显示面板及其制作方法与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板以及显示面板的制作方法。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，具有较高的屏占比的显示装置可以提供较好的视觉体验，逐渐成为一种主流发展方向。为了保证较高的占屏比，通常将摄像头模组等光学模组设置在显示面板的下方。
3.显示面板具有主显示区和副显示区，其中，副显示区与光学模组相对。显示面板通常包括阵列基板和显示层，阵列基板中设置像素驱动电路，以控制显示层内的像素单元发光。当不需要使用光学模组时，副显示区内的显示层可以正常显示；当需要使用光学模组，副显示区内的显示层不进行显示，光线穿过副显示区达到光学模组所在区域。然而，在制作该显示面板时，主显示区的像素单元的阳极中往往会产生离子迁移，导致显示面板出现显示异常。


技术实现要素：

4.鉴于上述问题，本技术实施例提供一种显示面板以及显示面板的制作方法，以减少或者避免显示面板出现显示异常。
5.为了实现上述目的，本技术实施例提供如下技术方案：
6.本技术实施例的第一方面提供一种显示面板，所述显示面板具有副显示区以及至少部分环绕所述副显示区的主显示区，所述显示面板包括：阵列基板以及在所述阵列基板上依次层叠设置的平坦化层、图形化的电连接层和图形化的第一电极层；
7.所述图形化的电连接层包括第一连接层和第二连接层，所述图形化的第一电极层包括第一子电极层和第二子电极层；
8.其中，所述第一子电极层和所述第一连接层均位于所述主显示区，且所述第一子电极层设置在所述第一连接层上，所述第二子电极层和所述第二连接层均位于所述副显示区，且所述第二子电极层设置在所述第二连接层上。
9.在一种可能的实现方式中，所述第一连接层和所述第二连接层同层设置，所述第一子电极层和所述第二子电极层同层设置。
10.本技术实施例提供的显示面板减小了平坦化层对第一子电极层的影响，从而减少或者避免显示面板显示发黄等显示不良。
11.本技术实施例的第二方面提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有副显示区，以及至少部分环绕所述副显示区的主显示区，所述制作方法包括：在阵列基板上形成依次层叠设置的平坦化层、电连接层和第一电极层；对所述电连接层和所述第一电极层进行图形化处理，使所述图形化的电连接层形成第一连接层和第二连接层，并使所述图形化的第一电极层形成第一子电极层和第二子电极层；所述第一子电极层和所述第一连接层均位于所述显示面板的主显示区，且所述第一子电极层设置在所述第一连接层上，所述第二
子电极层和所述第二连接层均位于所述显示面板的副显示区，且所述第二子电极层设置在所述第二连接层上。
12.在一种可能的实现方式中，所述对所述电连接层和所述第一电极层进行图形化处理，使所述图形化的电连接层形成第一连接层和第二连接层，并使所述图形化的第一电极层形成第一子电极层和第二子电极层，包括：使所述第一连接层和所述第二连接层同层设置，所述第一子电极层和所述第二子电极层同层设置。
13.在一种可能的实现方式中，所述对所述电连接层和所述第一电极层进行图形化处理，包括：在所述第一电极层上形成光阻层；利用掩膜板对所述光阻层进行显影曝光，使所述光阻层形成位于所述主显示区的第一光阻部，以及位于所述副显示区的第二光阻部，所述第二光阻部的下部具有第一图案，所述第二光阻部的上部具有第二图案；以所述第一光阻部和所述第二光阻部为掩膜，刻蚀所述第一电极层和所述电连接层，以形成所述第一连接层和所述第二连接层；对所述第一光阻部和所述第二光阻部进行灰化处理，以使所述第二图案传递至所述第二光阻部的下部，并使所述第一光阻部减薄；以灰化后的所述第一光阻部和所述第二光阻部为掩膜，刻蚀所述第一电极层，以形成所述第一子电极层和所述第二子电极层。
14.优选的，所述灰化处理时的刻蚀气体包括含氟离子和含氧离子的等离子体。
15.优选的，所述掩膜板包括半色调掩膜板。
16.在一种可能的实现方式中，所述以所述第一光阻部和所述第二光阻部为掩膜，刻蚀所述第一电极层和所述电连接层，以形成所述第一连接层和所述第二连接层，包括：以所述第一光阻部和所述第二光阻部为掩膜，利用第一刻蚀剂，刻蚀所述第一电极层，以暴露部分所述电连接层；利用第二刻蚀剂刻蚀暴露的所述电连接层，以使所述电连接层形成所述第一连接层和所述第二连接层。
17.在一种可能的实现方式中，所述以灰化后的所述第一光阻部和所述第二光阻部为掩膜，刻蚀所述第一电极层，以形成所述第一子电极层和所述第二子电极层，包括：以灰化后的所述第一光阻部和所述第二光阻部为掩膜，利用第一刻蚀剂，刻蚀所述第一电极层，以使所述第一电极层形成所述第一子电极层和所述第二子电极层。
18.在一种可能的实现方式中，所述在阵列基板上形成依次层叠设置的平坦化层、电连接层和第一电极层，包括：在所述阵列基板上形成所述平坦化层；在所述平坦化层上形成所述电连接层；对所述电连接层进行退火处理，以使所述电连接层能被第二刻蚀剂去除，同时不会被第一刻蚀剂去除，所述第一刻蚀剂用于去除所述第一电极层；在退火处理后的所述电连接层形成所述第一电极层。
