遮蔽片18位于场平面fp1中。
[0042]
在一个示例中，在给定目标区域的曝光期间，遮蔽片18可以用于确保辐射不会入射到沿y和/或x方向与给定目标区域相邻的目标区域上。遮蔽片18位于场平面fp1中，使得由遮蔽片18提供的遮蔽可以准确平移(并且具有锐边)到图案形成装置ma上。
[0043]
在一个示例中，均匀性校正系统16位于辐射射束路径中的掩蔽片18之前，以使辐射射束可以在辐射射束入射到遮蔽片18上之前穿过均匀性校正系统。因此，均匀性校正系统16不是位于场平面fp1中，而是从场平面fp1移位。均匀性校正系统16可以在空间上控制
辐射射束的强度，即，均匀性校正系统16可以在空间上控制将被投影到衬底w上的场形状中的辐射的强度。在一个实施例中，均匀性校正系统16包括至少一个重叠指状物阵列、和/或至少一个非重叠指状物阵列，它们可以移动以与入射在指状物上的辐射射束相交和不相交，以便选择性地校正辐射射束的部分的强度。应当领会，尽管在每个组中示出了七个指状物，但是可以使用任何数目的指状物。术语“指状物组”、“指状物组”或“组”在本技术中可以互换使用。
[0044]
在一个示例中，在穿过遮蔽片18之后，辐射射束入射到聚光透镜20上。聚光透镜20可以将辐射聚焦到另一场平面fp2上。位于场平面fp2中的图案形成装置ma可以将图案施加到辐射射束。
[0045]
在一个示例中，经图案化的辐射射束穿过投影系统pl并且到达衬底w上。衬底w位于另一场平面fp3中。所投影的图案射束将图案转移到衬底上。
[0046]
在一个示例中，校正模块170可以确定对校正系统16的变量的调整，使得满足期望均匀性规格。校正模块170可以基于所确定的调整来确定一个或多个校正参数175，并且将这些参数传达到校正系统16。校正参数控制校正系统16内的可调变量。校正模块170还可以接收从位于图案形成装置ma的场平面fp3或场平面fp2处的一个或多个均匀性测量设备190收集的照射场数据185。
[0047]
通过根据校正参数操纵校正系统16的可调变量，可以改变照射射束的特点。更具体地，校正参数可以提供关于如何调整校正系统16的变量，以实现期望均匀性分布(例如，对光刻工艺有利的最平坦均匀性或形状)的细节。例如，校正参数可以描述一个或多个指状物组(例如，图3中的多个均匀性补偿器1120)中的哪些指状物需要被移动、以及它们需要移动到与入射辐射射束相交或不相交的距离，以便选择性地校正入射到均匀性校正系统16上的辐射射束的部分的强度。
[0048]
在一个示例中，校正模块170可以包括一个或多个处理器172和存储器174。一个或多个处理器172可以执行使得均匀性校正系统16调整变量，以实现辐射射束的期望均匀性准则的软件。存储器174可以包括主存储器(例如，随机存取存储器(ram))。在一个实施例中，存储器174还包括辅助存储器。辅助存储器可以包括例如硬盘驱动器和/或可移除存储驱动器。计算机程序可以存储在存储器174中。这样的计算机程序在被执行时可以允许校正模块170中的处理器172执行如本文中所讨论的本发明的实施例的特征。在使用软件实现用于调整均匀性校正系统16的元件的方法的实施例中，软件可以存储在计算机程序产品中，并且使用可移除存储设备、硬盘驱动器或通信接口加载到校正模块170中。可替代地，计算机程序产品可以经由通信路径下载到校正模块170。另外，在一个实施例中，校正模块170耦合到一个或多个远程处理器。校正模块170然后可以远程接收指令和/或操作参数。
[0049]
图3图示了根据本发明的实施例的均匀性刷新(ur)校正系统1100的机械部分。在图3中，均匀性刷新(ur)校正系统1100包括能量传感器(es)1110、和多个均匀性补偿器1120。ur校正系统1100可以在光刻操作期间修改照射射束。在本发明的至少一个实施例中，照射射束被成形为弧形、并且被称为照射狭缝1130。通过控制各个均匀性补偿器1120进出照射狭缝1130的移动，可以控制照射狭缝1130的均匀性。均匀性补偿器1120还可以称为指状物。均匀性补偿器的示例操作可以在共同拥有的共同未决的美国专利号8,629,973中找到，其全部内容通过引用并入本文。
[0050]
在一个示例中，图3所示的指状物可以被单独控制以修改照射狭缝的强度，以便实现目标均匀性。
[0051]
在美国专利号8,629,973中讨论了控制照射狭缝轮廓的示例方法，其全部内容通过引用并入本文。在一个实施例中，均匀性校正基于第一输入集合，该第一输入集合可以与表示指状物在其中心位置处的目标平坦轮廓、和指状物在其中心位置处的均匀性测量值的曲线有关。第二输入集合可以与表示指状物插入照射射束的每个插入位置的衰减量、和当前指状物位置的值、以及对应衰减值的曲线有关。在一个示例中，均匀性刷新校正系统方法在每批衬底的开始处开始。在一个步骤中，测量照射狭缝均匀性(例如，通过狭缝积分强度、或通过使用沿着狭缝的离散强度样本的狭缝扫描平均)。均匀性刷新(ur)校正系统基于跨越狭缝的平坦强度分布来计算均匀性补偿器(例如，指状物)位置。可选地，均匀性刷新(ur)校正系统基于非平坦(又名或doma)强度分布来计算均匀性补偿器(例如，指状物)位置。关于实施例的示例可以在于2009年5月12日授权的美国专利号7,532,308中找到，其全部内容通过引用并入本文。
[0052]
在美国专利号6,097,474中讨论了动态调整照射场、以提供期望曝光来控制和减小线宽变化的装置和方法的另一示例，其全部内容通过引用并入本文。该专利描述了耦合到所述驱动器控制的曝光量计算器，所述曝光量计算器向所述驱动器控制提供驱动信号，该驱动信号控制所述多个可调指状物(或连杆)中的每个可调指状物(或连杆)移入和移出照射区域的移动，以便提供预定经调整曝光剂量。例如，当期望对多种不同的线宽进行成像时，曝光剂量根据线宽而变化。优选曝光剂量可以基于现有技术来计算，并且可以考虑诸如抗蚀剂的类型、衬底材料、照射能量、照射波长、扫描速度等之类的变量。
[0053]
批次内照射系统的热负荷导致剂量漂移。在现有技术中，能够接受剂量漂移的幅度和结果成像产率。对于未来更高的功率，例如，具有大于或等于400w并且甚至大于或等于1kw的光刻装置，其可能使热负载增加大约两倍以上。这种更高的功率导致更大的剂量漂移，这降低了成像产率。
[0054]
现有技术包括单个二极管能量传感器，其用于通过测量照射狭缝两侧的强度来关闭照射源的能量回路。该单个能量传感器测量全狭缝强度(每脉冲)。在本发明中，包括附加传感器(例如，图4中的传感器401和402)以测量例如针对每晶片的照射狭缝的y位置。来自附加传感器的测量提供输入，以在卡盘交换期间每晶片的unicom指状物调整校正的对应剂量漂移。
[0055]
本发明提出了使用多琢面能量传感器(例如，401和402)来测量批次期间的狭缝位置漂移，从而使得能够经由unicom在批次内进行剂量漂移校正，而无需限制每晶片的ur的吞吐量。
[0056]
本发明提供了若干优点，包括批次期间剂量漂移的改善。例如，在现有技术中，对于大于(或等于)500w的功率，由于照射器内部的热效应而导致的批次内的剂量漂移可能显著超出规格(～2x)，这将导致批次期间的成像损失。因此，减小例如在批次内的一个或多个(或每个)晶片的成像期间剂量漂移，可以提高成像性能。
[0057]
在一个实施例中，从批次开始的时刻(因此在均匀性刷新或狭缝积分能量(slie)测量期间)，通过使用多琢面能量传感器连续测量照射狭缝位置，可以针对每个晶片使用unicom校正来校正批次期间(或如果需要，则甚至更频繁)的剂量漂移。当下一批次默认开
始时，完成新ur，并且使用多琢面es的批次内的校正循环可以再次开始。
[0058]
