显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，目前正在使用诸如有机发光显示装置和液晶显示(lcd)装置的各种类型的显示装置。
3.显示装置可以包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的用于显示图像的显示面板。其中，发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(led)可以包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(oled)、以及使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。
4.应当理解，本背景技术部分部分地旨在为理解技术而提供有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括不属于在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员知晓或理解的思想、构思或认识。


技术实现要素：

5.本公开的方面提供发光元件的对准改善的显示装置。
6.应当注意，本公开的目的不限于以上提及的目的，且根据以下描述，其它目的对于本领域技术人员将是显而易见的。
7.根据本公开的一个方面，显示装置可以包括：第一电极和第二电极，彼此间隔开并且设置在衬底上；第一子堤部，设置在第一电极上并且暴露第一电极的面对第二电极的端部；第二子堤部，设置在第二电极上并且暴露第二电极的面对第一电极的端部；台阶图案，设置在第二电极上并且至少与第二电极的端部重叠；以及发光元件，设置在第一子堤部与第二子堤部之间。
8.台阶图案的厚度可以小于第二子堤部的厚度。
9.台阶图案和第二子堤部可以彼此一体。
10.发光元件的第一端部可以设置在第一电极的端部上，且发光元件的第二端部可以设置在第二电极的端部和台阶图案上。
11.发光元件的第一端部与衬底的表面之间的距离可以小于发光元件的第二端部与衬底的表面之间的距离。
12.台阶图案可以设置在第二电极与发光元件的第二端部之间。
13.根据本公开的另一方面，一种显示装置可以包括：第一堤部，设置在衬底上，并且包括彼此间隔开的第一子堤部和第二子堤部；第一电极，设置在第一子堤部上；第二电极，与第一电极间隔开并且设置在第二子堤部上；台阶图案，与第二电极的面对第一电极的端部重叠；以及发光元件，设置在第一子堤部与第二子堤部之间，其中，第一电极和第二电极设置在同一层上。
14.第二电极的端部可以从第二子堤部延伸并且可以设置在第一子堤部与第二子堤
部之间。
15.发光元件的第一端部可以设置在第一电极的端部上，发光元件的第二端部可以设置在台阶图案和第二电极的端部上，以及第一电极的端部可以从第一子堤部延伸并且可以设置在第一子堤部与第二子堤部之间。
16.发光元件的第一端部与衬底的表面之间的距离可以小于发光元件的第二端部与衬底的表面之间的距离。
17.台阶图案的厚度可以小于第一堤部的厚度。
18.台阶图案可以设置在第二电极的端部上。
19.第二电极的端部可以设置在台阶图案上。
20.根据本公开的另一方面，显示装置可以包括：通孔层，设置在衬底的表面上并且包括：第一区，具有第一厚度；以及第二区，具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度；第一电极，设置在通孔层的第二区上；第二电极，与第一电极间隔开并且设置在通孔层的第一区上；以及发光元件，设置在第一电极与第二电极之间，并且在发光元件的纵向方向上具有第一端部和第二端部，其中，发光元件的纵向方向相对于衬底的表面倾斜。
21.发光元件的第一端部可以设置在第一电极上，发光元件的第二端部可以设置在第二电极上，以及发光元件的第一端部与衬底的表面之间的距离可以小于发光元件的第二端部与衬底的表面之间的距离。
22.显示装置还可以包括：第一子堤部，与第一电极重叠；以及第二子堤部，与第二电极重叠，其中，第一子堤部不与第一电极的面对第二电极的端部重叠，且第二子堤部不与第二电极的面对第一电极的端部重叠。
23.第一子堤部可以设置在第一电极上，且第二子堤部可以设置在第二电极上。
24.台阶图案可以在第二电极上设置成与第二电极的面对第一电极的端部重叠，其中，台阶图案和第二子堤部可以彼此一体。
25.第一子堤部可以设置在第一电极与通孔层的第二区之间，且第二子堤部可以设置在第二电极与通孔层的第一区之间。
26.台阶图案可以在第二电极上设置成与第二电极的面对第一电极的端部重叠。
27.本说明书中描述的主题的一个或多个实施方式的细节在附图和下面的描述中阐述。
28.根据实施方式，显示装置可以包括第一电极、第二电极、以及与第二电极的面对第一电极的端部重叠的台阶图案。台阶图案可以用于安置发光元件使得发光元件相对于衬底的表面倾斜。在对设置在第一电极与第二电极之间的发光元件进行对准的工艺中，发光元件可以通过接收由利用第一电极和第二电极生成的电场所产生的介电泳力来对准，使得发光元件在一方向上取向。在对准发光元件的工艺中，由于发光元件通过台阶图案相对于衬底的表面倾斜地安置，所以发光元件可以对于相同的介电泳力容易地在一方向上对准。因此，可以改善发光元件的对准。
29.应当注意，本公开的效果不限于以上描述的效果，且本公开的其它效果对本领域技术人员而言将从以下描述中显而易见。
附图说明
30.通过参照附图详细地描述本公开的实施方式，本公开的上述及其它方面和特征将变得更加清楚。
31.图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。
32.图2是示出根据实施方式的显示装置的像素的布局的示意性平面图。
33.图3是示出设置在图2的显示装置的发射区域中的电极层和发光二极管之间的相对布局的示意性平面图。
34.图4是示出沿着图2的线i-i'截取的示例的示意性剖视图。
35.图5是示出沿着图2的线ii-ii'截取的示例的示意性剖视图。
36.图6是示出根据实施方式的发光元件的视图。
37.图7是示出沿着图2的线iii-iii'截取的示例的示意性剖视图。
38.图8至图16是示出制造图7中所示的显示装置的方法的处理步骤的视图。
39.图17是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
40.图18是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
41.图19是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
42.图20是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的剖视图。
43.图21是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
44.图22是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
45.图23是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
46.图24是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
47.图25是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
48.图26是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
49.图27是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
具体实施方式
50.现在将参照附图在下文中更全面地描述本公开，在附图中示出了实施方式。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
51.在附图中，为了便于描述且为了清楚起见，可能夸大了元件的尺寸、厚度、比例和大小。相同的标记始终指代相同的元件。
52.除非上下文另外清楚地指示，否则如本文所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式。
53.在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“a和/或b”可以理解为意指“a、b、或a和b”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
54.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“……
中的至少一个”旨在包括“选自
……
组中的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为意指“a、b、或a和b”。
55.还将理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在介于中间的层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。
56.将理解，在说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它可以直接设置在该另一元件上、直接连接到或直接联接到该另一元件，或者介于中间的元件可以设置在它们之间。
57.将理解，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理的或电的连接或联接。
58.将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
59.为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等，以描述如附图中所示的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。将理解，除了在附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下方”或“下面”的装置可以放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下和上两种位置。装置也可以在其它方向上取向，并且因此空间相对术语可以根据取向而被不同地解释。
60.术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层、叠层、面对或面向、在
……
之上延伸、覆盖或部分地覆盖、或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
61.当元件被描述为与另一元件不重叠或不与另一元件重叠时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移、或彼此分开、或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
62.术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件与第二元件之间的情况下，尽管第一元件和第二元件仍然彼此面对，但第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。
63.术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变形，当用在本说明书中时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