19.优选的，所述第一刻蚀剂包括硝酸、醋酸和磷酸；所述第二刻蚀剂包括草酸。
20.在一种可能的实现方式中，所述退火处理时的温度为150℃-200℃，所述退火处理时的气体为惰性气体。
21.在一种可能的实现方式中，所述以灰化后的所述第一光阻部和所述第二光阻部为掩膜，刻蚀所述第一电极层，以形成所述第一子电极层和所述第二子电极层之后，还包括：去除所述第一光阻部和所述第二光阻部，以暴露所述第一子电极层和所述第二子电极层；在所述平坦化层、所述第一子电极层、所述第二子电极层和所述第二连接层上形成像素限定层，像素限定层具有像素开口，位于所述主显示区的所述像素开口暴露所述第一子电极
层，位于所述副显示区的所述像素开口暴露所述第二子电极层；在所述像素限定层上形成支撑垫，并在像素限定层的像素开口内形成发光材料层；形成覆盖所述支撑垫、所述像素限定层和所述发光材料层的第二电极层。
22.在一种可能的实现方式中，形成所述像素限定层和/或所述支撑垫的同时，对位于所述主显示区的所述第一连接层进行退火处理。
23.在一种可能的实现方式中，所述第一电极层包括堆叠设置的至少两个分层，所述至少两个分层中，位于所述电连接层上的所述分层与所述电连接层的材质相同。
24.本技术实施例提供的显示面板的制作方法中，通过掩膜板对电连接层和第一电极层进行图形化处理，使电连接层形成位于主显示区第一连接层和位于副显示区的第二连接层，并使第一电极层形成位于主显示区的第一子电极层和位于副显示区的第二子电极层，且第一子电极层设置在第一连接层上，第二子电极层设置在第二连接层上。如此设置，一方面，第一连接层作为第一子电极层的垫层，避免了第一子电极层与平坦化层相接触，也避免了对电连接层图形层处理时因去除第一连接层而对平坦化层产生损伤，从而减少或者避免显示面板显示时，第一子电极层因平坦化层表面特性变化而产生的离子迁移现象，以减少或者避免显示面板显示发黄，提高了显示面板的性能。另一方面，利用同一掩膜板制作电连接层和第一电极层，即通过一道黄光制程对电连接层和第一电极层图形化处理，形成第一连接层、第二连接层、第一子电极层和第二子电极层，减少了制作所需的掩膜板的数量，从而降低制备成本，提高制备效率。
25.本技术实施例的第三方面提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有副显示区，以及至少部分环绕所述副显示区的主显示区，所述制作方法包括：在阵列基板上形成依次层叠设置的平坦化层和电连接层；去除位于所述主显示区的所述电连接层，以及位于所述副显示区的部分所述电连接层，以使暴露所述平坦化层；对暴露的所述平坦化层灰化处理，以减薄所述平坦化层；在减薄后的所述平坦化层和剩余的所述电连接层上形成第一电极层。
26.本技术实施例提供的显示面板及其制作方法中，在去除位于主显示区的平坦化层上的电连接层后，对主显示区的所述平坦化层灰化处理，以减薄所述主显示区的所述平坦化层，去除在电连接层制作时受到损伤的部分平坦化层，使平坦化层的表面特性均一，从而减少或者避免显示面板显示时，第一子电极层因平坦化层表面特性变化而产生的离子迁移现象，以减少或者避免显示面板显示发黄，提高了显示面板的性能。
附图说明
27.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1为相关技术中的显示面板的结构示意图；
29.图2为相关技术中未发生银离子迁移时的结构图；
30.图3为相关技术中发生银离子迁移时的结构图；
31.图4为本技术实施例中的显示面板的结构示意图；
32.图5为本技术实施例中的显示面板的制作方法的流程图；
33.图6为本技术实施例中的形成平坦化层后的结构示意图；
34.图7为本技术实施例中的形成电连接层后的结构示意图；
35.图8为本技术实施例中的形成半色调掩膜板后的结构示意图；
36.图9为本技术实施例中的形成第一光阻部和第二光阻部后的结构示意图；
37.图10为本技术实施例中的形成第一连接层和第二连接层后的结构示意图；
38.图11为本技术实施例中的第一光阻部和第二光阻部灰化处理后的一种结构示意图；
39.图12为本技术实施例中的第一光阻部和第二光阻部灰化处理后的另一种结构示意图；
40.图13为本技术实施例中的形成第一子电极层和第二子电极层后的结构示意图；
41.图14为本技术实施例中的形成第二电极层后的一种结构示意图；
42.图15为本技术实施例中的对平坦化层灰化处理后的结构示意图；
43.图16为本技术实施例中的形成第二电极层后的另一种结构示意图。
44.附图标记说明：
45.100-阵列基板；
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110-衬底；
46.120-缓冲层；
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130-栅绝缘层；
47.140-电容绝缘层；
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150-层间绝缘层；
48.160-钝化层；
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200-平坦化层；
