多层膜和成像元件的制作方法

技术特征：
1.一种多层膜，包括：半导体层，在所述半导体层的每一个中，在用作包括复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值；和介电层，其中所述半导体层和所述介电层交替层叠，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm以上且10μm以下、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。2.根据权利要求1所述的多层膜，包括：作为所述半导体层的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；和作为所述介电层的第一介电层和第二介电层，其中第一半导体层、第一介电层、第二半导体层、第二介电层和第三半导体层从光入射面侧顺次层叠。3.根据权利要求1所述的多层膜，其中所述半导体层中的每一个包含硅、锗和硅锗以及它们的非晶材料中的任一种。4.根据权利要求1所述的多层膜，其中所述介电层中的每一个包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝和氟化镁中的任一种。5.根据权利要求2所述的多层膜，还包括在第一半导体层的上层中的第一保护层，第一保护层包含氧化硅。6.根据权利要求2所述的多层膜，还包括在第三半导体层的下层中的第二保护层，第二保护层包含氧化硅。7.一种成像元件，包括：第一光电转换部，其对于波长在红外光区域的光具有敏感度；第二光电转换部，其层叠在第一光电转换部的光入射面侧，并且对于波长在可见光区域的光具有敏感度，和设置在第一光电转换部和第二光电转换部之间的多层膜，所述多层膜包括半导体层，在所述半导体层的每一个中，在用作包括复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值；和介电层，其中所述半导体层和所述介电层交替层叠，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm以上且10μm以下、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。8.根据权利要求7所述的成像元件，包括：作为所述半导体层的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；和作为所述介电层的第一介电层和第二介电层，其中第一半导体层、第一介电层、第二半导体层、第二介电层和第三半导体层从光入射面侧顺次层叠。9.根据权利要求7所述的成像元件，其中所述半导体层中的每一个包含硅、锗和硅锗以及它们的非晶材料中的任一种。
10.根据权利要求7所述的成像元件，其中所述介电层中的每一个包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝和氟化镁中的任一种。11.根据权利要求7所述的成像元件，还包括在第一光电转换部和所述多层膜之间的从第一光电转换部侧顺次层叠的固定电荷层和防反射层。12.根据权利要求7所述的成像元件，还包括在第二光电转换部的光入射面侧的第一光学膜，第一光学膜透过与颜色成分对应的预定波长带中的光。13.根据权利要求12所述的成像元件，还包括比第一光学膜更靠近所述光入射面侧的第二光学膜，第二光学膜选择性地透过波长在可见光区域的光和波长在红外光区域的光。14.根据权利要求7所述的成像元件，还包括具有一个面和相对的另一面的半导体基板，其中第一光电转换部被形成为埋入在所述半导体基板中，和第二光电转换部配置在所述半导体基板的该一个面侧。15.根据权利要求14所述的成像元件，其中所述半导体基板还包括在所述半导体基板的该一个面与该另一面之间延伸的贯通电极以及设置在该另一面侧的读出电路，所述读出电路基于经由所述贯通电极从第二光电转换部输出的电荷而输出信号。

技术总结
根据本公开一个实施方案的多层膜通过交替层叠介电层和半导体层而获得，在所述半导体层中，在用作作为复折射率之虚部的消光系数的光学常数k之中，对于波长在可见光区域的光的光学常数k1的值大于对于波长在红外光区域的光的光学常数k2的值，所述多层膜在层叠方向上的光学距离为0.3μm～10μm、吸收可见光的至少一部分并且透过红外光。少一部分并且透过红外光。少一部分并且透过红外光。


技术研发人员：关口浩司 村田贤一 汤川富之 定荣正大 富樫秀晃
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.02.17
技术公布日：2022/8/19