在本发明的实施例中，光刻装置包括能量传感器，该能量传感器由例如被配置为测量每个晶片的狭缝的y位置的两个琢面组成。例如，可以在unicom刷新或批次开始期间测量或确定两个琢面的初始比例。进一步地，可以在批次期间(例如，在15分钟间隔内)跟踪初始比例的任何改变，以测量狭缝位置的漂移。基于狭缝漂移和现有unicom灵敏度，可以通过对每个晶片应用unicom校正来对对应剂量漂移进行校正。主要优点在于：这可以在实际上不必对每个晶片执行附加均匀性刷新的情况下完成。在一个实施例中，这种传感器还可以使用es/(401的测量 402的测量)的比例，来确定x中的狭缝位置漂移。如果需要，则这可以用于均匀性校正。
[0059]
图4图示了两个传感器相对于彼此和相对于光刻装置的照射中的能量传感器的示例位置(例如，图1和图2)。这两个传感器是被配置为确定光刻装置(例如，duv、euv等)的狭缝漂移的多琢面能量传感器的示例。根据实施例，传感器401和402可以被配置为测量照射区域(例如，照射狭缝)(表示为虚线椭圆)的特性，并且特性的比例可以用于确定照射区域的漂移。例如，如所示出的，由于图案形成过程期间的剂量漂移，所以照射狭缝可以在批次内的每个晶片的位置p1、p2和rp之间漂移。在一个实施例中，所测量的特性可以是照射区域的一部分的强度。跟踪所测量的特性的比例，以确定例如照射狭缝的位置相对于参考位置rp的漂移。
[0060]
如图4所示，在照射区域(例如，照射狭缝)的位置rp处，传感器401检测照射狭缝的一部分的强度，而传感器402检测同一照射狭缝的另一部分的强度。所检测的强度的比例可以例如是100。随着图案形成过程的进行，狭缝可能漂移到位置p1。在位置p1处，由传感器401和402测量的强度的比例将改变。例如，该比例可以是900。然后，可以比较位置p1和rp处的比例以确定照射狭缝的漂移(例如，y1)。例如，比例的变化100(即，1000-900)可以指示照射狭缝的漂移y1 nm(例如，2nm)。在另一示例中，狭缝可以漂移到位置p2。在位置p2处，由传感器401和402测量的强度的比例将改变。例如，该比例可以是1100。然后，可以比较位置p2和rp处的比例，以确定照射狭缝的漂移(例如，y2)。例如，比例的变化-100(即，1000-1100)可以指示照射狭缝的漂移y2 nm(例如，-2nm)。
[0061]
在一个实施例中，可以通过实验或测试晶片来建立：照射狭缝的漂移、和由两个传感器测量的特性的比例之间的关系。然后，可以在图案形成过程期间使用这种关系，以基于特性比例来确定照射狭缝的漂移。进一步地，基于照射狭缝的漂移，可以使用照射狭缝的漂移与剂量漂移之间的现有关系来确定剂量漂移。同样，可以基于照射狭缝的漂移来确定与源或光瞳有关的其他属性的漂移。
[0062]
应当理解，本系统或方法不限于两个传感器(例如，401和402)。本领域的普通技术人员可以修改该系统以包括彼此相邻并围绕照射狭缝放置的三个、四个或更多个传感器。传感器的这种定位生成多琢面传感器，其中每个传感器可以检测照射的一部分，并且可以获取和跟踪不同测量之间的比例以确定照射狭缝的漂移，例如，狭缝位置相对于初始位置或参考位置的漂移。照射狭缝的漂移可能由于剂量漂移或光瞳漂移(例如，光瞳形状的改变)引起。因此，可以对源或光瞳应用适当校正，从而减小剂量漂移或光瞳漂移，这又将减小照射狭缝的漂移。这些剂量或光瞳校正可以改善光刻装置的成像性能而不影响图案形成过程的产率。
[0063]
在将传感器401和402描述为“处于掩模版水平”或“在图案形成装置附近”时，不希望接近图案形成装置的固定阈值。然而，传感器的目的是检测在照射模块il的照射调节光学器件中、尚未被校正的照射狭缝中的偏移。传感器可以位于unicom与图案形成装置之间。在一个实施例中，传感器可以被布置为检测由图案形成装置的周边部分反射的辐射。
[0064]
在一个实施例中，本发明描述了一种系统，该系统包括光刻装置、和被配置为确定与光刻装置相关联的漂移校正的处理器。该系统包括光刻装置(例如，图2)，该光刻装置具有至少两个传感器(例如，图4中的401和402)，被配置为测量与被设置为用于对晶片进行成像的照射狭缝有关的特性；和处理器(例如，图1的处理器104或作为传感器401和402的一部分的处理器)，被配置为确定照射狭缝的漂移、属性的漂移(例如，剂量漂移)和与属性的漂移有关的校正。在一个实施例中，所测量的特性是分别由至少两个传感器中的第一传感器(例如，401)和第二传感器(例如，401)测量的照射强度值。
[0065]
在一个实施例中，至少两个传感器包括位于照射狭缝的第一位置(例如，左侧上的1110处)的第一传感器401、和位于照射狭缝的第二位置(例如，左侧上的1110处)的第二传感器402。在一个实施例中，待校正的属性是光刻装置的剂量和/或光瞳(例如，图1、图2和图7)。因此，属性的漂移可以是相对于标称剂量的剂量漂移、和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移。因此，漂移校正可以是剂量漂移校正、或光瞳漂移校正。
[0066]
本领域普通技术人员应当理解，系统(例如，图2)不限于处理器或传感器401和402的位置。例如，传感器可以位于沿着照射狭缝的不同位置处。在一个实施例中，传感器可以位于掩模版台之前。在另一示例中，可以在掩模版台之后放置附加传感器。
[0067]
在一个实施例中，处理器被配置为：基于所测量的特性的比例来确定照射狭缝的照射狭缝相对于照射狭缝的参考位置的漂移；基于照射狭缝的漂移来确定由至少两个传感器所测量的、与照射区域上游的照射有关的属性的漂移。例如，这些属性与用于对晶片进行成像的光刻的照射源和/或光瞳有关。例如，在图1、图2、图7和图8中，能量传感器es和均匀性补偿器uc可以被认为是上游的，并且这些属性与例如es上游的照射源和/或光瞳有关。进一步地，处理器基于属性的漂移来确定漂移校正，其要被应用于照射源或光瞳以补偿属性的漂移。在一个实施例中，属性的漂移由照射光学器件收集器污染和照射源的功率量中的一个或两个引起。
[0068]
在一个实施例中，参考位置是在批次中的晶片的成像开始时测量的狭缝位置。在一个实施例中，参考位置在狭缝的中心。
[0069]
在一个实施例中，使用均匀性补偿器系统(例如，图3中所示)来确定漂移校正。在一个实施例中，第一传感器位于均匀性补偿器系统的第一端，而第二传感器位于均匀性补偿器系统的第二端。在一个实施例中，均匀性补偿器系统在照射狭缝的路径中的一个或多个位置处包括一个或多个均匀性补偿器，以在一个或多个位置处截取照射狭缝的一个或多个对应部分。在一个实施例中，一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明指状物构件。
[0070]
更进一步地，均匀性灵敏度模型基于照射狭缝的漂移或属性的漂移来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。在一个实施例中，属性的漂移由照射光学器件收集器污染和照射源的功率量中的一者或两者引起。在一个实施例中，通过基于照射狭缝的漂移与属性的漂移之间的相关性将照射狭缝的漂移转换为属性的漂移来确定属
性的漂移。
[0071]
在一个实施例中，针对批次内的每个晶片确定漂移校正。因此，可以针对例如可能导致照射狭缝漂移的剂量漂移来校正批次内的每个晶片。该校正导致批次的成像性能改善。这与典型的均匀性刷新过程不同，在该典型的均匀性刷新过程中，在每个批次的开始时执行漂移校正。
[0072]
图5是确定与用于对批次的晶片进行成像的光刻装置相关联的漂移校正的方法500的流程图。方法500包括：在过程p501处，经由至少两个传感器401和402接收与设置用于对批次内的晶片进行成像的照射狭缝有关的特性的测量结果。在一个实施例中，至少两个传感器包括位于照射狭缝的第一位置处的第一传感器和位于照射狭缝的第二位置处的第二传感器。参考图4对传感器401和402的示例位置进行讨论。在一个实施例中，所测量的特性是分别由至少两个传感器中的第一传感器和第二传感器测量的照射强度值。
