晶圆的测量方法、晶圆的测量系统及介质与流程

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆的测量方法、晶圆的测量系统及介质。


背景技术：

2.晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，在晶圆上加工电路元件结构，以形成具有特定电性功能的芯片。
3.目前，半导体器件的尺寸越来越小，芯片的集成度越来越高，每一步工艺制程中，需要尽可能的减小误差，以提升半导体的生产良率。
4.半导体制造过程中，光刻工艺为核心技术之一。在晶圆上涂覆一层光刻胶，通过曝光的方式将设计图案转移到光刻胶图层上，由光刻胶图层将设计图案传递至晶圆。
5.因此，如何有效测量半导体器件上设计图案，避免发生测量结果错误，进而确定制程中的误差情况，是亟待解决的问题。


技术实现要素：

6.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
7.本公开提供一种晶圆的测量方法、晶圆的测量系统及介质。
8.本公开的第一方面提供一种晶圆的测量方法，所述晶圆的测量方法包括：
9.获取多个晶圆的预设信息，每个所述晶圆具有预设图案；
10.在所述多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对所述第一预设晶圆的所述预设图案进行测量；
11.在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，根据被重新选择的晶圆的预设信息和所述第一预设晶圆的预设信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆；
12.若所述被重新选择的晶圆不是所述第一预设晶圆，则对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对所述第二预设晶圆的所述预设图案进行测量；
13.若所述被重新选择的晶圆是所述第一预设晶圆，则在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除所述第一预设晶圆之外的晶圆。
14.根据本公开的一些实施例，所述晶圆的测量方法，还包括：
15.对所述第一预设晶圆进行标记后，将标记信息存储至所述第一预设晶圆的第一工艺制程信息。
16.根据本公开的一些实施例，在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，根据被重新选择的晶圆的预设信息和所述第一预设晶圆的预设信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，包括：
17.在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，获取被重新选择的至少一个晶圆的第二工艺制程信息；
18.根据所述第二工艺制程信息和所述第一工艺制程信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
19.根据本公开的一些实施例，根据所述第二工艺制程信息和所述第一工艺制程信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，包括：
20.根据所述第二工艺制程信息，确定所述被重新选择的至少一个晶圆是否具有标记信息；
21.若是，则所述被重新选择的至少一个晶圆是所述第一预设晶圆；
22.若否，则所述被重新选择的至少一个晶圆为第二预设晶圆。
23.根据本公开的一些实施例，根据所述第二工艺制程信息和所述第一工艺制程信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，包括：
24.根据所述第二工艺制程信息，确定所述被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息；
25.根据所述被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息，以及所述第一预设晶圆的标记信息和载台信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
26.根据本公开的一些实施例，根据所述被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息，以及所述第一预设晶圆的标记信息和载台信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，包括：
27.确定所述被重新选择的至少一个晶圆是否具有标记信息；
28.若是，确定所述被重新选择的至少一个晶圆是所述第一预设晶圆；
29.若否，判断所述被重新选择的至少一个晶圆的载台信息与所述第一预设晶圆的载台信息是否相同；
30.若不同，则重新选择至少一个晶圆；
31.若相同，确定所述被重新选择的至少一个晶圆为第二预设晶圆。
32.根据本公开的一些实施例，根据所述被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息，以及所述第一预设晶圆的标记信息和载台信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，包括：
33.判断所述被重新选择的至少一个晶圆的载台信息与所述第一预设晶圆的载台信息是否相同；
34.若不同，则重新选择至少一个晶圆；
35.若相同，判断所述被重新选择的至少一个晶圆是否具有标记信息；
36.若否，确定所述被重新选择的至少一个晶圆为第二预设晶圆；
37.若是，确定所述被重新选择的至少一个晶圆是所述第一预设晶圆。
38.根据本公开的一些实施例，所述晶圆置于载台上，所述载台位于工艺制程设备中；
39.若所述晶圆具有同一载台信息，则所述晶圆处于同一载台上被曝光。
40.根据本公开的一些实施例，所述晶圆的测量方法，还包括：
41.根据所述多个晶圆的预设信息，确定晶圆的编号，选择首端或者末端的晶圆为第一预设晶圆。
42.根据本公开的一些实施例，所述晶圆的测量方法，还包括：
