1.本发明能够适用于显示器装置相关
技术领域：
：，涉及利用例如微型led(lightemittingdiode)的显示器的制造装置及其制造方法。
背景技术：
：：2.近年来，在显示器
技术领域：
：，正在开发具有薄型、柔性等优异特性的显示器装置。与此相反，当前商用化的主要显示器的代表有液晶显示器(liquidcrystaldisplay：lcd)和有机发光二极管(organiclightemittingdiodes：oled)。3.但是，在lcd的情况下，存在反应时间不够快和难以实现柔性的问题点。4.另一方面，发光二极管(lightemittingdiode：led)作为将电流转换为光而所熟知的半导体发光元件，以1962年利用gaasp化合物半导体的红色led被商品化为开始，与gap：n系列的绿色led一起作为以信息通信设备为首的电子装置的显示图像用光源而被利用至今。因此，可以提出利用所述半导体发光元件来实现显示器，以此来解决上述问题点的方案。与基于灯丝的发光元件相比，所述半导体发光元件具有寿命长、电力消耗低、初始驱动特性优异以及抗震性高等各种各样的优点。5.近年来，这种半导体发光元件的尺寸已经缩小至数十微米。因此，在利用这种小尺寸的半导体发光元件来实现显示器装置的情况下，需要将非常多的半导体发光元件组装到显示器装置的布线基板。6.但是，在这种发光元件的组装过程中，存在难以使数量非常多的半导体发光元件精确地位于布线基板中目标位置的问题点。7.因此，需要用于克服这种问题点的方案。技术实现要素：8.发明要解决的问题9.本发明要解决的技术课题是提供一种利用发光元件的显示器装置的制造装置及其制造方法，旨在利用发光元件的显示器装置中提高组装率。10.此外，提供一种利用发光元件的显示器装置的制造装置及其制造方法，旨在利用基于电磁铁的磁性吸盘，根据工序步骤调节磁力，以此来根据基板的不同部位、发光元件芯片的移动路径优化设计磁化强度以能够提高组装率。11.解决问题的技术方案12.作为用于实现所述目的的第一观点，本发明作为利用发光元件的显示器装置的制造方法，可以包括：配置由一对组装电极来定义个别像素位置的基板的步骤；利用具有电磁铁的磁性吸盘来使包括磁体的发光元件在所述基板上移动的步骤；利用所述磁性吸盘将所述发光元件组装到所述个别像素位置的步骤；以及利用所述磁性吸盘来回收未被组装到所述个别像素位置的剩余发光元件的步骤。13.另外，在使所述发光元件移动的步骤中，可以对所述磁性吸盘的电磁铁施加第一电流；在组装所述发光元件的步骤中，可以对所述磁性吸盘的电磁铁施加与所述第一电流不同的第二电流。14.另外，所述第一电流可以比所述第二电流更大。15.另外，在回收所述剩余发光元件的步骤中，可以对所述磁性吸盘的电磁铁施加第三电流。16.另外，所述第三电流可以具有所述第一电流和所述第二电流之间的大小。17.另外，在配置所述基板的步骤之后，还可以包括利用能够上下移送的托盘来供应发光元件的步骤。18.另外，组装所述发光元件的步骤可以通过使所述磁性吸盘在预定的半径内旋转来执行。19.另外，在组装所述发光元件的步骤中，可以使所述磁性吸盘以恒定的频率旋转。20.作为用于实现所述目的的第二观点，本发明作为利用发光元件的显示器装置的制造装置，可以包括：板，支撑包括个别像素位置的基板；供应部，在所述基板的第一侧供应包括磁体的复数个发光元件；以及磁性吸盘，能够向x，y和z的三个方向移送，在所述基板的第二侧利用电磁铁将所述发光元件组装到基板的个别像素位置。21.另外，所述磁性吸盘可以包括：圆筒状棒形的金属尖；线圈，与所述金属尖结合；旋转机构，旋转所述金属尖；以及电源部，对所述线圈供电。22.另外，所述旋转机构可以使所述金属尖在预定的半径内旋转。23.另外，所述磁性吸盘可以包括以预定间隔设置的复数个金属尖和线圈。24.另外，所述磁性吸盘可以包括设置复数个金属尖的头部。25.另外，还可以包括相对所述基板能够在上下方向上移送并供应所述发光元件的托盘。26.另外，根据所述发光元件组装到基板的个别像素位置的过程，可以对所述磁性吸盘施加彼此不同的大小的电流。27.发明效果28.根据本发明的一实施例，具有以下效果。29.首先，根据本发明的显示器装置的制造装置，能够在显示器装置的制造工序中调节磁性吸盘的磁化强度。30.如上所述，如果能够根据不同的工序步骤调节磁化强度(磁力的强度)，则能够有利于提高组装成功率。31.另一方面，根据基板的位置不同的组装部位的阻力不同，而且根据基板的尺寸，可能因为凹凸、曲折等，金属尖和发光元件芯片之间磁化距离不同，因此能够根据基板的不同部位、发光元件芯片的移动路径优化设计磁化强度。32.另外，根据本发明的实施例，可以对各种各样的基板进行组装。即，即使在大面积基板的表面凹凸或曲折的情况下，也可以通过调节磁场的强度来保持组装率。33.进一步，根据本发明的另一实施例，还具有在此并未提及的追加的技术效果，本领域技术人员可以通过说明书和附图的总主旨来理解。附图说明34.图1是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的一例的概念图。35.图2是图1的a部分的局部放大图。36.图3a和图3b是沿图2的线b-b和c-c切断的剖视图。37.图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。38.图5a至图5c是示出与倒装芯片型半导体发光元件相关的实现颜色的多种形态的概念图。39.图6是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的制造方法的剖视图。40.图7是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的另一实施例的立体图。41.图8是沿图7的线d-d切断的剖视图。42.图9是示出图8的垂直型半导体发光元件的概念图。43.图10是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的概略图。44.图11是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概念图。45.图12是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概略图。46.图13是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中使用的磁性吸盘的另一例的概略图。47.图14是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的另一例的概略图。48.图15是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造过程中金属尖的运动的概略图。49.图16是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置发光元件的一例的图。50.图17是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造方法的流程图。具体实施方式51.下面，参照附图并根据本说明书中公开的实施例详细说明。另外，与图号无关地，对相同或相似的构成要素赋予了相同的附图标记，并省略了对其的重复说明。在以下的说明中所使用的构成要素的后缀“模块”和“部”是，为了便于说明书撰写而赋予或混用的，其自身并不具有相互区别的含义或作用。此外，在说明本发明公开的实施例的过程中，当判断对相关公知技术的具体说明会混淆本发明公开的实施例的要旨的情况下，省略了对该公知技术的详细说明。此外，应当理解的是，附图仅用于帮助理解本书明书中公开的实施例，本说明书中公开的技术思想并不限定于附图。52.进一步，虽然为了说明的便利对附图分别进行说明，但是，本领域技术人员通过结合至少两幅以上的附图来实现其他实施例也属于本发明的权利范围。53.另外，应当理解的是，当说明层、区域或基板之类的要素在不同的构成要素“上(on)”时，其含义包括直接在其他要素之上，或者两者之间能够存在中间要素。54.在本说明书中说明的显示器装置是涵盖以单位像素或以单位像素的集合显示信息的所有显示器装置的概念。因此，不限于完成品，也可以适用于部件。例如，相当于数字tv的一部件的面板本身也相当于本说明书上的显示器装置。作为完成品，可以包括移动电话，智能手机(smartphone)、笔记本电脑(laptopcomputer)、数字广播用终端，个人数字助理(personaldigitalassistants：pda)、可携式媒体播放器(portablemultimediaplayer：pmp)、导航、触屏平板电脑(slatepc)、平板电脑(tabletpc)、超极本(ultrabook)、数字tv、台式电脑等。55.但是，对本领域技术人员而言显而易见的是，根据本说明书所记载的实施例的构成也能够应用于以后开发出的新的产品形态的可显示的装置。56.另外，本说明书所涉及的半导体发光元件是包括led、微型led等概念，可以混用。57.图1是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的一实施例的概念图。58.如图1所示，在显示器装置100的控制部(未图示)中处理的信息可以利用柔性显示器(flexibledisplay)来显示。59.柔性显示器包括例如通过外力可以弯曲或可以弯折或可以扭曲或可以折叠或可以卷起的显示器。60.进一步，柔性显示器可以是例如在保持现有的平板显示器的显示特性的同时，在如同纸张一样弯曲或弯折或折叠或卷起的又薄又柔软的基板上制造的显示器。61.柔性显示器在没有弯曲的状态(例如，具有无限大的曲率半径的状态，以下称作第一状态)下，柔性显示器的显示区域为平面。在这样的第一状态，由于外力而弯曲的状态(例如，具有有限的曲率半径的状态，以下称作第二状态)下，显示区域可以成为曲面。如图1所示，在第二状态下显示的信息可以是输出在曲面上的视觉信息。这种视觉信息通过独立控制以矩阵形态配置的单位像素(sub-pixel)的发光来实现。例如，这里的单位像素表示用于实现一个颜色的最小单位。62.这种柔性显示器的单位像素可以通过半导体发光元件来实现。在本发明中，作为将电流转换为光的半导体发光元件的一种，例示了发光元件。作为发光元件的一例，可以是发光二极管(lightemittingdiode：led)。由于这种发光二极管形成为小尺寸，因此即使在所述第二状态下，也可以起到单位像素的作用。63.参照以下附图，对如上所述的利用发光二极管来实现的柔性显示器进行详细说明。64.图2是图1的a部分的局部放大图。65.图3a和图3b是沿图2的线b-b和c-c切断的剖视图。66.如图2、图3a以及图3b所示，作为利用半导体发光元件的显示器装置100，例示了利用无源矩阵(passivematrix，pm)方式的半导体发光元件的显示器装置100。但是，以下说明的示例也可以适用在有源矩阵(activematrix，am)方式的半导体发光元件。67.如图2所示，显示器装置100包括基板110、第一电极120、导电性粘合层130、第二电极140以及至少一个半导体发光元件150。68.基板110可以是柔性基板。例如，为了实现柔性(flexible)显示器装置，基板110可以包含玻璃或聚酰亚胺(pi，polyimide)。除此之外，还可以使用任何具有绝缘性、柔韧性的材料，例如pen(polyethylenenaphthalate：聚萘乙烯)、pet(polyethyleneterephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。另外，基板110可以是透明的材质或不透明的材质中的任一种。69.基板110可以是配置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可以位于基板110上。70.如图3a所示，绝缘层160可以配置在设置有第一电极120的基板110上，辅助电极170可以位于该绝缘层160。在此情况下，绝缘层160层叠在基板110的状态可以成为一个布线基板。更具体而言，绝缘层160可以作为具有绝缘性、柔性的材质，如聚酰亚胺(pi，polyimide)、pet、pen等，通过与基板110形成为一体来形成一个基板。71.辅助电极170作为将第一电极120与半导体发光元件150电连接的电极，位于绝缘层160上，与第一电极120的位置对应地配置。例如，辅助电极170为圆点(dot)形状，可以通过贯通绝缘层160的电极孔171与第一电极120电连接。电极孔171可以通过在通路孔填充导电物质来形成。72.如图2或图3a所示，虽然绝缘层160的一面形成有导电性粘合层130，但是本发明并不限定于此。例如，可以是在绝缘层160和导电性粘合层130之间形成执行特定功能的层，或者是在没有绝缘层160的情况下，导电性粘合层130配置在基板110上的结构。在导电性粘合层130配置在基板110上的结构中，导电性粘合层130可以起到绝缘层的作用。73.导电性粘合层130可以是具有粘合性和导电性的层，为此，在导电性粘合层130中，可以混合具有导电性的物质和具有粘合性的物质。另外，由于导电性粘合层130具有延展性，因此能够在显示器装置实现柔性功能。74.作为这样的例，导电性粘合层130可以是各向异性导电膜(anistropyconductivefilm，acf)、各向异性导电浆(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。导电性粘合层130可以构成为，在贯通厚度的z方向允许相互电连接，而在水平的x-y方向具有电绝缘性的层。因此，导电性粘合层130可以命名为z轴导电层(但是，以下称作“导电性粘合层”)。75.各向异性导电膜作为各向异性导电介质(anisotropicconductivemedium)混合在绝缘性基础构件的形态的膜，如果施加热和压力，则仅特定部分因各向异性导电介质而具有导电性。