49.210-第一通孔；
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220-第二通孔；
50.300-电连接层；
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310-第一连接层；
51.320-第二连接层；
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400-第一电极层；
52.410-第一子电极层；
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420-第二子电极层；
53.500-像素限定层；
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510-发光材料层；
54.520-支撑垫；
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600-第二电极层；
55.700-光阻层；
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710-第一光阻部；
56.720-第二光阻部；
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800-半色调掩膜板。
具体实施方式
57.正如背景技术所述，相关技术中的显示面板以及显示面板制作时，主显示区的像素单元的阳极中往往会产生离子迁移，导致显示面板出现显示异常。经发明人研究发现，出现这种问题的原因与副显示区的电连接层的制作过程相关，具体阐述如下：
58.参考图1，显示面板通常具有主显示区和副显示区，主显示区如图1中a区所示，其用于显示图像。副显示区如图1中c区所示，其与光学模组相对，其用于显示图像并可供光穿过并入射到光学模组上。光学模组可以为屏下摄像头(英文：under display camera，简称udc)模组、虹膜识别模组或者指纹识别模组等。主显示区和副显示区均设置有像素单元，以进行图像的显示。像素单元通常包括两个相对设置的电极，以及位于这两个电极之间的发光材料层。
59.如图1所示，在制作显示面板的过程中，通常在阵列基板100上依次形成平坦化层
200(英文：planarization，简称pla)、电连接层300和仅位于副显示区的第一电极层400。阵列基板100具有像素驱动膜层。平坦化层200具有通孔，以暴露像素驱动膜层。再对位于副显示区的电连接层300和第一电极层400进行图形化处理，图形化后的第一电极层400形成第一电极，第一电极用作副显示区的像素单元的一个电极，例如副显示区的像素单元的阳极；之后去除主显示区的电连接层300，以使主显示区的平坦化层200暴露；再在主显示区的平坦化层200上形成第二电极，第二电极用于主显示区的像素单元的一个电极，例如主显示区的像素单元的阳极。
60.在上述显示面板的制作过程中，形成电连接层300和去除主显示区的电连接层300时，制作工艺易对平坦化层200的表面产生影响，使得在处理电连接层300的同时导致平坦化层200的表面特性发生变化，后续在该表面特性发生变化的平坦化层200上形成第二电极后，第二电极中的银离子易在第二电极内发生迁移，导致第二电极中存在孔洞或者凹坑，最终导致显示面板出现显示异常。图2为相关技术中未发生银离子迁移时的结构图，如图2所示，第二电极中未发生银离子迁移，第二电极内部的孔洞或者凹坑较少甚至没有，显示面板显示正常。图3为相关技术中发生银离子迁移时的结构图，如图3所示，第二电极中发生银离子迁移，第二电极内部出现孔洞或者凹坑，银离子分布不均匀，显示面板显示偏黄。
61.此外，相关技术中第一电极和第二电极材质通常相同，却分别需要一道光罩制作，即第一电极和第二电极需要两道光罩制作，其制作效率低，制作成本高。
62.针对上述技术问题，本技术实施例提供了一种显示面板以及显示面板的制作方法，对电连接层和第一电极层进行图形化处理，得到图形化的电连接层和图形化的第一电极层，图形化的电连接层包括第一连接层和第二连接层，图形化的第一电极层包括第一子电极层和第二子电极层，其中在主显示区设置第一连接层和位于其上的第一子电极层。一方面，第一连接层作为第一子电极的垫层，可以避免第一子电极层与平坦化层相接触，以减少平坦层的表面特性变化对第一子电极层的影响，另一方面第一连接层作为像素驱动膜层的覆盖层，还可以保护像素驱动膜层，从而提高了显示面板的性能。此外，利用同一掩膜板制作电连接层和第一电极层，形成第一连接层、第二连接层、第一子电极层和第二子电极层，减少了制作所需的掩膜板的数量，从而降低制备成本，提高制备效率。
63.为了使本技术实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本技术保护的范围。
64.本技术实施例的第一方面提供一种显示面板，显示面板可以为oled(英文：organic light-emitting diode，中文：有机发光二极管)显示面板、lcd显示面板(英文：liquid crystal display，中文：液晶显示器)、led显示面板(英文：light emitting diode，中文：发光二极管)等。以显示面板为oled显示面板为例，该显示面板可以是顶发光显示面板，也可以是底发光显示面板。
