一种高丹草重金属Cd胁迫装置

一种高丹草重金属cd胁迫装置
技术领域
1.本实用新型属于重金属胁迫试验领域，涉及重金属胁迫试验装置。


背景技术：

2.由于工业、矿场开采等原因造成了自然环境中重金属含量超标，并随着食物富集进入人体，危害健康。在一些试剂、药物和器物的生产、制造和使用过程中，镉、铬、铜、铅、汞、砷、镍和锌等重金属的散落和扩散，使土壤、空气或水体中重金属含量达到致毒水平，即造成环境的重金属污染，对植物构成重金属胁迫。
3.利用植物把重金属污染物吸收、富集到体内，再通过收获、焚烧植物等方法回收重金属，从而实现环境修复。这种植物修复法比淋滤、客土、吸附和络合浸提等传统的物理和化学方法成本低，操作简便，生态效益大。
4.现有技术公开了一种原位观察超富集植物根系趋重金属行为的试验装置，该试验装置包括培养箱、隔板、无重金属土壤、重金属土壤；所述培养箱为去除上底面的长方体壳体，所述培养箱中间通过隔板隔开，所述隔板可拆卸；所述培养箱设置有三个，第一个培养箱内放置重金属土壤，第二个培养箱的隔板一侧放置无重金属土壤，另一侧放置重金属土壤，第三个培养箱放置无重金属土壤。
5.在实现本实用新型过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题中的一个问题：
6.1、培养箱顶端敞开，有毒有害物质会蒸发；
7.2、该装置不能回收试验用重金属，对环境有二次污染的风险。


