一种用于功率氮化镓HEMT器件的4引脚TO-247封装结构的制作方法

一种用于功率氮化镓hemt器件的4引脚to-247封装结构
技术领域
1.本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种用于功率氮化镓hemt器件的4引脚to-247封装结构。


背景技术：

2.to-247是一种广泛应用于绝缘栅型场效应晶体管(metal oxide semiconductor field-effect transistor，mosfet)和绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)等功率半导体器件的封装结构，尤其以3引脚加漏极接头的形式最为普遍。其中，可插接漏极引脚与导电载片台区域相连接，形成漏极接头。而这种to-247封装结构的金属可插接引脚很长，会产生过大的寄生电感，在使用过程中降低器件的稳定性以及电力系统的效率。尤其是对于开关速度快的碳化硅mosfet和氮化镓高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)以及开关频率要求高的应用，封装带来的寄生参数的影响很大程度上限制了半导体器件的性能。
3.现有技术针对这一问题，在普通3引脚to-247封装结构的基础上，增加一个可插接开尔文源极引脚，形成4引脚加漏极接头的结构，即导电载片台与可插接漏极引脚相连。但这种4引脚加漏极接头的to-247封装结构主要适用于垂直型结构的功率半导体器件，比如硅基或碳化硅mosfet，而无法适配平面型结构的功率半导体器件，比如氮化镓hemt器件。主要原因是对于垂直型结构的功率半导体器件来讲，其漏极在芯片背面，通过导电连接材料和引线框的导电载片台可以直接互连；而氮化镓hemt芯片的背面需要与正面的源极实现电气互连，无法使用这种4引脚加漏极接头的封装结构。
4.基于此，设计一种适用于以功率氮化镓hemt为代表的平面型功率半导体器件的封装结构，以提高器件的开关速度及稳定性，成为行业内亟待解决的问题。


技术实现要素：

5.本发明提供了一种用于功率氮化镓hemt器件的4引脚to-247封装结构，以适用于氮化镓hemt平面型结构的特性，使平面型氮化镓hemt芯片的源极与导电载片台以及对应的引脚实现电气连接，提高器件的开关速度，降低开关损耗，以及增强系统的稳定性。
6.根据本发明的一方面，提供了一种用于功率氮化镓hemt器件的4引脚to-247封装结构，包括：
7.导电载片台；
8.平面型氮化镓hemt芯片，所述平面型氮化镓hemt芯片固定在所述导电载片台的表面，所述平面型氮化镓hemt芯片的正面包括栅极、源极和漏极；
9.可插接引脚，所述可插接引脚位于所述导电载片台的同一侧。
10.可选的，所述可插接引脚包括正面从左向右依次排开的漏极引脚、源极引脚、开尔文源极引脚和栅极引脚。
11.可选的，所述的氮化镓hemt器件的封装结构还包括第一连接部件，所述第一连接
部件的第一端与所述平面型氮化镓hemt芯片的正面源极连接，所述第一连接部件的第二端与所述导电载片台连接。
12.可选的，所述可插接源极引脚和所述导电载片台相连；
13.所述可插接开尔文源极引脚和所述导电载片台相连。
14.可选的，所述可插接源极引脚和所述导电载片台相连；
15.还包括第二连接部件，所述第二连接部件的第一端与所述平面型氮化镓hemt芯片的正面源极连接，所述第二连接部件的第二端与所述可插接开尔文源极引脚连接，所述可插接开尔文源极引脚和所述导电载片台之间间隔预设距离。
16.可选的，所述的氮化镓hemt器件的封装结构还包括第三连接部件，所述第三连接部件的第一端与所述平面型氮化镓hemt芯片的正面漏极连接，所述第三连接部件的第二端与所述可插接漏极引脚连接，所述可插接漏极引脚和所述导电载片台之间间隔预设距离。
17.可选的，所述的氮化镓hemt器件的封装结构还包括第四连接部件，所述第四连接部件的第一端与所述平面型氮化镓hemt芯片的正面栅极连接，所述第四连接部件的第二端与所述可插接栅极引脚连接，所述可插接栅极引脚和所述导电载片台之间间隔预设距离。