[0073]
在过程p503处，该方法包括：基于所测量的特性的比例501来确定照射狭缝相对于照射狭缝的参考位置(例如，图4中的rp)的漂移503(也称为照射狭缝的漂移503)。在一个实施例中，参考位置(例如，图4中的rp)是在批次中的第一晶片的成像开始时测量的狭缝位置。在一个示例中，参考位置在狭缝的中心。参照图4对确定照射狭缝的漂移的示例进行讨论。例如，可以通过跟踪比例501相对于在批次的第一晶片处确定的参考比例的改变来确定照射狭缝503的漂移。
[0074]
在过程p505处，该方法包括：基于照射狭缝503的漂移来确定与照射源或用于对晶片进行成像的光瞳有关的属性的漂移505。在一个实施例中，通过基于照射狭缝503的漂移和属性的漂移505之间的相关性来将照射狭缝503的漂移转换成属性的漂移505，从而确定属性的漂移505。在一个实施例中，可以基于测试晶片来建立相关性，或可以采用例如照射狭缝的漂移与剂量漂移之间的现有相关性。例如，照射狭缝503的漂移可以用于基于照射狭缝的漂移与剂量漂移之间的现有关系来确定剂量漂移505。
[0075]
在过程p507处，该方法包括：基于属性的漂移505来确定漂移校正507，该偏移校正507要被应用于照射源或光瞳以补偿属性的漂移505。在一个实施例中，针对批次内的每个晶片，确定漂移校正507。因此，可以针对例如可能导致照射狭缝漂移的剂量漂移来校正批次内的每个晶片。该校正导致批次的成像性能改善。这与典型的均匀性刷新过程不同，在该典型的均匀性刷新过程中，在每个批次的开始时执行漂移校正。
[0076]
在一个实施例中，属性可以是用于对晶片进行成像的光刻装置的剂量和/或光瞳。因此，属性的漂移505可以是相对于标称剂量的剂量漂移、和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移。漂移校正507可以是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0077]
在一个实施例中，确定要应用于照射源或照射光瞳的校正507包括：使用属性的漂移505来执行均匀性灵敏度模型(例如，在图2中的均匀性校正系统的unicom模块中实现)，以确定对一个或多个均匀性补偿器的调整。均匀性灵敏度模型基于照射狭缝503的漂移或属性的漂移505来确定对一个或多个均匀性补偿器(例如，1120)的调整量，以校正属性的漂移。在一个实施例中，用于属性的漂移的漂移校正包括将一个或多个均匀性补偿器定位在照射狭缝的路径中的一个或多个位置中，以截取一个或多个位置中的照射狭缝的一个或多个对应部分。如之前所提及的，一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明指状物构件。此外，如之前所讨论的，第一传感器可以位于均匀性补偿器的第一端，而第二传感器可
以位于均匀性补偿器的第二端。
[0078]
在一个实施例中，提供了一种光刻装置(例如，如图1、图2和图7所示)。根据本发明，光刻装置(例如，图1、图2和图7所示)包括照射源、和被配置为对晶片进行成像的照射光学器件；以及至少两个传感器，被配置为测量与被设置为用于对晶片进行成像的照射狭缝有关的特性；处理器，被配置为确定照射狭缝的漂移、光刻装置的属性(例如，剂量或光瞳)的漂移。例如，处理器被配置为：基于所述测量的特性的比例来确定照射狭缝的照射狭缝相对于照射狭缝的参考位置的漂移；基于照射狭缝的漂移来确定与照射源或用于对晶片进行成像的照射光瞳有关的属性的漂移；以及基于属性的漂移来确定要应用于照射源或照射光瞳以补偿属性的漂移的漂移校正。
[0079]
更进一步地，光刻装置包括均匀性补偿器系统(例如，图3所示)。均匀性补偿器系统包括在照射狭缝的路径中的一个或多个位置中的一个或多个均匀性补偿器，以在一个或多个位置中截取照射狭缝的一个或多个对应部分。均匀性灵敏度模型基于照射狭缝的漂移或属性的漂移来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
[0080]
在一个实施例中，针对在光刻装置中处理的批次内的每个晶片，确定漂移校正并且应用该偏移校正。在一个实施例中，至少两个传感器包括位于照射狭缝的第一位置处的第一传感器和位于照射狭缝的第二位置处的第二传感器。在一个实施例中，第一传感器位于均匀性补偿器系统的第一端，而第二传感器位于均匀性补偿器系统的第二端。在一个实施例中，至少两个传感器位于测量照射狭缝的强度的能量传感器附近。
[0081]
在一个实施例中，属性可以是光刻装置的剂量和/或光瞳。因此，属性的漂移可以是相对于标称剂量的剂量漂移、和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移，并且漂移校正可以是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0082]
在一个实施例中，本文中所讨论的方法可以作为计算机程序产品或其上记录有指令的非暂态计算机可读介质来提供，这些指令在由计算机执行时，实现上文所讨论的方法500的操作。
[0083]
例如，图6中的示例计算机系统100包括非暂态计算机可读介质(例如，存储器)，该非暂态计算机可读介质包括指令，这些指令在由一个或多个处理器(例如，104)执行时，使得计算机：经由至少两个传感器接收与被设置为用于对晶片进行成像的照射狭缝有关的特性的测量结果；基于所测量的特性的比例来确定照射狭缝相对于照射狭缝的参考位置的漂移；基于照射狭缝的漂移来确定与由至少两个传感器所测量的照射区域上游的照射有关的属性的漂移。例如，这些属性与用于对晶片进行成像的照射源或光瞳有关。进一步地，处理器基于属性的漂移来确定要应用于照射源或光瞳，以补偿属性的漂移的漂移校正。在一个实施例中，至少两个传感器包括位于照射狭缝的第一位置处的第一传感器和位于照射狭缝的第二位置处的第二传感器。
[0084]
在一个实施例中，所测量的特性是分别由至少两个传感器中的第一传感器和第二传感器测量的照射强度值。
[0085]
在一个实施例中，参考位置是在批次中的晶片的成像开始时测量的狭缝位置。在一个实施例中，参考位置在照射狭缝的中心。
[0086]
在实施例中，属性是剂量和/或光瞳。因此，属性的漂移是相对于标称剂量的剂量漂移、和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移，并且漂移校正是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0087]
在一个实施例中，非暂态计算机可读介质确定批次内每个晶片的漂移校正。
[0088]
在一个实施例中，非暂态计算机可读介质通过基于照射狭缝的漂移与属性的漂移之间的相关性来将照射狭缝的漂移转换为属性的漂移，而确定属性的漂移。
[0089]
在一个实施例中，非暂态计算机可读介质通过以下方式确定要应用于照射源或照射光瞳的校正：使用属性的漂移来执行均匀性灵敏度模型以确定对均匀性补偿器的调整。均匀性灵敏度模型基于照射狭缝的漂移或属性的漂移来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
[0090]
在一个实施例中，非暂态计算机可读介质确定将一个或多个均匀性补偿器定位在照射狭缝的路径中的一个或多个位置中，以在一个或多个位置中截取照射狭缝的一个或多个对应部分。在一个实施例中，一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明指状物构件。
