用于控制带电粒子束的设备和方法与流程

技术特征：
1.一种设备，包括：第一像素集，被配置为对接近所述第一像素集的第一子束进行成形；以及第一像素控制构件集，所述第一像素控制构件集中的像素控制构件分别与所述第一像素集中的每个像素相关联，每个像素控制构件被布置且被配置为将信号施加到相关联的像素以用于对所述第一子束进行成形。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一像素集具有电压分布，所述电压分布被配置为基于与在所述第一像素集上方的所述第一子束相关联的带电粒子的反射来调整。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一子束被成形为引起像差的减小。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一像素集和所述第一像素控制构件集被实现在一个组件中。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一像素集和所述第一像素控制构件集被实现在分离的组件中。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一像素集中的每个像素和所述第一像素控制构件集中的对应像素控制构件被实现在一个组件中。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一像素集中的每个像素和所述第一像素控制构件集中的对应像素控制构件被实现在分离的组件中。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号触发所述相关联的像素以生成用于对所述第一子束进行成形的电场。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一像素集还被配置为反射成形的第一子束。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号包括负电压，以使所述相关联的像素能够反射所述第一子束的带负电粒子或从所述第一子束中去除带正电粒子。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一像素集包括像素子集，所述像素子集被倾斜以从所述第一子束中去除带电粒子。12.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号包括正电压，以使所述相关联的像素能够反射所述第一子束的带正电粒子或从所述第一子束中去除带负电粒子。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述信号包括ac电压，以与在样本上的束扫描同步地对所述第一子束的轮廓进行成形。14.根据权利要求1所述的设备，还包括：第二像素集，被配置为对接近所述第二像素集的第二子束进行成形；以及第二像素控制构件集，所述第二像素控制构件集中的像素控制构件分别与所述第二像素集中的每个像素相关联，每个像素控制构件被布置且被配置为将信号施加到所述相关联的像素以用于对所述第二子束进行成形。15.一种用于对带电粒子的子束进行成形的方法，所述方法包括：使用束分离器，将带电粒子的第一子束朝向带电粒子反射镜板引导；以及使用所述带电粒子反射镜板，通过向所述带电粒子反射镜板的第一像素集提供信号以生成电场并通过反射成形的子束来对所述第一子束进行成形。

技术总结
一种设备，包括像素集和像素控制构件集，该像素集被配置为对接近该像素集的子束进行成形，像素控制构件分别与像素集中的每个像素相关联，每个像素控制构件被布置且被配置为向相关联的像素施加信号以用于对子束进行成形。相关联的像素施加信号以用于对子束进行成形。相关联的像素施加信号以用于对子束进行成形。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2021.01.04
技术公布日：2022/8/19