18.可选的，所述的氮化镓hemt器件的封装结构还包括导电连接层，所述导电连接层位于所述平面型氮化镓hemt芯片和所述导电载片台之间，所述导电连接层用于将所述平面型氮化镓hemt芯片固定在所述导电载片台。
19.可选的，所述导电载片台还包括安装孔，所述安装孔位于所述导电载片台远离所述可插接引脚的一侧。
20.可选的，所述封装结构还包括对所述氮化镓hemt器件进行密封保护的外壳，所述外壳覆盖所述氮化镓hemt芯片、所述导电载片台的正面和侧面，以及所述可插接引脚与所述连接部件相连的区域。
21.可选的，所述封装结构的所述密封保护的外壳为环氧树脂或金属材料。
22.本发明实施例提供一种用于功率氮化镓hemt器件的4引脚to-247封装结构，使平面型氮化镓hemt芯片的源极与导电载片台以及对应的引脚实现电气连接，充分发挥平面型氮化镓hemt器件电子饱和速度快、载流子迁移率高、开关速度快等特点，增强了器件开关的稳定性，提高了开关以及配套功率系统的效率。且该平面型氮化镓hemt封装结构的可插接引脚的电气功能设置顺序和垂直型结构的功率半导体器件的可插接引脚的电气功能位置保持一致，可以通过本发明实施例实现平面型氮化镓hemt器件对垂直型硅基或碳化硅mosfet器件的直接替代。设置的可插接开尔文源极引脚可有效降低寄生电感，实现功率回路和控制回路的解耦，减少共模电感，从而提高氮化镓hemt器件的开关速度，降低开关损耗，增强器件的可靠性以及所应用电力系统的稳定性。
23.应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
24.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。
25.图1是现有技术提供的一种应用于垂直型功率半导体器件的3引脚漏极接头to-247封装结构的示意图；
26.图2是现有技术提供的一种适用于垂直型功率半导体器件的4引脚漏极接头to-247封装结构的示意图；
27.图3是根据本发明实施例提供的一种适用于平面型氮化镓hemt器件的4引脚源极接头to-247封装结构的示意图；
28.图4是根据本发明实施例提供的又一种适用于平面型氮化镓hemt器件的4引脚源极接头to-247封装结构的示意图。
具体实施方式
29.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
30.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
31.正如背景技术中所述，图1是现有技术提供的一种传统的应用于垂直型功率半导体器件的3引脚to-247封装结构的示意图。如图1所示，这种封装结构主要包括导电载片台01、垂直型功率半导体芯片02、芯片正面栅极021、芯片正面源极022、芯片背面漏极023、可插接栅极引脚031、可插接漏极引脚032、可插接源极引脚033、第一连接部件041以及第二连接部件042，导电载片台01与可插接漏极引脚032相连，芯片背面漏极023通过导电连接层与导电载片台01相连，形成漏极接头结构。第一连接部件041的第一端与垂直型功率半导体芯片的正面栅极021连接，第一连接部件041的第二端与可插接栅极引脚031连接。第二连接部件042的第一端与垂直型功率半导体芯片的正面源极022连接，第二连接部件042的第二端与可插接源极引脚033连接。to-247封装结构的可插接金属引脚很长，在使用过程中会产生过大的寄生电感。尤其对于开关速度快的功率半导体器件，例如：碳化硅mosfet器件和/或氮化镓hemt器件，以及开关频率要求高的应用，这种由封装结构带来的寄生参数的影响，很大程度上限制了半导体器件性能的发挥，增大了驱动难度，降低了器件稳定性，从而降低电力系统的效率。需要说明的是，由于芯片背面漏极023位于芯片背面，所以在图中没有示出。
32.基于此，图2是现有技术提供的一种适用于垂直型功率半导体器件的4引脚to-247封装结构的示意图。如图2所示，现有技术在普通3引脚to-247封装结构的基础上，增加了一个可插接开尔文源极引脚，形成4引脚加漏极接头的结构。该封装结构主要包括：导电载片