43.判断所述被重新选择的晶圆的编号与所述第一预设晶圆的编号的差值的绝对值
是否落入预设范围；
44.若是，所述被重新选择的晶圆不是所述第一预设晶圆，对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对所述第二预设晶圆的所述预设图案进行测量；
45.若否，在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至其差值的绝对值落入所述预设范围的晶圆。
46.根据本公开的一些实施例，所述晶圆的测量方法，还包括：
47.若所述被重新选择的晶圆是所述第一预设晶圆，发出提示信息。
48.本公开的第二方面提供一种晶圆的测量系统，所述晶圆的测量系统包括：
49.处理器；
50.用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，所述处理器被配置为执行：
51.获取多个晶圆的预设信息，每个所述晶圆具有预设图案；
52.在所述多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对所述第一预设晶圆的所述预设图案进行测量；
53.在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，根据被重新选择的晶圆的预设信息和所述第一预设晶圆的预设信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆；
54.若所述被重新选择的晶圆不是所述第一预设晶圆，则对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对所述第二预设晶圆的所述预设图案进行测量；
55.若所述被重新选择的晶圆是所述第一预设晶圆，则在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除所述第一预设晶圆之外的晶圆。
56.本公开的第三方面提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由晶圆的测量系统的处理器执行时，使得晶圆的测量系统能够执行：
57.获取多个晶圆的预设信息，每个所述晶圆具有预设图案；
58.在所述多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对所述第一预设晶圆的所述预设图案进行测量；
59.在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，根据被重新选择的晶圆的预设信息和所述第一预设晶圆的预设信息，确定是否从所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆；
60.若所述被重新选择的晶圆不是所述第一预设晶圆，则对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对所述第二预设晶圆的所述预设图案进行测量；
61.若所述被重新选择的晶圆是所述第一预设晶圆，则在所述多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除所述第一预设晶圆之外的晶圆。
62.本公开实施例所提供的晶圆的测量方法、晶圆的测量系统及介质中，本公开中的方法用于识别重新选择的晶圆是否为第一预设晶圆，以便于确定选择到除第一预设晶圆之外的晶圆，并将其标记为第二预设晶圆，以避开对同一晶圆进行两次测量，提升测量结果的准确性。
63.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
64.并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的
要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
65.图1是根据一示例性实施例示出的晶圆的测量方法的流程图。
66.图2是根据一示例性实施例示出的晶圆的测量方法的流程图。
67.图3是根据一示例性实施例示出的晶圆的测量方法的流程图。
68.图4是根据一示例性实施例示出的晶圆的测量方法的流程图。
69.图5是根据一示例性实施例示出的晶圆的测量方法的流程图。
70.图6是根据一示例性实施例示出的晶圆的测量方法的流程图。
71.图7是根据一示例性实施例示出的晶圆的测量装置的框图。
72.图8是根据一示例性实施例示出的计算机设备的框图。
73.附图标记：
74.6、计算机设备；61、处理器；62、存储器。
具体实施方式
75.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
76.在一些实施例中，晶圆的光刻胶图层中的设计图案具有特定的形貌，当晶圆完成光刻工艺后，需要对其设计图案进行测量，以确定设计图案是否存在差异。
77.利用微距测量扫描式电子显微镜(critical dimension scanning electronic microscope，简称cdsem)对设计图案进行测量，并获取测量结果，根据其结果判断晶圆曝光后，设计图案的准确性。
78.但是，光刻胶图层内的主要成分为c、h等有机成分，当cdsem测量时，cdsem中的高能电子束打到光刻胶图层的表面，会有能量介入，使光刻胶图层发生碳化和收缩现象，光刻胶图层的成分以及设计图案的形貌随之变化。而对设计图案进行测量时，设计图案跟随光刻胶图层发生形貌变化，使设计图案的形貌失真，导致测量结果不准确。
79.本公开提出了一种晶圆的测量方法，包括获取多个晶圆的预设信息，每个晶圆具有预设图案；在多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对第一预设晶圆的预设图案进行测量；在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，根据被重新选择的晶圆的预设信息和第一预设晶圆的预设信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆；若被重新选择的晶圆不是第一预设晶圆，则对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量；若被重新选择的晶圆是第一预设晶圆，则在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆。本公开中的方法用于识别重新选择的晶圆是否为第一预设晶圆，以便于确定选择到除第一预设晶圆之外的晶圆，避免对同一晶圆进行两次测量，提升测量结果的准确性。