[0091]
在一个实施例中，第一传感器位于均匀性补偿器的第一端，而第二传感器位于均匀性补偿器的第二端。
[0092]
图6是图示了根据本发明的实施例的被配置为帮助实现本文中所公开的方法和流程的示例性计算机系统100的框图。计算机系统100包括用于传达信息的总线102或其他通信机制、以及与总线102耦合用于处理信息的处理器104(或多个处理器104和105)。计算机系统100还包括主存储器106，诸如随机存取存储器(ram)或其他动态存储设备，耦合到总线102用于存储信息和要由处理器104执行的指令。主存储器106还可以用于在要由处理器104执行的指令的执行期间存储临时变量或其他中间信息。计算机系统100还包括只读存储器(rom)108或其他静态存储设备，耦合到总线102用于存储处理器104的静态信息和指令。提供诸如磁盘或光盘之类的存储设备110，并且将其耦合到总线102，用于存储信息和指令。
[0093]
计算机系统100可以经由总线102耦合到显示器112，诸如阴极射线管(crt)或平板或触摸面板显示器，用于向计算机用户显示信息。包括字母数字键和其他键在内的输入设备114耦合到总线102，用于向处理器104传达信息和命令选择。另一类型的用户输入设备是光标控制器116，诸如鼠标、跟踪球或光标方向键，用于向处理器104传达方向信息和命令选择以及用于控制显示器112上的光标移动。该输入设备通常在两个轴(第一轴(例如，x)和第二轴(例如，y))上具有两个自由度，这允许设备指定平面中的位置。触摸面板(屏幕)显示器还可以用作输入设备。
[0094]
根据一个实施例，响应于处理器104执行包含在主存储器106中的一个或多个指令的一个或多个序列，计算机系统100可以执行过程的各部分。这样的指令可以从诸如存储设备110之类的另一计算机可读介质读入主存储器106。包含在主存储器106中的指令序列的执行使得处理器104执行本文中所描述的处理步骤。多处理布置中的一个或多个处理器还可以用于执行主存储器106中包含的指令序列。在一个备选实施例中，硬连线电路系统可以代替软件指令或与软件指令组合使用。因此，本文中的描述不限于硬件电路系统和软件的任何特定组合。
[0095]
本文中所使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器104提供指令以供执行的任何介质。这种介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如存储设备110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括构成总线102的导线。传输介
质还可以采取声波或光波的形式，诸如在射频(rf)和红外(ir)数据通信期间生成的声波或光波。常见形式的计算机可读介质包括例如软盘、柔性盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、cd-rom、dvd、任何其他光学介质、穿孔卡片、纸带、具有孔图案的任何其他物理介质、ram、prom和eprom、flash-eprom、任何其他存储器芯片或盒、如下文所描述的载波、或计算机可以从其读取的任何其他介质。
[0096]
各种形式的计算机可读介质可以涉及将一个或多个指令的一个或多个序列携带到处理器104以供执行。例如，指令最初可以承载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统100本地的调制解调器可以接收电话线上的数据，并且使用红外发射器将数据转换为红外信号。耦合到总线102的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据并且将该数据置于总线102上。总线102将数据传送到主存储器106，处理器104从主存储器106检索并执行指令。由主存储器106接收的指令可以可选地在由处理器104执行之前或之后存储在存储设备110上。
[0097]
计算机系统100还期望包括耦合到总线102的通信接口118。通信接口118提供耦合到连接到本地网络122的网络链路120的双向数据通信。例如，通信接口118可以是综合业务数字网(isdn)卡或调制解调器，以提供与对应类型电话线的数据通信连接。作为另一示例，通信接口118可以是局域网(lan)卡，以提供与兼容lan的数据通信连接。还可以实现无线链路。在任何这样的实现方式中，通信接口118发送并接收携带表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。
[0098]
网络链路120通常通过一个或多个网络向其他数据设备提供数据通信。例如，网络链路120可以通过本地网络122向主计算机124或由因特网服务提供商(isp)126操作的数据设备提供连接。isp 126又通过现在通常称为“因特网”128的全球分组数据通信网络提供数据通信服务。本地网络122和因特网128都使用承载数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。通过各种网络的信号和网络链路120上的信号以及通过通信接口118的信号(其携带去往和来自计算机系统100的数字数据)是传送信息的载波的示例形式。
[0099]
计算机系统100可以通过一个或多个网络、网络链路120和通信接口118发送消息和接收数据，包括程序代码。在因特网示例中，服务器130可以通过因特网128、isp 126、本地网络122和通信接口118传输应用程序的请求代码。例如，一个这样下载的应用可以提供实施例的照射优化。所接收的代码可以在其被接收时由处理器104执行和/或被存储在存储设备110或其他非易失性存储器中以供以后执行。这样，计算机系统100可以获得载波形式的应用代码。
[0100]
图7描绘了根据本发明的实施例的另一示例性光刻投影装置1000。装置1000包括：
[0101]-源收集器模块so，用于提供辐射。
[0102]-照射系统(照射器)il，被配置为调节来自源收集器模块so的辐射射束b(例如，uv辐射)；
[0103]-支撑结构(例如，掩模台)mt，被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模或掩模版)ma并且连接到第一定位器pm，该第一定位器pm被配置为精确定位图案形成装置；
[0104]-衬底台(例如，晶片台)wt，被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)w并且连接到第二定位器pw，该第二定位器pw被配置为精确定位衬底；以及
[0105]-投影系统(例如，折射投影透镜系统)ps，被配置为将通过图案形成装置ma赋予辐射射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如，包括一个或多个管芯)上。
[0106]
如本文中所描绘的，装置1000为反射型(例如，采用反射掩模)。应当指出，因为大多数材料在euv波长范围内具有吸收性，所以图案形成装置可以具有包括例如钼和硅的多层堆叠的多层反射器。在一个示例中，多叠层反射器具有40层的钼和硅对，其中每层的厚度是四分之一波长。使用x射线光刻可以产生甚至更小的波长。由于大多数材料在euv和x射线波长下具有吸收性，所以图案形成装置形貌上的经图案化的吸收材料的薄片(例如，多层反射器的顶部上的tan吸收体)界定特征可能印刷(正性抗蚀剂)或不印刷(负性抗蚀剂)的位置。
[0107]