以下，虽然以在各向异性导电膜上施加热和压力的状态进行说明，但是为了使各向异性导电膜的局部具有导电性，也可以适用其他方法。例如，上述的其他方法可以是，仅施加热和压力中任一种或uv固化等。76.另外，例如，各向异性导电介质可以是导电球或导电粒子。例如，各向异性导电膜作为导电球混合在绝缘性基础构件中的形态的膜，如果施加热和压力，则仅特定部分因导电球而具有导电性。各向异性导电膜可以成为含有复数个粒子的状态，所述粒子是导电性物质的芯被聚合物材质的绝缘膜包覆而成的，在此情况下，随着被施加热和压力的部分的绝缘膜破坏，由于芯而具有导电性。此时，芯的形态发生变形，可以构成在膜的厚度方向上相互接触的层。作为更具体的例子，对各向异性导电膜整体施加热和压力，由于通过各向异性导电膜来粘合的相对物的高度差而局部形成z轴向的电连接。77.作为另一例，各向异性导电膜可以成为含有复数个粒子的状态，所述粒子是绝缘芯被导电性物质包覆而成的。在此情况下，被施加热和压力的部分的导电性物质发生变形(按压粘连)，沿膜的厚度方向具有导电性。作为另一例，也可以是通过导电性物质沿z轴向贯通绝缘性基础构件而沿膜的厚度方向具有导电性的形态。在此情况下，导电性物质可以具有尖尖的端部。78.各向异性导电膜可以是以导电球插入绝缘性基础构件的一面的形态构成的固定排列各向异性导电膜(fixedarrayacf)。更具体而言，绝缘性基础构件由具有粘合性的物质形成，导电球集中配置于绝缘性基础构件的底部，如果在基础构件中施加热和压力，则随着与导电球一起变形，在垂直方向具有导电性。79.但是，本发明并不限定于此，各向异性导电膜可以是在绝缘性基础构件中随机混合导电球的形态，或者构成为复数个层并且某一层配置导电球的形态(double-acf)等。80.各向异性导电浆作为浆和导电球的结合形态，可以是在绝缘性和粘合性的基础物质中混合导电球的浆。另外，含有导电粒子的溶液可以是含有导电性微粒或纳米粒子的形态的溶液。81.再次参照图3a，第二电极140以与辅助电极170隔开的状态位于绝缘层160。即，导电性粘合层130配置在辅助电极170和第二电极140所处的绝缘层160上。82.在辅助电极170和第二电极140位于绝缘层160的状态下，形成导电性粘合层130后，如果通过施加热和压力，使半导体发光元件150以倒装芯片的形态来接触，则半导体发光元件150与第一电极120和第二电极140电连接。83.图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。84.参照图4，半导体发光元件可以是倒装芯片型(flipchiptype)的发光元件。85.例如，半导体发光元件包括：p型电极156、供p型电极156形成的p型半导体层155、在p型半导体层155上形成的活性层154、在活性层154上形成的n型半导体层153以及在n型半导体层153上与p型电极156沿水平方向隔开配置的n型电极152。在此情况下，p型电极156可以通过图3a和图3b所示的辅助电极170与导电性粘合层130电连接，n型电极152可以与第二电极140电连接。86.再次参照图2、图3a以及图3b，辅助电极170沿一个方向长长地形成，从而一个辅助电极可以与复数个半导体发光元件150电连接。例如，以辅助电极为中心的左右的半导体发光元件的p型电极可以与一个辅助电极电连接。87.更具体而言，由于热和压力，半导体发光元件150压入到导电性粘合层130的内部，由此，仅使半导体发光元件150的p型电极156与辅助电极170之间的部分，和半导体发光元件150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性，而在其他部分，由于没有压入半导体发光元件，因此不具有导电性。与此相同，导电性粘合层130不仅使半导体发光元件150与辅助电极170之间和半导体发光元件150与第二电极140之间相互结合，还形成了电连接。88.另外，复数个半导体发光元件150构成发光元件阵列(array)，在发光元件阵列上形成有荧光体层180。89.发光元件阵列可以包括复数个自身亮度值不同的半导体发光元件。每个半导体发光元件150构成单位像素，与第一电极120电连接。例如，第一电极120可以是复数个，例如复数个半导体发光元件可以沿竖列配置，各列的半导体发光元件可以与复数个第一电极中任一个电连接。90.另外，由于复数个半导体发光元件以倒装芯片形态来连接，可以利用在透明电介质基板上生长的复数个半导体发光元件。另外，复数个半导体发光元件例如可以是氮化物半导体发光元件。由于半导体发光元件150具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成个别单位像素。91.如图3a和图3b所示，半导体发光元件150之间可以设置有分隔壁190。在此情况下，分隔壁190可以起到将个别单位像素相互分离的作用，可以与导电性粘合层130形成为一体。例如，可以通过半导体发光元件150插入到各向异性导电膜，各向异性导电膜的基础构件形成分隔壁。92.另外，如果各向异性导电膜的基础构件是黑色，则即使没有额外的黑色绝缘体，分隔壁190也可以具有反射特性的同时，增加对比度(contrast)。93.作为另一例，作为分隔壁190可以额外地设置反射性分隔壁。在此情况下，根据显示器装置的目的，分隔壁190可以包括黑色(black)或白色(white)绝缘体。在利用白色绝缘体的分隔壁的情况下，可以具有提高反射性的效果，在利用黑色绝缘体的分隔壁的情况下，可以具有反射特性的同时增加对比度(contrast)。94.荧光体层180可以位于半导体发光元件150的外表面。例如，半导体发光元件150为发出蓝色b光的蓝色半导体发光元件，荧光体层180执行将所述蓝色b光转换为单位像素的色相的功能。荧光体层180可以是构成个别像素的红色荧光体181或绿色荧光体182。95.即，在构成红色的单位像素的位置上，可以在蓝色半导体发光元件上层叠能够将蓝色光转换为红色r光的红色荧光体181，在构成绿色的单位像素的位置上，可以在蓝色半导体发光元件上层叠能够蓝色光转换为绿色g光的绿色荧光体182。另外，在构成蓝色的单位像素的部分上，可以仅单独利用蓝色半导体发光元件。在此情况下，红色r、绿色g以及蓝色b的单位像素可以构成一个像素。更具体而言，可以沿第一电极120的各个线层叠一个色相的荧光体。因此，在第一电极120中，一个线可以是控制一个色相的电极。即，沿第二电极140，可以依次配置红色r、绿色g以及蓝色b，以此可以实现单位像素。96.但是，本发明并不限定于此，替代荧光体可以通过组合半导体发光元件150和量子点(qd)来实现红色r、绿色g以及蓝色b的单位像素。97.另外，为了提高对比度(contrast)，各个荧光体层之间可以配置有黑色矩阵191。即，这种黑色矩阵191可以提高明暗的对比。98.但是，本发明并不限定于此，也可以使用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。99.图5a至图5c是示出与倒装芯片型半导体发光元件相关的实现颜色的多种形态的概念图。100.参照图5a，各个半导体发光元件150可以通过以氮化镓(gan)为主材料一同添加铟(in)和/或铝(al)，来实现发出包括蓝色在内的各种各样的光的高输出的发光元件。101.在此情况下，为了构成单位像素(sub-pixel)，半导体发光元件150分别可以是红色r、绿色g以及蓝色b半导体发光元件。例如，红色r、绿色g和蓝色b半导体发光元件交替配置，基于红色、绿色和蓝色半导体发光元件的红色(red)、绿色(green)和蓝色(blue)的单位像素形成一个像素(pixel)，由此可以实现全彩色显示器。102.参照图5b，半导体发光元件150a可以设置有每个元件均具有黄色荧光体层的白色发光元件w。在此情况下，为了构成单位像素，可以在白色发光元件w上设置有红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183。另外，在这样的白色发光元件w上，可以利用重复红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片来构成单位像素。103.参照图5c，半导体发光元件150b也可以是在紫外线发光元件uv上设置有红色荧光体层184、绿色荧光体层185和蓝色荧光体层186的结构。如上所述，半导体发光元件可以在全域使用可视光线到紫外线uv，从而可以扩展为能够将紫外线uv作为上部荧光体的激发源(excitationsource)来使用的半导体发光元件的形态。104.再次参照本示例，半导体发光元件位于导电性粘合层上，在显示器装置中构成单位像素。由于半导体发光元件具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成个别单位像素。105.例如，此类的个别半导体发光元件150、150a、150b的尺寸可以是一边长度为80μm以下，可以是矩形或正四边形元件。如果是矩形，可以是20×80μm以下的尺寸。106.另外，即使将单边长度为10μm的正四边形的半导体发光元件150，150a，150b作为单位像素来利用，也能显示出用于构成显示器装置的充分的亮度。107.因此，以单位像素的尺寸为一边是600μm、剩余的一边是300μm的矩形像素的情况为例，半导体发光元件150，150a，150b的间距相对地足够大。108.因此，在这样的情况下，能够实现具有hd画质以上的高画质的柔性显示器装置。109.上述说明的利用半导体发光元件的显示器装置可以通过新型的制造方法来制造。以下，参照图6，对制造方法进行说明。110.图6是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的制造方法的剖视图。111.如图6所示，首先，在辅助电极170和第二电极140所处的绝缘层160上形成导电性粘合层130。通过在第一基板110上层叠绝缘层160来形成一个基板(或布线基板)，在布线基板上配置有第一电极120、辅助电极170以及第二电极140。在此情况下，第一电极120和第二电极140可以沿相互正交的方向配置。另外，为了实现柔性(flexible)显示器装置，第一基板110和绝缘层160可以分别包含玻璃或聚酰亚胺(pi)。112.例如，导电性粘合层130可以由各向异性导电膜来实现，为此，可以在绝缘层160所处的基板上涂布各向异性导电膜。113.然后，与辅助电极170和第二电极140的位置对应且构成个别像素的复数个半导体发光元件150所处的第二基板112配置成半导体发光元件150面向辅助电极170和第二电极140。114.在此情况下，第二基板112作为使半导体发光元件150生长的生长基板，可以是蓝宝石(spire)基板或硅(silicon)基板。115.在半导体发光元件形成为晶片(wafer)单位时，使其具有能够形成显示器装置的间隔和尺寸，由此能够有效地利用在显示器装置。116.然后，对布线基板和第二基板112进行热压接合。例如，可以通过使用acf压头对布线基板和第二基板112进行热压接合。通过热压接合，布线基板和第二基板112被接合(bonding)。通过热压接合，因具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅半导体发光元件150与辅助电极170之间和半导体发光元件150与第二电极140之间部分具有导电性，由此，电极和半导体发光元件150可以电连接。此时，半导体发光元件150插入到各向异性导电膜的内部，由此在半导体发光元件150之间形成分隔壁。117.然后，去除第二基板112。例如，可以利用激光剥离法(laserlift-off，llo)或化学剥离法(chemicallift-off，clo)去除第二基板112。118.最后，通过去除所述第二基板112使半导体发光元件150暴露在外。根据需要，可以在结合有半导体发光元件150的布线基板上涂布氧化硅(siox)等，来形成透明绝缘层(未图示)。119.另外，还可以包括在半导体发光元件150的一面形成荧光体层的步骤。例如，半导体发光元件150为发出蓝色b光的蓝色半导体发光元件，用于将这种蓝色b光转换为单位像素的色相的红色荧光体或绿色荧光体可以在蓝色半导体发光元件的一面形成层。120.上述说明的利用半导体发光元件的显示器装置的制造方法或结构可以改变为各种方式。例如，在上述说明的显示器装置中，也可以适用垂直型半导体发光元件。121.另外，在以下说明的变形例或实施例中，对与前述的实施例相同或相似的构成赋予了相同或相似的附图标记，对于相同或者相似的构成的说明沿用前述说明。122.图7是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的另一实施例的立体图，图8是沿图7的线d-d切断的剖视图，图9是示出图8的垂直型半导体发光元件的概念图。123.参照本附图，显示器装置可以是利用无源矩阵(passivematrix，pm)方式的垂直型半导体发光元件的显示器装置。124.这样的显示器装置包括基板210、第一电极220、导电性粘合层230、第二电极240以及至少一个半导体发光元件250。125.基板210作为配置有第一电极220的布线基板，为了实现柔性(flexible)显示器装置可以包含聚酰亚胺(pi)。除此之外，可以使用任一种具有绝缘性和柔性的材质。126.第一电极220位于基板210上，可以形成为沿一个方向长的棒(bar)形的电极。第一电极220可以构成为起到数据电极的作用。127.导电性粘合层230形成在第一电极220所处的基板210上。与使用倒装芯片型(flipchiptype)的发光元件的显示器装置相同，导电性粘合层230可以是各向异性导电膜(anisotropyconductivefilm，acf)、各向异性导电浆(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。