台001、垂直型功率半导体芯片002、芯片正面栅极0021、芯片正面源极0022、芯片背面漏极0023、可插接漏极引脚0031、可插接源极引脚0032、可插接开尔文源极引脚0033、可插接栅极引脚0034、第一连接部件0041、第二连接部件0042以及第三连接部件0043。导电载片台001与可插接漏极引脚0031相连，芯片背面漏极0023通过导电连接层与导电载片台01相连，形成漏极接头结构。第一连接部件0041的第一端与垂直型功率半导体芯片的正面栅极0021连接，第一连接部件0041的第二端与可插接栅极引脚0034连接。第二连接部件0042的第一端与垂直型功率半导体芯片的正面源极0022连接，第二连接部件0042的第二端与可插接开尔文源极引脚0033连接。第三连接部件0043的第一端与垂直型功率半导体芯片的正面源极0022连接，第二连接部件0042的第二端与可插接源极引脚0032连接。新增加的引脚可以有效解耦驱动回路和功率回路，提高器件的开关稳定性和可靠性。但是这种4引脚漏极接头to-247封装结构无法适用于平面型结构的氮化镓hemt芯片。需要说明的是，由于芯片背面漏极0023位于芯片背面，所以在图中没有示出。
33.基于以上技术问题，本发明实施例提供了以下技术方案：
34.本发明实施例提供一种用于功率氮化镓hemt器件的4引脚to-247封装结构。图3是本发明实施例提供的一种适用于平面型氮化镓hemt器件的4引脚源极接头to-247封装结构的示意图。如图3所示，该封装结构包括：导电载片台10、平面型氮化镓hemt芯片20和可插接引脚30。平面型氮化镓hemt芯片20通过导电连接层固定在导电载片台10的表面，平面型氮化镓hemt芯片20的正面包括栅极21、源极22和漏极23；可插接引脚30位于导电载片台10的同一侧。
35.具体地，导电载片台10用于承载待封装的平面型氮化镓hemt芯片20。平面型氮化镓hemt芯片20相比于垂直型功率半导体芯片，栅极21、源极22和漏极23均位于芯片的正面。可插接引脚30用于与平面型氮化镓hemt芯片20正面设置的栅极21、源极22和漏极23进行相应的电气连接，从而使氮化镓hemt芯片实现电气功能，正常工作。在本实施例提供的4引脚to-247封装结构中，4个可插接引脚30均设置于导电载片台10的同一侧，而且可插接引脚的电气功能的设置顺序与对应的垂直型结构的硅基或碳化硅基mosfet器件的引脚功能设置顺序相同，从而实现直接替代，扩大了功率氮化镓hemt器件的应用范围。
36.本实施例提供一种用于功率氮化镓hemt器件的4引脚to-247封装结构，使平面型氮化镓hemt芯片的源极与导电载片台以及对应的引脚实现电气连接，充分发挥平面型氮化镓hemt器件电子饱和速度快、载流子迁移率高、开关速度快等特点，增强了器件开关的稳定性，提高了开关以及配套功率系统的效率。且该平面型氮化镓hemt封装结构的可插接引脚的电气功能设置顺序和垂直型结构的功率半导体器件的可插接引脚的电气功能位置保持一致，可以通过本实施例实现平面型氮化镓hemt器件对垂直型硅基或碳化硅mosfet器件的直接替代。设置的可插接开尔文源极引脚可有效降低寄生电感，实现功率回路和控制回路的解耦，减少共模电感，从而提高氮化镓hemt器件的开关速度，降低开关损耗，增强器件的可靠性以及所应用电力系统的稳定性。
37.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图3，可插接引脚30包括在导电载片台10的同一侧，由左端至右端依次排开的可插接漏极引脚31、可插接源极引脚32、可插接开尔文源极引脚33和可插接栅极引脚34。
38.具体的，可插接引脚30的排列方式与图2所示的适用于垂直型功率半导体器件的4