64.短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，且短语“在示意性剖视图中”意指从侧面观察被垂直切割的对象的截面。
65.本文所使用的“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
66.除非另有定义，否则本文所用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中定义的术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不会被解释为理想的或过于形式化的含义，除非在本文中明确地如此定义。
67.在下文中，将参照附图描述实施方式。
68.图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。
69.参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指代提供显示屏幕的任何电子装置。例如，在本公开的精神和范围内，显示装置10可以包括电视机、膝上型计算机、监视器、电子广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(pc)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示装置、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航装置、游戏控制台、数码相机和摄像机等。
70.显示装置10可以包括用于提供显示屏幕的显示面板。在本公开的精神和范围内，显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在以下描述中，无机发光二极管显示面板被用作显示面板的示例，但是本公开不限于此。只要本公开的技术思想可以等同地应用，就可以采用任何其它显示面板。
71.在附图中定义了第一方向dr1、第二方向dr2和第三方向dr3。将参照附图描述根据实施方式的显示装置10。第一方向dr1可以在平面中基本上垂直于第二方向dr2。第三方向dr3可以基本上垂直于第一方向dr1和第二方向dr2所位于的或所设置的平面。第三方向dr3可以基本上垂直于第一方向dr1和第二方向dr2中的每个。在根据实施方式的显示装置10的以下描述中，第三方向dr3可以指代显示装置10的厚度方向(或显示侧)。
72.当从顶部观察时，显示装置10可以具有包括在第一方向dr1上的较长边和在第二方向dr2上的较短边的基本矩形的形状。尽管显示装置10的较长边和较短边相交的拐角可以形成直角，但这仅是说明性的。显示装置10可以具有圆化的拐角。显示装置10的形状不限于所示出的形状，而是可以以多种方式进行修改。例如，显示装置10可以具有诸如基本上为正方形、基本上为具有基本上圆化的拐角(顶点)的矩形、其它多边形和基本上为圆形的其它形状。
73.显示表面可以在第三方向dr3即厚度方向上位于或设置在显示装置10的一侧或侧上。在以下描述中，除非另有说明，否则显示装置10的上侧指代在第三方向dr3上的显示图像的侧，且显示装置10的上表面指代在第三方向dr3上面向该侧的表面。下侧指代在第三方向dr3上的上侧的相对侧，并且同样地，下表面指代在第三方向dr3上面向该相对侧的表面。如本文中所使用的，术语“左”侧、“右”侧、“上”侧和“下”侧指代在从顶部观察显示装置10的情况下的相对位置。例如，右侧指代在第一方向dr1上的一侧或侧，左侧指代在第一方向dr1上的相对侧，上侧指代在第二方向dr2上的一侧或侧，以及下侧指代在第二方向dr2上的相对侧。
74.显示装置10可以包括显示区域dpa和非显示区域nda。在显示区域dpa中，可以显示图像。在非显示区域nda中，不显示图像。
75.显示区域dpa的形状可以效仿显示装置10的形状。例如，当从顶部观察时，显示区域dpa的形状可以具有大体上与显示装置10的形状相似的基本上为矩形的形状。显示区域dpa大体上可以占据显示装置10的中央的大部分。
76.显示区域dpa可以包括像素px。像素px可以布置或设置成矩阵。当从顶部观察时，像素px中的每个的形状可以基本上为矩形或基本上为正方形。在实施方式中，像素px中的每个可以包括由无机微粒制成的发光元件。
77.非显示区域nda可以设置在显示区域dpa周围。非显示区域nda可以完全地或部分地围绕显示区域dpa，或者可以与显示区域dpa相邻。非显示区域nda可以形成显示装置10的边框。
78.图2是示出根据实施方式的显示装置的像素的布局的示意性平面图。图3是示出设置在图2的显示装置的发射区域中的电极层和发光二极管之间的相对布局的示意性的平面图。
79.参照图2和图3，根据实施方式的显示装置10的一个像素px可以包括电极层200、第一堤部400、台阶图案pt、发光元件ed、接触电极700和第二堤部600。
80.在下文中，参照图2和图3，将简要地描述根据实施方式的设置在显示装置10的一个像素px中的电极层200、第一堤部400、台阶图案pt、发光元件ed、接触电极700和第二堤部600。
81.显示装置10的每个像素px可以包括发射区域ema和非发射区域。在发射区域ema中，从发光元件ed发射的光可以出射。在非发射区域中，从发光元件ed发射的光不会到达，并且因此没有光从非发射区域出射。
82.发射区域ema可以包括设置有发光元件ed的区域和与设置有发光元件ed的区域相邻的区域。发射区域ema还可以包括从发光元件ed发射的光被其它元件反射或折射而出射的区域。
83.每个像素px还可以包括设置在非发射区域中的辅助区域sa。在辅助区域sa中可以不设置发光元件ed。在一个像素px内，辅助区域sa可以设置的发射区域ema的上侧(或第二方向dr2上的一侧或侧)上。辅助区域sa可以设置在第二方向dr2上的相邻像素px的发射区域ema之间。辅助区域sa可以包括其中电极层200和接触电极700通过稍后将描述的接触部ct1和ct2电连接的区域。
84.辅助区域sa可以包括分离区rop。在辅助区域sa的分离区rop中，包括在像素px中的电极层200中的第一电极210和第二电极220可以分别与在第二方向dr2上与该像素px相邻的另一像素px中的第一电极210和第二电极220分离。
85.当从顶部观察时，第二堤部600可以以包括在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的部分的网格图案设置在显示区域dpa的整个表面上。第二堤部600可以沿着每个像素px的边界设置以将相邻的像素px彼此区分开。第二堤部600可以在每个像素px内设置成围绕发射区域ema和辅助区域sa以在它们之间进行区分。例如，每个像素px中的发射区域ema和辅助区域sa可以由第二堤部600限定。
86.电极层200可以在一个方向或方向上延伸，并且可以包括在与该一个方向交叉或相交的另一方向上彼此间隔开的第一电极210和第二电极220。电极层200可以将从电路元件层施加的电信号传输到发光元件ed以使得发光元件ed发光。电极层200还可以用于生成在对准发光元件ed的工艺中使用的电场，以使得发光元件ed在一个方向上取向。
87.当从顶部观察时，第一电极210可以设置在每个像素px的左手边上。当从顶部观察时，第一电极210可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。第一电极210可以设置成使得其穿过发射区域ema。当从顶部观察时，第一电极210可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在辅助区域sa的分离区rop处与在第二方向dr2上相邻的另一像素px的第一电极210分离。
88.第二电极220可以在第一方向dr1上与第一电极210间隔开。当从顶部观察时，第二
电极220可以设置在每个像素px的右手边上。当从顶部观察时，第二电极220可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。第二电极220可以设置成穿过发射区域ema。当从顶部观察时，第二电极220可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在辅助区域sa的分离区rop处与在第二方向dr2上相邻的另一像素px的第二电极220分离。
89.第一电极210和第二电极220可以彼此间隔开并且彼此面对。第一电极210可以包括面对第二电极220的端部210s1，且第二电极220可以包括面对第一电极210的端部220s1。在以下描述中，当从顶部观察时，第一电极210的端部210s1可以在更靠近第二电极220的侧上，即第一电极210的右端。在以下描述中，当从顶部观察时，第二电极220的端部220s1可以在更靠近第一电极210的侧上，即第二电极220的左端。稍后将描述的发光元件ed的第一端部ed_s1可以放置在第一电极210的端部210s1处，且稍后将描述的发光元件ed的第二端部ed_s2可以放置在第二电极220的端部220s1处。
90.第一堤部400可以设置在发射区域ema中。第一堤部400可以在一个方向或方向上延伸并且可以包括在与该一个方向交叉或相交的另一个方向上彼此间隔开的第一子堤部410和第二子堤部420。
91.当从顶部观察时，第一子堤部410可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。第一子堤部410可以设置成在第三方向dr3上与第一电极210重叠。第一子堤部410可以设置成与第一电极210的一部分重叠，并且可以不与第一电极210的端部210s1重叠。例如，第一子堤部410可以设置成在发射区域ema中暴露第一电极210的端部210s1。第一子堤部410可以设置在第一电极210的上方或下方，但不设置在第一电极210的端部210s1的上方或下方。
92.当从顶部观察时，第二子堤部420可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。第二子堤部420可以设置成在第三方向dr3上与第二电极220重叠。第二子堤部420可以设置成与第二电极220的一部分重叠，并且可以不与第二电极220的端部220s1重叠。例如，第二子堤部420可以设置成在发射区域ema中暴露第二电极220的端部220s1。第二子堤部420可以设置在第二电极220的上方或下方，但不设置在第二电极220的端部220s1的上方或下方。
93.第一子堤部410和第二子堤部420可以在第一方向dr1上彼此间隔开并且彼此面对。第一子堤部410和第二子堤部420可以彼此间隔开并且第一电极210的端部210s1和第二电极220的端部220s1插置在其间。
94.台阶图案pt可以设置在发射区域ema中。当从顶部观察时，台阶图案pt可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。台阶图案pt可以设置成在第三方向dr3上与第二电极220的一部分重叠。台阶图案pt可以在第三方向dr3上至少与第二电极220的端部220s1重叠。台阶图案pt可以设置在第二电极220的端部220s1的上方或下方以覆盖第二电极220的端部220s1或与之重叠。
95.台阶图案pt可以在第三方向dr3上不与第一电极210重叠。台阶图案pt可以不设置在第一电极210的端部210s1上。例如，当从顶部观察时，台阶图案pt可以在第一方向dr1上与第一电极210间隔开。
96.发光元件ed可以设置在第一子堤部410与第二子堤部420之间。发光元件ed可以具有在一个方向或方向上延伸的形状。发光元件ed延伸的方向可以基本上垂直于第一子堤部410和第二子堤部420延伸的方向。例如，发光元件ed延伸的方向可以平行于与作为第一子堤部410和第二子堤部420延伸的方向的第二方向dr2基本上垂直的第一方向dr1。发光元件
ed在延伸方向上的长度可以小于第一子堤部410与第二子堤部420之间的距离。
