一种高阶温度补偿的带隙基准电路及终端的制作方法

1.本实用新型涉及电源电路技术领域，尤其涉及一种高阶温度补偿的带隙基准电路及终端。


背景技术：

2.在电子电路的设计中，电源是任何电路都无法避开的电路，也是电子电路设计的核心电路之一，一个好的电源电路的设计能够为后续电路的设计避免非常多的问题，如干扰、不稳定等。系统电源设计均需要一个基准电源作为参考电源，该基准电源必然是系统中最稳定最不受外界干扰的电源域，如此，以该基准电源为输入得到的其他电源才能更加的稳定可控。然而，目前电源电路设计较为简单，并未进行温度系数的补偿，从而导致基准电源会随温度产生较大的波动，使得后级系统受该基准电源波动的影响而工作稳定性差，工作状态不可控。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本实用新型实施例的目的在于提供一种高阶温度补偿的带隙基准电路及终端，以解决目前电源电路设计较为简单，并未进行温度系数的补偿，从而导致基准电源会随温度产生较大的波动，使得后级系统受该基准电源波动的影响而工作稳定性差，工作状态不可控的技术问题。
4.本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案如下：
5.根据本实用新型实施例的一个方面，提供一种高阶温度补偿的带隙基准电路，该高阶温度补偿的带隙基准电路包括依次连接的启动模块、基准电压产生模块、高阶温度补偿模块和基准电流产生模块；
6.其中，所述启动模块，用于在上电时，产生所述基准电压产生模块的启动电压，避免所述带隙基准电路在启动时进入简并偏置点；
7.所述基准电压产生模块，用于产生零温度系数的初始基准电压；
8.所述高阶温度补偿模块，用于对所述初始基准电压进行高阶温度补偿，生成目标基准电压；
9.所述基准电流产生模块，用于基于由所述目标基准电压转换得到的电流生成与温度不相关的基准电流。
10.可选地，所述启动模块包括pmos管mp5和mp10、nmos管ms2和ms3以及电阻r7；
11.pmos管mp5和mp10的源极与电源连接，pmos管mp5的栅极分别与nmos管ms3的漏极和所述基准电压产生模块连接、漏极分别与pmos管mp10的栅极、nmos管ms2的栅极、电阻r7的一端和所述基准电压产生模块连接，pmos管mp10的漏极分别与nmos管ms3的栅极和nmos管ms2的漏极连接，nmos管ms2和ms3的源极以及电阻r7的另一端接地。
12.可选地，所述基准电压产生模块包括pmos管mp1至mp4、npn三极管q1、q2和q4以及电阻r1至r4；
13.pmos管mp1和mp2的源极与电源连接，pmos管mp1的栅极分别与pmos管mp2的栅极和漏极以及npn三极管q4的集电极连接、漏极分别与pmos管mp3和mp4的源极以及所述高阶温度补偿模块连接，pmos管mp3的栅极分别与自身的漏极、pmos管mp4的栅极和npn三极管q1的集电极连接，pmos管mp4的漏极分别与pmos管mp5的栅极和npn三极管q2的集电极连接，npn三极管q1、q2和q4的基极分别与pmos管mp5的漏极和所述高阶温度补偿模块连接，npn三极管q1的发射极与电阻r1的一端连接，电阻r1的另一端分别与npn三极管q2的发射极和电阻r2的一端连接，npn三极管q4的发射极与电阻r3的一端连接，电阻r3的另一端分别与电阻r4的一端和所述高阶温度补偿模块连接，电阻r2和r4的另一端接地。
14.可选地，pmos管mp1和mp2形成电流镜，pmos管mp3和mp4形成电流镜。
15.可选地，pmos管mp3和mp4的宽长比相等。
16.可选地，npn三极管q1和q2的个数比为8:1。
17.可选地，所述高阶温度补偿模块包括pmos管mp9、npn三极管q3、q5和q8以及电阻r5、r6和r10；
18.npn三极管q3的集电极与电源连接、基极与pmos管mp1的漏极连接、发射极分别与npn三极管q8的基极和电阻r5的一端连接，电阻r5的另一端分别与npn三极管q1、q2和q4的基极和npn三极管q5的集电极连接，npn三极管q5的基极与电阻r4的一端连接、发射极通过电阻r6接地，pmos管mp9的源极与电源连接、栅极分别与自身的漏极、所述高阶温度补偿模块和npn三极管q8的集电极连接，npn三极管q8的发射极通过电阻r10接地，其中，电阻r5的一端作为所述目标基准电压输出端。