引脚to-247封装结构的可插接漏极引脚d、可插接源极引脚s、可插接开尔文源极引脚ks和可插接栅极引脚g的排列方式相同，实现完全兼容。其中，可插接漏极引脚31与平面型氮化镓hemt芯片20正面设置的漏极23电气连接，可插接源极引脚32和可插接开尔文源极引脚33与平面型氮化镓hemt芯片20正面设置的源极22电气连接，可插接栅极引脚34与平面型氮化镓hemt芯片20正面设置的栅极21电气连接。
39.可选的，继续参见图3，该4引脚源极接头to-247封装结构还包括第一连接部件41，第一连接部件41的第一端与平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22连接，第一连接部件41的第二端与导电载片台10连接。
40.具体地，第一连接部件41用于将平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22与导电载片台10电气连接。第一连接部件41可以是金属导线，例如：铝线，或金属导带，例如：铜夹。可以通过金属键合或者焊接的方式将第一连接部件41的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22相应的焊盘位置上，将第一连接部件41的第二端连接至导电载片台10上相应键合区域。
41.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图3，可插接源极引脚32和导电载片台10相连；可插接开尔文源极引脚33和导电载片台10相连。
42.具体地，该4引脚源极接头to-247封装结构的可插接源极引脚32和可插接开尔文源极引脚33均与导电载片台10相连接，因此，直接通过第一连接部件41将平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22与导电载片台10相连，即实现了源极22与可插接源极引脚32以及可插接开尔文源极引脚33的电气互连，形成导电通路，从而实现了由可插接开尔文源极引脚33和可插接栅极引脚34之间形成的控制回路与由可插接源极引脚32和可插接漏极引脚31之间形成的功率回路的解耦，提高了所封装的平面型氮化镓hemt器件的开关速度，降低了开关损耗，提高了系统稳定性。本实施例是优选实施例。
43.可选的，图4是本发明实施例提供的又一种适用于平面型氮化镓hemt器件的4引脚源极接头to-247封装结构的示意图。本实施例是上述各实施例的变形。如图4所示，可插接源极引脚32和导电载片台10相连；该4引脚源极接头to-247封装结构还包括第二连接部件42，第二连接部件42的第一端与平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22连接，第二连接部件42的第二端与可插接开尔文源极引脚33连接，可插接开尔文源极引脚33和导电载片台10之间间隔预设距离。
44.具体地，通过第一连接部件41采用金属键合或者焊接的方式，将平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22对应的焊盘与导电载片台10的接头区域电气连接。可插接源极引脚32与导电载片台10相连，可插接开尔文源极引脚33不与导电载片台10相连，而是和导电载片台10之间间隔预设距离，通过第二连接部件42与平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22连接，可以进一步提高由可插接开尔文源极引脚33和可插接栅极引脚34之间形成的控制回路与由可插接源极引脚32和可插接漏极引脚31之间形成的功率回路的解耦，从而更进一步提高所封装的平面型氮化镓hemt器件的开关速度，降低开关损耗，提高系统稳定性。其中，可插接开尔文源极引脚33与导电载片台10之间保证间隔有一定的预设距离。其中，该预设距离可以根据实际情况需要而设定。第二连接部件42也可以是金属引线，例如：铝线，或金属导带，例如：铜夹。第二连接部件42采用金属键和或者焊接的方式实现与可插接开尔文源极引脚33相连接，并且与平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22相连接。