但是，在本实施例中，也例示了由各向异性导电膜实现导电性粘合层230的情况。128.在第一电极220位于基板210上的状态下，设置各向异性导电膜后，通过施加热和压力使半导体发光元件250连接，半导体发光元件250与第一电极220电连接。此时，半导体发光元件250优选配置成位于第一电极220上。129.如上所述，产生这种电连接是因为，如果对各向异性导电膜施加热和压力，则在厚度方向上局部具有导电性。因此，各向异性导电膜在厚度方向上划分为具有导电性的部分和不具有导电性的部分。130.另外，由于各向异性导电膜含有粘合成分，因此导电性粘合层230不仅实现了半导体发光元件250与第一电极220之间的电连接，还实现了机械性结合。131.如此，半导体发光元件250位于导电性粘合层230上，由此在显示器装置中构成个别像素。由于半导体发光元件250具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成个别单位像素。例如，这种个别半导体发光元件250的尺寸可以是单边长度在80μm以下，可以是矩形或正四边形元件。如果是矩形，例如可以成为20×80μm以下的尺寸。132.这种半导体发光元件250可以是垂直型结构。133.垂直型半导体发光元件之间设置有复数个第二电极240，其在与第一电极220的长度方向交叉的方向上配置，并且与垂直型半导体发光元件250电连接。134.参照图9，这样的垂直型半导体发光元件包括：p型电极256、形成在p型电极256上的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的活性层254、形成在活性层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在此情况下，位于下部的p型电极256可以通过导电性粘合层230与第一电极220电连接，位于上部的n型电极252可以与后述的第二电极240电连接。这样的垂直型半导体发光元件250可以将电极配置在上/下，因此具有缩小芯片尺寸的大优点。135.再次参照图8，在半导体发光元件250的一面可以形成有荧光体层280。例如，半导体发光元件250是发出蓝色b光的蓝色半导体发光元件251，可以设置有用于将这样的蓝色b光转换为单位像素的色相的荧光体层280。在此情况下，荧光体层280可以是构成个别像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。136.即，在构成红色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光元件上层叠有能够将蓝色光转换为红色r光的红色荧光体281，在构成绿色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光元件上层叠有能够将蓝色光转换为绿色g光的绿色荧光体282。另外，在构成蓝色的单位像素的部分，可以单独利用蓝色半导体发光元件。在此情况下，红色r、绿色g以及蓝色b的单位像素可以形成一个像素。137.但是，本发明并不限定于此，如上所述，在使用倒装芯片型(flipchiptype)的发光元件的显示器装置中，可以使用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。138.再参照本实施例，第二电极240位于半导体发光元件250之间，与半导体发光元件250电连接。例如，半导体发光元件250可以配置为复数个列，第二电极240位于半导体发光元件250的列之间。139.由于构成个别像素的半导体发光元件250之间的距离足够大，因此第二电极240可以位于半导体发光元件250之间。140.第二电极240可以形成为沿一个方向长的长棒(bar)形的电极，可以在与第一电极相互垂直的方向上配置。141.另外，第二电极240和半导体发光元件250可以通过从第二电极240凸出的连接电极来电连接。更具体而言，连接电极可以是半导体发光元件250的n型电极。例如，n型电极形成为用于欧姆(ohmic)接触的欧姆电极，第二电极240通过印刷或蒸镀来覆盖欧姆电极的至少一部分。由此，第二电极240和半导体发光元件250的n型电极可以电连接。142.再次参照图8，第二电极240可以位于导电性粘合层230上。根据情况，在形成有半导体发光元件250的基板210上可以形成包含氧化硅(siox)等的透明绝缘层(未图示)。在形成透明绝缘层后要设置第二电极240的情况下，第二电极240可以位于透明绝缘层上。另外，第二电极240也可以与导电性粘合层230或透明绝缘层隔开而形成。143.如果为了将第二电极240设置在半导体发光元件250上而使用ito(indiumtinoxide)之类的透明电极，则存在ito物质与n型半导体层的粘合性不良的问题。因此，在本发明中，将第二电极240设置在半导体发光元件250之间，从而具有可以不使用ito之类的透明电极的好处。因此，不受选择透明的材料的限制，能够将与n型半导体层具有良好的粘合性的导电性物质作为水平电极来使用，从而提高光取出效率。144.再次参照图8，分隔壁290可以位于半导体发光元件250之间。即，为了隔开构成个别像素的半导体发光元件250，垂直型半导体发光元件250之间可以配置有分隔壁290。在此情况下，分隔壁290可以起到使个别单位像素相互分隔的作用，可以与导电性粘合层230形成为一体。例如，可以通过半导体发光元件250插入到各向异性导电膜，各向异性导电膜的基础构件形成为分隔壁290。145.另外，如果各向异性导电膜的基础构件为黑色，则即使没有额外的黑色绝缘体，所述分隔壁290也可以在具有反射特性的同时，增加对比度(contrast)。146.作为另一例，作为分隔壁290，可以设置有额外的反射性分隔壁。根据显示器装置的目的，分隔壁290可以包括黑色(black)或白色(white)绝缘体。147.如果，在第二电极240恰好位于半导体发光元件250之间的导电性粘合层230上的情况下，分隔壁290可以位于垂直型半导体发光元件250和第二电极240之间。因此，可以利用半导体发光元件250以小的尺寸构成个别单位像素，由于半导体发光元件250的间距相对地足够宽，从而可以将第二电极240位于半导体发光元件250之间，具有能够实现具有hd画质的柔性显示器装置的效果。148.另外，如图8所示，为了提高对比度(contrast)，各个荧光体之间可以配置有黑色矩阵291。即，这种黑色矩阵291可以提高明暗的对比。149.在上述说明的本发明的利用半导体发光元件的显示器装置中，半导体发光元件以倒装芯片型配置在布线基板上，作为个别像素而被利用。150.图10是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的概略图。151.参照图10，个别发光元件400可以组装在由一对组装电极320和分隔壁340来定义个别像素位置的组装基板300的像素位置上。152.此时，个别发光元件400可以包括磁体430(参照图16)。因此，发光元件400可以被磁性吸盘600的磁力吸引而组装在像素位置上。153.包括个别像素位置的基板300可以由板350支撑。另外，基板300可以被支撑成使个别像素位置朝向下侧。154.如上所述，在由板350支撑的基板300上供应复数个发光元件400，这种发光元件400可以利用磁性吸盘600组装在位于基板300的一侧(以下，第一侧)的个别像素位置。155.磁性吸盘600可以向x、y以及z的三个方向移送，在基板300的与第一侧相反方向的第二侧上，可以利用电磁铁将发光元件400组装在基板300的个别像素位置。156.这种磁性吸盘600可以包括：圆筒状棒形的金属尖(metaltip)620(磁头)以及线圈610(或螺线管)，所述线圈610通过与金属尖620结合来产生磁力。157.此时，z方向可以是磁性吸盘600朝向基板300的方向，x和y方向可以是在基板300的主平面上移动的方向。例如，可以通过向z方向移送磁性吸盘600，来改变作用在发光元件400的磁力的大小。作为一例，可以向z方向移送磁性吸盘600而磁性吸盘600位于最接近板350的位置时，对发光元件400作用最大的磁力。158.另外，可以向x和y方向移送磁性吸盘600，使发光元件400能够安装到个别像素位置。另外，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，回收未安装到像素位置的剩余发光元件400。159.另一方面，可以通过旋转磁性吸盘600，施加周期性的力以使发光元件400能够准确地安装到像素位置。例如，磁性吸盘600的金属尖620可以在预定的范围内周期性地偏心旋转。在这样的过程中，这种位于预定的范围内的发光元件400被引导到像素位置，从而能够提高组装在准确的位置的概率。160.这样的组装过程可以在流体内实现。例如，在充满流体的腔室内放置半导体发光元件400和基板300，利用重力、表面张力、磁力、电力等，发光元件400自行组装在基板300上。这样的过程可以称作自行组装过程。161.在此情况下，基板300可以是组装基板。这种组装基板可以是临时安装发光元件400并转印到构成显示器装置的基板(布线基板)的基板。162.在这种组装基板中，多对组装电极320(321、322)配置在基础基板310上，绝缘层330可以位于此电极320上。另外，在绝缘层330上，定义像素位置的分隔壁340可以位于与组装电极320对应的位置。163.作为另一例，可以代替组装基板将布线基板放置到流体腔室内，从而使光元件400准确地安装到布线基板。在此情况下，基板300可以是布线基板。但是，为了便于说明，在本发明中例示了基板300作为组装基板被安装发光元件400。164.另一方面，如果将如上说明的自行组装方法适用于大屏幕显示器的制造，则需要提高转印良率。在本发明中，为了提高转印良率，提出使重力或摩擦力的影响最小，并且防止非特异性结合的方法和装置。165.另外，本发明提出通过在磁性吸盘600中适用电磁铁来在发光元件400的组装过程中使用不同大小的磁力，由此能够更有效率地组装发光元件400的装置和方法。166.在此情况下，根据本发明的显示器装置可以通过将磁体430(图16参照)配置在半导体发光元件400，利用磁性吸盘600的磁力来移动半导体发光元件400，并且在这样的移动过程中，利用电场将发光元件400安装到预先设定的位置。167.图11是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概念图，图12是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概略图。168.参照图11，磁性吸盘600可以包括：圆筒状棒形的金属尖620以及与所述金属尖620结合的线圈610(螺线管)。另外，线圈610可以包括用于供电的电源部v和开关s。这样，磁性吸盘600可以具有电磁铁形式。为了方便说明，线圈610可以称作电磁铁。169.因此，通过控制开关s可以对线圈610施加电流/电压，如上所述，仅在线圈610(电磁铁)施加电流/电压时，金属尖620可以具有磁力。170.此时，根据基板300、发光元件400(芯片)以及其他工序装备，线圈610的厚度、匝数以及长度可以不同。例如，线圈610的厚度范围可以是0.1至5mm。另外，线圈610的匝数可以是100至100000圈。另一方面，线圈610的长度可以是1至100m。171.金属尖620可以利用由具有强磁性的材料制成的金属结构物。金属尖的形状和尺寸可以根据基板300和发光元件400的形状来选择。作为这种金属尖620的一例，可以利用铁(fe)、镍(ni)、钴(co)等。172.与本发明的实施例不同，如果在磁性吸盘中使用非电磁铁的永磁铁，则根据磁场的对称性，需要使用两个末端呈相同形状的圆柱形的磁铁。但是，如果与本发明的实施例相同，在磁性吸盘600中适用电磁铁，则根据基板300和发光元件400的形状，可以使用各种各样的金属尖620。173.例如，在发光元件400的尺寸小，或者对发光元件400的磁场反应的磁体(例如，镍(ni))材料的含量相对地较少，或者利用发光元件400的一部分来组装等的情况下，可以通过集中磁场使发光元件400的移动变得容易。在此情况下，金属尖620的末端部分可以形成为窄小又锐利的形状。174.与此相反，在基板300内存在很多数量的像素位置，在这样的状况下，如果需要一次性组装大量的发光元件400，则可以适用宽的金属尖620。175.另外，根据基板300内像素位置的形状，可以使用各种各样的金属尖620。作为一例，如果发光元件400和像素位置的形状为并非四边形的其他形状，则可以适用与其形状相符的金属尖620。176.另一方面，根据施加的电流/电压的大小，作用于金属尖620的磁力的大小也可以不同。177.这样，由电信号来形成磁场，从而可以容易地控制发光元件400(芯片)的移动和组装。178.例如，当移动芯片400时，通过接通电流来形成磁场，从而使芯片400移动，随着组装的进行，可以调节电流的流动来提高基于电场的芯片的基板组装率。然后，芯片400在基板300内的组装结束后，在例如回收芯片等，再次移动芯片时，可以通过调节电流来顺畅地控制芯片的移动。179.作为具体的例，在移动发光元件400的过程中，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)施加第一电流。180.然后，在组装发光元件400的过程中，可以对线圈610施加比所述第一电流小的第二电流。181.另外，在回收未被组装而剩余的发光元件400的过程中，可以对磁性吸盘600的线圈610施加第三电流。此时，第三电流可以具有第一电流和第二电流之间的大小。182.附带说明的是，仅在移动发光元件400时，可以选择性地对磁性吸盘600接通电流。此时，为了使发光元件400的移动变得顺畅，可以适用较高的电压/电流/频率。183.