65.该显示面板具有主显示区和副显示区，主显示区如图4中a区所示，副显示区如图4中c区所示，主显示区至少部分环绕副显示区。在一些可能的示例中，主显示区环绕副显示区一整周。在另一种可能的示例中，主显示区部分包围副显示区，主显示区未环绕副显示区
一整周，例如主显示区环绕副显示区半周，副显示区的部分边缘形成显示面板的边缘。
66.参考图4，阵列基板100可以为薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)阵列基板，其包括衬底110，设置在衬底110上的像素驱动膜层，像素驱动膜层中形成驱动电路，驱动电路通过多个过孔等与像素单元电连接，由像素驱动膜层控制像素单元发光。
67.其中，衬底110可以为玻璃衬底、柔性塑料衬底或石英衬底。驱动电路包括薄膜晶体管，如图4所示，衬底110与薄膜晶体管之间还设置有缓冲层120，以提供平坦、光滑的表面，并阻挡杂质渗透。缓冲层120可以为叠层，例如，缓冲层120包括位于衬底110上的氮化硅层，以及位于氮化硅层上的氧化硅层。氮化硅层的厚度可以为500埃，氧化硅层的厚度可以为2500至3500埃。
68.继续参考图4，缓冲层120上设置有半导体材料形成的有源层act，有源层act上覆盖有栅绝缘层130(gate insulator，简称gi)，栅绝缘层130上设置有栅电极g，并由层间绝缘层150(inter layer dielectric，简称ild)覆盖栅电极g，层间绝缘层150上形成源电极s和漏电极d，源电极s和漏电极d与有源层act相接触，源电极s和漏电极d上还可以覆盖有钝化层160。
69.在一些可能的示例中，层间绝缘层150与栅电极g之间还可以设置有电容绝缘层140。有源层act包括源区、漏区，以及连接源区和漏区的沟道区，源电极s贯穿层间绝缘层150、电容绝缘层140和栅绝缘层130，以与有源层act的源区电连接，漏电极d贯穿层间绝缘层150、电容绝缘层140和栅绝缘层130，以与有源层act的漏区电连接。
70.其中，有源层act的材质包括有机或者无机半导体，例如，有源层act的材质为非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)或者金属氧化物半导体材料。栅电极g的材质包括导电材料，例如铝或者铝合金。栅绝缘层130的材质包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等，其厚度可以为1400埃。层间绝缘层150的材质包括氧化硅(例如sio2)、硼磷硅玻璃(bpsg)、磷硅盐酸玻璃(psg)或者氮化硅(例如si3n4)等。电容绝缘层140的材质包括氮化硅，其厚度可以为1000埃，钝化层160的材质包括氧化硅或者氮化硅。源电极s和漏电极d的材质包括钼、铬、钨、铝、钛、氮化钛、钼合金、铜合金等。
71.驱动电路还包括沿第一方向排列的多条栅极线，以及沿第二方向排列的多条数据线，栅极线与数据线的限定区域中用于定义像素单元的位置，第一方向与第二方向交叉。薄膜晶体管的栅电极g与栅极线连接，薄膜晶体管的源电极s和漏电极d中的一个电极与数据线连接，另一个电极与像素单元电连接。例如，薄膜晶体管的源电极s与数据线连接，薄膜晶体管的漏电极d与其对应的像素单元电连接。在显示过程中，薄膜晶体管在栅极线的控制下，将数据线输入的数据显示信号提供给与薄膜晶体管对应的像素单元中。
72.为了提高副显示区的光透光率，从而提高光学模组的性能，主显示区和副显示区之间通常还设置有过渡区，过渡区如图4中b区所示。与副显示区的像素单元相对应连接的驱动电路设置在过渡区，以减少其对副显示区中光线的遮挡，使得更多的光可以进入光学模组中。与主显示区中的像素单元相对应连接的驱动电路仍设置在主显示区，以充分利用主显示区的空间。为便于描述，本技术实施例及以下各实施例中，将与主显示区中的像素单元对应连接的驱动电路定义为第一驱动电路，与副显示区中的像素单元对应连接的驱动电路定义为第二驱动电路。
73.继续参考图4，平坦化层200用于提供平坦的表面，平坦化层200的材质包括有机材
料，例如丙烯、聚酰亚胺或者苯并环丁烯等。平坦化层上方依次设置有图形化的电连接层300和图形化的第一电极层400，图形化的电连接层300包括第一连接层310和第二连接层320，图形化的第一电极层400包括第一子电极层410和第二子电极层420。其中，第一子电极层410和所述第一连接层310均位于所述主显示区，且所述第一子电极层410设置在所述第一连接层310上，所述第二子电极层420和所述第二连接层320均位于所述副显示区，且所述第二子电极层420设置在所述第二连接层320上。通过上述设置，第一连接层作为第一子电极的垫层，可以避免第一子电极层与平坦化层相接触，以减少平坦层的表面特性变化对第一子电极层的影响，同时第一连接层作为像素驱动膜层的覆盖层，还可以保护像素驱动膜层，从而提高了显示面板的性能。