45.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图4，该4引脚源极接头to-247封装结构还包括第三连接部件43，第三连接部件43的第一端与平面型氮化镓hemt芯片20正面的漏极23连接，第三连接部件43的第二端与可插接漏极引脚31连接，可插接漏极引脚31和导电载片台10之间间隔预设距离。
46.具体地，设置于导电载片台10一侧的最左端的可插接漏极引脚和导电载片台10之间间隔预设距离设置，使可插接漏极引脚31与可插接源极引脚32以及可插接开尔文源极引脚33隔开。第三连接部件43也可以是金属引线，例如：铝线，或金属导带，例如：铜夹。通过金属键合或者焊接的方式，第三连接部件43的第一端连接于平面型氮化镓hemt芯片20正面上漏极23对应的焊盘位置，第三连接部件43的第二端连接于可插接漏极引脚31位置，实现平面型氮化镓hemt芯片20正面的漏极23与可插接漏极引脚31之间的电气连接。
47.可选的，继续参见图4，该4引脚源极接头to-247封装结构还包括第四连接部件44，第四连接部件44的第一端与平面型氮化镓hemt芯片20正面的栅极21连接，第四连接部件44的第二端与可插接栅极引脚34连接，可插接栅极引脚34和导电载片台10之间间隔预设距离。
48.具体地，设置于导电载片台10同一侧的最右端的可插接栅极引脚34与导电载片台10之间存在预设距离大小的间隔。可插接栅极引脚34与平面型氮化镓hemt芯片正面上的栅极21通过第四连接部件44实现电气连接。第四连接部件44也可以是金属引线，例如：铝线，或金属导带，例如：铜夹。采用金属键合或者焊接的方式，第四连接部件44的第一端连接于平面型氮化镓hemt芯片20正面上栅极21对应的焊盘位置，第四连接部件44的第二端连接于可插接栅极引脚34位置，实现平面型氮化镓hemt芯片20正面的栅极21与可插接栅极引脚34之间的电气连接。
49.可选的，该4引脚源极接头to-247封装结构还包括导电连接层，导电连接层位于平面型氮化镓hemt芯片20和导电载片台10之间。图中并未示出导电连接层。
50.具体地，在平面型氮化镓hemt芯片20的背面用导电连接层将之与导电载片台10之间连接固定。采用导电连接层可以将平面型氮化镓hemt芯片20正面的源极22与导电载片台10以及氮化镓hemt芯片20的背面直接导通，实现电气连接。
51.可选的，在上述各实施例的基础上，继续参见图4，导电载片台10还包括安装孔50，安装孔50位于导电载片台10远离可插接引脚30的一侧。
52.具体地，安装孔50用于将封装器件固定在散热器上，安装孔50位于导电载片台10远离可插接引脚30的一侧。
53.可选的，该4引脚源极接头to-247封装结构还包括密封保护外壳，覆盖平面型氮化镓hemt芯片20、导电载片台10的正面和侧面，以及可插接引脚30与连接部件41、42、43和44相连的区域。图中并未示出保护外壳。
54.具体地，密封保护外壳可使用环氧树脂或金属材料，对平面型氮化镓hemt芯片20，连接部件41、42、43和44以及可插接引脚30和导电载片台10起到保护作用。
55.对于本实施例提供的4引脚源极接头to-247封装结构的加工工艺的实施过程可以包括以下步骤：划片、上芯、压焊、压塑、后固化、锡化、切筋和测试。
56.具体的，以图3和图4为例，具体展开4引脚源极接头to-247封装结构的加工工艺步骤：
57.s110、提供导电载片台10和可插接引脚30，可插接引脚30位于导电载片台10的同一侧，导电载片台10和可插接引脚30通过同一引线框架支撑。
58.可选的，可插接引脚30包括依次排开的可插接漏极引脚31、可插接源极引脚32、可插接开尔文源极引脚33和可插接栅极引脚34。
59.可选的，导电载片台10还包括安装孔50，安装孔50位于导电载片台10远离可插接引脚30的一侧。
60.s120、提供平面型氮化镓hemt芯片20，其中，平面型氮化镓hemt芯片20的正面包括栅极21、源极22和漏极23。
