集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法

技术特征：
1.一种集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，步骤包括：s1.以被测集成电路中心为球心，在单位球面表面均匀排列多个球面点；s2.依次使用复合重离子束沿各个球面点向球心方向辐照被测集成电路，并测试预设的辐照时长内被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，所述复合重离子束包含具有多种能量的多种元素，所述复合重离子束在各let的离子通量值大于指定空间轨道上各let的离子通量；s3.根据检测得到的各所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数以及所述辐照时长，计算被测集成电路在指定空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。2.根据权利要求1所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述复合重离子束各let的离子通量分布形状与指定空间轨道上各let的离子通量分布形状的近似程度在预设范围内。3.根据权利要求1所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述步骤s1中，各球面点采用基于斐波那契网络的球面点排列方法排列。4.根据权利要求3所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述各球面点采用基于斐波那契网络的球面点排列方法排列时，各球面点的坐标按照下式计算得到：按照下式计算得到：按照下式计算得到：按照下式计算得到：其中，x
i
、y
i
、z
i
分别为第i个球面点的x、y、z坐标值，i为从1至n的自然数，n为球面点的数量。5.根据权利要求1所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述复合重离子束在各let的离子通量值为被测集成电路所在空间轨道上各let的离子通量的s倍，且s为大于105的实数。6.根据权利要求1～5中任意一项所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述步骤s3中，按照下式计算所述当前空间轨道下被测集成电路的重离子致单粒子翻转软错误率：其中，m为所述重离子致单粒子翻转软错误率，s为复合重离子束在各let的离子通量值与指定空间轨道上各let的离子通量的倍数，n为球面点的数量，e(i)为第i个球面点测试得到的所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，t(i)为第i个球面点的辐照时长。
7.根据权利要求1～5中任意一项所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述步骤s2的步骤包括：s201.置变量i＝1；s202.使用所述复合重离子束沿第i个球面点向球心方向辐照被测集成电路且辐照时长为t(i)，测试被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数e(i)；s203.如果i等于n则转s3，n为球面点的数量，否则置i＝i 1，返回步骤s201。8.根据权利要求1～5中任意一项所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述步骤s2前还包括判断被测集成电路的对称性，如果判断到被测集成电路结构为具有对称性的对称结构，则所述步骤s2中仅执行对称结构中一个对称方向的球面点的辐照及测试，所述步骤s3中使用一个对称方向的球面点所测试得到的结果同时作为另一个对称方向的球面点的测试结果，以计算所述被测集成电路在当前空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。9.根据权利要求1～5中任意一项所述的集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，其特征在于，所述步骤s2中仅进行被测集成电路正面入射的球面点向球心方向的单粒子翻转效应测试。10.一种集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测装置，其特征在于，包括：球面点配置模块，用于以被测集成电路中心为球心，在单位球面表面均匀排列多个球面点；辐照测试模块，用于依次使用复合重离子束沿各个球面点向球心方向辐照被测集成电路，并测试预设的辐照时长内被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，所述复合重离子束包含具有多种能量的多种元素，所述复合重离子束在各let的离子通量值大于指定空间轨道上各let的离子通量；计算模块，用于根据检测得到的各所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数以及所述辐照时长，计算被测集成电路在指定空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。

技术总结
本发明公开一种集成电路中重离子致单粒子翻转软错误率的检测方法，步骤包括：S1.以被测集成电路中心为球心，在单位球面表面均匀排列多个球面点；S2.依次使用复合重离子束沿各个球面点向球心方向辐照被测集成电路，并测试预设的辐照时长内被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数，所述复合重离子束包含具有多种能量的多种元素，所述复合重离子束在各LET的离子通量值大于指定空间轨道上各LET的离子通量；S3.根据检测得到的各所述被测集成电路发生单粒子翻转事件的次数以及所述辐照时长，计算被测集成电路在指定空间轨道下的重离子致单粒子翻转软错误率。本发明具有实现操作简单、易于实现且检测误差小、精度高等优点。精度高等优点。精度高等优点。


技术研发人员：池雅庆 梁斌 陈建军 袁珩洲 罗登 郭阳 胡春媚 刘必慰 宋睿强 吴振宇
受保护的技术使用者：中国人民解放军国防科技大学
技术研发日：2022.04.14
技术公布日：2022/8/9