74.在一种可能的实例中，第一连接层310和所述第二连接层320同层设置，第一子电极层410和所述第二子电极层420同层设置，这样设置可以减少工艺难度。
75.本技术实施例的第二方面提供一种显示面板的制作方法，显示面板具有副显示区，以及至少部分环绕副显示区的主显示区。
76.参考图5，本技术实施例提供的显示面板的制作方法具体包括以下步骤：
77.步骤s110：在阵列基板上形成依次层叠设置的平坦化层、电连接层和第一电极层。
78.参考图6和图7，平坦化层200用于提供平坦的表面，平坦化层200的材质包括有机材料，例如丙烯、聚酰亚胺或者苯并环丁烯等，其可以通过沉积工艺形成。当薄膜晶体管的源电极s和漏电极d上覆盖有钝化层160时，平坦化层200和钝化层160中形成有位于主显示区的第一通孔210和位于副显示区的第二通孔220，第一通孔210和第二通孔220贯穿平坦化层200和钝化层160。
79.第一通孔210用于将主显示区中的像素单元与第一驱动电路进行电性连接。示例性的，第一通孔210可以直接暴露主显示区的漏电极d，还可以暴露主显示区的漏电极d上的第一导电层，即主显示区的漏电极d上覆盖第一导电层，第一通孔210暴露第一导电层。第二通孔220用于将副显示区中的像素单元与第二驱动电路进行电性连接。由于第二驱动电路设置在过渡区，在一种可能的示例中，过渡区的漏电极d上覆盖有第二导电层，第二导电层延伸至副显示区，以暴露在第二通孔220内。其中，第一导电层和第二导电层可以为同层设置。
80.参考图7，电连接层300通过第一通孔210和第二通孔220分别与第一驱动电路和第二驱动电路连接。电连接层300的材质可以为透明导电材料，例如氧化铟锡等，电连接层300的厚度可以为360埃。
81.参考图8，第一电极层400可以为层叠设置的氧化铟锡/银/氧化铟锡层、银/氧化铟锡层，或者银/氧化铟锌层等。示例性的，第一电极层400为氧化铟锡/银/氧化铟锡层时，氧化铟锡层的厚度可以为100埃，银层的厚度可以为1000埃。
82.在一种可能的实施方式中，在阵列基板上形成依次层叠设置的平坦化层、电连接层和第一电极层可以包括：
83.步骤s111：在阵列基板上形成平坦化层。示例性的，平坦化层200可以通过沉积等工艺形成。
84.步骤s112：在平坦化层上形成电连接层。示例性的，如图7所示，电连接层300可以在常温条件下通过溅射(sputter)等工艺形成整面的膜层。电连接层300覆盖平坦化层200
背离阵列基板100的表面，且覆盖第一通孔210的侧壁和底壁，以及第二通孔220的侧壁与底壁。
85.步骤s113：对电连接层进行退火处理，以使电连接层能被第二刻蚀剂去除，同时不会被第一刻蚀剂去除，第一刻蚀剂可以用于去除第一电极层。
86.具体的，如图7所示，退火处理时的温度为150℃-200℃，退火处理时的气体为惰性气体，例如氮气。优选的，对电连接层300在氮气环境中，150℃温度下，退火处理30min，通过电连接层300轻微退火(slight annealing)，其相较于退火前结构更为致密，以使电连接层能被第二刻蚀剂去除，同时不会被第一刻蚀剂去除，第一刻蚀剂用于去除第一电极层。如此设置，后续在刻蚀第一电极层时不会刻蚀掉电连接层，减少对电连接层的损伤。其中，第一刻蚀剂包括硝酸(hno3)、醋酸(ch3cooh)和磷酸(h3po4)；第二刻蚀剂包括草酸(h2c2o4)。
87.步骤s114：在退火处理后的电连接层上形成第一电极层。示例性的，第一电极层400可以通过溅射等工艺形成，第一电极层400覆盖电连接层300背离阵列基板100的表面。
88.步骤s120：对电连接层和第一电极层进行图形化处理，使电连接层形成第一连接层和第二连接层，并使第一电极层形成第一子电极层和第二子电极层；第一子电极层和第一连接层均位于主显示区，且第一子电极层设置在第一连接层上，第二子电极层和第二连接层均位于副显示区，且第二子电极层设置在第二连接层上。
89.在一些可能的示例中，所述第一连接层和所述第二连接层同层设置，所述第一子电极层和所述第二子电极层同层设置。
90.在一些可能的示例中，步骤s120中对电连接层和第一电极层进行图形化处理利用半色调掩膜板来实现。具体的，参考图8至图13，利用半色调掩膜板对电连接层和第一电极层进行图形化处理，包括：
91.步骤s121：在第一电极层上形成光阻层。
92.参考图8，在第一电极层400表面旋涂(英文：spin-coating)光阻层700，光阻层700又叫光刻胶层(photo resist，简称pr)，其通常为光敏感材料层，被uv(英文：ultra violet，中文：紫外光)照射后，其化学性质会发生变化，使其部分可以被显影液去除。本技术实施例中，光阻层700可以为正性光阻，其厚度可以为1.5μm。
93.步骤s122：利用半色调掩膜板800对光阻层进行显影曝光，使光阻层形成位于主显示区的第一光阻部，以及位于副显示区的第二光阻部，第二光阻部的下部具有第一图案，第二光阻部的上部具有第二图案。
94.继续参考图8，半色调掩膜板(英文：half tone mask，简称htm)800具有不透区，全透区和半透区，不透区如图8中黑色区域所示，全透区如图8中白色区域所示，半透区如图8中灰色区域所示。其中，全透区可供光照射到光阻层700。不透区的光透光率极差，光几乎无法透过该区，难以照射到光阻层700。半透区具有一定的透过率，部分光线可以透过该区照射到光阻层700。