19.可选地，所述基准电流产生模块包括pmos管mp6至mp8、npn三极管q6和q7以及电阻r8和r9；
20.pmos管mp6至mp8的源极与电源连接，pmos管mp6的栅极与pmos管mp9的栅极连接、漏极分别与npn三极管q6的集电极和npn三极管q7的基极连接，npn三极管q6的基极分别与npn三极管q7的发射极和电阻r9的一端连接、发射极通过电阻r8接地，电阻r9的另一端接地，pmos管mp7的栅极分别与自身的漏极、pmos管mp8的栅极和npn三极管q7的集电极连接，pmos管mp8的漏极作为基准电流输出端。
21.可选地，pmos管mp6和mp9形成电流镜，pmos管mp7和mp8形成电流镜。
22.根据本实用新型实施例的又一个方面，提供一种终端，该终端包括上述高阶温度补偿的带隙基准电路。
23.本实用新型实施例提供的高阶温度补偿的带隙基准电路及终端中包括依次连接的启动模块、基准电压产生模块、高阶温度补偿模块和基准电流产生模块；其中，所述启动模块，用于在上电时，产生所述基准电压产生模块的启动电压，避免所述带隙基准电路在启动时进入简并偏置点；所述基准电压产生模块，用于产生零温度系数的初始基准电压；所述高阶温度补偿模块，用于对所述初始基准电压进行高阶温度补偿，生成目标基准电压；所述基准电流产生模块，用于基于由所述目标基准电压转换得到的电流生成与温度不相关的基准电流。采用本实用新型实施例提供的高阶温度补偿的带隙基准电路，能够有效地避免基准电源随温度产生较大的波动，使得后级系统的工作稳定可控，而且，高阶温度补偿模块的采用进一步提高了基准电源输出的稳定性。
duplexing-long term evolution，分时双工长期演进)等。
36.wifi属于短距离无线传输技术，移动终端通过wifi模块102可以帮助用户收发电子邮件、浏览网页和访问流式媒体等，它为用户提供了无线的宽带互联网访问。虽然图1示出了wifi模块102，但是可以理解的是，其并不属于移动终端的必须构成，完全可以根据需要在不改变实用新型的本质的范围内而省略。
37.音频输出单元103可以在移动终端100处于呼叫信号接收模式、通话模式、记录模式、语音识别模式、广播接收模式等等模式下时，将射频单元101或wifi模块102接收的或者在存储器109中存储的音频数据转换成音频信号并且输出为声音。而且，音频输出单元103还可以提供与移动终端100执行的特定功能相关的音频输出(例如，呼叫信号接收声音、消息接收声音等等)。音频输出单元103可以包括扬声器、蜂鸣器等等。
38.a/v输入单元104用于接收音频或视频信号。a/v输入单元104可以包括图形处理器(graphics processing unit，gpu)1041和麦克风1042，图形处理器1041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。处理后的图像帧可以显示在显示单元106上。经图形处理器1041处理后的图像帧可以存储在存储器109(或其它存储介质)中或者经由射频单元101或wifi模块102进行发送。麦克风1042可以在电话通话模式、记录模式、语音识别模式等等运行模式中经由麦克风1042接收声音(音频数据)，并且能够将这样的声音处理为音频数据。处理后的音频(语音)数据可以在电话通话模式的情况下转换为可经由射频单元101发送到移动通信基站的格式输出。麦克风1042可以实施各种类型的噪声消除(或抑制)算法以消除(或抑制)在接收和发送音频信号的过程中产生的噪声或者干扰。
39.移动终端100还包括至少一种传感器105，比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地，光传感器包括环境光传感器及接近传感器，其中，环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板1061的亮度，接近传感器可在移动终端100移动到耳边时，关闭显示面板1061和/或背光。作为运动传感器的一种，加速计传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小，静止时可检测出重力的大小及方向，可用于识别手机姿态的应用(比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等；至于手机还可配置的指纹传感器、压力传感器、虹膜传感器、分子传感器、陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等其他传感器，在此不再赘述。