97.发光元件ed可以设置在第一电极210与第二电极220之间。发光元件ed延伸的方向可以基本上垂直于第一电极210和第二电极220延伸的方向。例如，发光元件ed延伸的方向可以平行于与作为第一电极210和第二电极220延伸的方向的第二方向dr2基本上垂直的第一方向dr1。然而，应当理解，本公开不限于此。发光元件ed可以相对于第一电极210和第二电极220延伸的方向倾斜地取向。
98.发光元件ed中的每个可以包括第一端部ed_s1和第二端部ed_s2。发光元件ed中的每个的第一端部ed_s1可以面向在发光元件ed延伸的方向上的一侧或侧，且发光元件ed中的每个的第二端部ed_s2可以面向在发光元件ed延伸的方向上的相对侧。发光元件ed中的每个可以包括将在后面描述的半导体层。第一端部ed_s1和与第一端部ed_s1相对的第二端部ed_s2可以基于半导体层之一来限定。
99.发光元件ed中的每个可以设置成使得第一端部ed_s1和第二端部ed_s2放置在相应的电极上。发光元件ed可以在第一电极210与第二电极220之间设置成使得第一端部ed_s1放置在第一电极210上而第二端部ed_s2放置在第二电极220上。举例来说，发光元件ed中的每个的第一端部ed_s1可以与第一电极210的端部210s1重叠，且发光元件ed中的每个的第二端部ed_s2可以与第二电极220的端部220s1和台阶图案pt重叠。
100.接触电极700可以在一个方向或方向上延伸并且可以包括在与该一个方向交叉或相交的另一个方向上彼此间隔开的第一接触电极710和第二接触电极720。
101.当从顶部观察时，第一接触电极710可以设置在每个像素px的左手边上。当从顶部观察时，第一接触电极710可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。第一接触电极710可以设置成在第三方向dr3上与第一电极210重叠。第一接触电极710可以设置成与第一电极210的端部210s1重叠。
102.第一接触电极710可以横穿发射区域ema并且也可以部分地设置在辅助区域sa中。第一接触电极710可以在辅助区域sa中通过第一接触部ct1电连接到第一电极210。
103.第一接触电极710可以在第三方向dr3上与设置在发射区域ema中的发光元件ed中的每个的第一端部ed_s1重叠。第一接触电极710可以电连接到设置在发射区域ema中的发光元件ed中的每个的第一端部ed_s1。
104.第二接触电极720可以在第一方向dr1上与第一接触电极710间隔开。当从顶部观察时，第二接触电极720可以设置在每个像素px的右手边。当从顶部观察时，第二接触电极720可以具有在第二方向dr2上延伸的形状。第二接触电极720可以设置成在第三方向dr3上与第二电极220重叠。第二接触电极720可以设置成与第二电极220的端部220s1和台阶图案pt重叠。
105.第二接触电极720可以横穿发射区域ema并且也可以部分地设置在辅助区域sa中。第二接触电极720可以在辅助区域sa中通过第二接触部ct2电连接到第二电极220。
106.第二接触电极720可以在第三方向dr3上与设置在发射区域ema中的发光元件ed中的每个的第二端部ed_s2重叠。第二接触电极720可以电连接到设置在发射区域ema中的发光元件ed中的每个的第二端部ed_s2。
107.图4是示出沿着图2的线i-i'截取的示例的示意性剖视图。图5是示出沿着图2的线ii-ii'截取的示例的示意性剖视图。
108.参照图2至图4，显示装置10可以包括衬底sub、设置在衬底sub上的电路元件层ccl、以及设置在电路元件层ccl上的发光元件层。发光元件层可以包括电极层200、第一堤部400、台阶图案pt、第二堤部600、发光元件ed、接触电极700、以及绝缘层510和520。
109.衬底sub可以是绝缘衬底。衬底sub可以由诸如玻璃、石英和聚合物树脂的绝缘材料制成。衬底sub可以是刚性衬底或者是可弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。
110.电路元件层ccl可以设置在衬底sub上。电路元件层ccl可以包括下金属层110、半导体层120、第一导电层130、第二导电层140、第三导电层150和绝缘层。
111.下金属层110设置在衬底sub上。下金属层110可以包括光阻挡层bml。光阻挡层bml可以至少设置在晶体管tr的有源层act的沟道区之下以覆盖沟道区或与之重叠。然而，应当理解，本公开不限于此。在一些实施例中，可以消除光阻挡层bml。
112.下金属层110可以包括阻挡光的材料。例如，下金属层110可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成。
113.缓冲层161可以设置在下金属层110之上。缓冲层161可以设置成覆盖其上设置有下金属层110的衬底sub的整个表面或与之重叠。缓冲层161可以保护晶体管tr免受渗透通过易受湿气渗透的衬底sub的湿气的影响。
114.半导体层120设置在缓冲层161上。半导体层120可以包括晶体管tr的有源层act。如上所述，晶体管tr的有源层act可以设置成与下金属层110的光阻挡层bml重叠。
115.在本公开的精神和范围内，半导体层120可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。根据实施方式，在半导体层120可以包括多晶硅的情况下，多晶硅可以通过对非晶硅进行晶化来形成。在半导体层120包含多晶硅的情况下，晶体管tr的有源层act可以包括掺杂有杂质的掺杂区和在掺杂区之间的沟道区。在实施方式中，半导体层120可以包括氧化物半导体。例如，在本公开的精神和范围内，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化铟锌锡(izto)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟镓锡(igto)、氧化铟镓锌锡(igzto)等。
116.栅极绝缘体162可以设置在半导体层120上。栅极绝缘体162可以用作每个晶体管的栅极绝缘层。栅极绝缘体162可以由其中包括无机材料(例如，氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种)的无机层可彼此交替堆叠的多个层构成。
117.第一导电层130可以设置在栅极绝缘体162上。第一导电层130可以包括晶体管tr的栅电极ge。栅电极ge可以设置成在衬底sub的厚度方向即在第三方向dr3上与有源层act的沟道区重叠。
118.第一层间介电层163可以设置在第一导电层130上。第一层间介电层163可以覆盖栅电极ge或与之重叠。第一层间介电层163可以用作第一导电层130与设置在第一导电层130上的其它层之间的绝缘层并且可以保护第一导电层130。
119.第二导电层140可以设置在第一层间介电层163上。第二导电层140可以包括晶体管tr的源电极sd1和晶体管tr的漏电极sd2。
120.晶体管tr的源电极sd1和晶体管tr的漏电极sd2可以分别通过穿透第一层间介电层163和栅极绝缘体162的接触孔电连接到晶体管tr的有源层act的两个端部区域。晶体管tr的漏电极sd2可以通过穿透第一层间介电层163、栅极绝缘体162和缓冲层161的另一个接触孔电连接到下金属层110的光阻挡层bml。
121.第二层间电介质膜164可以设置在第二导电层140上。第二层间电介质膜164可以设置成覆盖晶体管tr的源电极sd1和晶体管tr的漏电极sd2或与它们重叠。第二层间电介质膜164可以用作第二导电层140与设置在第二导电层140上的其它层之间的绝缘层并且可以保护第二导电层140。
122.第三导电层150可以设置在第二层间电介质膜164上。第三导电层150可以包括第一电压线vl1、第二电压线vl2和导电图案cdp。
123.第一电压线vl1可以在衬底sub的厚度方向上与晶体管tr的源电极sd1的至少一部分重叠。供应到晶体管tr的高电平电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压线vl1。
124.第二电压线vl2可以通过穿透稍后将描述的通孔层166和钝化层165的第二电极接触孔cts电连接到第二电极220。比供应到第一电压线vl1的高电平电压低的低电平电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压线vl2。举例来说，待供应到晶体管tr的高电平电压(或第一电源电压)可以被施加到第一电压线vl1，且比供应到第一电压线vl1的高电平电压低的低电平电压(或第二电源电压)可以被施加到第二电压线vl2。
125.导电图案cdp可以电连接到晶体管tr的漏电极sd2。导电图案cdp可以通过穿透第二层间电介质膜164的接触孔电连接到晶体管tr的漏电极sd2。导电图案cdp可以通过穿透稍后将描述的通孔层166和钝化层165的第一电极接触孔ctd电连接到第一电极210。晶体管tr可以通过导电图案cdp将从第一电压线vl1施加的第一电源电压传输到第一电极210。
126.钝化层165可以设置在第三导电层150上。钝化层165可以设置成覆盖第三导电层150或与之重叠。钝化层165可以用于保护第三导电层150。
127.缓冲层161、栅极绝缘体162、第一层间介电层163、第二层间电介质膜164和钝化层165可以由彼此交替堆叠的多个无机层构成。例如，缓冲层161、栅极绝缘体162、第一层间介电层163、第二层间电介质膜164和钝化层165可以由包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层可彼此堆叠的双层构成，或者可以由包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)中的至少一种的无机层可彼此交替堆叠的多层构成。然而，应当理解，本公开不限于此。缓冲层161、栅极绝缘体162、第一层间介电层163、第二层间电介质膜164和钝化层165可以由包括上述绝缘材料的单个无机层构成。
128.通孔层166可以设置在钝化层165上。通孔层166可以包括有机绝缘材料，例如，诸如聚酰亚胺(pi)的有机材料。通孔层166可以提供平坦的表面。因此，通孔层166的其上设置稍后将描述的发光元件层的上表面(或表面)可以具有大体上平坦的表面，而不管在其下方是否存在图案或者图案(如果有的话)的形状如何。
129.在下文中，将参照图2至图5描述设置在电路元件层ccl上的发光元件层的结构。
130.电极层200可以设置在通孔层166上。电极层200可以设置在或直接设置在通孔层166的上表面上。电极层200可以设置在通孔层166上并且可以包括彼此间隔开的第一电极210和第二电极220。由于通孔层166的上表面具有平坦的表面，所以第一电极210的高度可以等于第二电极220的高度。在本文中，每个元件的高度可以从诸如衬底sub的一个表面的参照表面测量。
131.第一电极210可以通过穿透通孔层166和钝化层165的第一电极接触孔ctd电连接到电路元件层ccl的导电图案cdp。举例来说，第一电极210可以与导电图案cdp的由第一电极接触孔ctd暴露的上表面电接触。从第一电压线vl1施加的第一电源电压可以通过导电图
案cdp传输到第一电极210。
132.第二电极220可以通过穿透通孔层166和钝化层165的第二电极接触孔cts电连接到电路元件层ccl的第二电压线vl2。举例来说，第二电极220可以与第二电压线vl2的由第二电极接触孔cts暴露的上表面电接触。从第二电压线vl2施加的第二电源电压可以传递到第二电极220。
133.第一电极210和第二电极220可以在辅助区域sa的分离区rop处分别与在第二方向dr2上与像素px相邻的另一像素px的第一电极210和第二电极220间隔开。第一电极210和第二电极220可以在辅助区域sa的分离区rop处暴露通孔层166。