然后，在组装发光元件400时，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)适用比移动发光元件400时更低的电压/电流/频率。这可以是为了提高发光元件400的基板组装的概率。184.然后，结束发光元件400的组装，进行基板的清洁(cleaning)和回收芯片时可以适用具有移动基板时的电压/电流/频率和组装基板时的电压/电流/频率之间的大小的电压/电流/频率。185.另一方面，参照图12，磁性吸盘600可以结合有旋转金属尖620的旋转机构640。如上所述，这种旋转机构640可以施加旋转力以能够使金属尖620在预定的范围内偏心旋转。下面对此进行详细说明。186.图13是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的另一例的概略图。187.参照图13，磁性吸盘600可以利用大型金属尖621和能够缠绕在这种大型金属尖621的大型线圈611。另外，在这种大型金属尖621中，可以利用在圆盘型底座631设置有复数个小型金属尖632的装拆式头630。188.这种复数个小型金属尖632的间隔可以与形成在基板300的(子)像素位置的间隔对应。根据基板300，像素位置可以不相同，可以有选择地利用具有与这种像素位置对应的金属尖632的间隔的头部630。189.与上述参照图12进行说明的情况相同，大型金属尖621和包括复数个金属尖632的头部630可以利用由具有强磁性的材料制成的金属结构物。可以根据基板300和发光元件400的形状来选择金属尖621、632的形状和尺寸。作为这种金属尖621、632的一例，可以利用铁(fe)、镍(ni)、钴(co)等。190.虽然没有另行标记，但是可以结合有旋转金属尖621、632的旋转机构640(参照图12)。如上所述，这种旋转机构640可以施加旋转力以使金属尖621、632能够在预定的范围内偏心旋转。191.电磁铁的磁场强度与线圈的长度和匝数成比例增加。因此，电磁铁的主体可以通过分离成用于制造和组装成大型机构的领域的尖端630(头部)部分之类的能够变形成各种各样的构件来制造。192.此时，可以通过以拆装式分离产生磁场的区域(金属尖621和线圈611)和头部630区域，来最大化磁力并提高组装率。193.另外，如上所述，磁性吸盘600可以向x、y以及z的三个方向移送，可以在基板300的与第一侧相反方向的第二侧，利用电磁铁将发光元件400组装到基板300的个别像素位置。194.此时，z方向可以是磁性吸盘600朝向基板300的方向，x和y方向可以是在基板300的主平面上移动的方向。例如，可以通过向z方向移送磁性吸盘600，来改变作用在发光元件400的磁力的大小。作为一例，向z方向移送磁性吸盘600，使磁性吸盘600位于离板350最近的位置时，可以对发光元件400作用最大的磁力。195.另外，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，以使发光元件400能够安装到个别像素位置。另外，也可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，来回收未被安装在像素位置而剩下的发光元件400。196.再次参照图10，可以通过并列设置复数个电磁铁来构成磁性吸盘600。此时，这种复数个金属尖620和线圈610可以与形成在基板300的(子)像素位置的间隔对应地配置。根据基板300，像素位置可以互不相同，可以通过设定与这种像素位置对应的金属尖620的间隔，来构成磁性吸盘600。197.此时，如图10所示，可以构成为通过使金属尖620和线圈610的相对位置发生多种变化，来能够在互相靠近的位置重叠。即，磁性吸盘600可以构成为，在第一列的金属尖620中线圈610相对地位于下侧，在第二列的金属尖620中线圈610相对地位于上侧。198.这可能是因为在构成磁性吸盘600时，线圈610(螺线管)部分的体积相对较大。即，由于线圈610的体积大，因此可以通过使一个线圈610的位置与邻接线圈610的位置以不重叠的方式交叉来构成磁性吸盘600。199.如上所述，磁性吸盘600可以包括以预定间隔设置的复数个金属尖620和线圈610。当然，这种以预定间隔设置的复数个金属尖620和线圈610可以同时向x、y以及z方向移送。200.另一方面，参照图10，可以设置有在流体内供应发光元件400的托盘500。如图所示，可以以复数个发光元件400位于托盘500内的状态，通过垂直移送部510向垂直方向，即z方向移送。201.通过这种托盘500，可以将复数个发光元件400供应成更靠近基板300，由此，可以使发光元件400更准确地位于(子)像素位置。202.例如，在磁性吸盘600靠近基板300后，通过使托盘500上升来可以使用于组装的发光元件400更靠近基板300。此时，如果对磁性吸盘600供应磁力并使其在像素位置在比像素尺寸更大的半径内周期性地旋转，则发光元件400可以通过磁力来附着到这种像素位置。203.然后，可以通过对一对组装电极320施加电流来产生电场，从而固定发光元件400。204.此时，发光元件400可以以上部电极420位于下侧的状态组装到像素位置。即，主体部410可以组装到像素位置。虽然并未图示，但下部电极可以位于主体部410的下侧。即，发光元件400可以是垂直型发光元件。但是，本发明并不限定于此。例如，水平型发光元件也可以利用在组装上，当然，这种水平型发光元件可以倒装芯片接合或者组装到指定位置。205.图14是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的另一例的概略图。206.参照图14，基于上述的过程，个别发光元件400可以组装到由一对组装电极320和分隔壁340来定义个别像素位置的组装基板300的像素位置。207.如上所述，复数个发光元件400供应到由板350支撑的基板300，这种发光元件400可以利用磁性吸盘600组装到位于基板300的一侧(第一侧)的个别像素位置。208.如上所述，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，以使发光元件400能够安装到个别像素位置。另外，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，来回收未被安装在像素位置而剩下的发光元件400。209.在此情况下，根据本发明的显示器装置，通过在半导体发光元件400配置磁体430(参照图16)，利用磁性吸盘600的磁力来移动半导体发光元件400，在这样的移动过程中，可以利用电场来将发光元件400安装到预先设定的位置。210.在通过电场将发光元件400组装到像素位置后，可以施加更大的电流，从而利用磁场来回收剩余的发光元件400芯片。211.此时，由于在发光元件400分别组装在像素位置的状态下，利用电场来固定发光元件400的状态，因此可以通过施加恒定的磁力，来使金属尖620在一方向(例如，x方向)上回收剩余芯片。212.在图14中，示出了通过这种金属尖620的移送，来移送剩余芯片堆f的过程。213.如上所述，此时，可以利用托盘500。214.然后，可以通过使托盘500下降，来将剩余发光元件400回收到制造装置外侧。215.另一方面，如上所述，在利用磁性吸盘600通过改变磁场的大小来进行芯片的回收过程的情况下，可以不利用托盘500。216.图15是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造过程中金属尖的运动的概略图。217.如上所述，通过使磁性吸盘600旋转，可以施加周期性的力以使发光元件400可以准确地安装到像素位置。218.例如，可以使磁性吸盘600的金属尖620在预定的范围内周期性地偏心旋转。即，金属尖620不是以金属尖620自身的中心旋转，而是以恒定的频率偏心旋转，以能够扫描比金属尖620的面积更大的面积。219.此时，可以根据像素的尺寸来变更能够扫描的面积。即，如果像素的尺寸大，则可以以更大的偏心半径旋转，以能够扫描该像素占据的面积。220.在这样的过程中，可以提高这种位于预定的范围内的发光元件400被引导到像素位置而组装到准确的位置的概率。221.图15的内部的箭头概略地示出了金属尖620旋转的轨迹，外部的箭头示出了金属尖620的扫描面积可变更。222.如上所述，根据本发明的制造装置，可以在显示器装置的制造工序中调节磁性吸盘600的磁化强度。223.首先，根据不同的工序，在组装工序初期，为了复数个发光元件400芯片的移动顺畅地且有效率地进行，需要磁化强度大的磁铁。224.但是，在基板300上进行组装的过程中如果磁力大，则反而可能无法组装发光元件400，存在被吸引到磁性吸盘600侧的芯片。因此，如果可以根据不同的工序步骤调节磁化强度(磁力的强度)，则能够有利于提高组装成功率。225.另一方面，根据基板300的位置每个组装部位的阻力不同，根据基板300的尺寸，由于凹凸、曲折等，金属尖620和发光元件400芯片之间的磁化距离可能不同。因此，可以根据基板300的不同部位、发光元件400芯片的移动路径优化设计磁化强度。226.另外，根据本发明的实施例，可以对各种各样的基板进行组装。227.即，即使大面积基板的表面凹凸或曲折，也可以通过调节磁场的强度来保持组装率。228.作为一例，在比直径为150mm的基板更大的基板上，可能形成凹凸/弯曲等的落差，或者根据不同的部位厚度不同的现象，但是在这样的情况下，可以通过调节磁性吸盘600的磁场来提高组装率。229.图16是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置发光元件的一例的图。230.如果是利用在显示器装置的发光元件400，例如是具有微米单位的尺寸的微型led400，如上所述，包括磁体430。231.在这种发光元件400中，n-电极440位于下侧，p-型氮化镓(gan)系列半导体层450(p-gan)位于n-型氮化镓(gan)系列半导体层410(n-gan)上。此时，虽然并未图示，活性层可以位于n-型氮化镓(gan)系列半导体层410和p-型氮化镓(gan)系列半导体层450之间。232.另外，p-电极420可以位于p-型氮化镓(gan)系列半导体层450上，磁体430可以位于n-型氮化镓(gan)系列半导体层410的两侧上部侧。233.此时，根据这种发光元件400的磁体(ni)的体积和设计，磁化的程度可以不同。234.在这种情况下，为了使点灯效率最大化而减少芯片内部磁体430(ni)的量，或者限制磁体430的形状、尺寸等的情况下，组装率可能会降低。235.但是，如上所述，即使在这种情况下，也可以通过调节磁性吸盘600的磁场来提高组装率。236.图17是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造方法的流程图。237.以下，一同参照图10和图17，对使用上述的本发明的一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置的制造方法分步骤进行说明。238.首先，可以将基板300装载到适当的位置(s10)。即，可以配置由一对组装电极320来定义个别像素位置的基板300。239.如上所述，本发明的实施例的显示器装置的制造可以在流体中进行。240.如上所述，包括个别像素位置的基板300可以利用支撑该基板300的板350来供应。241.此时，可以根据情况，利用能够上下移送的托盘500来供应发光元件。242.然后，可以利用具有电磁铁610的磁性吸盘600来在基板300上移动包括磁体430的发光元件400(芯片)(s20)。243.此时，在移动发光元件400的过程s20中，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)施加第一电流。244.然后，可以通过对线圈610施加比这种第一电流更小的第二电流来组装发光元件400(s30)。245.如上所述，在基板300上进行组装的过程中，如果磁力大，则反而无法组装发光元件400，可能存在被吸引到磁性吸盘600侧的芯片。因此，在组装发光元件400的步骤s30中，可以施加比第一电流更小的第二电流。246.此时，可以通过使磁性吸盘600在预定的半径内旋转来执行组装发光元件400的步骤。即，在组装发光元件400的步骤中，可以使磁性吸盘600以恒定的频率旋转。247.然后，可以执行回收未被组装而剩下的剩余发光元件400的步骤(s40)。如此，在回收未被组装而剩下的剩余发光元件400的过程s40中，可以对磁性吸盘600的线圈610施加第三电流。此时，第三电流可以具有第一电流和第二电流之间的大小。248.附带说明的是，仅在移动发光元件400时，有选择地对磁性吸盘600接通电流。此时，为了顺畅地移动发光元件400，可以使用较高的电压/电流/频率。249.然后，在组装发光元件400时，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)适用比移动发光元件400时更低的电压/电流/频率。这可以是为了提高发光元件400的基板组装的概率。250.然后，在结束发光元件400的组装，并进行基板的清洁(cleaning)和回收芯片时，可以适用具有在基板的移动时的电压/电流/频率和组装时的电压/电流/频率之间大小的电压/电流/频率。251.如上所述，如果可以根据不同工序步骤来调节磁化强度(磁力的强度)，则能够有利于提高组装成功率。252.以上说明仅是本发明技术思想的示例，本发明所属领域的普通技术人员在不脱离本发明的本质特征的范围内可以做出各种修改和变形。253.因此，在本发明中公开的实施例并非旨在限制本发明的技术思想，而是用于说明该技术思想，本发明的技术思想的范围不受这些实施例的限制。254.本发明的保护范围应该由所附的权利要求书来解释，并且与之等同的范围内的所有技术思想都应被解释为包括在本发明的范围内。255.工业实用性256.本发明能够提供利用微米(μm)单位尺寸的半导体发光元件的发光装置、制造装置以及制造方法。当前第1页12当前第1页12