40.显示单元106用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息。显示单元106可包括显示面板1061，可以采用液晶显示器(liquid crystal display，lcd)、有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)等形式来配置显示面板1061。
41.用户输入单元107可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与移动终端的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。具体地，用户输入单元107可包括触控面板1071以及其他输入设备1072。触控面板1071，也称为触摸屏，可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触控面板1071上或在触控面板1071附近的操作)，并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。触控面板1071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中，触摸检测装置检测用户的触摸方位，并检测触摸操作带来的信号，将信号传送给触摸控制器；触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息，并将它转换成触点坐标，再送给处理器110，并能接收处理器110发来的命令并加以执行。此外，可
以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触控面板1071。除了触控面板1071，用户输入单元107还可以包括其他输入设备1072。具体地，其他输入设备1072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆等中的一种或多种，具体此处不做限定。
42.进一步的，触控面板1071可覆盖显示面板1061，当触控面板1071检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器110以确定触摸事件的类型，随后处理器110根据触摸事件的类型在显示面板1061上提供相应的视觉输出。虽然在图1中，触控面板1071与显示面板1061是作为两个独立的部件来实现移动终端的输入和输出功能，但是在某些实施例中，可以将触控面板1071与显示面板1061集成而实现移动终端的输入和输出功能，具体此处不做限定。
43.接口单元108用作至少一个外部装置与移动终端100连接可以通过的接口。例如，外部装置可以包括有线或无线头戴式耳机端口、外部电源(或电池充电器)端口、有线或无线数据端口、存储卡端口、用于连接具有识别模块的装置的端口、音频输入/输出(i/o)端口、视频i/o端口、耳机端口等等。接口单元108可以用于接收来自外部装置的输入(例如，数据信息、电力等等)并且将接收到的输入传输到移动终端100内的一个或多个元件或者可以用于在移动终端100和外部装置之间传输数据。
44.存储器109可用于存储软件程序以及各种数据。存储器109可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器109可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
45.处理器110是移动终端的控制中心，利用各种接口和线路连接整个移动终端的各个部分，通过运行或执行存储在存储器109内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器109内的数据，执行移动终端的各种功能和处理数据，从而对移动终端进行整体监控。处理器110可包括一个或多个处理单元；优选的，处理器110可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器110中。
46.移动终端100还可以包括给各个部件供电的电源111(比如电池)，优选的，电源111可以通过电源管理系统与处理器110逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。