134.第一堤部400可以在发射区域ema中设置在电极层200上。第一堤部400可以设置在或直接设置在电极层200上。第一堤部400的至少一部分可以从电极层200的上表面向上突出(例如，朝向第三方向dr3的一侧或侧)。第一堤部400的突出部分可以具有倾斜的侧表面。
135.由于第一堤部400可以包括倾斜的侧表面，所以从发光元件ed发射并且朝向第一堤部400的侧表面行进的光可以被引导成朝向上侧(例如，显示侧)。例如，第一堤部400可以提供设置发光元件ed的空间，并且还可以用作将从发光元件ed发射的光的行进方向改变成朝向显示侧的反射隔壁或堤部。
136.尽管在附图中第一堤部400的侧表面具有倾斜的线形形状或基本上倾斜的线形形状，但是本公开不限于此。例如，第一堤部400的侧表面(或外表面)可以具有基本上为弯曲的半圆形或半椭圆形的形状。根据实施方式，第一堤部400可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料，但不限于此。
137.第一堤部400可以包括设置在第一电极210上的第一子堤部410和设置在第二电极220上的第二子堤部420。
138.第一子堤部410可以设置在第一电极210上并且可以暴露第一电极210的至少一部分。第一子堤部410可以设置在第一电极210上并且可以暴露第一电极210的面对第二电极220的至少一个端部。
139.第二子堤部420可以设置在第二电极220上并且可以暴露第二电极220的至少一部分。第二子堤部420可以设置在第二电极220上并且可以暴露第二电极220的面对第一电极210的至少一个端部。
140.台阶图案pt可以设置在第二电极220上。台阶图案pt可以设置在第二电极220的由第二子堤部420暴露的一个端部上。台阶图案pt可以设置成覆盖第二电极220的由第二子堤部420暴露的该端部或端部或者与之重叠。可以使用台阶图案pt使得设置在第一电极210与第二电极220之间的发光元件ed所延伸的方向相对于衬底sub的一个表面倾斜。由于发光元件ed可以相对于衬底sub的表面倾斜地布置或设置，所以发光元件ed可以在使发光元件ed在一个方向上对准的工艺期间更容易地旋转，这将在后面描述。
141.台阶图案pt与第二子堤部420可以彼此一体。例如，台阶图案pt可以包括与第二子堤部420相同的材料或相似的材料，并且可以经由同一工艺形成。台阶图案pt和第二子堤部420可以是经由同一工艺形成的单个一体化图案。因此，台阶图案pt可以像第一堤部400一样包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机绝缘材料，但不限于此。
142.第一绝缘层510可以设置在第一堤部400和台阶图案pt上。第一绝缘层510可以设置在电极层200、第一堤部400和台阶图案pt上以完全地覆盖它们或与它们重叠。第一绝缘
层510可以保护电极层200、第一堤部400和台阶图案pt并且使第一电极210和第二电极220彼此绝缘。
143.第一绝缘层510可以设置在电极层200、第一堤部400和台阶图案pt上并且可以包括穿透第一绝缘层510以分别暴露第一电极210的一部分和第二电极220的一部分的第一接触部ct1和第二接触部ct2。第一接触部ct1可以暴露第一电极210的上表面的一部分，且第二接触部ct2可以暴露第二电极220的上表面的一部分。第一接触部ct1和第二接触部ct2可以位于或设置在辅助区域sa中。第一电极210和第二电极220可以在辅助区域sa中分别通过第一接触部ct1和第二接触部ct2电连接到第一接触电极710和第二接触电极720。第一绝缘层510可以不设置在辅助区域sa的分离区rop处。
144.第二堤部600可以设置在第一绝缘层510上。如上所述，第二堤部600可以跨像素px的边界设置以在相邻的像素px之前进行区分，并且可以将发射区域ema与辅助区域sa区分开。第二堤部600的高度大于第一堤部400的高度以在区域之间进行区分。因此，在制造显示装置10的工艺中的用于对准发光元件ed的喷墨印刷工艺期间，可以防止其中分散有发光元件ed的墨混合到相邻的像素px中，并且因此可以将墨喷射到发射区域ema中。
145.发光元件ed可以设置在第一绝缘层510上。发光元件ed可以设置在第一子堤部410与第二子堤部420之间。发光元件ed可以设置成使得它们的两个端部分别放置在第一电极210和第二电极220上。发光元件ed的一个端部可以设置在第一电极210上，且发光元件ed的另一端部可以设置在第二电极220和台阶图案pt上。
146.第二绝缘层520可以设置在发光元件ed上。第二绝缘层520可以部分地设置在发光元件ed上。第二绝缘层520可以设置成部分地围绕发光元件ed的外表面，使得第二绝缘层520不覆盖发光元件ed的两个端部或不与它们重叠。
147.当从顶部观察时，第二绝缘层520的设置在发光元件ed上的部分可以在第一绝缘层510上在第一方向dr1上延伸，从而在每个像素px中形成线形图案或岛状图案。在制造显示装置10的工艺期间，第二绝缘层520可以保护发光元件ed并且固定发光元件ed。尽管在附图中未示出，但是形成第二绝缘层520的材料可以位于或设置在第一电极210与第二电极220之间，并且在第一绝缘层510与发光元件ed之间的凹入的空的空间可以被该材料填充。
148.接触电极700可以设置在第二绝缘层520上。接触电极700可以包括彼此间隔开的第一接触电极710和第二接触电极720，且第二绝缘层520位于第一接触电极710和第二接触电极720之间。
149.第一接触电极710可以设置在第一子堤部410上。第一接触电极710可以与第一电极210和发光元件ed的第一端部ed_s1电接触。第一接触电极710可以在辅助区域sa中与由穿透第一绝缘层510的第一接触部ct1暴露的第一电极210电接触，并且可以在发射区域ema中与发光元件ed的由第二绝缘层520暴露的第一端部ed_s1电接触。由于第一接触电极710与发光元件ed的第一端部ed_s1和第一电极210电接触，所以施加到第一电极210的电信号可以通过第一接触电极710传输到发光元件ed的第一端部ed_s1。
150.第二接触电极720可以设置在第二子堤部420上。第二接触电极720还可以设置在台阶图案pt上。第二接触电极720可以与第二电极220和发光元件ed的第二端部ed_s2电接触。第二接触电极720可以在辅助区域sa中与由穿透第一绝缘层510的第二接触部ct2暴露的第二电极220电接触，并且可以在发射区域ema中与发光元件ed的由第二绝缘层520暴露
的第二端部ed_s2电接触。由于第二接触电极720与发光元件ed的第二端部ed_s2和第二电极220电接触，所以施加到第二电极220的电信号可以通过第二接触电极720传输到发光元件ed的第二端部ed_s2。
151.尽管在附图中未示出，但是第三绝缘层还可以设置在接触电极700上。第三绝缘层可以完全地设置在衬底sub上，并且可以保护设置在衬底sub上的元件免受外部环境的影响。
152.图6是示出根据实施方式的发光元件的视图。
153.参照图6，发光元件ed是微粒元件，并且可以具有杆状的形状或基本上为圆柱形的形状，该形状具有纵横比。发光元件ed的长度可以大于发光元件ed的直径，并且纵横比可以在约6:5至约100:1的范围内，但不限于此。
154.发光元件ed可以具有纳米尺度(在约1nm至约1μm的范围内)至微米尺度(在约1μm至约1mm的范围内)的尺寸。根据实施方式，发光元件ed的直径和长度两者可以具有纳米尺度或微米尺度。在实施方式中，发光元件ed的直径可以具有纳米尺度，而发光元件ed的长度可以具有微米尺度。在实施方式中，发光元件ed中的一部分的直径和/或长度可以具有纳米尺度，而发光元件ed中的另一部分的直径和/或长度具有微米尺度。
155.根据实施方式，发光元件ed可以是无机发光二极管。无机发光二极管可以包括半导体层。例如，无机发光二极管可以包括第一导电类型(例如，n型)半导体层、第二导电类型(例如，p型)半导体层、以及插置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源半导体层。有源半导体层可以分别从第一导电型半导体层和第二导电型半导体层接收空穴和电子，并且到达有源半导体层的空穴和电子可以复合以发光。
156.根据实施方式，以上描述的半导体层可以沿着发光元件ed的纵向方向依次堆叠。如图6中所示，发光元件ed可以包括在纵向方向上依次堆叠的第一半导体层31、有源层33和第二半导体层32。第一半导体层31、有源层33和第二半导体层32可以分别是以上描述的第一导电类型半导体层、有源半导体层和第二导电类型半导体层。
157.第一半导体层31可以掺杂有第一导电类型掺杂剂。在本公开的精神和范围内，第一导电类型掺杂剂可以是si、se、ge、sn等。根据实施方式，第一半导体层31可以是掺杂有n型si的n-gan。
158.第二半导体层32可以与第一半导体层31间隔开并且有源层33位于第二半导体层32和第一半导体层31之间。第二半导体层32可以掺杂有诸如mg、zn、ca和ba的第二导电类型掺杂剂。根据实施方式，第二半导体层32可以是掺杂有p型mg的p-gan。
159.有源层33可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。如上所述，有源层33可以在电子-空穴对响应于通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号在其中复合时发光。
160.在实施方式中，有源层33可以具有其中具有大能量带隙的半导体材料和具有小能量带隙的半导体材料可彼此交替堆叠的结构，并且可以根据所发射的光的波长范围而包括其它iii族到v族半导体材料。
161.从有源层33发射的光不仅可以通过发光元件ed的在宽度方向上的外表面出射，而且可以通过发光元件ed的两个侧表面出射。例如，从有源层33发射的光传播的方向不限于一个方向或方向。
162.发光元件ed还可以包括设置在第二半导体层32上的元件电极层37。元件电极层37可以与第二半导体层32接触。元件电极层37可以是欧姆接触电极，但不限于此。元件电极层37可以是肖特基接触电极。
163.在发光元件ed的两个端部电连接到接触电极700以向第一半导体层31和第二半导体层32施加电信号的情况下，元件电极层37可以设置在第二半导体层32与电极之间以减小电阻。元件电极层37可以包括铝(al)、钛(ti)、铟(in)、金(au)、银(ag)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)中的至少一种。元件电极层37可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。
164.发光元件ed还可以包括围绕第一半导体层31、第二半导体层32、有源层33和/或元件电极层37的外周表面的绝缘膜38。绝缘膜38可以设置成至少围绕有源层33的外表面，并且可以在发光元件ed延伸的方向上延伸。绝缘膜38可以保护以上描述的元件。绝缘膜38可以由具有绝缘特性的材料制成，并且可以防止在有源层33与电极(电信号通过电极传输到发光元件ed)电接触的情况下可能发生的电短路。由于绝缘膜38可以保护第一半导体层31和第二半导体层32、有源层33和/或元件电极层37的外周表面，因此可以防止发光效率的降低。
165.图7是示出沿着图2的线iii-iii'截取的示例的示意性剖视图。
166.参照图6和图7，第一子堤部410可以设置在第一电极210上并且可以暴露第一电极210的至少一部分。举例来说，第一子堤部410可以设置在第一电极210上并且可以至少暴露第一电极210的端部210s1。例如，第一子堤部410可以在第一电极210上设置成使得第一电极210的面对第二电极220的端部210s1暴露。