95.在一些可能的示例中，半色调掩膜板800的载体可以为透明材料，例如氧化硅，全透区的载体上无图案，不透区的载体上制有铬图案层，半透区的载体上制有铬氧化物图案层，铬氧化物图案层的厚度与半透区的透过率相关。具体的，与半透区相对应的光阻层700在显影曝光后仍保留0.5μm的厚度，此时，半透区的铬氧化物图案层的厚度为100nm-200nm。
96.参照图8和图9，利用半色调掩膜板800对光阻层700进行显影曝光，与全透区相对
应的光阻层700完全去除，与不透区相对应的光阻层700保留，与半透区相对应的光阻层700沿垂直于阵列基板100的方向去除一部分。
97.光阻层700显影曝光后，形成位于主显示区的第一光阻部710，以及位于副显示区的第二光阻部720，第二光阻部720的下部具有第一图案，第二光阻部720的上部具有第二图案。其中，下部是指靠近阵列基板100的部分，如图9中h1所示区域，上部是指远离阵列基板100的部分，如图9中h2所示区域。第一光阻部710与第二光阻部720的下部所形成的图案与半色调掩膜板800的全透区相对应，第二光阻部720的上部的图案与半透区相对应。
98.示例性的，当光阻层700的厚度为1.5μm时，第二光阻部720的下部的厚度可以为0.5μm，第二光阻部720的上部的厚度可以为1μm。需要说明的是，当主显示区和副显示区之间具有过渡区时，第二光阻部720还可以延伸至过渡区。
99.步骤s123：以第一光阻部和第二光阻部为掩膜，刻蚀第一电极层和电连接层，以形成第一连接层和第二连接层。
100.在一些可能的示例中，参考图9和图10，以第一光阻部710和第二光阻部720为掩膜，利用第一刻蚀剂，刻蚀第一电极层400，以暴露部分电连接层300。如图10所示，湿法刻蚀去除未被第一光阻部710和第二光阻部720覆盖的第一电极层400，保留被第一光阻部710和第二光阻部720覆盖的第一电极层400。刻蚀第一电极层400后，部分电连接层300暴露出来。
101.再利用第二刻蚀剂刻蚀暴露的电连接层300，以使电连接层300形成第一连接层310和第二连接层320。如图9和图10所示，湿法刻蚀暴露出来的电连接层300，与半色调掩膜板800的全透区相对应的电连接层300去除，电连接层300形成位于主显示区的第一连接层310和位于副显示区的第二连接层320。
102.步骤s124：对第一光阻部和第二光阻部进行灰化处理，以使第二图案传递至第二光阻部的下部，并使第一光阻部减薄。
103.参考图11，灰化处理时的刻蚀气体包括含氟离子和含氧离子的等离子体，例如六氟化硫(sf6)和氧气(o2)辉光放电所形成的等离子气体。如此设置，该等离子气体对第一电极层400为惰性，不会刻蚀到第一电极层400。
104.利用半色调掩膜板800对光阻部进行图形化处理时，与半透区相对应的光阻部去除一部分，仍留有一部分，保留的这一部分的光阻部的厚度为第一厚度。在对第一光阻部710和第二光阻部720进行灰化处理，刻蚀深度可以为第一厚度，以使第二图案传递至第二光阻部720的下部，并使第一光阻部710减薄。
105.在一些可能的示例中，第二光阻部720的下部的厚度小于第二光阻部720的上部的厚度，灰化处理时，如图11所示，未被第二光阻部720的上部覆盖的第二光阻部720的下部被去除，第二光阻部720的上部减薄，剩余第二光阻部720的上部和第二光阻部720的下部均形成第二图案。如此设置，第一电极层400上保留有较厚的第二光阻部720，在后续的刻蚀过程中，能起到较好的掩膜作用。
106.需要说明的是，参考图10和图11，副显示区的平坦化层200具有第二通孔220时，在形成光阻层700后，第二通孔220正对的光阻层700的厚度通常较大，如图10中虚线所示区域，即位于第二通孔220正上方的第二光阻部720的厚度大于其他区域的第二光阻部720的厚度。在对第一光阻部710和第二光阻部720进行灰化处理时，在一种可能的示例中，可以对第二通孔220正上方的第二光阻部720进行过刻蚀，以去除位于第二通孔220内的第一电极
层400上的第二光阻部720，从而暴露位于第二通孔220内的第一电极层400，如图11所示，以便于后续对第一电极层400进行处理，去除第二通孔220内的第一电极层400，使副显示区内的第一电极层400形成多个彼此间隔的第一电极。在另一种可能的示例中，参考图12，可以将第二通孔220内的第二光阻部720与其他区域的第二光阻部720隔离，即位于第二通孔220内的第二光阻部720形成独立结构，与其他区域的第二光阻部720具有间隙。如此设置，在后续处理第一电极层400时，位于其他区域的第一电极层400形成多个彼此间隔的第一电极，且与位于第二通孔220内剩余的第一电极层400彼此间隔。
107.步骤s125：以灰化后的第一光阻部和第二光阻部为掩膜，刻蚀第一电极层，以形成第一子电极层和第二子电极层。