技术领域：
：，涉及利用例如微型led(lightemittingdiode)的显示器的制造装置及其制造方法。
背景技术：
：：2.近年来，在显示器
技术领域：
：，正在开发具有薄型、柔性等优异特性的显示器装置。与此相反，当前商用化的主要显示器的代表有液晶显示器(liquidcrystaldisplay：lcd)和有机发光二极管(organiclightemittingdiodes：oled)。3.但是，在lcd的情况下，存在反应时间不够快和难以实现柔性的问题点。4.另一方面，发光二极管(lightemittingdiode：led)作为将电流转换为光而所熟知的半导体发光元件，以1962年利用gaasp化合物半导体的红色led被商品化为开始，与gap：n系列的绿色led一起作为以信息通信设备为首的电子装置的显示图像用光源而被利用至今。因此，可以提出利用所述半导体发光元件来实现显示器，以此来解决上述问题点的方案。与基于灯丝的发光元件相比，所述半导体发光元件具有寿命长、电力消耗低、初始驱动特性优异以及抗震性高等各种各样的优点。5.近年来，这种半导体发光元件的尺寸已经缩小至数十微米。因此，在利用这种小尺寸的半导体发光元件来实现显示器装置的情况下，需要将非常多的半导体发光元件组装到显示器装置的布线基板。6.但是，在这种发光元件的组装过程中，存在难以使数量非常多的半导体发光元件精确地位于布线基板中目标位置的问题点。7.因此，需要用于克服这种问题点的方案。技术实现要素：8.发明要解决的问题9.本发明要解决的技术课题是提供一种利用发光元件的显示器装置的制造装置及其制造方法，旨在利用发光元件的显示器装置中提高组装率。10.此外，提供一种利用发光元件的显示器装置的制造装置及其制造方法，旨在利用基于电磁铁的磁性吸盘，根据工序步骤调节磁力，以此来根据基板的不同部位、发光元件芯片的移动路径优化设计磁化强度以能够提高组装率。11.解决问题的技术方案12.作为用于实现所述目的的第一观点，本发明作为利用发光元件的显示器装置的制造方法，可以包括：配置由一对组装电极来定义个别像素位置的基板的步骤；利用具有电磁铁的磁性吸盘来使包括磁体的发光元件在所述基板上移动的步骤；利用所述磁性吸盘将所述发光元件组装到所述个别像素位置的步骤；以及利用所述磁性吸盘来回收未被组装到所述个别像素位置的剩余发光元件的步骤。13.另外，在使所述发光元件移动的步骤中，可以对所述磁性吸盘的电磁铁施加第一电流；在组装所述发光元件的步骤中，可以对所述磁性吸盘的电磁铁施加与所述第一电流不同的第二电流。14.另外，所述第一电流可以比所述第二电流更大。15.另外，在回收所述剩余发光元件的步骤中，可以对所述磁性吸盘的电磁铁施加第三电流。16.另外，所述第三电流可以具有所述第一电流和所述第二电流之间的大小。17.另外，在配置所述基板的步骤之后，还可以包括利用能够上下移送的托盘来供应发光元件的步骤。18.另外，组装所述发光元件的步骤可以通过使所述磁性吸盘在预定的半径内旋转来执行。19.另外，在组装所述发光元件的步骤中，可以使所述磁性吸盘以恒定的频率旋转。20.作为用于实现所述目的的第二观点，本发明作为利用发光元件的显示器装置的制造装置，可以包括：板，支撑包括个别像素位置的基板；供应部，在所述基板的第一侧供应包括磁体的复数个发光元件；以及磁性吸盘，能够向x，y和z的三个方向移送，在所述基板的第二侧利用电磁铁将所述发光元件组装到基板的个别像素位置。21.另外，所述磁性吸盘可以包括：圆筒状棒形的金属尖；线圈，与所述金属尖结合；旋转机构，旋转所述金属尖；以及电源部，对所述线圈供电。22.另外，所述旋转机构可以使所述金属尖在预定的半径内旋转。23.另外，所述磁性吸盘可以包括以预定间隔设置的复数个金属尖和线圈。24.另外，所述磁性吸盘可以包括设置复数个金属尖的头部。25.另外，还可以包括相对所述基板能够在上下方向上移送并供应所述发光元件的托盘。26.另外，根据所述发光元件组装到基板的个别像素位置的过程，可以对所述磁性吸盘施加彼此不同的大小的电流。27.发明效果28.根据本发明的一实施例，具有以下效果。29.首先，根据本发明的显示器装置的制造装置，能够在显示器装置的制造工序中调节磁性吸盘的磁化强度。30.如上所述，如果能够根据不同的工序步骤调节磁化强度(磁力的强度)，则能够有利于提高组装成功率。31.另一方面，根据基板的位置不同的组装部位的阻力不同，而且根据基板的尺寸，可能因为凹凸、曲折等，金属尖和发光元件芯片之间磁化距离不同，因此能够根据基板的不同部位、发光元件芯片的移动路径优化设计磁化强度。32.另外，根据本发明的实施例，可以对各种各样的基板进行组装。即，即使在大面积基板的表面凹凸或曲折的情况下，也可以通过调节磁场的强度来保持组装率。33.进一步，根据本发明的另一实施例，还具有在此并未提及的追加的技术效果，本领域技术人员可以通过说明书和附图的总主旨来理解。附图说明34.图1是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的一例的概念图。35.图2是图1的a部分的局部放大图。36.图3a和图3b是沿图2的线b-b和c-c切断的剖视图。37.图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。38.图5a至图5c是示出与倒装芯片型半导体发光元件相关的实现颜色的多种形态的概念图。39.图6是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的制造方法的剖视图。40.图7是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的另一实施例的立体图。41.图8是沿图7的线d-d切断的剖视图。42.图9是示出图8的垂直型半导体发光元件的概念图。43.图10是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的概略图。44.图11是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概念图。45.图12是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概略图。46.图13是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中使用的磁性吸盘的另一例的概略图。47.图14是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的另一例的概略图。48.图15是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造过程中金属尖的运动的概略图。49.图16是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置发光元件的一例的图。50.图17是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造方法的流程图。具体实施方式51.下面，参照附图并根据本说明书中公开的实施例详细说明。另外，与图号无关地，对相同或相似的构成要素赋予了相同的附图标记，并省略了对其的重复说明。在以下的说明中所使用的构成要素的后缀“模块”和“部”是，为了便于说明书撰写而赋予或混用的，其自身并不具有相互区别的含义或作用。此外，在说明本发明公开的实施例的过程中，当判断对相关公知技术的具体说明会混淆本发明公开的实施例的要旨的情况下，省略了对该公知技术的详细说明。此外，应当理解的是，附图仅用于帮助理解本书明书中公开的实施例，本说明书中公开的技术思想并不限定于附图。52.进一步，虽然为了说明的便利对附图分别进行说明，但是，本领域技术人员通过结合至少两幅以上的附图来实现其他实施例也属于本发明的权利范围。53.另外，应当理解的是，当说明层、区域或基板之类的要素在不同的构成要素“上(on)”时，其含义包括直接在其他要素之上，或者两者之间能够存在中间要素。54.在本说明书中说明的显示器装置是涵盖以单位像素或以单位像素的集合显示信息的所有显示器装置的概念。因此，不限于完成品，也可以适用于部件。例如，相当于数字tv的一部件的面板本身也相当于本说明书上的显示器装置。作为完成品，可以包括移动电话，智能手机(smartphone)、笔记本电脑(laptopcomputer)、数字广播用终端，个人数字助理(personaldigitalassistants：pda)、可携式媒体播放器(portablemultimediaplayer：pmp)、导航、触屏平板电脑(slatepc)、平板电脑(tabletpc)、超极本(ultrabook)、数字tv、台式电脑等。55.但是，对本领域技术人员而言显而易见的是，根据本说明书所记载的实施例的构成也能够应用于以后开发出的新的产品形态的可显示的装置。56.另外，本说明书所涉及的半导体发光元件是包括led、微型led等概念，可以混用。57.图1是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的一实施例的概念图。58.如图1所示，在显示器装置100的控制部(未图示)中处理的信息可以利用柔性显示器(flexibledisplay)来显示。59.柔性显示器包括例如通过外力可以弯曲或可以弯折或可以扭曲或可以折叠或可以卷起的显示器。60.进一步，柔性显示器可以是例如在保持现有的平板显示器的显示特性的同时，在如同纸张一样弯曲或弯折或折叠或卷起的又薄又柔软的基板上制造的显示器。61.柔性显示器在没有弯曲的状态(例如，具有无限大的曲率半径的状态，以下称作第一状态)下，柔性显示器的显示区域为平面。在这样的第一状态，由于外力而弯曲的状态(例如，具有有限的曲率半径的状态，以下称作第二状态)下，显示区域可以成为曲面。如图1所示，在第二状态下显示的信息可以是输出在曲面上的视觉信息。这种视觉信息通过独立控制以矩阵形态配置的单位像素(sub-pixel)的发光来实现。例如，这里的单位像素表示用于实现一个颜色的最小单位。62.这种柔性显示器的单位像素可以通过半导体发光元件来实现。在本发明中，作为将电流转换为光的半导体发光元件的一种，例示了发光元件。作为发光元件的一例，可以是发光二极管(lightemittingdiode：led)。由于这种发光二极管形成为小尺寸，因此即使在所述第二状态下，也可以起到单位像素的作用。63.参照以下附图，对如上所述的利用发光二极管来实现的柔性显示器进行详细说明。64.图2是图1的a部分的局部放大图。65.图3a和图3b是沿图2的线b-b和c-c切断的剖视图。66.如图2、图3a以及图3b所示，作为利用半导体发光元件的显示器装置100，例示了利用无源矩阵(passivematrix，pm)方式的半导体发光元件的显示器装置100。但是，以下说明的示例也可以适用在有源矩阵(activematrix，am)方式的半导体发光元件。67.如图2所示，显示器装置100包括基板110、第一电极120、导电性粘合层130、第二电极140以及至少一个半导体发光元件150。68.基板110可以是柔性基板。例如，为了实现柔性(flexible)显示器装置，基板110可以包含玻璃或聚酰亚胺(pi，polyimide)。除此之外，还可以使用任何具有绝缘性、柔韧性的材料，例如pen(polyethylenenaphthalate：聚萘乙烯)、pet(polyethyleneterephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。另外，基板110可以是透明的材质或不透明的材质中的任一种。69.基板110可以是配置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可以位于基板110上。70.如图3a所示，绝缘层160可以配置在设置有第一电极120的基板110上，辅助电极170可以位于该绝缘层160。在此情况下，绝缘层160层叠在基板110的状态可以成为一个布线基板。更具体而言，绝缘层160可以作为具有绝缘性、柔性的材质，如聚酰亚胺(pi，polyimide)、pet、pen等，通过与基板110形成为一体来形成一个基板。71.辅助电极170作为将第一电极120与半导体发光元件150电连接的电极，位于绝缘层160上，与第一电极120的位置对应地配置。例如，辅助电极170为圆点(dot)形状，可以通过贯通绝缘层160的电极孔171与第一电极120电连接。电极孔171可以通过在通路孔填充导电物质来形成。72.如图2或图3a所示，虽然绝缘层160的一面形成有导电性粘合层130，但是本发明并不限定于此。例如，可以是在绝缘层160和导电性粘合层130之间形成执行特定功能的层，或者是在没有绝缘层160的情况下，导电性粘合层130配置在基板110上的结构。在导电性粘合层130配置在基板110上的结构中，导电性粘合层130可以起到绝缘层的作用。73.导电性粘合层130可以是具有粘合性和导电性的层，为此，在导电性粘合层130中，可以混合具有导电性的物质和具有粘合性的物质。另外，由于导电性粘合层130具有延展性，因此能够在显示器装置实现柔性功能。74.作为这样的例，导电性粘合层130可以是各向异性导电膜(anistropyconductivefilm，acf)、各向异性导电浆(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。导电性粘合层130可以构成为，在贯通厚度的z方向允许相互电连接，而在水平的x-y方向具有电绝缘性的层。因此，导电性粘合层130可以命名为z轴导电层(但是，以下称作“导电性粘合层”)。75.各向异性导电膜作为各向异性导电介质(anisotropicconductivemedium)混合在绝缘性基础构件的形态的膜，如果施加热和压力，则仅特定部分因各向异性导电介质而具有导电性。