80.本公开示例性的实施例中提供一种晶圆的测量方法，如图1-图6所示，示出了根据本公开一示例性的实施例提供的晶圆的测量方法的流程图，下面结合图1-图6对晶圆的测
量方法进行介绍。
81.本公开一示例性的实施例提供的一种晶圆的测量方法，本实施例中的晶圆的测量方法应用在工艺制程设备上，工艺制程设备包括控制系统、曝光机台、量测机台以及载台，晶圆放置于载台，控制系统能够对工艺制程设备进行控制，以便于完成曝光和测量。
82.如图1所示，晶圆的测量方法包括如下的步骤：
83.s100、获取多个晶圆的预设信息，每个晶圆具有预设图案。
84.在该步骤中，多个晶圆可以位于在同一载台，也可以分别位于不同的载台，每个载台中的晶圆数量可以相同，也可以不同。载台为曝光载台，曝光载台位于曝光机台内，晶圆在曝光机台内完成曝光工艺，使晶圆形成预设图案。其中，量测机台内设置有cdsem，使其具备测量功能，控制系统将预设图案的晶圆由曝光机台转移至量测机台中，以便于对晶圆的预设图案进行测量。
85.在晶圆进入至工艺制程设备时，可以录入每个晶圆的预设信息，以便于控制系统调取查询和使用。预设信息包括但不限于晶圆编号、晶圆型号、晶圆工艺制程信息、晶圆中预设图案的相关参数；晶圆工艺制程信息包括但不限于晶圆的曝光参数、晶圆的载台信息；预设图案的相关参数包括但不限于图案线宽、相邻图案线宽之间的距离、预设图案轮廓、预设图案在晶圆中的正投影面积。
86.s110、在多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对第一预设晶圆的预设图案进行测量。
87.在该步骤中，控制系统在多个晶圆中选择一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对第一预设晶圆进行标记后，控制系统将标记信息存储至第一预设晶圆的第一工艺制程信息内，留作记录信息，以备后续调取查看和使用。
88.控制系统控制量测机台内的cdsem，对第一预设晶圆的预设图案进行测量，以便于确定预设图案是否存在差异性。
89.一个示例中，晶圆的预设图案具有预设数据，将第一预设晶圆的预设图案的测量数据与预设数据进行比对，若差异较大时，则存在差异性，若差异较小时，在可控的误差范围内，则不存在差异性。例如，当预设图案为预设线宽时，预设线宽为20nm，测量数据为50nm，则差异性较大，需要对预设图案再次进行测量。
90.其中，为了保证测量结果的准确性，提供多个测量数据，控制系统不限于选择一个晶圆，也可以选择两个或者多个，具体以实际情况为准。
91.s120、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，根据被重新选择的晶圆的预设信息和第一预设晶圆的预设信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
92.在该步骤中，控制系统在多个晶圆中重新选择一个晶圆，以便于对除第一预设晶圆之外的晶圆进行测量，提升测量结果的准确性。
93.可以理解的是，重新选择晶圆时，控制系统不限于选择一个，也可以选择两个或者多个，以提升测量结果的准确性，具体以实际情况为准。
94.控制系统根据被重新选择的晶圆的预设信息和第一预设晶圆的预设信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
95.若被重新选择的晶圆不是第一预设晶圆，则执行步骤s130；若被重新选择的晶圆是第一预设晶圆，则执行步骤s140。
96.s130、对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量。
97.在该步骤中，当被重新选择的晶圆不是第一预设晶圆时，控制系统对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，利用工艺制程设备内的cdsem对第二预设晶圆的预设图案进行测量。
98.其中，对第二预设晶圆的测量与比对方式，与第一预设晶圆的测量和比对方式相同，在此，不再重复赘述。
99.s140、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆。
100.在该步骤中，当被重新选择的晶圆是第一预设晶圆时，控制系统在多个晶圆中继续选择，重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆，避开第一预设晶圆，保证两次测量不为同一晶圆，提升测量结果的准确性。
101.在选择过程中，若被重新选择的晶圆是第一预设晶圆，控制系统发出提示信息，以提示作业人员，能够获知选择状况和进度，作业人员可以对其进行处理，进一步避免选择错误。其中，提示信息比如可以是以弹窗的方式显示于工艺制程设备的显示界面内，也可以是以警示灯的方式展示给作业人员，提示方式简单直观。
102.本实施例中的方法，通过选择不同的晶圆进行测量，避免同一晶圆被两次测量，提升测量结果的准确性。当同一晶圆被测量两次时，每一次测量的预设图案均会发生变化，进而导致第一次测量和第二次测量的数据变差，无法为测量提供有效准确的数据依据。而本公开中在选择晶圆时，第一次选择的晶圆，将其标记为第一预设晶圆，当第二次选择晶圆时，可以根据第一预设晶圆的标记，选择除第一预设晶圆以外的其他晶圆，有效避免选择同一晶圆。
103.本公开一示例性的实施例提供的一种晶圆的测量方法，本实施例中的晶圆的测量方法应用在工艺制程设备上，工艺制程设备包括控制系统、曝光机台、量测机台以及载台，晶圆放置于载台，控制系统能够对工艺制程设备进行控制，以便于完成曝光和测量。
104.如图2所示，晶圆的测量方法包括如下的步骤：
105.s200、获取多个晶圆的预设信息，每个晶圆具有预设图案。