参考图7，照射器il从源收集器模块s接收极紫外辐射射束。产生euv辐射的方法包括但不必限于在euv范围内的一个或多个发射线将材料转换成具有至少一种元素(例如，氙、锂或锡)的等离子体状态。在一种这样的方法中，通常称为激光产生的等离子体(“lpp”)的等离子体可以通过使用激光射束照射燃料，诸如具有线发射元件的材料的液滴、流或簇来产生。源收集器模块so可以是包括激光器(图7中未示出)的euv辐射系统的一部分，该激光器用于提供激发燃料的激光射束。所得等离子体发射输出辐射，例如，euv辐射，该输出辐射使用设置在源收集器模块中的辐射收集器来收集。激光器和源收集器模块可以是分开的实体，例如，当使用co2激光器来提供用于燃料激发的激光射束时。
[0108]
在这种情况下，不认为激光器形成光刻装置的一部分，并且辐射射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的射束传递系统，而从激光器被传递到源收集器模块。在其他情况下，辐射源可以是源收集器模块的整体部分，例如，当辐射源是通常称为dpp辐射源的放电产生的等离子体euv生成器时。
[0109]
照射器il可以包括调整器，该调整器被配置为调整辐射射束的角强度分布。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围(radial extent)和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。另外，照射器il可以包括各种其他部件，诸如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜设备。照射器可以用于调节辐射射束，以在其横截面中具有期望均匀性和强度分布。
[0110]
辐射射束b入射在图案形成装置(例如，掩模)ma上，该图案形成装置(例如，掩模)ma保持在支撑结构(例如，掩模台)mt上，并且通过图案形成装置进行图案化。在从图案形成装置(例如，掩模)ma反射之后，辐射射束b穿过投影系统ps，该投影系统ps将射束聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器ps2(例如，干涉仪设备、线性编码器或电容传感器)，可以准确移动衬底台wt，例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射射束b的路径中。同样，第一定位器pm和另一位置传感器ps1可以用于相对于辐射射束b的路径准确定位图案形成装置ma。可以使用图案形成装置对齐标记m1、m2和衬底对齐标记p1、p2来对齐图案形成装置(例如，掩模)ma和衬底w。
[0111]
所描绘的装置1000可以在以下模式中的至少一种模式下使用：
[0112]
1.在步进模式下，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt基本上保持静止，而赋予到辐射射束的整个图案一次性投影到目标部分c上(即，单次静态曝光)。然后，衬底台wt沿x方向和/或y方向偏移，以使可以曝光不同的目标部分c。
[0113]
2.在扫描模式下，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底台wt，同时赋予到辐
射射束的图案投影到目标部分c上(即，单次动态曝光)。衬底台wt相对于支撑结构(例如，掩模台)mt的速度和方向可以由投影系统ps的(缩小率)放大率和图像反转特点来确定。
[0114]
3.在另一模式下，支撑结构(例如，掩模台)mt保持基本静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台wt，同时赋予到辐射射束的图案投影到目标部分c上。在这种模式下，采用脉冲辐射源，在每次移动衬底台wt之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以容易地应用于利用可编程图案形成装置的无掩模光刻，诸如上述类型的可编程反射镜阵列。
[0115]
图8更详细地示出了装置1000，该装置1000包括源收集器模块so、照射系统il和投影系统ps。源收集器模块so被构造和布置为使得真空环境可以维持在源收集器模块so的围合结构220中。euv辐射发射等离子体210可以由放电产生的等离子体辐射源形成。euv辐射可以由气体或蒸气产生，例如，xe气体、li蒸气或sn蒸气，其中产生非常热的等离子体210以发射电磁波谱的euv范围内的辐射。例如，通过引起至少部分电离的等离子体的放电产生非常热的等离子体210。例如，可能需要10pa的xe、li、sn蒸气或任何其他合适气体或蒸气的分压，以有效生成辐射。在一个实施例中，提供激发锡(sn)的等离子体以产生euv辐射。
[0116]
由热等离子体210发射的辐射从源腔室211经由可选的气体阻挡物或污染物阱230(在一些情况下也称为污染物阻挡物或箔阱)进入收集器腔室212，该气体阻挡物或污染物阱230位于源腔室211中的开口中或后面。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡物或气体阻挡物和通道结构的组合。本文中进一步指示的污染物阱或污染物阻挡物230至少包括本领域已知的通道结构。
[0117]
收集器腔室212可以包括辐射收集器co，该辐射收集器co可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器co具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器co的辐射可以从光栅光谱滤波器240反射，以沿着由点划线'o'指示的光轴聚焦在虚拟源点if中。虚拟源点if通常被称为中间焦点，并且源收集器模块被布置为使得中间焦点if位于围合结构220中的开口221处或附近。虚拟源点if是辐射发射等离子体210的图像。
[0118]
随后，辐射横穿照射系统il，该照射系统il可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，该琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24被布置为在图案形成装置ma处提供辐射射束21的期望角分布、以及在图案形成装置ma处提供辐射强度的期望均匀性。当辐射射束21在由支撑结构mt保持的图案形成装置ma处反射时，形成经图案化的射束26，并且该经图案化的射束26由投影系统ps经由反射元件28、30成像到由衬底台wt保持的衬底w上。
[0119]
在照射光学器件单元il和投影系统ps中通常可以存在比所示出的更多的元件。依据光刻装置的类型，光栅光谱滤波器240可以可选地存在。进一步地，可以存在比图中所示的反射镜更多的反射镜，例如，投影系统ps中可能存在比图8中所示的反射元件多1至6个的额外反射元件。
[0120]
如图8所示，收集器光学器件co被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器，只是作为收集器(或收集器反射镜)的示例。掠入射反射器253、254和255围绕光轴o轴向对称设置，并且这种类型的收集器光学器件co理想地与放电产生的等离子体辐射源组合使用。
[0121]
可替代地，源收集器模块so可以是如图9所示的lpp辐射系统的一部分。激光器las
被布置为将激光能量沉积到诸如氙(xe)、锡(sn)或锂(li)之类的燃料中，从而产生电子温度为几十ev的高度电离的等离子体210。在这些离子的去激励和复合期间生成的能量辐射从等离子体发射，由近似垂直入射的收集器光学器件co收集，并且聚焦到围合结构220中的开口221上。
[0122]