108.具体的，参考图13，以灰化后的第一光阻部710和第二光阻部720为掩膜，利用第一刻蚀剂，刻蚀第一电极层400，以使第一电极层400形成第一子电极层410和第二子电极层420。在该刻蚀过程中，第一刻蚀剂刻蚀第一电极层400中与半透区相对应的部分区域，从而形成位于主显示区的第一子电极层410和位于副显示区的第二子电极层420。由于对电连接层300进行退火处理，电连接层300的结晶度有所提升，该膜层的致密性提高，当电连接层300形成第一连接层310和第二连接层320后，第一刻蚀剂不会刻蚀损伤第一连接层310和第二连接层320。
109.在一些可能的实施方式中，第一电极层400包括堆叠设置的至少两个分层，至少两个分层中，位于电连接层300上的分层与电连接层300的材质相同，以使电连接层300和第一电极层400形成一体。示例性的，第一电极层400包括依次堆叠设置的氧化铟锡层、银层、氧化铟锡层时，电连接层300的为氧化铟锡层，如此设置，电连接层300可以视为第一电极层400的增厚部分，可以减少电连接层300和第一电极层400之间的接触电阻，保证电连接层300和第一电极层400透光，提高显示面板的性能。
110.在本技术另一些可能的实施方式中，参考图4和图14，以灰化后的第一光阻部和第二光阻部为掩膜，刻蚀第一电极层，以形成第一子电极层和第二子电极层之后，还包括：
111.步骤s126：去除第一光阻部和第二光阻部，以暴露第一子电极层和第二子电极层。
112.去除第一光阻层710和第二光阻层720，从而将第一子电极层410和第二子电极层420暴露出来，如图4所示，以便于后续在第一子电极层410和第二子电极层420上形成发光材料层，进而形成主显示区的像素单元和副显示区的像素单元。
113.步骤s127：在平坦化层、第一子电极层、第二子电极层和第二连接层上形成像素限定层，像素限定层具有像素开口，位于主显示区的像素开口暴露第一子电极层，位于副显示区的像素开口暴露第二子电极层。
114.参考图14，像素限定层500(英文：pixel definition layer，简称pdl)为整面的膜层，其覆盖平坦化层200、第一子电极层410、第二子电极层420和第二连接层320。像素限定层500的材质可以为无机材料，如此设置，当平坦化层200的材质为有机材料时，像素限定层500可以防止平坦化层200制作过程中的释气(outgassing)排放到平坦化层200的外部，以改善显示面板的可靠性和光学性能。像素限定层500的材质还可以为有机材料，例如聚酰亚胺或者聚甲基丙烯酸甲酯等，以便于像素限定层500的图形化处理。
115.如图14所示，像素限定层500具有像素开口，位于主显示区的像素开口暴露第一子电极层410，位于副显示区的像素开口暴露第二子电极层420。
116.步骤s128：在像素限定层上形成支撑垫，并在像素限定层的像素开口内形成发光材料层。
117.参考图14，像素限定层500上形成支撑垫520(spacer)，像素限定层500的像素开口内形成发光材料层510，发光材料层510可以通过真空蒸镀或者喷墨打印形成。发光材料层510可以发出不同颜色的光，例如红光、蓝光和绿光等。支撑垫520和发光材料层510的制作顺序不是限定的，可以根据生成需要进行调整。
118.需要说明的是，形成像素限定层500和/或支撑垫520的同时，对位于主显示区的第一连接层310进行退火处理。具体的，像素限定层500和/或支撑垫520在制作时，可以在250℃温度下固化60min，此时，也是在对主显示区的第一连接层310进行退火，进一步提高第一连接层310的结晶度，改善其性能。
119.步骤s129：形成覆盖支撑垫、像素限定层和发光层的第二电极层。
120.参考图14，第二电极层600为整面的膜层，其覆盖支撑垫520、像素限定层500和发光材料层510。第二电极层600可以为透明电极层，以提高透过率。由主显示区的像素开口所限定的第二电极层600、发光材料层510和第一子电极层410形成主显示区的像素单元，由副显示区的像素开口所限定的第二电极层600、发光材料层510和第二子电极层420形成副显示区的像素单元。
121.综上，本技术实施例提供的显示面板的制作方法中，通过半色调掩膜板800对电连接层300和第一电极层400进行图形化处理，使电连接层300形成位于主显示区第一连接层310和位于副显示区的第二连接层320，并使第一电极层400形成位于主显示区的第一子电极层410和位于副显示区的第二子电极层420，且第一子电极层410设置在第一连接层310上，第二子电极层420设置在第二连接层320上。进一步地，第一连接层310和第二连接层320同层设置，第一子电极层410和第二子电极层420同层设置。如此设置，一方面，第一连接层310作为第一子电极层410的垫层，避免了第一子电极层410与平坦化层200相接触，也避免了对电连接层300图形层处理时因去除第一连接层310而对平坦化层200产生损伤，从而减少或者避免显示面板显示时，第一子电极层410因平坦化层200表面特性变化而产生的离子迁移现象，以减少或者避免显示面板显示发黄，提高了显示面板的性能。另一方面，利用半色调掩膜板800完成电连接层300和第一电极层400的图形化处理，即通过一道黄光制程对电连接层300和第一电极层400图形化处理，形成第一连接层310、第二连接层320、第一子电极层410和第二子电极层420，减少了所制作的掩膜板的数量，从而降低制备成本，提高制备效率。