以下，虽然以在各向异性导电膜上施加热和压力的状态进行说明，但是为了使各向异性导电膜的局部具有导电性，也可以适用其他方法。例如，上述的其他方法可以是，仅施加热和压力中任一种或uv固化等。76.另外，例如，各向异性导电介质可以是导电球或导电粒子。例如，各向异性导电膜作为导电球混合在绝缘性基础构件中的形态的膜，如果施加热和压力，则仅特定部分因导电球而具有导电性。各向异性导电膜可以成为含有复数个粒子的状态，所述粒子是导电性物质的芯被聚合物材质的绝缘膜包覆而成的，在此情况下，随着被施加热和压力的部分的绝缘膜破坏，由于芯而具有导电性。此时，芯的形态发生变形，可以构成在膜的厚度方向上相互接触的层。作为更具体的例子，对各向异性导电膜整体施加热和压力，由于通过各向异性导电膜来粘合的相对物的高度差而局部形成z轴向的电连接。77.作为另一例，各向异性导电膜可以成为含有复数个粒子的状态，所述粒子是绝缘芯被导电性物质包覆而成的。在此情况下，被施加热和压力的部分的导电性物质发生变形(按压粘连)，沿膜的厚度方向具有导电性。作为另一例，也可以是通过导电性物质沿z轴向贯通绝缘性基础构件而沿膜的厚度方向具有导电性的形态。在此情况下，导电性物质可以具有尖尖的端部。78.各向异性导电膜可以是以导电球插入绝缘性基础构件的一面的形态构成的固定排列各向异性导电膜(fixedarrayacf)。更具体而言，绝缘性基础构件由具有粘合性的物质形成，导电球集中配置于绝缘性基础构件的底部，如果在基础构件中施加热和压力，则随着与导电球一起变形，在垂直方向具有导电性。79.但是，本发明并不限定于此，各向异性导电膜可以是在绝缘性基础构件中随机混合导电球的形态，或者构成为复数个层并且某一层配置导电球的形态(double-acf)等。80.各向异性导电浆作为浆和导电球的结合形态，可以是在绝缘性和粘合性的基础物质中混合导电球的浆。另外，含有导电粒子的溶液可以是含有导电性微粒或纳米粒子的形态的溶液。81.再次参照图3a，第二电极140以与辅助电极170隔开的状态位于绝缘层160。即，导电性粘合层130配置在辅助电极170和第二电极140所处的绝缘层160上。82.在辅助电极170和第二电极140位于绝缘层160的状态下，形成导电性粘合层130后，如果通过施加热和压力，使半导体发光元件150以倒装芯片的形态来接触，则半导体发光元件150与第一电极120和第二电极140电连接。83.图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光元件的概念图。84.参照图4，半导体发光元件可以是倒装芯片型(flipchiptype)的发光元件。85.例如，半导体发光元件包括：p型电极156、供p型电极156形成的p型半导体层155、在p型半导体层155上形成的活性层154、在活性层154上形成的n型半导体层153以及在n型半导体层153上与p型电极156沿水平方向隔开配置的n型电极152。在此情况下，p型电极156可以通过图3a和图3b所示的辅助电极170与导电性粘合层130电连接，n型电极152可以与第二电极140电连接。86.再次参照图2、图3a以及图3b，辅助电极170沿一个方向长长地形成，从而一个辅助电极可以与复数个半导体发光元件150电连接。例如，以辅助电极为中心的左右的半导体发光元件的p型电极可以与一个辅助电极电连接。87.更具体而言，由于热和压力，半导体发光元件150压入到导电性粘合层130的内部，由此，仅使半导体发光元件150的p型电极156与辅助电极170之间的部分，和半导体发光元件150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性，而在其他部分，由于没有压入半导体发光元件，因此不具有导电性。与此相同，导电性粘合层130不仅使半导体发光元件150与辅助电极170之间和半导体发光元件150与第二电极140之间相互结合，还形成了电连接。88.另外，复数个半导体发光元件150构成发光元件阵列(array)，在发光元件阵列上形成有荧光体层180。89.发光元件阵列可以包括复数个自身亮度值不同的半导体发光元件。每个半导体发光元件150构成单位像素，与第一电极120电连接。例如，第一电极120可以是复数个，例如复数个半导体发光元件可以沿竖列配置，各列的半导体发光元件可以与复数个第一电极中任一个电连接。90.另外，由于复数个半导体发光元件以倒装芯片形态来连接，可以利用在透明电介质基板上生长的复数个半导体发光元件。另外，复数个半导体发光元件例如可以是氮化物半导体发光元件。由于半导体发光元件150具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成个别单位像素。91.如图3a和图3b所示，半导体发光元件150之间可以设置有分隔壁190。在此情况下，分隔壁190可以起到将个别单位像素相互分离的作用，可以与导电性粘合层130形成为一体。例如，可以通过半导体发光元件150插入到各向异性导电膜，各向异性导电膜的基础构件形成分隔壁。92.另外，如果各向异性导电膜的基础构件是黑色，则即使没有额外的黑色绝缘体，分隔壁190也可以具有反射特性的同时，增加对比度(contrast)。93.作为另一例，作为分隔壁190可以额外地设置反射性分隔壁。在此情况下，根据显示器装置的目的，分隔壁190可以包括黑色(black)或白色(white)绝缘体。在利用白色绝缘体的分隔壁的情况下，可以具有提高反射性的效果，在利用黑色绝缘体的分隔壁的情况下，可以具有反射特性的同时增加对比度(contrast)。94.荧光体层180可以位于半导体发光元件150的外表面。例如，半导体发光元件150为发出蓝色b光的蓝色半导体发光元件，荧光体层180执行将所述蓝色b光转换为单位像素的色相的功能。荧光体层180可以是构成个别像素的红色荧光体181或绿色荧光体182。95.即，在构成红色的单位像素的位置上，可以在蓝色半导体发光元件上层叠能够将蓝色光转换为红色r光的红色荧光体181，在构成绿色的单位像素的位置上，可以在蓝色半导体发光元件上层叠能够蓝色光转换为绿色g光的绿色荧光体182。另外，在构成蓝色的单位像素的部分上，可以仅单独利用蓝色半导体发光元件。在此情况下，红色r、绿色g以及蓝色b的单位像素可以构成一个像素。更具体而言，可以沿第一电极120的各个线层叠一个色相的荧光体。因此，在第一电极120中，一个线可以是控制一个色相的电极。即，沿第二电极140，可以依次配置红色r、绿色g以及蓝色b，以此可以实现单位像素。96.但是，本发明并不限定于此，替代荧光体可以通过组合半导体发光元件150和量子点(qd)来实现红色r、绿色g以及蓝色b的单位像素。97.另外，为了提高对比度(contrast)，各个荧光体层之间可以配置有黑色矩阵191。即，这种黑色矩阵191可以提高明暗的对比。98.但是，本发明并不限定于此，也可以使用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。99.图5a至图5c是示出与倒装芯片型半导体发光元件相关的实现颜色的多种形态的概念图。100.参照图5a，各个半导体发光元件150可以通过以氮化镓(gan)为主材料一同添加铟(in)和/或铝(al)，来实现发出包括蓝色在内的各种各样的光的高输出的发光元件。101.在此情况下，为了构成单位像素(sub-pixel)，半导体发光元件150分别可以是红色r、绿色g以及蓝色b半导体发光元件。例如，红色r、绿色g和蓝色b半导体发光元件交替配置，基于红色、绿色和蓝色半导体发光元件的红色(red)、绿色(green)和蓝色(blue)的单位像素形成一个像素(pixel)，由此可以实现全彩色显示器。102.参照图5b，半导体发光元件150a可以设置有每个元件均具有黄色荧光体层的白色发光元件w。在此情况下，为了构成单位像素，可以在白色发光元件w上设置有红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183。另外，在这样的白色发光元件w上，可以利用重复红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片来构成单位像素。103.参照图5c，半导体发光元件150b也可以是在紫外线发光元件uv上设置有红色荧光体层184、绿色荧光体层185和蓝色荧光体层186的结构。如上所述，半导体发光元件可以在全域使用可视光线到紫外线uv，从而可以扩展为能够将紫外线uv作为上部荧光体的激发源(excitationsource)来使用的半导体发光元件的形态。104.再次参照本示例，半导体发光元件位于导电性粘合层上，在显示器装置中构成单位像素。由于半导体发光元件具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成个别单位像素。105.例如，此类的个别半导体发光元件150、150a、150b的尺寸可以是一边长度为80μm以下，可以是矩形或正四边形元件。如果是矩形，可以是20×80μm以下的尺寸。106.另外，即使将单边长度为10μm的正四边形的半导体发光元件150，150a，150b作为单位像素来利用，也能显示出用于构成显示器装置的充分的亮度。107.因此，以单位像素的尺寸为一边是600μm、剩余的一边是300μm的矩形像素的情况为例，半导体发光元件150，150a，150b的间距相对地足够大。108.因此，在这样的情况下，能够实现具有hd画质以上的高画质的柔性显示器装置。109.上述说明的利用半导体发光元件的显示器装置可以通过新型的制造方法来制造。以下，参照图6，对制造方法进行说明。110.图6是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的制造方法的剖视图。111.如图6所示，首先，在辅助电极170和第二电极140所处的绝缘层160上形成导电性粘合层130。通过在第一基板110上层叠绝缘层160来形成一个基板(或布线基板)，在布线基板上配置有第一电极120、辅助电极170以及第二电极140。在此情况下，第一电极120和第二电极140可以沿相互正交的方向配置。另外，为了实现柔性(flexible)显示器装置，第一基板110和绝缘层160可以分别包含玻璃或聚酰亚胺(pi)。112.例如，导电性粘合层130可以由各向异性导电膜来实现，为此，可以在绝缘层160所处的基板上涂布各向异性导电膜。113.然后，与辅助电极170和第二电极140的位置对应且构成个别像素的复数个半导体发光元件150所处的第二基板112配置成半导体发光元件150面向辅助电极170和第二电极140。114.在此情况下，第二基板112作为使半导体发光元件150生长的生长基板，可以是蓝宝石(spire)基板或硅(silicon)基板。115.在半导体发光元件形成为晶片(wafer)单位时，使其具有能够形成显示器装置的间隔和尺寸，由此能够有效地利用在显示器装置。116.然后，对布线基板和第二基板112进行热压接合。例如，可以通过使用acf压头对布线基板和第二基板112进行热压接合。通过热压接合，布线基板和第二基板112被接合(bonding)。通过热压接合，因具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅半导体发光元件150与辅助电极170之间和半导体发光元件150与第二电极140之间部分具有导电性，由此，电极和半导体发光元件150可以电连接。此时，半导体发光元件150插入到各向异性导电膜的内部，由此在半导体发光元件150之间形成分隔壁。117.然后，去除第二基板112。例如，可以利用激光剥离法(laserlift-off，llo)或化学剥离法(chemicallift-off，clo)去除第二基板112。118.最后，通过去除所述第二基板112使半导体发光元件150暴露在外。根据需要，可以在结合有半导体发光元件150的布线基板上涂布氧化硅(siox)等，来形成透明绝缘层(未图示)。119.另外，还可以包括在半导体发光元件150的一面形成荧光体层的步骤。例如，半导体发光元件150为发出蓝色b光的蓝色半导体发光元件，用于将这种蓝色b光转换为单位像素的色相的红色荧光体或绿色荧光体可以在蓝色半导体发光元件的一面形成层。120.上述说明的利用半导体发光元件的显示器装置的制造方法或结构可以改变为各种方式。例如，在上述说明的显示器装置中，也可以适用垂直型半导体发光元件。121.另外，在以下说明的变形例或实施例中，对与前述的实施例相同或相似的构成赋予了相同或相似的附图标记，对于相同或者相似的构成的说明沿用前述说明。122.图7是示出本发明的利用半导体发光元件的显示器装置的另一实施例的立体图，图8是沿图7的线d-d切断的剖视图，图9是示出图8的垂直型半导体发光元件的概念图。123.参照本附图，显示器装置可以是利用无源矩阵(passivematrix，pm)方式的垂直型半导体发光元件的显示器装置。124.这样的显示器装置包括基板210、第一电极220、导电性粘合层230、第二电极240以及至少一个半导体发光元件250。125.基板210作为配置有第一电极220的布线基板，为了实现柔性(flexible)显示器装置可以包含聚酰亚胺(pi)。除此之外，可以使用任一种具有绝缘性和柔性的材质。126.第一电极220位于基板210上，可以形成为沿一个方向长的棒(bar)形的电极。第一电极220可以构成为起到数据电极的作用。127.导电性粘合层230形成在第一电极220所处的基板210上。与使用倒装芯片型(flipchiptype)的发光元件的显示器装置相同，导电性粘合层230可以是各向异性导电膜(anisotropyconductivefilm，acf)、各向异性导电浆(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。