用于生长单晶硅锭料的原材料供给单元和包含其的设备的制作方法

技术特征：
1.一种原材料供给单元，其包括：主体，其具有构造成将用原材料填充的空间；构造成在纵向方向上将主体分成至少两个区域的分隔物；从主体上方延伸到主体的内部区域从而布置在主体中的杆；以及连接到杆的阀，所述阀构造成打开或关闭主体的靠下部分，其中主体的下表面具有台阶。2.如权利要求1所述的原材料供给单元，其中主体的下表面包括具有不同高度的至少两个区域，并且所述至少两个区域之间的边界在垂直方向上与分隔物重叠。3.如权利要求1所述的原材料供给单元，其中，主体的下表面的高度差是30mm至70mm。4.如权利要求2所述的原材料供给单元，其中，主体的下表面包括具有第一高度的第一部分以及具有大于第一高度的第二高度的第二部分。5.如权利要求4所述的原材料供给单元，其中阀具有锥形形状，该锥形形状包括第一倾斜表面和第二倾斜表面，并且锥形形状的第一倾斜表面和第二倾斜表面分别在垂直方向上与主体的第一部分和第二部分重叠。6.如权利要求5所述的原材料供给单元，其中，阀的底表面与第二倾斜表面之间的第二角度小于或等于阀的底表面与第一倾斜表面之间的第一角度。7.如权利要求4所述的原材料供给单元，其中主体的下表面还包括具有第一高度的第三部分和具有第二高度的第四部分，第一部分和第三部分在水平方向上相对于主体的中心对称布置，并且第二部分和第四部分在水平方向上相对于主体的中心对称布置。8.一种原材料供给单元，其包括：主体，其具有构造成将用原材料填充的空间；从主体上方延伸到主体的内部区域从而布置在主体中的杆；以及连接到杆的阀，所述阀构造成打开或关闭主体的靠下部分，其中阀的底表面具有台阶。9.如权利要求8所述的原材料供给单元，其中，阀的底表面包括具有不同高度的至少两个倾斜表面。10.如权利要求8所述的原材料供给单元，其中，阀的底表面的高度差是30mm至70mm。11.如权利要求8所述的原材料供给单元，其中，阀的底表面包括具有第一高度的第一底表面以及具有大于第一高度的第二高度的第二底表面。12.如权利要求11所述的原材料供给单元，其中阀具有锥形形状，该锥形形状包括第一倾斜表面和第二倾斜表面，并且锥形形状的第一倾斜表面和第二倾斜表面分别在垂直方向上与阀的第一底表面和第二底表面重叠。13.如权利要求12所述的原材料供给单元，其中，第二底表面与第二倾斜表面之间的第
二角度小于或等于第一底表面与第一倾斜表面之间的第一角度。14.如权利要求11所述的原材料供给单元，其中阀的底表面还包括具有第一高度的第三底表面和具有第二高度的第四底表面，第一底表面和第三底表面在水平方向上相对于阀的中心对称布置，并且第二底表面和第四底表面在水平方向上相对于阀的中心对称布置。15.如权利要求11所述的原材料供给单元，其中，阀的底表面还包括具有大于第二高度的第三高度的第三底表面。16.一种单晶硅锭料生长设备，其包括：室；提供在室内的坩埚，所述坩埚构造成容纳硅熔体；构造成对坩埚进行加热的加热单元；设置在坩埚上方的热屏蔽材料；构造成向坩埚施加磁场的磁场发生器；构造成使坩埚转动从而向上移动的转轴；以及根据权利要求1至15中任一项的原材料供给单元，其中，所述原材料供给单元设置在坩埚上方。

技术总结
提供了原材料供给单元，其包括：具有向其中填充原材料的空间的主体；在纵向方向上将主体分割成两个或更多个区域的阻隔物；从主体上方延伸到其内部的杆；以及连接到杆的阀，其用于覆盖主体的靠下部分或使之暴露，其中，主体的底表面具有台阶。的底表面具有台阶。的底表面具有台阶。


技术研发人员：李荣中 申伦光
受保护的技术使用者：爱思开矽得荣株式会社
技术研发日：2020.02.05
技术公布日：2022/8/12