167.第二子堤部420可以设置在第二电极220上。根据实施方式，第二子堤部420可以与台阶图案pt一体化，使得其可以形成为单个图案。第一子堤部410的厚度d1可以等于第二子堤部420的厚度d2。
168.台阶图案pt可以设置在第二电极220的端部220s1上。台阶图案pt可以包括与第二子堤部420相同的材料或相似的材料。台阶图案pt和第一堤部400可以形成在同一层上。例如，第一堤部400和台阶图案pt可以经由同一工艺同时形成。
169.台阶图案pt可以与第二子堤部420一体化，使得其形成为单个图案。例如，台阶图案pt和第二子堤部420可以经由同一工艺形成为彼此一体化的单个第一图案。第一图案可以包括具有第二厚度d2的第一部分和具有比第二厚度d2小的第三厚度d3的第二部分。第一图案的第一部分可以对应于第二子堤部420，且第一图案的第二部分可以对应于台阶图案pt。
170.台阶图案pt可以设置在第二子堤部420的面对第一子堤部410的一侧或侧上。台阶图案pt可以是从第二子堤部420的面对第一子堤部410的一个侧表面或侧表面朝向第一子堤部410突出的突出图案。台阶图案pt可以设置成覆盖第二电极220的由第二子堤部420暴露的端部220s1或与之重叠。因此，台阶图案pt可以覆盖第二电极220的端部220s1的上表面和侧表面或与它们重叠。
171.台阶图案pt可以不设置在第一电极210上。台阶图案pt可以设置在第一电极210与第二电极220之间以覆盖第二电极220的端部220s1或与之重叠，并且可以与第一电极210间隔开。
172.台阶图案pt可以仅形成在彼此间隔开的第一电极210和第二电极220中的一个上，以在发光元件ed的两个端部之间建立高度差。举例来说，台阶图案pt可以仅形成在第二电极220的端部220s1上，以在发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2之间建立高度差(或水平高度差)。举例来说，台阶图案pt可以在发光元件ed的放置在第一电极210上的第一端部ed_s1和发光元件ed的放置第二电极220上的第二端部ed_s2之间建立高度差，使得发光元件ed相对于衬底sub的表面倾斜地设置。因此，台阶图案pt需要形成为具有第三厚度d3，以在使发光元件ed在一个方向上对准的工艺期间促进发光元件ed的旋转。
173.举例来说，台阶图案pt的第三厚度d3可以小于第一子堤部410的第一厚度d1和第二子堤部420的第二厚度d2。台阶图案pt的第三厚度d3可以小于发光元件ed的长度h1。由于台阶图案pt的第三厚度d3形成为小于发光元件ed的长度h1，因此发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2可以在对准发光元件ed的工艺期间设置成分别与第一电极210的端部210s1和第二电极220的端部220s1重叠。由于台阶图案pt的第三厚度d3小于发光元件ed的长度h1，因此发光元件ed可以在对准发光元件ed的工艺之后稳定地固定在衬底sub上。
174.发光元件ed可以设置成使得其延伸的方向相对于衬底sub的上表面倾斜。在发光元件ed延伸的方向与衬底sub的上表面之间形成的角度可以是锐角。包括在发光元件ed中的半导体层可以沿着相对于衬底sub的上表面倾斜一角度的方向依次布置或设置。例如，发光元件ed的第一半导体层31、有源层33和第二半导体层32可以相对于衬底sub的上表面倾斜地依次布置或设置。
175.举例来说，发光元件ed的第一半导体层31、有源层33、第二半导体层32和元件电极层37可以在穿过两个端部ed_s1和ed_s2的截面中相对于衬底sub的表面倾斜地依次形成。
176.如上所述，发光元件ed中的每个可以包括第一端部ed_s1和第二端部ed_s2。在以下描述中，发光元件ed的第一端部ed_s1可以被定义为第二半导体层32相对于有源层33所定位的发光元件ed的一个端部，且发光元件ed的第二端部ed_s2可以被定义为第一半导体层31相对于有源层33所定位的发光元件ed的一个端部。
177.发光元件ed可以布置或设置成使得第一端部ed_s1放置在第一电极210上并且第二端部ed_s2放置在第二电极220上。然而，应当理解，本公开不限于此。发光元件ed中的一部分可以布置或设置成使得第一端部ed_s1放置在第二电极220上并且第二端部ed_s2放置在第一电极210上。发光元件ed的对准可以在对准发光元件ed使得它们在一方向上取向的工艺期间根据施加到电极层200的对准信号来确定，这将在后面描述。
178.发光元件ed可以在第一电压施加到第二半导体层32并且比第一电压低的第二电压施加到第一半导体层31的情况下发光。因此，在定位或设置有第二半导体层32的第一端部ed_s1电连接到第一电极210并且定位或设置有第一半导体层31的第二端部ed_s2电连接到第二电极220的情况下，发光元件ed可以响应于从电路元件层ccl施加的电信号而发光。因此，由于在稍后将描述的对准发光元件ed的工艺期间具有放置在第一电极210上的第一端部ed_s1和放置在第二电极220上的第二端部ed_s2的发光元件ed的数量增加，所以可以提高显示装置10的亮度。
179.发光元件ed的第一端部ed_s1可以设置在第一电极210的端部210s1上，且发光元件ed的第二端部ed_s2可以设置在第二电极220的端部220s1和台阶图案pt上。例如，台阶图案pt可以插置在发光元件ed的第二端部ed_s2与第二电极220之间。
180.即使第一电极210和第二电极220在同一层上具有相同的厚度，但台阶图案pt仅设置在第二电极220上以覆盖第二电极220的端部220s1或与之重叠，使得发光元件ed的第一端部ed_s1的高度可以不同于发光元件ed的第二端部ed_s2的高度。举例来说，发光元件ed的第一端部ed_s1与衬底sub的表面之间的高度或距离可以低于或小于发光元件ed的第二端部ed_s2与衬底sub的表面之间的高度或距离。发光元件ed的第一端部ed_s1和发光元件ed的第二端部ed_s2之间的高度差可以基本上等于台阶图案pt的第三厚度d3。
181.如上所述，第一接触电极710可以在辅助区域sa中与第一电极210电接触，并且可以在发射区域ema中与位于或设置在发光元件ed的第一端部ed_s1处的元件电极层37电接触。如上所述，第二接触电极720可以在辅助区域sa中与第二电极220的上表面电接触，并且可以在发射区域ema中与位于或设置在发光元件ed的第二端部ed_s2处的第一半导体层31电接触。
182.根据实施方式的显示装置10包括第一电极210、第二电极220以及与第二电极220的面对第一电极210的端部重叠的台阶图案pt。台阶图案pt可以用于安置发光元件ed，使得发光元件ed相对于衬底sub的表面倾斜。在对准设置在第一电极210与第二电极220之间的发光元件ed的工艺期间，可以通过利用第一电极210和第二电极220产生的介电泳力来对准发光元件ed，使得发光元件ed在一方向上取向。在对准发光元件ed的工艺期间，可以在发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2之间产生高度差，该高度差等于台阶图案pt的第三厚度d3。因此，由于发光元件ed可以相对于衬底sub的表面倾斜地布置或设置成具有倾斜度，所以发光元件ed可以在对准发光元件ed的工艺期间更容易地通过相同的介电泳力旋转。以这种方式，可以在制造显示装置10的工艺中的对准发光元件ed的工艺期间改善发光元件ed的对准。
183.由于台阶图案pt和第一堤部400经由同一工艺形成，因此不需要附加的工艺来形成台阶图案pt，并且因此可以提高制造显示装置10的工艺的效率。通过在形成第一堤部400和台阶图案pt之前形成电极层200，可以容易地形成从第二子堤部420突出的突出图案pt。
184.图8至图16是示出制造图7中所示的显示装置的方法的处理步骤的视图。
185.首先参照图8，在通孔层166上形成图案化的电极层200。如上所述，图案化的电极层200可以包括第一电极210和第二电极220。
186.参照图9，在电极层200上形成图案化的第一堤部400和台阶图案pt。第一堤部400可以包括第一子堤部410和第二子堤部420。第二子堤部420和台阶图案pt可以彼此一体化为单个图案。第一堤部400和台阶图案pt可以包括有机绝缘材料。
187.形成图案化的第一堤部400和台阶图案pt可以包括在其上形成有电极层200的通孔层166之上完全地施加有机绝缘材料层，并且去除有机绝缘材料层的一部分以形成第一堤部400和台阶图案pt。可以使用狭缝掩模、半色调掩模或多色调掩模来形成具有不同厚度的第二子堤部420和台阶图案pt。
188.参照图10，在其上形成有图案化的第一堤部400和台阶图案pt的通孔层166上形成第一绝缘层510，并且形成第二堤部600。
189.参照图11和图12，使用喷墨印刷工艺将其中分散有发光元件ed的墨水ik喷射到发射区域ema中。墨水ik可以包括溶剂sv和分散在溶剂sv中的发光元件ed。如上所述，第二堤部600可以使墨水ik喷射到发射区域ema中而不与相邻的像素px混合。
190.在没有对准信号施加到第一电极210和第二电极220的情况下，如图12中所示，发光元件ed可以在任意方向上取向。举例来说，在没有对准信号施加到第一电极210和第二电极220的情况下，发光元件ed可以包括在不同方向上取向的第一发光元件eda和第二发光元件edb。第一发光元件eda可以具有设置在第一电极210上的第一端部ed_s1和设置在第二电极220上的第二端部ed_s2。第二发光元件edb可以具有设置在第二电极220上的第一端部ed_s1和设置在第一电极210上的第二端部ed_s2。
191.第一发光元件eda的第一端部ed_s1可以设置在第一电极210的端部210s1上，且第一发光元件eda的第二端部ed_s2可以设置在第二电极220的端部220s1上设置的台阶图案pt上。第二发光元件edb的第二端部ed_s2可以设置在第一电极210的端部210s1上，且第二发光元件edb的第一端部ed_s1可以设置在第二电极220的端部220s1上设置的台阶图案pt上。因此，第一发光元件eda和第二发光元件edb可以在衬底sub上被安装成使得发光元件ed延伸的方向相对于衬底sub的表面倾斜。
192.参照图13至图15，可以向第一电极210和第二电极220中的每个施加对准信号以使发光元件ed在一方向上对准。使发光元件ed在一方向上对准的工艺可以指代对准发光元件ed使得它们的端部ed_s1和ed_s2可以在相同的方向上取向的工艺。举例来说，在将对准信号施加到第一电极210和第二电极220的情况下，在第一电极210与第二电极220之间可以形成电场iel。由电场iel产生的介电泳力f可以作用于发光元件ed上。随着发光元件ed的取向和位置通过介电泳力f改变，如图15中所示，发光元件ed的第一端部ed_s1可以设置在第一电极210上，而发光元件ed的第二端部ed_s2可以设置在第二电极220上。
193.如图13中所示，随着发光元件ed通过介电泳力f在水平方向和竖直方向上旋转，发光元件ed可以对准。根据本实施方式，由于在使发光元件ed在一方向上对准的工艺之前，发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2的高度由于台阶图案pt而不同，所以发光元件ed可以相对于衬底sub的表面具有物理方向性。因此，由于发光元件ed可以在相同的介电泳力f下容易地旋转，所以在用于对准工艺的电场信号通过施加相同电压产生的情况下，可以提高对准的程度。即使在用于对准工艺的电场信号通过施加低电压产生的情况下，也可以实现相同程度的对准。
194.参照图16，可以形成暴露发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2的第二绝缘层520。可以通过在衬底sub上完全地形成绝缘材料层并且去除绝缘材料层的一部分来形成暴露发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2的第二绝缘层520。
