一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置
技术领域
1.本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，特别涉及一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置。
背景技术：
2.hit太阳能光伏电池是以光照射侧的p/i型a-si膜和背面侧的i/n型a-si膜夹住单结晶硅片来构成的。hit太阳能光伏电池基板以硅基板为主，在硅基板上沉积高能隙的硅纳米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背面设有背表面电场。通过优化硅的表面结构，可以降低透明导电氧化层和a-si层的光学吸收损耗，hit太阳能光伏电池制备时，硅片表面印刷完导电浆后需要进行烘干，而传统烘干设备采用硅片平躺传送，以致硅片下侧面与传送带接触部分不易烘干，导致工艺时间长，烘干效果不佳，成品率低。
3.因此，发明一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置来解决上述问题很有必要。
技术实现要素：
4.本实用新型的目的在于提供一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，包括本体，所述本体顶部设有上加热装置，所述上加热装置底端设有夹持装置，所述夹持装置底端设有下加热装置，所述下加热装置底端安装有底座。
6.优选的，所述上加热装置顶部设有弧形放射板，所述弧形放射板底端设有加热管，所述加热管下端设有挡板。
7.优选的，所述夹持装置内部设有电机，所述电机输出端安装有转轴，所述转轴表面设有第一夹持块以及第二夹持块。
8.优选的，所述底座底端安装有万向轮。
9.优选的，所述上加热装置与下加热装置结构相同，轴对称放置。本实用新型的技术效果和优点：
10.本实用新型可避免直接作用于硅片，使得硅片受热均匀，从而可保证硅片的加热烘干效果。
附图说明
11.图1为本实用新型的整体结构示意图。
12.图2为本实用新型的正剖视图。
13.图3为本实用新型的转轴结构示意图。
14.图4为本实用新型的加热管结构示意图。
具体实施方式
15.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
16.本实用新型提供了如图所示的一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，包括本体1，所述本体1顶部设有上加热装置2，所述上加热装置2底端设有夹持装置3，所述夹持装置3底端设有下加热装置4，所述下加热装置4底端安装有底座5。
17.进一步的，在上述技术方案中，所述上加热装置2顶部设有弧形放射板8，所述弧形放射板8底端设有加热管9，所述加热管9下端设有挡板7；
18.进一步的，在上述技术方案中，所述夹持装置3内部设有电机10，所述电机10输出端安装有转轴11，所述转轴11表面设有第一夹持块13以及第二夹持块14；
19.进一步的，在上述技术方案中，所述底座5底端安装有万向轮6；
20.进一步的，在上述技术方案中，所述上加热装置2与下加热装置4结构相同，轴对称放置。
21.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
技术特征：
1.一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，包括本体（1），其特征在于：所述本体（1）顶部设有上加热装置（2），所述上加热装置（2）底端设有夹持装置（3），所述夹持装置（3）底端设有下加热装置（4），所述下加热装置（4）底端安装有底座（5）。2.根据权利要求1所述的一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，其特征在于：所述上加热装置（2）顶部设有弧形放射板（8），所述弧形放射板（8）底端设有加热管（9），所述加热管（9）下端设有挡板（7）。3.根据权利要求1所述的一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，其特征在于：所述夹持装置（3）内部设有电机（10），所述电机（10）输出端安装有转轴（11），所述转轴（11）表面设有第一夹持块（13）以及第二夹持块（14）。4.根据权利要求1所述的一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，其特征在于：所述底座（5）底端安装有万向轮（6）。5.根据权利要求1所述的一种应用于hjt工艺的干燥炉加热装置，其特征在于：所述上加热装置（2）与下加热装置（4）结构相同，轴对称放置。
技术总结
本实用新型公开了一种应用于HJT工艺的干燥炉加热装置，包括本体，所述本体顶部设有上加热装置，所述上加热装置底端设有夹持装置，所述夹持装置底端设有下加热装置，所述下加热装置底端安装有底座，可避免直接作用于硅片，使得硅片受热均匀，从而可保证硅片的加热烘干效果。效果。效果。
技术研发人员：柏爱玉 袁艺琴 王可胜 李尚荣 李寅
受保护的技术使用者：合肥中南光电有限公司
技术研发日：2021.11.18
技术公布日：2022/8/22
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