122.此外，保留主显示区的第一连接层310，还可以减少对暴露在平坦化层200的通孔中的像素驱动膜层产生的影响，从而避免第一子电极层410与像素驱动膜层的搭接出现异常，进一步提高显示面板的显示效果。
123.本技术实施例的第三方面提供一种显示面板的制作方法，显示面板具有副显示区，以及至少部分环绕副显示区的主显示区，该制作方法包括：
124.步骤s210：在阵列基板上形成依次层叠设置的平坦化层和电连接层。
125.参考图15和图16，平坦化层200可以通过沉积工艺形成，其材质包括有机材料，例如丙烯、聚酰亚胺或者苯并环丁烯等。电连接层300的材质可以为透明导电材料，例如氧化铟锡等，电连接层300的厚度可以为360埃。
126.步骤s220：去除位于主显示区的电连接层，以及位于副显示区的部分电连接层，以使暴露平坦化层。
127.参考图15和图16，通过湿法刻蚀去除主显示区的电连接层300以及位于副显示区的部分电连接层300，主显示区的电连接层300完成去除，副显示区的电连接层300去除部分，其形成所需图案，平坦化层200暴露，刻蚀剂可以包括草酸(h2c2o4)。
128.步骤s230：对暴露的平坦化层灰化处理，以减薄平坦化层。
129.参考图15和图16，灰化处理时的刻蚀气体包括含氟离子和含氧离子的等离子体，例如六氟化硫(sf6)和氧气(o2)辉光放电所形成的等离子气体。如此设置，该等离子对第一电极层400为惰性，不会刻蚀到第一电极层400。
130.通过平坦化层200灰化处理，去除平坦化层200背离阵列基板100一部分，以将平坦化层200减薄，减少制作和去除电连接层300时对平坦化层200的影响，从而使得平坦化层200暴露的表面的特性更均一。
131.步骤s240：在减薄后的平坦化层和剩余的电连接层上形成第一电极层。
132.参考图15和图16，第一电极层400覆盖减薄后的平坦化层200和剩余的电连接层300，在显示面板显示时，第一电极层400受到的平坦化层200的影响较小，第一子电极层410因平坦化层200表面特性变化而产生的离子迁移现象减少，从而减少或者避免显示面板显示发黄，提高了显示面板的性能。
133.综上，本技术实施例提供的显示面板的制作方法中，在去除平坦化层200上的电连接层300后，对暴露的平坦化层200灰化处理，以减薄平坦化层200，去除在电连接层300制作时受到损伤的部分平坦化层200，使平坦化层200的表面特性均一，从而减少或者避免显示面板显示时，第一子电极层410因平坦化层200表面特性变化而产生的离子迁移现象，以减少或者避免显示面板显示发黄，提高了显示面板的性能。
134.本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
135.应当指出，在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”、“一些实施例”等表示所述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但未必每个实施例都包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语未必是指同一实施例。此外，在结合实施例描述特定特征、结构或特性时，结合明确或未明确描述的其他实施例实现这样的特征、结构或特性处于本领域技术人员的知识范围之内。
136.一般而言，应当至少部分地由语境下的使用来理解术语。例如，至少部分地根据语境，文中使用的术语“一个或多个”可以用于描述单数的意义的任何特征、结构或特性，或者可以用于描述复数的意义的特征、结构或特性的组合。类似地，至少部分地根据语境，还可以将诸如“一”或“所述”的术语理解为传达单数用法或者传达复数用法。
137.应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本公开中的“在
……
上”、“在
……
以上”和“在
……
之上”，以使得“在
……
上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在
……
以上”或者“在
……
之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
138.此外，文中为了便于说明可以使用空间相对术语，例如，“下面”、“以下”、“下方”、“以上”、“上方”等，以描述一个元件或特征相对于其他元件或特征的如图所示的关系。空间相对术语意在包含除了附图所示的取向之外的处于使用或操作中的器件的不同取向。装置可以具有其他取向(旋转90度或者处于其他取向上)，并且文中使用的空间相对描述词可以同样被相应地解释。
139.文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。衬底可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
140.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。