47.尽管图1未示出，移动终端100还可以包括蓝牙模块等，在此不再赘述。
48.基于上述终端硬件结构，提出本实用新型电路各个实施例。
49.实施例一
50.为了解决目前电源电路设计较为简单，并未进行温度系数的补偿，从而导致基准电源会随温度产生较大的波动，使得后级系统受该基准电源波动的影响而工作稳定性差，工作状态不可控的技术问题，本实施例提供一种高阶温度补偿的带隙基准电路，请参考图2，图2是本实用新型实施例提供的高阶温度补偿的带隙基准电路一种实施方式的示意图。该高阶温度补偿的带隙基准电路包括依次连接的启动模块1111、基准电压产生模块1112、高阶温度补偿模块1113和基准电流产生模块1114；
51.其中，所述启动模块1111，用于在上电时，产生所述基准电压产生模块1112的启动电压，避免所述带隙基准电路在启动时进入简并偏置点；
52.所述基准电压产生模块1112，用于产生零温度系数的初始基准电压；
53.所述高阶温度补偿模块1113，用于对所述初始基准电压进行高阶温度补偿，生成目标基准电压；
54.所述基准电流产生模块1114，用于基于由所述目标基准电压转换得到的电流生成与温度不相关的基准电流。
55.本实施例中，首先需要说明的是，理想的带隙基准电压源具有与温度不相关的重要特性，即零温度系数。通常通过将正温度系数和负温度系数的电压或电流相加的方式来实现。一般采用两种方法产生负温度系数电压：采用bjt基、射电压实现或者采用工作在阈值区的mosfet的栅、源电压实现。本实用新型实施例以bjt方式为例进行说明，本领域技术人员可以理解的，采用mosfet方式同样可以实现本实用新型的高阶温度补偿的带隙基准电路。传统的带隙基准由widlar和brokaw提出的，其工作原理如图3所示，将具有正、负温度系数的电压加权相加，从而实现在某点温度下的零温度系数。放大状态bjt的be发射结具有负温度系数；热电压v
t
(v
t
＝kt/q，q为电子电荷，k为波尔兹曼常数)具有正温度系数，两者叠加便可以得到零温度系数的电压。其输出电压为：
[0056]vref
＝v
be
kv
t
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1-1)
[0057]
其中，k与温度无关。在室温条件下，v
be
的温度系数约为-2mv/℃，v
t
的温度系数为 0.085mv/℃。
[0058]
具体的，本实施例的高阶温度补偿的带隙基准电路中，启动模块1111在上电时产生基准电压产生模块1112的启动电压，避免所述带隙基准电路在启动时进入简并偏置点；基准电压产生模块1112在启动后产生零温度系数的初始基准电压；高阶温度补偿模块1113对该初始基准电压进行高阶温度补偿，生成目标基准电压；基准电流产生模块1114基于由该目标基准电压转换得到的电流生成与温度不相关的基准电流。从而，通过该高阶温度补偿的带隙基准电路，能够稳定的产生与温度不相关的基准电流和目标基准电压，有效地避免基准电源随温度产生较大的波动，使得后级系统的工作稳定可控，而且，高阶温度补偿模块1113的采用进一步提高了基准电源输出的稳定性。
[0059]
在一种实施方式中，请参考图4，图4是本实用新型实施例提供的高阶温度补偿的带隙基准电路一种实施方式的电路连接示意图。所述启动模块1111包括pmos管mp5和mp10、nmos管ms2和ms3以及电阻r7；pmos管mp5和mp10的源极与电源连接，pmos管mp5的栅极分别与nmos管ms3的漏极和所述基准电压产生模块1112连接、漏极分别与pmos管mp10的栅极、nmos管ms2的栅极、电阻r7的一端和所述基准电压产生模块1112连接，pmos管mp10的漏极分别与nmos管ms3的栅极和nmos管ms2的漏极连接，nmos管ms2和ms3的源极以及电阻r7的另一端接地vss。
[0060]
本实施方式中，所述启动模块1111可以但不限于采用pmos管mp5和mp10、nmos管ms2和ms3以及电阻r7。
[0061]
在一种实施方式中，请参考图4，所述基准电压产生模块1112包括pmos管mp1至mp4、npn三极管q1、q2和q4以及电阻r1至r4；pmos管mp1和mp2的源极与电源连接，pmos管mp1的栅极分别与pmos管mp2的栅极和漏极以及npn三极管q4的集电极连接、漏极分别与pmos管
