一种沟槽肖特基器件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述沟槽肖特基器件制作方法包括：提供一外延片，其中，所述外延片包括沟槽；基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构；其中，所述多层场板结构中包括刻蚀停止层；基于所述多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层；对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔；去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构；沿所述接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。2.如权利要求1所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长多层场板结构的步骤包括：基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层；基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层；基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层。3.如权利要求2所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述基于所述缓冲氧化层的表面生长刻蚀停止层的步骤包括：基于所述缓冲氧化层的表面生长比所述场板氧化层薄的刻蚀停止层。4.如权利要求2所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，去除所述接触孔中位于所述外延片台面的场板结构的步骤包括：去除所述接触孔中位于所述外延片台面的所述刻蚀停止层；去除所述接触孔中位于所述外延片台面的所述缓冲氧化层。5.如权利要求2所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长缓冲氧化层的步骤包括：基于所述沟槽的侧壁与所述外延片的台面生长150～500埃的缓冲氧化层。6.如权利要求2所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述基于所述刻蚀停止层的表面生长场板氧化层的步骤包括：基于所述刻蚀停止层的表面生长500～5000埃的场板氧化层。7.如权利要求1所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔的步骤包括：利用湿法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀。8.如权利要求1所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，对所述介质层进行刻蚀，直至刻蚀至所述刻蚀停止层，以形成接触孔的步骤包括：利用干法刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀。9.如权利要求1所述的沟槽肖特基器件制作方法，其特征在于，所述提供一外延片的步骤包括：提供一衬底；基于所述衬底的表面生长外延层；基于所述外延层刻蚀沟槽。10.一种沟槽肖特基器件，其特征在于，所述沟槽肖特基器件通过如权利要求1至9任一项所述的沟槽肖特基器件制作方法制作而成。

技术总结
本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。本申请提供的沟槽肖特基器件及其制作方法具有降低了成本，提升了接触孔刻蚀的均匀性。提升了接触孔刻蚀的均匀性。提升了接触孔刻蚀的均匀性。


技术研发人员：王友伟
受保护的技术使用者：捷捷微电(南通)科技有限公司
技术研发日：2022.05.18
技术公布日：2022/8/19