技术实现要素：

8.鉴于此，本实用新型目的在于提供一种安全无污染的重金属胁迫试验装置。
9.发明人通过长期的探索和尝试，以及多次的试验和努力，不断的改革创新，为解决以上技术问题，本实用新型提供的技术方案是，提供一种高丹草重金属cd胁迫装置，包括桶体，所述桶体顶部安装有能够拆卸的盖体，所述盖体上安装有进液管；所述桶体的侧壁设置有多个扦插孔；所述筒体底部安装有滤芯，所述滤芯连接有排液管。
10.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述滤芯包括壳体和填充在壳体内的吸附材料，所述壳体与所述排液管连通。
11.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述壳体上方设置有中隔板，所述中隔板上设置有积液孔，所述积液孔与所述滤芯连通。
12.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，还包括分液板，所述分液板与所述桶体的内壁连接，所述分液板上均布有多个分液孔。
13.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述扦插孔的轴心线与水平面之间的夹角为30
°
~60
°
。
14.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述多个扦插孔高度
相同。
15.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述进液管上安装有第一阀。
16.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述排液管上安装有第二阀。
17.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述桶体和盖体均采用透明聚乙烯板制成。
18.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述盖体与所述桶体通过连接件连接。
19.根据本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置的一个实施方式，所述连接件为螺栓。
20.与现有技术相比，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点：
21.a) 本实用新型所述高丹草重金属cd胁迫装置可直接的观察到高丹草在重金属胁迫下的生长状况和根系情况，并且操作简单，还可有效的回收试验用的重金属，避免对环境的二次污染。
22.b)本实用新型所述高丹草重金属cd胁迫装置，可以控制重金属添加量，并且设置盖体，可以避免有毒有害物质蒸发，更加安全。
23.c) 本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置通过设置扦插孔，可以利用高丹草扦插苗进行重金属胁迫试验，通过扦插，在胁迫装置中重新构建高丹草根系，再进行重金属胁迫试验。
24.d) 本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置，可以使用土壤基质、无土栽培基质或者水培培养高丹草扦插苗。
附图说明
25.为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
26.图1是本实用新型高丹草重金属cd胁迫装置一较佳实施例的前视结构示意图。
27.图2是图1的立体结构示意图。
28.图3图1中a-a剖视示意图。
29.图中标记分别为：
30.100桶体，
31.101扦插孔，
32.102连接部，
33.110分液板，
34.120中隔板，
35.200盖体，
36.210进液管，
37.220连接件，
38.300滤芯，
39.301吸附材料，
40.310排液管。
具体实施方式
41.下面结合附图与一个具体实施例进行说明。
42.为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。
43.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中可以不对其进行进一步定义和解释。
44.参见图1至图3。本实施例所描述的高丹草重金属cd胁迫装置，利用高丹草进行重金属胁迫试验。高丹草植株高达，分蘖性强，地下根系发达，具有良好的吸附吸收能力，探究其具体的耐重金属能力，具有积极地意义。在实验室试验中，需要利用本实施例所述胁迫装置将高丹草茎秆放置其内，在水培的条件下，当然，也可以采用土壤基质或者无土栽培基质，对生根正常枝条后进行重金属胁迫试验，水培的条件下可直接观察到镉胁迫后高丹草的生长形态指标。目前没有专门针对高丹草重金属胁迫的装置，本装置操作简单、绿色环保，适合高丹草室内重金属胁迫试验使用。重金属胁迫，可以是镉、铬、铜、铅、汞、砷、镍和锌等重金属的胁迫。
45.高丹草重金属cd胁迫装置包括桶体100和桶体100顶部安装的能够拆卸的盖体200。桶体100和盖体200通过连接件220可拆卸式连接，本实施例中，所述连接件220为螺栓，盖体200上设置有可供螺杆通过，所述桶体100上设置有连接部102，本实施例中，连接部102为与螺栓螺杆配合的螺孔。
46.所述盖体200上安装有进液管210；所述进液管210上安装有第一阀（附图中未示出）。第一阀用于控制进液管210的开闭状态。营养液和含重金属的溶液，通过进液管210进入到桶体100内。
47.所述桶体100的侧壁设置有多个高度相同的扦插孔101；所述扦插孔101的轴心线与水平面之间的夹角为30
°
~60
°
，优选为45
°
，扦插孔101内侧孔口低于扦插孔101外侧孔口。采用水培高丹草扦插苗时，营养液的液面高度低于扦插孔101的高度；采用基质栽培高丹草扦插苗时，基质高度可以高于扦插孔101的高度。当然，高丹草扦插苗插入扦插孔101后，还需要对前插孔进行密封处理。扦插孔101上还可以设置橡胶圈（附图中未示出），一是可以对扦插孔进行密封处理，二是对高丹草扦插苗进行固定。高丹草扦插苗生根后，再进行重金属胁迫试验，并且可以选择不同根长状态进行重金属胁迫试验。
48.所述筒体底部安装有滤芯300，所述滤芯300连接有排液管310。所述滤芯300包括壳体和填充在壳体内的吸附材料301，所述壳体与所述排液管310连通。吸附材料301采用现
有材料即可，例如活性炭等。完成重金属胁迫试验后，排出桶内液体时，利用滤芯300对溶液中的重金属等有害物质进行吸附，确保排出的液体安全、无污染。所述排液管310上安装有第二阀，用于控制排液管310的开闭状态，排液时开启第二阀，不拍液时，关闭第二阀。
49.为便于观察桶内高丹草的生长状况和对重金属的富集状况，所述桶体和盖体均采用透明聚乙烯板制作。
50.为便于排尽桶体内的液体，在所述壳体上方设置有中隔板120，所述中隔板120上设置有积液孔，所述积液孔与所述滤芯300连通。中隔板120可以是平板，也是可以弧面或曲面板，积液孔位于弧面或曲面板的最低处。
51.在一些实施方式中，采用基质培养扦插苗，为避免溶液对基质造成不均衡的冲刷，同时为使溶液在基质中分布更加均匀，进一步在桶体100内设置分液板110，所述分液板110与所述桶体100的内壁连接，所述分液板110上均布有多个分液孔。
52.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
53.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
54.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
55.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
56.以上仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本实用新型的限制，本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。