但是，在本实施例中，也例示了由各向异性导电膜实现导电性粘合层230的情况。128.在第一电极220位于基板210上的状态下，设置各向异性导电膜后，通过施加热和压力使半导体发光元件250连接，半导体发光元件250与第一电极220电连接。此时，半导体发光元件250优选配置成位于第一电极220上。129.如上所述，产生这种电连接是因为，如果对各向异性导电膜施加热和压力，则在厚度方向上局部具有导电性。因此，各向异性导电膜在厚度方向上划分为具有导电性的部分和不具有导电性的部分。130.另外，由于各向异性导电膜含有粘合成分，因此导电性粘合层230不仅实现了半导体发光元件250与第一电极220之间的电连接，还实现了机械性结合。131.如此，半导体发光元件250位于导电性粘合层230上，由此在显示器装置中构成个别像素。由于半导体发光元件250具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成个别单位像素。例如，这种个别半导体发光元件250的尺寸可以是单边长度在80μm以下，可以是矩形或正四边形元件。如果是矩形，例如可以成为20×80μm以下的尺寸。132.这种半导体发光元件250可以是垂直型结构。133.垂直型半导体发光元件之间设置有复数个第二电极240，其在与第一电极220的长度方向交叉的方向上配置，并且与垂直型半导体发光元件250电连接。134.参照图9，这样的垂直型半导体发光元件包括：p型电极256、形成在p型电极256上的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的活性层254、形成在活性层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在此情况下，位于下部的p型电极256可以通过导电性粘合层230与第一电极220电连接，位于上部的n型电极252可以与后述的第二电极240电连接。这样的垂直型半导体发光元件250可以将电极配置在上/下，因此具有缩小芯片尺寸的大优点。135.再次参照图8，在半导体发光元件250的一面可以形成有荧光体层280。例如，半导体发光元件250是发出蓝色b光的蓝色半导体发光元件251，可以设置有用于将这样的蓝色b光转换为单位像素的色相的荧光体层280。在此情况下，荧光体层280可以是构成个别像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。136.即，在构成红色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光元件上层叠有能够将蓝色光转换为红色r光的红色荧光体281，在构成绿色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光元件上层叠有能够将蓝色光转换为绿色g光的绿色荧光体282。另外，在构成蓝色的单位像素的部分，可以单独利用蓝色半导体发光元件。在此情况下，红色r、绿色g以及蓝色b的单位像素可以形成一个像素。137.但是，本发明并不限定于此，如上所述，在使用倒装芯片型(flipchiptype)的发光元件的显示器装置中，可以使用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。138.再参照本实施例，第二电极240位于半导体发光元件250之间，与半导体发光元件250电连接。例如，半导体发光元件250可以配置为复数个列，第二电极240位于半导体发光元件250的列之间。139.由于构成个别像素的半导体发光元件250之间的距离足够大，因此第二电极240可以位于半导体发光元件250之间。140.第二电极240可以形成为沿一个方向长的长棒(bar)形的电极，可以在与第一电极相互垂直的方向上配置。141.另外，第二电极240和半导体发光元件250可以通过从第二电极240凸出的连接电极来电连接。更具体而言，连接电极可以是半导体发光元件250的n型电极。例如，n型电极形成为用于欧姆(ohmic)接触的欧姆电极，第二电极240通过印刷或蒸镀来覆盖欧姆电极的至少一部分。由此，第二电极240和半导体发光元件250的n型电极可以电连接。142.再次参照图8，第二电极240可以位于导电性粘合层230上。根据情况，在形成有半导体发光元件250的基板210上可以形成包含氧化硅(siox)等的透明绝缘层(未图示)。在形成透明绝缘层后要设置第二电极240的情况下，第二电极240可以位于透明绝缘层上。另外，第二电极240也可以与导电性粘合层230或透明绝缘层隔开而形成。143.如果为了将第二电极240设置在半导体发光元件250上而使用ito(indiumtinoxide)之类的透明电极，则存在ito物质与n型半导体层的粘合性不良的问题。因此，在本发明中，将第二电极240设置在半导体发光元件250之间，从而具有可以不使用ito之类的透明电极的好处。因此，不受选择透明的材料的限制，能够将与n型半导体层具有良好的粘合性的导电性物质作为水平电极来使用，从而提高光取出效率。144.再次参照图8，分隔壁290可以位于半导体发光元件250之间。即，为了隔开构成个别像素的半导体发光元件250，垂直型半导体发光元件250之间可以配置有分隔壁290。在此情况下，分隔壁290可以起到使个别单位像素相互分隔的作用，可以与导电性粘合层230形成为一体。例如，可以通过半导体发光元件250插入到各向异性导电膜，各向异性导电膜的基础构件形成为分隔壁290。145.另外，如果各向异性导电膜的基础构件为黑色，则即使没有额外的黑色绝缘体，所述分隔壁290也可以在具有反射特性的同时，增加对比度(contrast)。146.作为另一例，作为分隔壁290，可以设置有额外的反射性分隔壁。根据显示器装置的目的，分隔壁290可以包括黑色(black)或白色(white)绝缘体。147.如果，在第二电极240恰好位于半导体发光元件250之间的导电性粘合层230上的情况下，分隔壁290可以位于垂直型半导体发光元件250和第二电极240之间。因此，可以利用半导体发光元件250以小的尺寸构成个别单位像素，由于半导体发光元件250的间距相对地足够宽，从而可以将第二电极240位于半导体发光元件250之间，具有能够实现具有hd画质的柔性显示器装置的效果。148.另外，如图8所示，为了提高对比度(contrast)，各个荧光体之间可以配置有黑色矩阵291。即，这种黑色矩阵291可以提高明暗的对比。149.在上述说明的本发明的利用半导体发光元件的显示器装置中，半导体发光元件以倒装芯片型配置在布线基板上，作为个别像素而被利用。150.图10是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的概略图。151.参照图10，个别发光元件400可以组装在由一对组装电极320和分隔壁340来定义个别像素位置的组装基板300的像素位置上。152.此时，个别发光元件400可以包括磁体430(参照图16)。因此，发光元件400可以被磁性吸盘600的磁力吸引而组装在像素位置上。153.包括个别像素位置的基板300可以由板350支撑。另外，基板300可以被支撑成使个别像素位置朝向下侧。154.如上所述，在由板350支撑的基板300上供应复数个发光元件400，这种发光元件400可以利用磁性吸盘600组装在位于基板300的一侧(以下，第一侧)的个别像素位置。155.磁性吸盘600可以向x、y以及z的三个方向移送，在基板300的与第一侧相反方向的第二侧上，可以利用电磁铁将发光元件400组装在基板300的个别像素位置。156.这种磁性吸盘600可以包括：圆筒状棒形的金属尖(metaltip)620(磁头)以及线圈610(或螺线管)，所述线圈610通过与金属尖620结合来产生磁力。157.此时，z方向可以是磁性吸盘600朝向基板300的方向，x和y方向可以是在基板300的主平面上移动的方向。例如，可以通过向z方向移送磁性吸盘600，来改变作用在发光元件400的磁力的大小。作为一例，可以向z方向移送磁性吸盘600而磁性吸盘600位于最接近板350的位置时，对发光元件400作用最大的磁力。158.另外，可以向x和y方向移送磁性吸盘600，使发光元件400能够安装到个别像素位置。另外，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，回收未安装到像素位置的剩余发光元件400。159.另一方面，可以通过旋转磁性吸盘600，施加周期性的力以使发光元件400能够准确地安装到像素位置。例如，磁性吸盘600的金属尖620可以在预定的范围内周期性地偏心旋转。在这样的过程中，这种位于预定的范围内的发光元件400被引导到像素位置，从而能够提高组装在准确的位置的概率。160.这样的组装过程可以在流体内实现。例如，在充满流体的腔室内放置半导体发光元件400和基板300，利用重力、表面张力、磁力、电力等，发光元件400自行组装在基板300上。这样的过程可以称作自行组装过程。161.在此情况下，基板300可以是组装基板。这种组装基板可以是临时安装发光元件400并转印到构成显示器装置的基板(布线基板)的基板。162.在这种组装基板中，多对组装电极320(321、322)配置在基础基板310上，绝缘层330可以位于此电极320上。另外，在绝缘层330上，定义像素位置的分隔壁340可以位于与组装电极320对应的位置。163.作为另一例，可以代替组装基板将布线基板放置到流体腔室内，从而使光元件400准确地安装到布线基板。在此情况下，基板300可以是布线基板。但是，为了便于说明，在本发明中例示了基板300作为组装基板被安装发光元件400。164.另一方面，如果将如上说明的自行组装方法适用于大屏幕显示器的制造，则需要提高转印良率。在本发明中，为了提高转印良率，提出使重力或摩擦力的影响最小，并且防止非特异性结合的方法和装置。165.另外，本发明提出通过在磁性吸盘600中适用电磁铁来在发光元件400的组装过程中使用不同大小的磁力，由此能够更有效率地组装发光元件400的装置和方法。166.在此情况下，根据本发明的显示器装置可以通过将磁体430(图16参照)配置在半导体发光元件400，利用磁性吸盘600的磁力来移动半导体发光元件400，并且在这样的移动过程中，利用电场将发光元件400安装到预先设定的位置。167.图11是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概念图，图12是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的一例的概略图。168.参照图11，磁性吸盘600可以包括：圆筒状棒形的金属尖620以及与所述金属尖620结合的线圈610(螺线管)。另外，线圈610可以包括用于供电的电源部v和开关s。这样，磁性吸盘600可以具有电磁铁形式。为了方便说明，线圈610可以称作电磁铁。169.因此，通过控制开关s可以对线圈610施加电流/电压，如上所述，仅在线圈610(电磁铁)施加电流/电压时，金属尖620可以具有磁力。170.此时，根据基板300、发光元件400(芯片)以及其他工序装备，线圈610的厚度、匝数以及长度可以不同。例如，线圈610的厚度范围可以是0.1至5mm。另外，线圈610的匝数可以是100至100000圈。另一方面，线圈610的长度可以是1至100m。171.金属尖620可以利用由具有强磁性的材料制成的金属结构物。金属尖的形状和尺寸可以根据基板300和发光元件400的形状来选择。作为这种金属尖620的一例，可以利用铁(fe)、镍(ni)、钴(co)等。172.与本发明的实施例不同，如果在磁性吸盘中使用非电磁铁的永磁铁，则根据磁场的对称性，需要使用两个末端呈相同形状的圆柱形的磁铁。但是，如果与本发明的实施例相同，在磁性吸盘600中适用电磁铁，则根据基板300和发光元件400的形状，可以使用各种各样的金属尖620。173.例如，在发光元件400的尺寸小，或者对发光元件400的磁场反应的磁体(例如，镍(ni))材料的含量相对地较少，或者利用发光元件400的一部分来组装等的情况下，可以通过集中磁场使发光元件400的移动变得容易。在此情况下，金属尖620的末端部分可以形成为窄小又锐利的形状。174.与此相反，在基板300内存在很多数量的像素位置，在这样的状况下，如果需要一次性组装大量的发光元件400，则可以适用宽的金属尖620。175.另外，根据基板300内像素位置的形状，可以使用各种各样的金属尖620。作为一例，如果发光元件400和像素位置的形状为并非四边形的其他形状，则可以适用与其形状相符的金属尖620。176.另一方面，根据施加的电流/电压的大小，作用于金属尖620的磁力的大小也可以不同。177.这样，由电信号来形成磁场，从而可以容易地控制发光元件400(芯片)的移动和组装。178.例如，当移动芯片400时，通过接通电流来形成磁场，从而使芯片400移动，随着组装的进行，可以调节电流的流动来提高基于电场的芯片的基板组装率。然后，芯片400在基板300内的组装结束后，在例如回收芯片等，再次移动芯片时，可以通过调节电流来顺畅地控制芯片的移动。179.作为具体的例，在移动发光元件400的过程中，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)施加第一电流。180.然后，在组装发光元件400的过程中，可以对线圈610施加比所述第一电流小的第二电流。181.另外，在回收未被组装而剩余的发光元件400的过程中，可以对磁性吸盘600的线圈610施加第三电流。此时，第三电流可以具有第一电流和第二电流之间的大小。182.附带说明的是，仅在移动发光元件400时，可以选择性地对磁性吸盘600接通电流。此时，为了使发光元件400的移动变得顺畅，可以适用较高的电压/电流/频率。183.然后，在组装发光元件400时，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)适用比移动发光元件400时更低的电压/电流/频率。