195.在下文中，将描述根据其它实施方式的显示装置10的发光元件层。在以下描述中，将通过相同或相似的附图标记表示相同或相似的元件，并且将省略或简要地描述冗余的描述。将聚焦于与上述实施方式的不同之处进行描述。
196.图17是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
197.图17的实施方式与图7的实施方式的不同之处可以在于，从显示装置10中消除了设置成覆盖第一堤部400和台阶图案pt或与它们重叠的第一绝缘层510。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
198.举例来说，发光元件ed可以设置成使得其两个端部ed_s1和ed_s2分别设置在第一电极210和第二电极220上。发光元件ed的第一端部ed_s1可以设置在第一电极210的端部210s1上，且发光元件ed的第二端部ed_s2可以设置在或直接设置在覆盖第二电极220的端
部220s1或与第二电极220的端部220s重叠的台阶图案pt上。
199.第二堤部600可以设置在或直接设置在通孔层166的上表面上。
200.第一接触电极710可以在发射区域ema中与第一子堤部410以及第一电极210的由发光元件ed暴露的部分接触。第一接触电极710可以与发光元件ed的第一端部ed_s1电接触。例如，第一接触电极710可以在发射区域ema中与第一电极210的一部分和发光元件ed的第一端部ed_s1电接触。
201.第二接触电极720可以与设置在第二电极220的端部220s1上的台阶图案pt接触。第二接触电极720可以与发光元件ed的第二端部ed_s2电接触。由于台阶图案pt设置成覆盖第二电极220的与发光元件ed的第二端部ed_s2相邻的端部220s1或与之重叠，因此在发射区域ema中，第二接触电极720和第二电极220可以在设置有发光元件ed的区域中彼此不电接触。尽管在附图中未示出，但是在发射区域ema中，第二接触电极720可以在不与发光元件ed相邻的区域中与第二电极220的由第二子堤部420暴露的部分电接触，或者可以在辅助区域sa中与第二电极220电接触。
202.根据本实施方式，例如，即使消除了设置在第一堤部400和台阶图案pt上的第一绝缘层510，台阶图案pt也设置成覆盖第二电极220的面对第一电极210的端部220s1或与之重叠，并且因此第一电极210和第二电极220也可以彼此电绝缘。相应地，由于可以从制造显示装置10的工艺中省略形成第一绝缘层510的工艺，因此可以节省制造显示装置10的成本。可以从制造显示装置10的工艺中省略用于形成穿透第一绝缘层510的接触部ct1和ct2(参见图2)的工艺，从而可以提高制造显示装置10的工艺的效率。
203.图18是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
204.图18的实施方式与图7的实施方式的不同之处可以在于，显示装置10还可以包括设置在第一堤部400和台阶图案pt上的反射层470。以下描述将聚焦于不同之处进行，并且将省略冗余的描述。
205.举例来说，根据本实施方式的显示装置10还可以包括反射层470。反射层470可以在发射区域ema中设置在第一堤部400和台阶图案pt上。反射层470可以设置成覆盖第一堤部400和台阶图案pt的外表面或与之重叠。设置成覆盖第一堤部400和台阶图案pt的外表面或与之重叠的反射层470可以将从发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2发射并且入射在第一堤部400和台阶图案pt上的光的行进方向改变成朝向显示装置10的显示侧，即上侧。
206.反射层470可以包括反射材料。例如，反射层470可以由银(ag)、铜(cu)、铝(al)、镍(ni)、镧(la)或其合金制成，或者可以由包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)的金属氧化物的材料制成。然而，应当理解，本公开不限于此。
207.反射层470可以包括彼此间隔开的第一反射图案471和第二反射图案472。
208.第一反射图案471可以设置在第一子堤部410上。第一反射图案471可以设置成覆盖第一子堤部410的外表面或与之重叠。第一反射图案471可以具有符合第一子堤部410的坡度或基本上符合第一子堤部410的坡度的形状。
209.第二反射图案472可以设置在第二子堤部420和台阶图案pt上。第二反射图案472可以设置成覆盖第二子堤部420和台阶图案pt的外表面或与它们重叠。第二反射图案472可以具有符合第二子堤部420和台阶图案pt的坡度的形状或基本上符合第二子堤部420和台阶图案pt的坡度的形状。
210.第一反射图案471和第二反射图案472可以彼此间隔开并且发光元件ed插置在第一反射图案471和第二反射图案472之间。例如，第一反射图案471和第二反射图案472可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
211.第一绝缘层510可以设置在反射层470上。第一绝缘层510可以设置成覆盖第一反射图案471和第二反射图案472或与它们重叠，并且可以使第一反射图案471和第二反射图案472彼此绝缘。
212.根据本实施方式，显示装置10还可以包括设置在第一堤部400和台阶图案pt上的反射层470，从发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2发射的光被反射层470反射成朝向显示装置10的显示侧，即上侧。结果，可以提高显示装置10的发射效率。
213.图19是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
214.图19的实施方式与图7的实施方式的不同之处可以在于，台阶图案pt_1在显示装置10中形成为与第一堤部400不同的层并且设置在第一堤部400上。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
215.举例来说，台阶图案pt_1可以形成为与第一堤部400不同的层。根据本实施方式，台阶图案pt_1可以在第一堤部400形成之后通过附加的工艺形成。
216.根据本实施方式，第二子堤部420可以暴露第二电极220的至少一部分。举例来说，第二子堤部420可以设置在第二电极220上并且可以至少暴露第二电极220的端部220s1。例如，第二子堤部420可以在第二电极220上设置成使得第二电极220的面对第一电极210的端部220s1暴露。
217.如上所述，台阶图案pt_1可以设置在第二电极220的由第二子堤部420暴露的端部220s1上，以覆盖第二电极220的端部220s1或与之重叠。台阶图案pt_1可以设置成使得其与第二子堤部420的面对第一子堤部410的侧表面接触。台阶图案pt_1的一个侧表面或侧表面可以设置在第二子堤部420的面对第一子堤部410的侧表面上。
218.在实施方式中，台阶图案pt_1可以包括与包括在第二子堤部420中的材料不同的材料。例如，在第二子堤部420可以包括有机绝缘材料的实施方式中，台阶图案pt_1可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施方式中，台阶图案pt_1可以包括与包括在第二子堤部420中的材料相同的材料或相似的材料，但是可以通过附加的工艺形成为不同的层。
219.根据本实施方式，台阶图案pt_1可以在形成第一堤部400的工艺之后经由附加的工艺形成，并且因此制造工艺的效率可能降低。然而，优点在于，可以容易地实现对可与第一堤部400的厚度不同的台阶图案pt_1的厚度进行调节。
220.图20是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
221.图20的实施方式与图19的实施方式的不同之处可以在于，台阶图案pt_2形成为与第一堤部400_2不同的层并且第二子堤部420_2设置在台阶图案pt_2上。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
222.举例来说，台阶图案pt_2可以形成为与第一堤部400_2不同的层。根据本实施方式，第一堤部400_2可以在台阶图案pt_2形成之后通过附加的工艺形成。
223.台阶图案pt_2可以设置在第二电极220上。台阶图案pt_2可以设置成至少覆盖第二电极220的面对第一电极210的端部220s1或至少与之重叠。台阶图案pt_2可以从第二电极220的端部220s1延伸，并且可以部分地设置在第二电极220的中央部分处。台阶图案pt_2
可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。
224.第一堤部400_2可以设置在其上形成有台阶图案pt_2的电极层200之上。举例来说，第一子堤部410可以设置在第一电极210上，且第二子堤部420_2可以设置在第二电极220和台阶图案pt_2上。第二子堤部420_2可以设置成暴露台阶图案pt_2的设置在第二电极220的端部220s1上的部分。第二子堤部420_2可以设置成覆盖台阶图案pt_2的设置在第二电极220的中央部分处的另一部分或与之重叠。
225.在实施方式中，台阶图案pt_2可以包括与包括在第二子堤部420_2中的材料不同的材料。例如，在第二子堤部420_2可以包括有机绝缘材料的实施方式中，台阶图案pt_2可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在其它实施方式中，台阶图案pt_2可以包括与包括在第二子堤部420_2中的材料相同的材料或相似的材料，但可以经由附加的工艺形成为不同的层。
226.根据本实施方式，第一堤部400_2在台阶图案pt_2形成之后经由附加的工艺形成，并且因此制造工艺的效率可能降低。然而，由于台阶图案pt_2在第一堤部400_2之前形成，因此可以容易地设计形成台阶图案pt_2的区域。由于台阶图案pt_2和第一堤部400_2经由附加的工艺形成，因此优点在于，可以容易地实现对可与第一堤部400_2的厚度不同的台阶图案pt_2的厚度的调节。
227.图21是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
228.图21的实施方式与图7的实施方式的不同之处可以在于，显示装置10中的其上设置有显示元件层的通孔层166_1可以包括具有不同高度或厚度的第一区166a和第二区166b。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
229.举例来说，通孔层166_1可以包括台阶。通孔层166_1可以包括台阶结构，即，不同的区域具有不同的高度。通孔层166_1可以包括具有第一高度h_166a的第一区166a和具有比第一高度h_166a低的第二高度h_166b的第二区166b。尽管在附图中未示出，但是通孔层166_1的高度h_166a和h_166b可以从诸如衬底sub的一个表面的参照平面测量。通孔层166_1可以在通孔层166_1的区域中的每个中具有大体上平坦的表面，而不管在其下方是否存在图案以及图案(如果有的话)的形状如何。在不同区域之间的边界处，通孔层166_1可以具有台阶结构。
230.通孔层166_1的第二区166b可以设置在发射区域ema中。通孔层166_1的第二区166b可以在发射区域ema中在第三方向dr3上与第一电极210和第一子堤部410重叠。通孔层166_1的第二区166b可以在发射区域ema中在第三方向dr3上不与第二电极220、第二子堤部420和台阶图案pt重叠。通孔层166_1的第二区166b可以在发射区域ema中与第一电极210和第一子堤部410重叠以形成呈条纹形状的凹陷或基本上呈条纹形状的凹陷。