mp3和mp4的源极以及所述高阶温度补偿模块1113连接，pmos管mp3的栅极分别与自身的漏极、pmos管mp4的栅极和npn三极管q1的集电极连接，pmos管mp4的漏极分别与pmos管mp5的栅极和npn三极管q2的集电极连接，npn三极管q1、q2和q4的基极分别与pmos管mp5的漏极和所述高阶温度补偿模块1113连接，npn三极管q1的发射极与电阻r1的一端连接，电阻r1的另一端分别与npn三极管q2的发射极和电阻r2的一端连接，npn三极管q4的发射极与电阻r3的一端连接，电阻r3的另一端分别与电阻r4的一端和所述高阶温度补偿模块1113连接，电阻r2和r4的另一端接地vss。
[0062]
本实施方式中，所述基准电压产生模块1112可以但不限于采用pmos管mp1至mp4、npn三极管q1、q2和q4以及电阻r1至r4。
[0063]
可选地，pmos管mp1和mp2形成电流镜，pmos管mp3和mp4形成电流镜。
[0064]
进一步可选地，pmos管mp3和mp4的宽长比相等。
[0065]
进一步可选地，npn三极管q1和q2的个数比为8:1。
[0066]
在一种实施方式中，请参考图4，所述高阶温度补偿模块1113包括pmos管mp9、npn三极管q3、q5和q8以及电阻r5、r6和r10；npn三极管q3的集电极与电源连接、基极与pmos管mp1的漏极连接、发射极分别与npn三极管q8的基极和电阻r5的一端连接，电阻r5的另一端分别与npn三极管q1、q2和q4的基极和npn三极管q5的集电极连接，npn三极管q5的基极与电阻r4的一端连接、发射极通过电阻r6接地vss，pmos管mp9的源极与电源连接、栅极分别与自身的漏极、所述高阶温度补偿模块1113和npn三极管q8的集电极连接，npn三极管q8的发射极通过电阻r10接地vss，其中，电阻r5的一端作为所述目标基准电压输出端。
[0067]
本实施方式中，所述高阶温度补偿模块1113可以但不限于采用pmos管mp9、npn三极管q3、q5和q8以及电阻r5、r6和r10。
[0068]
在一种实施方式中，请参考图4，所述基准电流产生模块1114包括pmos管mp6至mp8、npn三极管q6和q7以及电阻r8和r9；pmos管mp6至mp8的源极与电源连接，pmos管mp6的栅极与pmos管mp9的栅极连接、漏极分别与npn三极管q6的集电极和npn三极管q7的基极连接，npn三极管q6的基极分别与npn三极管q7的发射极和电阻r9的一端连接、发射极通过电阻r8接地vss，电阻r9的另一端接地vss，pmos管mp7的栅极分别与自身的漏极、pmos管mp8的栅极和npn三极管q7的集电极连接，pmos管mp8的漏极作为基准电流输出端。
[0069]
本实施方式中，所述基准电流产生模块1114可以但不限于采用pmos管mp6至mp8、npn三极管q6和q7以及电阻r8和r9。
[0070]
可选地，pmos管mp6和mp9形成电流镜，pmos管mp7和mp8形成电流镜。
[0071]
请参考图4，本实施例中的高阶温度补偿的带隙基准电路的工作原理为：上电后，启动模块1111中的pmos管mp5因其栅极(即图4中的b点)为高电平而截止，pmos管mp10的源极为高电平、栅极(即图4中的a点)因通过电阻r7接地vss为低电平，使得pmos管mp10导通，从而将nmos管ms3的栅极上拉为高电平，使得nmos管ms3导通，从而将pmos管mp5的栅极下拉为低电平，使得pmos管mp5导通，从而有电流流过电阻r7，使得a点电压被慢慢抬高，这一方面使得与a点连接的npn三极管q1、q2、q4的基极电压升为高电平，npn三极管q1、q2、q4因此导通，从而基准电压产生模块1112启动，脱离“简并”偏置点，基准电压产生模块1112的输出逐渐向稳定状态靠近，另一方面也使得与a点连接的nmos管ms2的栅极升为高电平，nmos管ms2因此导通，从而将nmos管ms3的栅极拉低，使得nmos管ms3截止，此时b点重回高电平，使
得pmos管mp5截止。当a点电压超过一定值后，基准电压产生模块1112启动完成。
[0072]
基准电压产生模块1112启动后，pmos管mp1和mp2因其栅极被处于导通状态的npn三极管q4经电阻r3和r4下拉到地vss而导通，pmos管mp3和mp4因其栅极被处于导通状态的npn三极管q1经电阻r1和r2下拉到地vss而导通。此时，电阻r1上的电压：