本文中所揭示的概念可以模拟或数学建模用于对子波长特征进行成像的任何一般成像系统，并且可以尤其适用于能够产生尺寸越来越小的波长的新兴成像技术。已经在使用的新兴技术包括euv(极紫外)光刻，该euv光刻能够使用arf激光器产生193nm波长，甚至使用氟激光器产生157nm波长。而且，euv光刻能够通过使用同步加速器或通过使用高能电子撞击材料(固体或等离子体)来产生在20nm至5nm范围内的波长，以便产生在该范围内的光子。
[0123]
虽然本文中所公开的概念可以用于在诸如硅晶片之类的衬底上成像，但是应当理解，所公开的概念可以用于任何类型的光刻成像系统，例如，用于在除硅晶片以外的衬底上进行成像的光刻成像系统。
[0124]
尽管在本文中可以具体提及在ic的制造中使用实施例，但是应当理解，本文中所描述的实施例可以具有许多其他可能应用。例如，这些实施例用于制造集成光学系统、磁畴存储器的导向和检测图案、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头、微机械系统(mem)等。本领域技术人员将领会，在这种备选应用的上下文中，本文中术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“图案形成装置”、“衬底”或“目标部分”同义或可互换。在曝光之前或之后，可以例如在轨道(通常向衬底施加抗蚀剂层并且显影经曝光的抗蚀剂的工具)或量测或检查工具中对本文中所指出的衬底进行加工。在适用的情况下，本文中的公开可以适用于这类和其他衬底处理工具。进一步地，可以例如多于一次地处理衬底，以便例如产生多层ic，因此本文中所使用的术语衬底还可以是指已经包含多个经处理的层的衬底。
[0125]
在本文档中，如本文中所使用的术语“辐射”和“射束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(uv)辐射(例如，具有或约为365nm、355nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外线(euv)辐射(例如，具有范围介于5nm和20nm之间的波长)以及粒子射束(诸如离子射束或电子射束)。
[0126]
可以使用以下条款对这些实施例进行进一步描述：
[0127]
1.一种系统，包括：
[0128]
光刻装置，包括至少两个传感器，每个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；以及
[0129]
处理器，被配置为：
[0130]
基于由传感器中的一个传感器所测量的经测量的特性相对于另一传感器所测量的经测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；
[0131]
基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且
[0132]
基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。
[0133]
2.根据条款1所述的系统，其中漂移校正使用均匀性补偿器系统来确定，
[0134]
其中均匀性补偿器系统包括在照射区域的路径中的一个或多个位置中的一个或
多个均匀性补偿器，以在一个或多个位置中截取照射区域的一个或多个对应部分，并且
[0135]
其中均匀性灵敏度模型基于照射区域的漂移或属性的漂移来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
[0136]
3.根据条款2所述的系统，其中一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明指状物构件。
[0137]
4.根据条款1至3中任一项所述的系统，其中属性的漂移由照射光学器件收集器污染和照射源的功率量中的一者或两者引起。
[0138]
5.根据条款1至4中任一项所述的系统，其中针对批次内的每个衬底，确定漂移校正。
[0139]
6.根据条款1至4中任一项所述的系统，其中通过基于照射区域的漂移与属性的漂移之间的相关性将照射区域的漂移转换成属性的漂移，来确属性的漂移定。
[0140]
7.根据条款1至6中任一项所述的系统，其中至少两个传感器包括：位于照射区域的第一位置处的第一传感器，和位于照射区域的第二位置处的第二传感器。
[0141]
8.根据条款7中任一项所述的系统，其中第一传感器位于均匀性补偿器系统的第一端，而第二传感器位于均匀性补偿器系统的第二端。
[0142]
9.根据条款1至8中任一项所述的系统，其中属性是剂量和/或光瞳。
[0143]
其中属性的漂移是相对于标称剂量的剂量漂移和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移，并且
[0144]
其中漂移校正是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0145]
10.根据条款1至9中任一项所述的系统，其中所测量的特性是分别由至少两个传感器中的第一传感器和第二传感器测量的照射强度值。
[0146]
11.根据条款1至10中任一项所述的系统，其中照射区域是照射狭缝。
[0147]
12.根据条款1至10中任一项所述的系统，其中参考位置是在批次中的衬底的成像开始时测量的照射狭缝位置。
[0148]
13.根据条款1至11中任一项所述的系统，其中参考位置在狭缝的中心。
[0149]
14.一种确定与光刻装置相关联的漂移校正的方法，该方法包括：
[0150]
经由至少两个传感器接收与用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性的测量；
[0151]
基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；
[0152]
基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且
[0153]
基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。
[0154]
15.根据条款14所述的方法，其中针对批次内的每个衬底确定漂移校正。
[0155]
16.根据条款14至15中任一项所述的方法，其中确定属性的漂移包括：
[0156]
基于照射区域的漂移与属性的漂移之间的相关性来将照射区域的漂移转换为属性的漂移。
[0157]
17.根据条款14至16中任一项所述的方法，其中至少两个传感器包括：位照射区域的第一位置处的第一传感器，和位于照射区域的第二位置处的第二传感器。
[0158]
18.根据条款14至17中任一项所述的方法，其中属性是剂量和/或光瞳。
[0159]
其中属性的漂移是相对于标称剂量的剂量漂移和/或相对于参考光瞳的光瞳漂
移，并且
[0160]
其中漂移校正是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0161]
19.根据条款14至18中任一项所述的方法，其中所测量的特性是分别由至少两个传感器中的第一传感器和第二传感器测量的照射强度值。
[0162]
20.根据条款14至19中任一项所述的方法，其中照射区域是照射狭缝。
[0163]
21.根据条款14至20中任一项所述的方法，其中参考位置是在批次中的衬底的成像开始时测量的照射狭缝位置。
[0164]
22.根据条款14至21中任一项所述的方法，其中参考位置在照射狭缝的中心处。
[0165]
23.根据条款14至22中任一项所述的方法，其中确定要应用于属性的校正包括：
[0166]
使用属性的漂移执行均匀性灵敏度模型，以确定对一个或多个均匀性补偿器的调整，
[0167]
