用于漂移补偿的光刻装置和方法与流程

技术特征：
1.一种系统，包括：光刻装置，包括至少两个传感器，每个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性；以及处理器，被配置为：基于由所述传感器中的一个传感器所测量的经测量的特性相对于另一传感器所测量的经测量的特性的比例，确定所述照射区域相对于参考位置的漂移；基于所述照射区域的所述漂移，确定由所述至少两个传感器测量的与所述照射区域上游的照射有关的属性的漂移，并且基于所述属性的所述漂移，确定要应用于所述属性以补偿所述属性的所述漂移的漂移校正。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述漂移校正使用均匀性补偿器系统来确定，其中所述均匀性补偿器系统包括在所述照射区域的路径中的一个或多个位置中的一个或多个均匀性补偿器，以在所述一个或多个位置中截取所述照射区域的一个或多个对应部分，并且其中所述均匀性灵敏度模型基于所述照射区域的所述漂移或所述属性的所述漂移来确定对所述一个或多个均匀性补偿器的调整量，以校正所述属性的所述漂移。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述一个或多个均匀性补偿器包括一个或多个不透明指状物构件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的系统，其中所述属性的所述漂移由照射光学器件收集器污染和照射源的功率量中的一者或两者引起。5.根据权利要求1至4中任一项所述的系统，其中针对批次内的每个衬底，确定所述漂移校正。6.根据权利要求1至4中任一项所述的系统，其中通过基于所述照射区域的所述漂移与所述属性的所述漂移之间的相关性将所述照射区域的所述漂移转换成所述属性的所述漂移，来确定所述属性的所述漂移。7.根据权利要求1至6中任一项所述的系统，其中所述至少两个传感器包括：位于所述照射区域的第一位置处的第一传感器，和位于所述照射区域的第二位置处的第二传感器。8.根据权利要求7所述的系统，其中所述第一传感器位于所述均匀性补偿器系统的第一端，而所述第二传感器位于所述均匀性补偿器系统的第二端。9.根据权利要求1至8中任一项所述的系统，其中所述属性是剂量和/或光瞳。其中所述属性的所述漂移是相对于标称剂量的剂量漂移、和/或相对于参考光瞳的光瞳漂移，并且其中所述漂移校正是剂量漂移校正或光瞳漂移校正。10.根据权利要求1至9中任一项所述的系统，其中所测量的特性是分别由所述至少两个传感器中的第一传感器和第二传感器测量的照射强度值。11.根据权利要求1至10中任一项所述的系统，其中所述照射区域是照射狭缝。12.根据权利要求1至10中任一项所述的系统，其中所述参考位置是在批次中的衬底的成像开始时测量的照射狭缝位置。13.根据权利要求1至11中任一项所述的系统，其中所述参考位置在所述狭缝的中心。

技术总结
本文描述了一种系统、方法、光刻装置和软件产品，被配置为确定照射的属性的漂移和对应的漂移校正。该系统包括光刻装置，该光刻装置包括至少两个传感器，每个传感器被配置为测量与被设置为用于对衬底进行成像的照射区域有关的特性。更进一步地，处理器被配置为：基于所测量的特性的比例，确定照射区域相对于参考位置的漂移；基于照射区域的漂移，确定由至少两个传感器所测量的与照射区域上游的照射有关的属性的漂移；并且基于属性的所述漂移，确定要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。要应用于属性以补偿属性的漂移的漂移校正。


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：ASML控股股份有限公司
技术研发日：2021.01.04
技术公布日：2022/8/26