技术特征：
1.一种新型igbt器件结构，其特征在于：包括衬底、平面栅结构和多个沟槽栅结构，多个所述沟槽栅结构设于所述平面栅结构的两侧，所述平面栅结构与多个所述沟槽栅结构均设于所述衬底正面上。2.根据权利要求1所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述平面栅结构包括栅极氧化层、多晶硅栅、介质层和正面金属，至少部分所述栅极氧化层设于所述衬底上，所述多晶硅栅设于所述栅极氧化层上，所述介质层设于所述多晶硅栅上，所述正面金属设于所述介质层上。3.根据权利要求2所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述介质层设于所述多晶硅栅的与所述栅极氧化层相接触的一侧面相对的另一侧面上及周侧面上。4.根据权利要求2或3所述的新型igbt器件结构，其特征在于：与所述栅极氧化层相接触的衬底的两侧均形成有p阱，所述p阱内形成有n阱，沿着所述衬底至所述沟槽栅结构的方向依次设置有所述p阱与所述n阱，所述p阱的深度大于所述n阱的深度，所述p阱与所述n阱均与所述栅极氧化层接触。5.根据权利要求4所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述栅极氧化层为一层或多层膜结构，所述栅极氧化层的材质为二氧化硅或氮化硅，所述栅极氧化层的厚度为200-5000a。6.根据权利要求5所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述介质层为一层或多层膜结构，所述介质层的材质为二氧化硅、teos、psg、bpsg或氮化硅，所述介质层的厚度为2000-30000a。7.根据权利要求2或3或5或6所述的新型igbt器件结构，其特征在于：多个所述沟槽栅结构对称设于所述平面栅结构的两侧。8.根据权利要求7所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述沟槽栅结构包括所述正面金属、所述介质层、所述栅极氧化层、沟槽和所述多晶硅栅，所述栅极氧化层设于所述沟槽的侧壁及所述沟槽顶部的平面部分，所述多晶硅栅设于所述沟槽内部，且所述多晶硅栅位于所述栅极氧化层构造的内部空间内，所述介质层设于所述栅极氧化层上，且所述介质层与所述多晶硅栅与所述栅极氧化层接触，所述正面金属设于所述介质层上，所述沟槽外部的两侧均形成有p阱，所述p阱内形成有所述n阱，所述n阱与所述p阱沿着所述衬底的正面至背面方向依次设置。9.根据权利要求8所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述沟槽栅结构中的栅极氧化层的厚度与所述平面栅结构中的栅极氧化层的厚度不同。10.根据权利要求8所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述正面金属为一层或多层膜结构，所述正面金属的材质为铝、钛、铝硅、铝硅铜、氮化钛或钛钨，所述正面金属的厚度为3000-80000a。11.根据权利要求1所述的新型igbt器件结构，其特征在于：所述衬底的背面设有背面金属，所述背面金属的厚度为800-80000a。
技术总结
本实用新型提供一种新型IGBT器件结构，包括衬底、平面栅结构和多个沟槽栅结构，多个沟槽栅结构设于平面栅结构的两侧，平面栅结构与多个沟槽栅结构均设于衬底正面上。本实用新型的有益效果是采用平面栅结构和沟槽栅结构的混合结构，在保证器件静态参数基本不变的情况下达到更高的耐短路能够力和更加优化的动态特性。特性。特性。
技术研发人员：王万礼 刘晓芳 刘丽媛 张新玲 徐长坡
受保护的技术使用者：天津环鑫科技发展有限公司
技术研发日：2022.04.02
技术公布日：2022/8/11
再多了解一些
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