其中均匀性灵敏度模型基于照射区域的漂移或属性的漂移来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
[0168]
24.根据条款23所述的方法，其中针对属性的漂移的漂移校正包括：
[0169]
将一个或多个均匀性补偿器定位在照射区域的路径中的一个或多个位置中，以在一个或多个位置中截取照射区域的一个或多个对应部分。
[0170]
25.根据条款23至24中任一项的方法，其中一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明指状物构件。
[0171]
26.根据条款23至25中任一项所述的方法，其中第一传感器位于均匀性补偿器的第一端，而第二传感器位于均匀性补偿器的第二端。
[0172]
27.根据条款14至26中任一项所述的方法，其中属性是剂量和/或光瞳。
[0173]
其中属性的漂移是相对于标称剂量的剂量漂移和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移，并且
[0174]
其中漂移校正是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0175]
28.一种其上具有指令的非暂态计算机可读介质，这些指令在由计算机执行时，使得计算机：
[0176]
经由至少两个传感器接收与用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性的测量；
[0177]
基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；
[0178]
基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且
[0179]
基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。
[0180]
29.根据条款28所述的非暂态计算机可读介质，其中针对批次内的每个衬底确定漂移校正。
[0181]
30.根据条款28至29中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中确定属性的漂移包括：
[0182]
基于照射区域的漂移与属性的漂移之间的相关性来将照射区域的漂移转换为属性的漂移。
[0183]
31.根据条款28至30中任一项的非暂态计算机可读介质，其中至少两个传感器包括：位于照射区域的第一位置处的第一传感器，和位于照射区域的第二位置处的第二传感
器。
[0184]
32.根据条款28至31中任一项的非暂态计算机可读介质，其中属性是剂量和/或光瞳。
[0185]
其中属性的漂移是相对于标称剂量的剂量漂移和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移，并且
[0186]
其中漂移校正是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0187]
33.根据条款28至32中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中所测量的特性是分别由至少两个传感器中的第一传感器和第二传感器测量的照射强度值。
[0188]
34.根据条款28至33中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中照射区域是照射狭缝。
[0189]
35.根据条款28至34中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中参考位置是在批次中的衬底的成像开始时测量的照射狭缝位置。
[0190]
36.根据条款28至35中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中参考位置在照射区域的中心。
[0191]
37.根据条款28至36中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中确定要应用于属性的校正包括：
[0192]
使用属性的漂移执行均匀性灵敏度模型以确定对一个或多个均匀性补偿器的调整，
[0193]
其中均匀性灵敏度模型基于照射区域的漂移或属性的漂移来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
[0194]
38.根据条款37所述的非暂态计算机可读介质，其中针对属性的漂移的漂移校正包括：
[0195]
将一个或多个均匀性补偿器定位在照射区域的路径中的一个或多个位置中，以在一个或多个位置中截取照射区域的一个或多个对应部分。
[0196]
39.根据条款37至38中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明手指构件。
[0197]
40.根据条款37至39中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中第一传感器位于均匀性补偿器的第一端，而第二传感器位于均匀性补偿器的第二端。
[0198]
41.一种光刻装置，该装置包括：
[0199]
照射源和照射光学器件，该照射光学器件被配置为对衬底进行成像；以及
[0200]
至少两个传感器，被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；
[0201]
处理器，被配置为：
[0202]
基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；
[0203]
基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且
[0204]
基于属性的漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正，
[0205]
均匀性补偿器系统，包括照射区域的路径中的一个或多个位置中的一个或多个均匀性补偿器，以在一个或多个位置中截取照射区域的一个或多个对应部分，以及
[0206]
其中均匀性灵敏度模型基于照射区域的漂移或属性的漂移来确定对一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正属性的漂移。
[0207]
42.根据条款41所述的光刻装置，其中漂移校正被确定并应用于批次内的每个衬底。
[0208]
43.根据条款41至42中任一项所述的光刻装置，其中至少两个传感器包括：位于照射区域的第一位置处的第一传感器和位于照射区域的第二位置处的第二传感器。
[0209]
44.根据条款41至43中任一项所述的光刻装置，其中第一传感器位于均匀性补偿器系统的第一端，而第二传感器位于均匀性补偿器系统的第二端。
[0210]
45.根据条款41至44中任一项所述的光刻装置，其中属性是剂量和/或光瞳。
[0211]
其中属性的漂移是相对于标称剂量的剂量漂移和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移，并且
[0212]
其中漂移校正是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。
[0213]
46.根据条款41至45中任一项所述的光刻装置，其中至少两个传感器位于测量照射区域的强度的能量传感器附近。
[0214]