这可以是为了提高发光元件400的基板组装的概率。184.然后，结束发光元件400的组装，进行基板的清洁(cleaning)和回收芯片时可以适用具有移动基板时的电压/电流/频率和组装基板时的电压/电流/频率之间的大小的电压/电流/频率。185.另一方面，参照图12，磁性吸盘600可以结合有旋转金属尖620的旋转机构640。如上所述，这种旋转机构640可以施加旋转力以能够使金属尖620在预定的范围内偏心旋转。下面对此进行详细说明。186.图13是示出在本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置中适用的磁性吸盘的另一例的概略图。187.参照图13，磁性吸盘600可以利用大型金属尖621和能够缠绕在这种大型金属尖621的大型线圈611。另外，在这种大型金属尖621中，可以利用在圆盘型底座631设置有复数个小型金属尖632的装拆式头630。188.这种复数个小型金属尖632的间隔可以与形成在基板300的(子)像素位置的间隔对应。根据基板300，像素位置可以不相同，可以有选择地利用具有与这种像素位置对应的金属尖632的间隔的头部630。189.与上述参照图12进行说明的情况相同，大型金属尖621和包括复数个金属尖632的头部630可以利用由具有强磁性的材料制成的金属结构物。可以根据基板300和发光元件400的形状来选择金属尖621、632的形状和尺寸。作为这种金属尖621、632的一例，可以利用铁(fe)、镍(ni)、钴(co)等。190.虽然没有另行标记，但是可以结合有旋转金属尖621、632的旋转机构640(参照图12)。如上所述，这种旋转机构640可以施加旋转力以使金属尖621、632能够在预定的范围内偏心旋转。191.电磁铁的磁场强度与线圈的长度和匝数成比例增加。因此，电磁铁的主体可以通过分离成用于制造和组装成大型机构的领域的尖端630(头部)部分之类的能够变形成各种各样的构件来制造。192.此时，可以通过以拆装式分离产生磁场的区域(金属尖621和线圈611)和头部630区域，来最大化磁力并提高组装率。193.另外，如上所述，磁性吸盘600可以向x、y以及z的三个方向移送，可以在基板300的与第一侧相反方向的第二侧，利用电磁铁将发光元件400组装到基板300的个别像素位置。194.此时，z方向可以是磁性吸盘600朝向基板300的方向，x和y方向可以是在基板300的主平面上移动的方向。例如，可以通过向z方向移送磁性吸盘600，来改变作用在发光元件400的磁力的大小。作为一例，向z方向移送磁性吸盘600，使磁性吸盘600位于离板350最近的位置时，可以对发光元件400作用最大的磁力。195.另外，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，以使发光元件400能够安装到个别像素位置。另外，也可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，来回收未被安装在像素位置而剩下的发光元件400。196.再次参照图10，可以通过并列设置复数个电磁铁来构成磁性吸盘600。此时，这种复数个金属尖620和线圈610可以与形成在基板300的(子)像素位置的间隔对应地配置。根据基板300，像素位置可以互不相同，可以通过设定与这种像素位置对应的金属尖620的间隔，来构成磁性吸盘600。197.此时，如图10所示，可以构成为通过使金属尖620和线圈610的相对位置发生多种变化，来能够在互相靠近的位置重叠。即，磁性吸盘600可以构成为，在第一列的金属尖620中线圈610相对地位于下侧，在第二列的金属尖620中线圈610相对地位于上侧。198.这可能是因为在构成磁性吸盘600时，线圈610(螺线管)部分的体积相对较大。即，由于线圈610的体积大，因此可以通过使一个线圈610的位置与邻接线圈610的位置以不重叠的方式交叉来构成磁性吸盘600。199.如上所述，磁性吸盘600可以包括以预定间隔设置的复数个金属尖620和线圈610。当然，这种以预定间隔设置的复数个金属尖620和线圈610可以同时向x、y以及z方向移送。200.另一方面，参照图10，可以设置有在流体内供应发光元件400的托盘500。如图所示，可以以复数个发光元件400位于托盘500内的状态，通过垂直移送部510向垂直方向，即z方向移送。201.通过这种托盘500，可以将复数个发光元件400供应成更靠近基板300，由此，可以使发光元件400更准确地位于(子)像素位置。202.例如，在磁性吸盘600靠近基板300后，通过使托盘500上升来可以使用于组装的发光元件400更靠近基板300。此时，如果对磁性吸盘600供应磁力并使其在像素位置在比像素尺寸更大的半径内周期性地旋转，则发光元件400可以通过磁力来附着到这种像素位置。203.然后，可以通过对一对组装电极320施加电流来产生电场，从而固定发光元件400。204.此时，发光元件400可以以上部电极420位于下侧的状态组装到像素位置。即，主体部410可以组装到像素位置。虽然并未图示，但下部电极可以位于主体部410的下侧。即，发光元件400可以是垂直型发光元件。但是，本发明并不限定于此。例如，水平型发光元件也可以利用在组装上，当然，这种水平型发光元件可以倒装芯片接合或者组装到指定位置。205.图14是示出使用本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置，来制造显示器装置的过程的另一例的概略图。206.参照图14，基于上述的过程，个别发光元件400可以组装到由一对组装电极320和分隔壁340来定义个别像素位置的组装基板300的像素位置。207.如上所述，复数个发光元件400供应到由板350支撑的基板300，这种发光元件400可以利用磁性吸盘600组装到位于基板300的一侧(第一侧)的个别像素位置。208.如上所述，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，以使发光元件400能够安装到个别像素位置。另外，可以通过向x和y方向移送磁性吸盘600，来回收未被安装在像素位置而剩下的发光元件400。209.在此情况下，根据本发明的显示器装置，通过在半导体发光元件400配置磁体430(参照图16)，利用磁性吸盘600的磁力来移动半导体发光元件400，在这样的移动过程中，可以利用电场来将发光元件400安装到预先设定的位置。210.在通过电场将发光元件400组装到像素位置后，可以施加更大的电流，从而利用磁场来回收剩余的发光元件400芯片。211.此时，由于在发光元件400分别组装在像素位置的状态下，利用电场来固定发光元件400的状态，因此可以通过施加恒定的磁力，来使金属尖620在一方向(例如，x方向)上回收剩余芯片。212.在图14中，示出了通过这种金属尖620的移送，来移送剩余芯片堆f的过程。213.如上所述，此时，可以利用托盘500。214.然后，可以通过使托盘500下降，来将剩余发光元件400回收到制造装置外侧。215.另一方面，如上所述，在利用磁性吸盘600通过改变磁场的大小来进行芯片的回收过程的情况下，可以不利用托盘500。216.图15是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造过程中金属尖的运动的概略图。217.如上所述，通过使磁性吸盘600旋转，可以施加周期性的力以使发光元件400可以准确地安装到像素位置。218.例如，可以使磁性吸盘600的金属尖620在预定的范围内周期性地偏心旋转。即，金属尖620不是以金属尖620自身的中心旋转，而是以恒定的频率偏心旋转，以能够扫描比金属尖620的面积更大的面积。219.此时，可以根据像素的尺寸来变更能够扫描的面积。即，如果像素的尺寸大，则可以以更大的偏心半径旋转，以能够扫描该像素占据的面积。220.在这样的过程中，可以提高这种位于预定的范围内的发光元件400被引导到像素位置而组装到准确的位置的概率。221.图15的内部的箭头概略地示出了金属尖620旋转的轨迹，外部的箭头示出了金属尖620的扫描面积可变更。222.如上所述，根据本发明的制造装置，可以在显示器装置的制造工序中调节磁性吸盘600的磁化强度。223.首先，根据不同的工序，在组装工序初期，为了复数个发光元件400芯片的移动顺畅地且有效率地进行，需要磁化强度大的磁铁。224.但是，在基板300上进行组装的过程中如果磁力大，则反而可能无法组装发光元件400，存在被吸引到磁性吸盘600侧的芯片。因此，如果可以根据不同的工序步骤调节磁化强度(磁力的强度)，则能够有利于提高组装成功率。225.另一方面，根据基板300的位置每个组装部位的阻力不同，根据基板300的尺寸，由于凹凸、曲折等，金属尖620和发光元件400芯片之间的磁化距离可能不同。因此，可以根据基板300的不同部位、发光元件400芯片的移动路径优化设计磁化强度。226.另外，根据本发明的实施例，可以对各种各样的基板进行组装。227.即，即使大面积基板的表面凹凸或曲折，也可以通过调节磁场的强度来保持组装率。228.作为一例，在比直径为150mm的基板更大的基板上，可能形成凹凸/弯曲等的落差，或者根据不同的部位厚度不同的现象，但是在这样的情况下，可以通过调节磁性吸盘600的磁场来提高组装率。229.图16是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置发光元件的一例的图。230.如果是利用在显示器装置的发光元件400，例如是具有微米单位的尺寸的微型led400，如上所述，包括磁体430。231.在这种发光元件400中，n-电极440位于下侧，p-型氮化镓(gan)系列半导体层450(p-gan)位于n-型氮化镓(gan)系列半导体层410(n-gan)上。此时，虽然并未图示，活性层可以位于n-型氮化镓(gan)系列半导体层410和p-型氮化镓(gan)系列半导体层450之间。232.另外，p-电极420可以位于p-型氮化镓(gan)系列半导体层450上，磁体430可以位于n-型氮化镓(gan)系列半导体层410的两侧上部侧。233.此时，根据这种发光元件400的磁体(ni)的体积和设计，磁化的程度可以不同。234.在这种情况下，为了使点灯效率最大化而减少芯片内部磁体430(ni)的量，或者限制磁体430的形状、尺寸等的情况下，组装率可能会降低。235.但是，如上所述，即使在这种情况下，也可以通过调节磁性吸盘600的磁场来提高组装率。236.图17是示出本发明一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造方法的流程图。237.以下，一同参照图10和图17，对使用上述的本发明的一实施例的利用发光元件的显示器装置的制造装置的制造方法分步骤进行说明。238.首先，可以将基板300装载到适当的位置(s10)。即，可以配置由一对组装电极320来定义个别像素位置的基板300。239.如上所述，本发明的实施例的显示器装置的制造可以在流体中进行。240.如上所述，包括个别像素位置的基板300可以利用支撑该基板300的板350来供应。241.此时，可以根据情况，利用能够上下移送的托盘500来供应发光元件。242.然后，可以利用具有电磁铁610的磁性吸盘600来在基板300上移动包括磁体430的发光元件400(芯片)(s20)。243.此时，在移动发光元件400的过程s20中，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)施加第一电流。244.然后，可以通过对线圈610施加比这种第一电流更小的第二电流来组装发光元件400(s30)。245.如上所述，在基板300上进行组装的过程中，如果磁力大，则反而无法组装发光元件400，可能存在被吸引到磁性吸盘600侧的芯片。因此，在组装发光元件400的步骤s30中，可以施加比第一电流更小的第二电流。246.此时，可以通过使磁性吸盘600在预定的半径内旋转来执行组装发光元件400的步骤。即，在组装发光元件400的步骤中，可以使磁性吸盘600以恒定的频率旋转。247.然后，可以执行回收未被组装而剩下的剩余发光元件400的步骤(s40)。如此，在回收未被组装而剩下的剩余发光元件400的过程s40中，可以对磁性吸盘600的线圈610施加第三电流。此时，第三电流可以具有第一电流和第二电流之间的大小。248.附带说明的是，仅在移动发光元件400时，有选择地对磁性吸盘600接通电流。此时，为了顺畅地移动发光元件400，可以使用较高的电压/电流/频率。249.然后，在组装发光元件400时，可以对磁性吸盘600的线圈610(电磁铁)适用比移动发光元件400时更低的电压/电流/频率。这可以是为了提高发光元件400的基板组装的概率。250.然后，在结束发光元件400的组装，并进行基板的清洁(cleaning)和回收芯片时，可以适用具有在基板的移动时的电压/电流/频率和组装时的电压/电流/频率之间大小的电压/电流/频率。251.如上所述，如果可以根据不同工序步骤来调节磁化强度(磁力的强度)，则能够有利于提高组装成功率。252.以上说明仅是本发明技术思想的示例，本发明所属领域的普通技术人员在不脱离本发明的本质特征的范围内可以做出各种修改和变形。253.因此，在本发明中公开的实施例并非旨在限制本发明的技术思想，而是用于说明该技术思想，本发明的技术思想的范围不受这些实施例的限制。254.本发明的保护范围应该由所附的权利要求书来解释，并且与之等同的范围内的所有技术思想都应被解释为包括在本发明的范围内。255.工业实用性256.本发明能够提供利用微米(μm)单位尺寸的半导体发光元件的发光装置、制造装置以及制造方法。当前第1页12当前第1页12
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