[0073]vr1
＝v
be(q2)-v
be(q1)
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1-2)
[0074]
其中bjt集电极电流ic与发射结电压v
be
有如下关系：
[0075][0076]
那么电阻r1的一端的电压与温度相关：
[0077][0078]
其中，若pmos管mp3、mp4的宽长比相等，则有i
c1
＝i
c2
；npn三极管q1、q2的个数比n如果设定为8:1，则有i
s1
＝8i
s2
。可以求得电阻r1上的电压为：
[0079]vr1
＝v
t
ln8
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1-5)
[0080]
此时流过电阻r1的电流与绝对温度成正比例关系：
[0081][0082]
温度偏低时，高阶温度补偿模块1113的npn三极管q3导通，电阻r4上的电压较小不能打开npn三极管q5，此时，高阶温度补偿模块1113几乎无电流流过，初始基准电压表示如下：
[0083][0084]
当温度上升，电阻r4上的电压也跟着增加，当达到某一温度t0时，电阻r4上的电压促使npn三极管q5导通，高阶温度补偿模块1113导通，对所述初始基准电压进行高阶温度补偿，生成目标基准电压。该目标基准电压使得npn三极管q8导通，pmos管mp6和mp9因其栅极被处于导通状态的npn三极管q8经电阻r10下拉到地vss而导通，从而该目标基准电压经npn三极管q8转换为电流，又经由pmos管mp6和mp9形成的电流镜输出到基准电流产生模块1114。
[0085]
基准电流产生模块1114的pmos管mp6的导通，使得npn三极管q7因其基极被上拉到高电平而导通，npn三极管q7的导通，使得pmos管mp7和mp8因其栅极被处于导通状态的npn三极管q7和电阻r9下拉到地vss而导通，npn三极管q6因其基极连接的电阻r9上的电压升高而导通。因为流过电阻r1的电流i
ptat
与绝对温度正相关，npn三极管q6的发射结电压与绝对温度负相关，所以两者叠加能够获得与温度不相关的基准电流i
ctat
，其大小为：
[0086][0087]
适当调节电阻r8、r9的比例即可获得基准电流i
ctat
。在一种可能的实施场景中，该基准电流i
ctat
可以作为振荡器的充、放电电流。
[0088]
本实施例中的高阶温度补偿的带隙基准电路包括依次连接的启动模块1111、基准
电压产生模块1112、高阶温度补偿模块1113和基准电流产生模块1114；其中，所述启动模块1111，用于在上电时，产生所述基准电压产生模块1112的启动电压，避免所述带隙基准电路在启动时进入简并偏置点；所述基准电压产生模块1112，用于产生零温度系数的初始基准电压；所述高阶温度补偿模块1113，用于对所述初始基准电压进行高阶温度补偿，生成目标基准电压；所述基准电流产生模块1114，用于基于由所述目标基准电压转换得到的电流生成与温度不相关的基准电流。采用本实用新型实施例提供的高阶温度补偿的带隙基准电路，能够有效地避免基准电源随温度产生较大的波动，使得后级系统的工作稳定可控，而且，高阶温度补偿模块1113的采用进一步提高了基准电源输出的稳定性。
[0089]
实施例二
[0090]
本实施例提供一种终端，该终端包括上述实施例一的高阶温度补偿的带隙基准电路。本实施例的终端，能够有效地避免基准电源随温度产生较大的波动，使得后级系统的工作稳定可控，而且，高阶温度补偿模块的采用进一步提高了基准电源输出的稳定性。其中高阶温度补偿的带隙基准电路的具体结构如上述实施例一所述，在此不再赘述。
[0091]
上述各实施方式中的对应的技术特征在不导致方案矛盾或不可实施的前提下，可以相互使用。
[0092]
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
[0093]
上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0094]
上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述，但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本实用新型的保护之内。