231.第一电极210可以设置在通孔层166_1的第二区166b上。第一电极210可以设置在或直接设置在通孔层166_1的第二区166b的上表面上。
232.第二电极220可以设置在通孔层166_1的第一区166a上。第二电极220可以设置在或直接设置在通孔层166_1的第一区166a的上表面上。第二电极220可以与第一电极210间隔开。
233.由于其上设置电极层200的通孔层166_1具有台阶结构，所以电极层200的第一电极210的高度可以不同于电极层200的第二电极220的高度。举例来说，由于第一电极210设
置在通孔层166_1的第二区166b上并且第二电极220设置在通孔层166_1的第一区166a上，因此第一电极210距衬底sub的表面的高度可以不同于第二电极220距衬底sub的表面的高度。例如，设置在通孔层166_1的具有第二高度h_166b的第二区166b上的第一电极210的高度可以低于设置在通孔层166_1的具有第一高度h_166a的第一区166a上的第二电极220的高度。
234.第一堤部400和台阶图案pt可以设置在电极层200上。举例来说，第一子堤部410可以与通孔层166_1的第二区166b重叠，且第二子堤部420可以与通孔层166_1的第一区166a重叠。台阶图案pt可以设置在通孔层166_1的第一区166a上。
235.第一绝缘层510可以设置在第一堤部400和台阶图案pt上。第一绝缘层510可以具有反映因设置在其下方的元件和图案引起的水平高度差的表面形状。
236.发光元件ed可以在第一电极210与第二电极220之间设置成使得第一端部ed_s1放置在第一电极210的端部210s1上并且第二端部ed_s2放置在第二电极220的端部220s1上。发光元件ed的第一端部ed_s1可以与通孔层166_1的第二区166b重叠，且发光元件ed的第二端部ed_s2可以与通孔层166_1的第一区166a重叠。
237.根据本实施方式，发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2分别设置在具有不同高度的通孔层166_1的第一区166a和通孔层166_1的第二区166b上。因此，与仅设置台阶图案pt的实施方式相比，发光元件ed延伸的方向相对于衬底sub的表面的倾斜度可以进一步增加。换句话说，由于通孔层166_1具有台阶结构，发光元件ed的第一端部ed_s1距衬底sub的表面的高度和发光元件ed的第二端部ed_s2距衬底sub的表面的高度之间的差可以变得更大。因此，由于发光元件ed可以相对于衬底sub的表面倾斜地布置或设置成具有更大的倾斜度，所以发光元件ed可以在对准发光元件ed的工艺期间更容易地通过相同的介电泳力旋转。例如，通孔层166_1的台阶结构可以辅助台阶图案pt，使得发光元件ed相对于衬底sub的表面倾斜地对准。以这种方式，可以在制造显示装置10的工艺中的对准发光元件ed的工艺期间改善发光元件ed的对准。
238.图22是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
239.图22的实施方式与图21中所示的实施方式的不同之处可以在于，从显示装置10中消除了台阶图案。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
240.举例来说，第一电极210可以设置在通孔层166_1的第二区166b上。第二电极220可以设置在通孔层166_1的第一区166a上。第二电极220可以与第一电极210间隔开。
241.第一子堤部410可以设置在通孔层166_1的第二区166b上，且第二子堤部420可以设置在通孔层166_1的第一区166a上。第一子堤部410可以在通孔层166_1的第二区166b上暴露第一电极210的端部210s1，且第二子堤部420可以在通孔层166_1的第一区166a上暴露第二电极220的端部220s1。
242.第一绝缘层510可以设置在第一堤部400上。第一绝缘层510可以覆盖第一电极210的由第一子堤部410暴露的端部210s1的外表面和第二电极220的由第二子堤部420暴露的端部220s1的外表面或与它们重叠。
243.根据本实施方式，即使从显示装置10中消除了台阶图案，发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2也分别设置在具有不同高度的通孔层166_1的第一区166a和通孔层166_1的第二区166b上。因此，发光元件ed可以设置成使得发光元件ed延伸的方向相对于衬底sub的
表面倾斜成具有倾斜度。例如，即使消除了台阶图案，通孔层166_1可以包括台阶结构，并且因此发光元件ed可以相对于衬底sub的表面倾斜地布置或设置成具有倾斜度，发光元件ed可以在对准发光元件ed的工艺期间更容易地通过相同的介电泳力旋转。以这种方式，可以在制造显示装置10的工艺中的对准发光元件ed的工艺期间改善发光元件ed的对准。由于可以省略用于形成台阶图案的工艺和用于调节台阶图案的厚度和宽度的设计步骤，因此可以提高制造显示装置10的工艺的效率。
244.在下文中，将对电极层设置在第一堤部上的各种实施方式进行描述。
245.图23是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
246.图23的实施方式与图7的实施方式的不同之处可以在于，在显示装置10中，电极层200_3设置在第一堤部400_3上，并且台阶图案pt_3形成为与第一堤部400_3不同的层。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
247.举例来说，第一堤部400_3可以设置在通孔层166上。第一堤部400_3可以设置在或直接设置在通孔层166的上表面上。第一子堤部410_3和第二子堤部420_3可以设置在或直接设置在通孔层166的上表面上，并且可以彼此间隔开。第一子堤部410_3的第一厚度d1可以等于第二子堤部420_3的第二厚度d2。
248.电极层200_3可以在发射区域ema中设置在第一堤部400_3上。如上所述，电极层200_3可以将从电路元件层施加的电信号传输到发光元件ed以使得发光元件ed发光。电极层200_3还可以用于生成电场，该电场用于在对准发光元件ed的工艺中使发光元件ed在一方向上取向。
249.根据本实施方式，电极层200_3可以包括反射材料，使得电极层200_3可以将从发光元件ed发射的光的行进方向改变成朝向显示侧。电极层200_3可以包括具有高反射率的导电材料。例如，在本公开的精神和范围内，电极层200_3可以包括诸如银(ag)、铜(cu)和铝(al)的金属作为具有高反射率的材料，并且可以包括包含铝(al)、镍(ni)、镧(la)等的合金。电极层200_3可以将从发光元件ed发射并且朝向第一堤部400_3的侧表面行进的光反射成朝向显示装置10的显示侧。
250.然而，应当理解，本公开不限于此。电极层200_3还可以包括透明导电材料。例如，电极层200_3可以包括诸如ito、izo和itzo的材料。在实施方式中，电极层200_3可以具有一个或多个透明导电材料层和具有高反射率的金属层可彼此堆叠的结构，或者可以由包括透明导电材料和具有高反射率的金属的单个层构成。例如，电极层200_3可以具有诸如ito/ag/ito、ito/ag/izo、或ito/ag/itzo/izo的叠层结构。
251.电极层200_3可以包括在第一堤部400_3上彼此间隔开的第一电极210_3和第二电极220_3。在实施方式中，第一电极210_3和第二电极220_3可以包括相同的材料或相似的材料，并且可以形成在同一层上。例如，第一电极210_3和第二电极220_3可以经由单个工艺图案化并形成。
252.第一电极210_3可以在发射区域ema中设置在第一子堤部410_3上。第一电极210_3可以覆盖第一子堤部410_3的外表面或与之重叠。第一电极210_3可以从第一子堤部410_3的外表面向外延伸，以部分地设置在第一子堤部410_3与第二子堤部420_3之间。第一电极210_3的一个端部210s1可以在第一子堤部410_3与第二子堤部420_3之间设置在通孔层166的由第一子堤部410_3和第二子堤部420_3暴露的上表面上。
253.第二电极220_3可以在发射区域ema中设置在第二子堤部420_3上。第二电极220_3可以覆盖第二子堤部420_3的外表面或与之重叠。第二电极220_3可以从第二子堤部420_3的外表面向外延伸，以部分地设置在第一子堤部410_3与第二子堤部420_3之间。第二电极220_3的一个端部220s1可以在第一子堤部410_3与第二子堤部420_3之间设置在通孔层166的由第一子堤部410_3和第二子堤部420_3暴露的上表面上。
254.第一电极210_3的端部210s1和第二电极220_3的端部220s1可以在第一子堤部410_3与第二子堤部420_3之间彼此间隔开。例如，第一电极210_3的端部210s1和第二电极220_3的端部220s1可以在第一子堤部410_3与第二子堤部420_3之间彼此间隔开并且彼此面对。
255.第一绝缘层510_3可以设置在电极层200_3上。第一绝缘层510_3可以在发射区域ema中完全地设置在其上形成有电极层200_3的通孔层166上。第一绝缘层510_3可以在发射区域ema中保护电极层200_3，并且可以使第一电极210_3和第二电极220_3彼此绝缘。尽管在附图中未示出，但是第一绝缘层510_3可以在辅助区域sa中包括暴露第一电极210_3的上表面的一部分的第一接触部ct1和暴露第二电极220_3的上表面的一部分的第二接触部ct2。第一电极210_3可以在辅助区域sa中通过穿透第一绝缘层510_3的第一接触部ct1电连接到第一接触电极710，且第二电极220_3可以在辅助区域sa中通过穿透第一绝缘层510_3的第二接触部ct2电连接到第二接触电极720。
256.台阶图案pt_3可以设置在第一绝缘层510_3上。台阶图案pt_3可以与第二电极220_3的端部220s1重叠。台阶图案pt_3可以不与第一电极210_3重叠。台阶图案pt_3可以在第一绝缘层510_3上覆盖第二电极220_3的端部220s1或与之重叠，并且可以不与第一电极210_3重叠。第二电极220_3的被台阶图案pt_3覆盖或与台阶图案pt_3重叠的端部220s1不与第二子堤部420_3重叠，并且可以是第二电极220_3的面对第一电极210_3的部分。
257.台阶图案pt_3可以包括有机材料或无机材料。举例来说，台阶图案pt_3可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
258.台阶图案pt_3可以插置在发光元件ed的第二端部ed_s2与第二电极220_3之间。台阶图案pt_3可以插置在发光元件ed的第二端部ed_s2与第一绝缘层510_3之间。
259.台阶图案pt_3可以形成为具有第三厚度d3。如上所述，台阶图案pt_3可以在发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2之间建立高度差(或水平高度差)，以在发光元件ed的对准工艺期间促进发光元件ed的旋转。举例来说，台阶图案pt_3可以在发光元件ed的放置在第一电极210_3上的第一端部ed_s1和发光元件ed的放置在第二电极220_3上的第二端部ed_s2之间建立高度差，使得发光元件ed相对于衬底sub的表面倾斜地设置。因此，台阶图案pt_3需要形成为具有第三厚度d3，以在使发光元件ed在一方向上对准的工艺期间促进发光元件ed的旋转。