如本文中所使用的术语“优化(optimizing和optimization)”是指或意指调整图案形成装置(例如，光刻装置)、图案形成过程等，使得结果和/或过程具有更期望的特点，诸如衬底上的设计布局的投影精度更高、过程窗口更大等。因此，本文中所使用的术语“优化”是指或意指标识一个或多个参数的一个或多个值的过程，其与该一个或多个参数的一个或多个值的初始集合相比较，提供至少一个相关度量的改进，例如，局部最优。“最优”和其他相关术语应当据此进行解释。在一个实施例中，可以迭代应用优化步骤以提供一个或多个度量的其他改进。
[0215]
本发明的各方面可以以任何方便的形式实现。例如，实施例可以由一个或多个适当的计算机程序来实现，该计算机程序可以被承载在适当的载体介质上，该载体介质可以是有形载体介质(例如，盘)或非有形载体介质(例如，通信信号)。本发明的实施例可以使用合适装置来实现，该装置可以具体采取运行被布置为实现如本文中所描述的方法的计算机程序的可编程计算机的形式。因此，本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合实现。本发明的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，这些指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(rom)，随机存取存储器(ram)，磁盘存储介质，光存储介质，闪存设备，电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。进一步地，固件、软件、例程、指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应当领会，此类描述仅为方便起见，并且此类动作实际上由计算设备、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其他装置产生。
[0216]
在框图中，所图示的部件被描绘为分立功能框，但是实施例不限于其中如所图示的对本文中所描述的功能进行组织的系统。由部件中的每个部件所提供的功能可以由组织与当前所描绘的模块的组织不同的软件模块或硬件模块来提供，例如，这样的软件或硬件可以混杂、联合、复制、分解、分布(例如，在数据中心内或在地理上)、或以不同方式组织。本文中所描述的功能可以由执行存储在有形非暂态机器可读介质上的代码的一个或多个计算机的一个或多个处理器提供。在一些情况下，第三方内容分发网络可以托管通过网络传
输的部分或全部信息，在这种情况下，就信息(例如，内容)被说成被供应或以其他方式提供而言，该信息可以通过发送从内容分发网络检索该信息的指令来提供。
[0217]
除非另有明确说明，否则从讨论中显而易见的是，应当领会，在整个说明书中，利用诸如“处理”、“运算(computing)”、“计算(calculating)”、“确定”等术语的讨论是指特定装置(诸如专用计算机或类似的专用电子处理/计算设备)的动作或过程。
[0218]
读者应当领会，本技术描述了几个发明。申请人没有将这些发明分成多个独立专利申请，而是将这些发明归为单个文档，因为它们的相关主题可以使申请过程更加经济。但是，这些发明的独特优点和方面不应混为一谈。在一些情况下，实施例解决了本文中所指出的所有缺陷，但是应当理解，本发明独立有用，并且一些实施例仅解决了这些问题的子集，或提供了其他未提及的益处，这对于查看本公开的技术的本领域技术人员而言是显而易见的。由于成本的限制，所以本文中所公开的一些发明目前可能没有要求保护，并且可能在稍后申请(诸如继续申请或通过修改本权利要求书)中要求保护。同样，由于篇幅所限，所以本文档的发明摘要或发明内容部分均不应视为包含所有此类发明或此类发明的所有方面的全面罗列。
[0219]
应当理解，说明书和附图并非旨在将本发明限制为所公开的特定形式，相反，其意图是涵盖落入由所附的权利要求书限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同形式和备选形式。
[0220]
鉴于该描述，本发明的各方面的修改和备选实施例对于本领域技术人员而言是显而易见的。因而，该描述和附图应当被解释为仅具有说明性，目的是向本领域技术人员教导实施本发明的一般方式。应当理解，本文中所示出和描述的本发明的形式将被视为实施例的示例。对于在受益于本发明的描述之后的本领域的技术人员而言显而易见的是，元件和材料可以代替本文中所图示和描述的元件和材料，可以颠倒或省略部分和材料，可以独立利用某些特征，并且可以组合实施例或实施例的特征。在没有背离如所附权利要求书中所描述的本发明的精神和范围的情况下，可以对本文中所描述的元件进行改变。本文中所使用的标题仅用于组织目的，并不意指用来限制本说明书的范围。
[0221]
如在整个申请中所使用的，词语“可以(may)”以宽泛的意义(即，意指具有潜力)而非强制性的意义(即，意指必须)使用。词语“包括(include、including和includes)”等意指包括但不限于。如在整个申请中所使用的，除非内容明确另外指出，否则单数形式的“一”、“一个”和“该”包括复数个指示物。因此，例如，对“一个”元件或“一”元件的引用包括两个或更多个元件的组合，尽管对于一个或多个元件使用其他术语和短语，诸如“一个或更多个”。除非另有说明，否则“或”是非排他性的，即，涵盖“和”和“或”两者。描述条件关系的术语(例如，“响应于x、y”、“在x、y时”、“如果x、y”、“当x、y时”)等涵盖因果关系，其中前因是必要因果条件，前因是充分因果条件，或前因是后件的有贡献的因果条件，例如，“状态x在获得条件y时发生”与“x仅在y时发生”和“x在y和z时发生”通用。这种条件关系不限于紧跟前因获得的后果，因为一些后果可能会延迟，并且在条件语句中，前因与其后果相关联，例如，前因与随后发生的可能性有关。除非另有说明，否则其中多个属性或功能被映射到多个物体(例如，执行步骤a、b、c和d的一个或多个处理器)的语句涵盖所有这些属性或功能被映射到所有这些物体并且属性或功能的子集被映射到属性或功能的子集(例如，所有处理器各自执行步骤a至d，以及处理器1执行步骤a、处理器2执行步骤b和步骤c的一部分并且处理器3执
行步骤c和步骤d的一部分的情况)。进一步地，除非另外说明，否则一个值或动作“基于”另一条件或值的语句涵盖条件或值是唯一因素的示例和条件或值是多个因素中的一个因素的示例两者。除非另有说明，否则不应将某个集合的“每个”示例具有一些特性的语句理解为排除大型集合中某些其他相同或相似的成员没有该特性的情况，即，每个不一定意指每一个。从范围中选择的参考包括范围的端点。
[0222]
在以上描述中，流程图中的任何过程、描述或框应被理解为表示包括用于实现过程中的特定逻辑功能或步骤的一个或多个可执行指令的代码的模块、分段或部分，并且备选实现方式包括在本改进的示例性实施例的范围内，其中依据所涉及的功能，功能可以按与所示或所讨论的次序不同的次序执行，包括基本同时或按相反次序执行，如本领域技术人员所理解的。
[0223]
按某些美国专利、美国专利申请或其他材料(例如，文章)通过引用并入的程度，此类美国专利、美国专利申请和其他材料的文本仅按这些材料与本文中所陈述的陈述和附图之间不存在冲突的程度通过引用并入以供引用。在发生这种冲突的情况下，通过引用并入的美国专利、美国专利申请和其他材料中的任何这种冲突文本在本文中均不会通过引用明确并入。
[0224]
虽然已经对某些实施例进行了描述，但是这些实施例仅通过示例呈现，并且不旨在限制本发明的范围。实际上，本文中所描述的新颖方法、装置和系统可以以各种其他形式体现；更进一步地，在没有背离本发明的精神的情况下，可以对本文中所描述的方法、装置和系统的形式进行各种省略、替换和改变。所附权利要求及其等同形式旨在覆盖落入本发明的范围和精神内的这些形式或修改。