61.其中，在划片步骤中，首先对一样品晶圆的背面进行减薄以及背面金属化处理，之后通过激光开槽至晶圆衬底进行划片切割，将样品晶圆分割为多个待封装的氮化镓hemt芯片20。具体地，平面型氮化镓芯片20的栅极、源极和漏极均位于芯片正面，属于平面型功率半导体。
62.s130、将平面型氮化镓hemt芯片20固定在导电载片台10的表面。
63.具体的，s130对应于上芯步骤，在上芯步骤中，通过软焊料例如高铅焊料将待封装的平面型氮化镓hemt芯片20固定于导电载片台10上面，平面型氮化镓hemt芯片20与引线框架也保持相对固定。
64.在压焊步骤中，可以利用连接工艺将平面型氮化镓hemt芯片20上的各电极焊盘与各导电可插接引脚30通过铝线或其它金属材料相连接，实现待封装的平面型氮化镓hemt芯片20与导电可插接引脚30电气连接。下面对压焊步骤进行具体解释。
65.可选的，s110形成的导电载片台10包括两种结构，针对参见图3所示的第一种结构，可插接源极引脚32和导电载片台10相连；可插接开尔文源极引脚33和导电载片台10相连。针对图3的4引脚源极接头to-247封装结构，s130将平面型氮化镓hemt芯片固定在导电载片台10的表面之后还包括：
66.s140、通过金属键合或者焊接的方式将第一连接部件41的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面源极22相应的焊盘位置上，将第一连接部件41的第二端连接至导电载片台10上接头的相应区域。
67.s150、形成第三连接部件43，第三连接部件43的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面器件上漏极23相应的焊盘位置上，第三连接部件43的第二端与可插接漏极引脚31连接，可插接漏极引脚31和导电载片台10之间间隔预设距离。
68.s160、形成第四连接部件44，第四连接部件44的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面器件上栅极21相应的焊盘位置上，第四连接部件44的第二端与可插接栅极引脚34连接，可插接栅极引脚34和导电载片台10之间间隔预设距离。可选的，s110形成的导电载片台10包括两种结构，针对参见图4所示第二种结构，s130将平面型氮化镓hemt芯片固定在导电载片台10的表面之后还包括：
69.s140、通过金属键合或者焊接的方式将第一连接部件41的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面源极22相应的焊盘位置上，将第一连接部件41的第二端连接至导电载片台10上接头的相应区域。
70.s150、形成第二连接部件42，第二连接部件42的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面源极22相应的焊盘位置上，第二连接部件42的第二端与可插接开尔文源极引脚
33连接，可插接开尔文源极引脚33和导电载片台10之间间隔预设距离。
71.s160、形成第三连接部件43，第三连接部件43的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面漏极23相应的焊盘位置上，第三连接部件43的第二端与可插接漏极引脚31连接，可插接漏极引脚31和导电载片台10之间间隔预设距离。
72.s170、形成第四连接部件44，第四连接部件44的第一端连接至平面型氮化镓hemt芯片20正面栅极21相应的焊盘位置上，第四连接部件44的第二端与可插接栅极引脚34连接，可插接栅极引脚34和导电载片台10之间间隔预设距离。
73.在图3和图4示出的两种4引脚源极接头to-247封装结构的压焊步骤完成之后，可通过塑封工艺形成密封保护氮化镓hemt器件的保护外壳，保护外壳覆盖平面型氮化镓hemt芯片20、电气连接部件41、42、43和44，以及可插接引脚30和导电载片台10。此外，还需进行后固化、锡化、切筋和测试的步骤。密封保护层还可以使用金属外壳。
74.上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。