260.举例来说，台阶图案pt_3的第三厚度d3可以小于第一子堤部410_3的第一厚度d1和第二子堤部420_3的第二厚度d2。台阶图案pt_3的第三厚度d3可以小于发光元件ed的长度h1。由于台阶图案pt_3的第三厚度d3形成为小于发光元件ed的长度h1，因此在对准发光元件ed的工艺期间，发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2可以设置成分别与第一电极210_3的端部210s1和第二电极220_3的端部220s1重叠。由于台阶图案pt_3的第三厚度d3小于发光元件ed的长度h1，因此发光元件ed可以在对准发光元件ed的工艺之后稳定地固定在衬底
sub上。
261.发光元件ed可以设置在其上形成有第一绝缘层510_3和台阶图案pt_3的电极层200_3上方。发光元件ed可以设置在第一电极210_3与第二电极220_3之间。发光元件ed可以设置成使得两个端部ed_s1和ed_s2分别放置在第一电极210_3的端部210s1和第二电极220_3的端部220s1上。
262.发光元件ed的第一端部ed_s1可以设置在与第一电极210_3的端部210s1重叠的第一绝缘层510_3上。发光元件ed的第二端部ed_s2可以设置在与第二电极220_3的端部220s1重叠的台阶图案pt_3上。即使第一电极210_3和第二电极220_3在同一层上具有相同的厚度，但台阶图案pt_3仅在第二电极220_3上设置成覆盖第二电极220_3的端部220s1或与之重叠，使得发光元件ed的第一端部ed_s1的高度可以不同于发光元件ed的第二端部ed_s2的高度。举例来说，发光元件ed的第一端部ed_s1的高度可以低于发光元件ed的第二端部ed_s2的高度。发光元件ed的第一端部ed_s1和发光元件ed的第二端部ed_s2之间的高度差可以基本上等于台阶图案pt_3的第三厚度d3。
263.在与发光元件ed相邻的区域中，第一接触电极710可以与第一绝缘层510_3的外表面接触或直接接触，且第二接触电极720可以与台阶图案pt_3的上表面和第一绝缘层510_3的由台阶图案pt_3暴露的外表面接触或直接接触。
264.根据本实施方式，即使包括具有相同的形状或基本上相同的形状的第一子堤部410_3和第二子堤部420_3的第一堤部400_3在电极层200_3之前形成，但经由随后的工艺形成台阶图案pt_3，从而可以在发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2之间建立高度差，该高度差等于台阶图案pt_3的第三厚度d3。因此，由于发光元件ed可以相对于衬底sub的表面倾斜地布置或设置成具有倾斜度，所以发光元件ed可以在对准发光元件ed的工艺期间更容易地通过介电泳力旋转。以这种方式，可以在制造显示装置10的工艺中的对准发光元件ed的工艺期间改善发光元件ed的对准。
265.图24是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
266.图24的实施方式与图23的实施方式的不同之处可以在于，在显示装置10中，第一绝缘层510_4设置成覆盖台阶图案pt_4和电极层200_3或与它们重叠。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
267.举例来说，台阶图案pt_4可以设置在其上形成有第一堤部400_3和电极层200_3的通孔层166上。台阶图案pt_4可以与第二电极220_3的端部220s1重叠。台阶图案pt_4可以不与第一电极210_3重叠。台阶图案pt_4可以设置在或直接设置在第二电极220_3的端部220s1上。台阶图案pt_4可以设置在或直接设置在第二电极220_3的端部220s1的上表面和侧表面上，并且可以覆盖第二电极220_3的端部220s1或与之重叠。台阶图案pt_4可以覆盖第二电极220_3或与之重叠，并且可以不与第一电极210_3重叠。
268.第一绝缘层510_4可以设置在电极层200_3和台阶图案pt_4上。第一绝缘层510_4可以设置成覆盖台阶图案pt_4的上表面和侧表面或与之重叠。
269.发光元件ed可以设置在第一绝缘层510_4上。发光元件ed的第一端部ed_s1可以设置在与第一电极210_3的端部210s1重叠的第一绝缘层510_4上。发光元件ed的第二端部ed_s2可以设置在与第二电极220_3的端部220s1和台阶图案pt_4重叠的第一绝缘层510_4上。
270.根据本实施方式，即使第一绝缘层510_4在台阶图案pt_4形成之后形成，但台阶图
案pt_4形成为覆盖第二电极220的面对第一电极210的端部220s1或与之重叠，并且因此第一电极210和第二电极220可以在发射区域ema中通过台阶图案pt_4彼此电绝缘。
271.图25是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
272.图25的实施方式与图24的实施方式的不同之处可以在于，在显示装置10中，台阶图案pt_5和第一堤部400_5形成为同一层，并且电极层200_5设置在台阶图案pt_5和第一堤部400_5上。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
273.举例来说，台阶图案pt_5和第一堤部400_5可以包括相同的材料或相似的材料。台阶图案pt_5和第一堤部400_5可以形成在同一层上。例如，第一堤部400_5和台阶图案pt_5可以经由同一工艺同时形成。
274.台阶图案pt_5可以与第二子堤部420_5一体化。例如，台阶图案pt_5和第二子堤部420_5可以经由同一工艺形成为彼此一体化的单个第一图案。第一图案可以包括具有第一厚度的第一部分和具有比第一厚度小的第二厚度的第二部分。第一图案的第一部分可以对应于第二子堤部420_5，且第一图案的第二部分可以对应于台阶图案pt_5。
275.根据本实施方式，第一子堤部410_3和第二子堤部420_5可以彼此间隔开。台阶图案pt_5可以设置在第一子堤部410_3与第二子堤部420_5之间。台阶图案pt_5可以与第一子堤部410_3间隔开。台阶图案pt_5可以设置在第二子堤部420_5的面对第一子堤部410_3的一侧或侧上。台阶图案pt_5可以是从第二子堤部420_5的面对第
276.一子堤部410_3的一个侧表面或侧表面朝向第一子堤部410_3突出的突出图案。
277.电极层200_5可以设置在第一堤部400_5和突出图案pt_5上。举例来说，第一电极210_3可以设置在第一子堤部410_3上，且第二电极220_5可以设置在可彼此一体的第二子堤部420_5和突出图案pt_5上。第二电极220_5可以设置成覆盖突出图案pt_5的上表面以及第二子堤部420_5的上表面和侧表面或与它们重叠。
278.第一绝缘层510_5可以设置在电极层200_5上。第一绝缘层510_5可以设置在或直接设置在第一电极210_3和第二电极220_5上以覆盖第一电极210_3和第二电极220_5或与它们重叠。
279.根据本实施方式，通过经由同一工艺形成突出图案pt_5和第二子堤部420_5，不需要用于形成突出图案pt_5的附加的工艺。结果，可以提高制造显示装置10的工艺的效率。
280.图26是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
281.图26的实施方式与图23的实施方式的不同之处可以在于，在显示装置10中，其上设置有显示元件层的通孔层166_1可以包括具有不同高度的第一区166a和第二区166b。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
282.举例来说，类似于图21的实施方式，通孔层166_1可以包括台阶结构。通孔层166_1可以包括具有第一高度h_166a的第一区166a和具有比第一高度h_166a低的第二高度h_166b的第二区166b。
283.第一子堤部410_3可以设置在通孔层166_1的第二区166b上。第一子堤部410_3可以设置在或直接设置在通孔层166_1的第二区166b的上表面上。
284.第二子堤部420_3可以设置在通孔层166_1的第一区166a上。第二子堤部420_3可以设置在或直接设置在通孔层166_1的第一区166a的上表面上。
285.第一电极210_3可以与通孔层166_1的第二区166b重叠。第一电极210_3可以设置
成覆盖第一子堤部410_3的外表面或与之重叠，并且可以从第一子堤部410_3的外表面向外延伸，从而也部分地设置在通孔层166_1的由第一子堤部410_3暴露的第二区166b中。
286.第二电极220_3可以与通孔层166_1的第一区166a重叠。第二电极220_3可以设置成覆盖第二子堤部420_3的外表面或与之重叠，并且可以从第二子堤部420_3的外表面向外延伸，从而也部分地设置在通孔层166_1的由第二子堤部420_3暴露的第一区166a中。
287.因此，第一电极210_3的端部210s1可以设置在通孔层166_1的第二区166b中，且第二电极220_3的端部220s1可以设置在通孔层166_1的第一区166a中。因此，第一电极210_3的端部210s1的高度可以不同于第二电极220_3的端部220s1的高度。举例来说，第一电极210_3的端部210s1的高度可以低于第二电极220_3的端部220s1的高度。
288.台阶图案pt_3可以设置成覆盖第二电极220_3的端部220s1或与之重叠。台阶图案pt_3可以设置在通孔层166_1的第一区166a上。台阶图案pt_3可以不设置在通孔层166_1的第二区166b上。
289.根据本实施方式，发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2分别设置在具有不同高度的通孔层166_1的第一区166a和通孔层166_1的第二区166b上。因此，与仅设置台阶图案pt_3的实施方式相比，发光元件ed延伸的方向相对于衬底sub的表面的倾斜度可以进一步增加。换句话说，由于通孔层166_1具有台阶结构，发光元件ed的第一端部ed_s1距衬底sub的表面的高度和发光元件ed的第二端部ed_s2距衬底sub的表面的高度之间的差可以变得更大。因此，由于发光元件ed可以相对于衬底sub的表面倾斜地布置或设置成具有更大的倾斜度，所以发光元件ed可以在对准发光元件ed的工艺期间更容易地通过相同的介电泳力旋转。例如，通孔层166_1的台阶结构可以辅助台阶图案pt_3，使得发光元件ed相对于衬底sub的表面倾斜地对准。以这种方式，可以在制造显示装置10的工艺中的对准发光元件ed的工艺期间改善发光元件ed的对准。
290.图27是示出沿着图2的线iii-iii'截取的另一示例的示意性剖视图。
291.图27的实施方式与图26中所示的实施方式的不同之处可以在于，从显示装置10中消除了台阶图案。将聚焦于不同之处进行以下描述，并且将省略冗余的描述。
292.根据本实施方式，可以从显示装置10中消除台阶图案。因此，发光元件ed的第一端部ed_s1可以设置在与第一电极210_3的端部210s1重叠的第一绝缘层510_3上，且发光元件ed的第二端部ed_s2可以设置在与第二电极220_3的端部220s1重叠的第一绝缘层510_3上。
293.根据本实施方式，即使从显示装置10中消除了台阶图案，发光元件ed的两个端部ed_s1和ed_s2也分别设置在具有不同高度的通孔层166_1的第一区166a和通孔层166_1的第二区166b上。因此，发光元件ed可以设置成使得发光元件ed延伸的方向相对于衬底sub的表面倾斜成具有倾斜度。例如，即使消除了台阶图案，由于发光元件ed可以相对于衬底sub的表面倾斜地布置或设置成具有倾斜度，所以发光元件ed也可以在对准发光元件ed的工艺期间更容易地通过相同的介电泳力旋转。以这种方式，可以在制造显示装置10的工艺中的对准发光元件ed的工艺期间改善发光元件ed的对准。
294.总结详细描述，本领域的技术人员将理解，在实质上不背离本公开的原理的情况下，可以对实施方式做出许多改变和修改。因此，所公开的实施方式仅以一般性和描述性的意义使用，而不是出于限制的目的。