半导体晶片的清洗装置以及半导体晶片的清洗方法与流程

技术特征：
1.一种半导体晶片的清洗装置，其特征在于，具备：在下部具有开口部的腔室；设置于该腔室内的上部且向下方供给气体的供气部；从前述开口部的下方插入到前述腔室内的旋转工作台；设置于该旋转工作台的上表面且保持清洗对象的半导体晶片的晶片保持部；朝向前述半导体晶片的上表面供给清洗液的上部喷嘴；朝向前述半导体晶片的下表面供给清洗液的下部喷嘴；设置于前述旋转工作台的外周部且回收向前述旋转工作台的外周方向飞散的前述清洗液的旋转杯，前述旋转杯具有：环状的侧壁部；下端部与前述侧壁部的上端部连接且相对于铅直方向向前述旋转工作台侧倾斜的环状的倾斜部；上端部与前述倾斜部的上端部连接的环状的折返部，前述侧壁部的上端部的高度位置配置在比前述晶片保持部的上端部的高度位置低的位置，令前述倾斜部相对于水平面的倾斜角度为θ
22
，令前述倾斜部的径方向的宽度为w，前述倾斜角度θ
22
以及前述宽度w满足下式（a）θ
22
（
°
）≥－0.65
×
w（mm）＋72.9
°
（a）。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，前述宽度w为20mm以上90mm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，前述折返部的下端部的高度位置与前述晶片保持部的上端部的高度位置的差h为0mm以上30mm以下。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，前述折返部的下端部向前述侧壁部侧倾斜。5. 一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于，使用权利要求1至4中任意一项所述的半导体晶片的清洗装置，将清洗对象的半导体晶片载置在前述晶片保持部上，一边从前述供气部供给气体并且从前述上部喷嘴向前述半导体晶片的上表面喷射清洗液，且从前述下部喷嘴向前述半导体晶片的下表面喷射清洗液并令前述旋转工作台旋转而令前述半导体晶片旋转，将前述气体从前述旋转杯与前述旋转工作台的间隙排气，一边清洗前述半导体晶片的表面背面。6.根据权利要求5所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于，前述半导体晶片的清洗在令从前述供气部供给的前述气体的流量为f，令前述旋转工作台的转速为r，前述气体的流量f以及前述转速r满足下式（b）的条件下进行f（m3／min）≥6.9
×
10
－3
×
r（rpm）
ꢀꢀꢀ
（b）。7.根据权利要求5或6所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于，前述清洗对象的半导体晶片为硅晶片。

技术总结
提出一种在半导体晶片的清洗中能够抑制清洗液的烟雾向半导体晶片的表面附着的半导体晶片的清洗装置以及清洗方法。本发明所述的半导体晶片的清洗装置（1）中，旋转杯（20）具有：环状的侧壁部（21）、下端部（22d）与侧壁部（21）的上端部（21c）连接且相对于铅直方向向旋转工作台（13）侧倾斜的倾斜部（22）、上端部（23c）与倾斜部（22）的上端部（22c）连接的环状的折返部（23），构成为，侧壁部（21）的上端部（21c）的高度位置（h


技术研发人员：野田魁人 大久保知洋 中尾勇贵 富田迪彦
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
技术研发日：2020.08.17
技术公布日：2022/8/12