106.s210、在多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对第一预设晶圆的预设图案进行测量。
107.步骤s200-步骤s210中的晶圆的测量方法与步骤s100-步骤s110中的晶圆的测量方法完全相同，在此，不再重复赘述。
108.s220、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，获取被重新选择的至少一个晶圆的第二工艺制程信息。
109.在该步骤中，控制系统在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，控制系统在预设信息中获取被重新选择的至少一个晶圆的工艺制程信息，将其定义为第二工艺制程信息。
110.s230、根据第二工艺制程信息和第一工艺制程信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
111.在该步骤中，控制系统获取第一预设晶圆的第一工艺制程信息，将第二工艺制程信息与第一工艺制程信息进行比对，以确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
112.若第一工艺制程信息和第二工艺制程信息完全相同，则表示重新选择的晶圆为第一预设晶圆，需要继续在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，执行步骤s250。
113.若第一工艺制程信息和第二工艺制程信息不相同，则表示重新选择的晶圆为第二预设晶圆，不需要在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，则执行步骤s240。
114.s240、对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量。
115.s250、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆。
116.步骤s240-步骤s250中的晶圆的测量方法与步骤s130-步骤s140中的晶圆的测量方法完全相同，在此，不再重复赘述。
117.本实施例中的方法，对第一次选择的第一预设晶圆的第一工艺制程信息和第二次重新选择的晶圆的第二工艺制程信息进行比对，以确定两次选择的晶圆是否同一晶圆，避免选择到同一晶圆。其中，工艺制程信息比如是晶圆的曝光参数、载台信息以及标记信息，分别比对工艺制程信息内的曝光参数、载台信息以及标记信息，当第一工艺制程信息和第二工艺制程信息完全相同时，则表示两次选择的晶圆为同一晶圆，当存在不同时，如第二工艺制程信息内不含标记信息，或者曝光参数不同、载台信息中任一个不同时，则两次选择的晶圆不为同一晶圆。
118.本公开一示例性的实施例提供的一种晶圆的测量方法，本实施例中的晶圆的测量方法应用在工艺制程设备上，工艺制程设备包括控制系统、曝光机台、量测机台以及载台，晶圆放置于载台，控制系统能够对工艺制程设备进行控制，以便于完成曝光和测量。
119.如图3所示，晶圆的测量方法包括如下的步骤：
120.s300、获取多个晶圆的预设信息，每个晶圆具有预设图案。
121.s310、在多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对第一预设晶圆的预设图案进行测量。
122.s320、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，获取被重新选择的至少一个晶圆的第二工艺制程信息。
123.步骤s300-步骤s320中的晶圆的测量方法与步骤s200-步骤s230中的晶圆的测量方法完全相同，在此，不再重复赘述。
124.s330、根据第二工艺制程信息，确定被重新选择的至少一个晶圆是否具有标记信息。
125.在该步骤中，控制系统获取第二工艺制程信息，并以遍历的方式搜查第二工艺制程信息，确定被重新选择的至少一个晶圆内是否具有标记信息。
126.若是，则被重新选择的至少一个晶圆是第一预设晶圆，执行步骤s350；
127.若否，则被重新选择的至少一个晶圆为第二预设晶圆，执行步骤s340。
128.s340、对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量。
129.s350、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆。
130.步骤s340-步骤s350中的晶圆的测量方法与步骤s230-步骤s240中的晶圆的测量
方法完全相同，在此，不再重复赘述。
131.本实施例中的方法，通过识别被重新选择的至少一个晶圆中是否具有标记信息，确定被重新选择的晶圆是否为第一预设晶圆，若具有标记信息，则被重新选择的晶圆为第一预设晶圆，若不具有标记信息，则被重新选择的晶圆不是第一预设晶圆，可以将其作为第二预设晶圆，判断方式比较直观，可以快速的获取结果，缩短判断时间，避免选择同一晶圆。
132.本公开一示例性的实施例提供的一种晶圆的测量方法，本实施例中的晶圆的测量方法应用在工艺制程设备上，工艺制程设备包括控制系统、曝光机台、量测机台以及载台，晶圆放置于载台，控制系统能够对工艺制程设备进行控制，以便于完成曝光和测量。
133.如图4-图5所示，晶圆的测量方法包括如下的步骤：
134.s400、获取多个晶圆的预设信息，每个晶圆具有预设图案。
135.s410、在多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对第一预设晶圆的预设图案进行测量。
136.s420、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，获取被重新选择的至少一个晶圆的第二工艺制程信息。
137.步骤s400-步骤s420中的晶圆的测量方法与步骤s200-步骤s230中的晶圆的测量方法完全相同，在此，不再重复赘述。
138.s430、根据第二工艺制程信息，确定被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息。
139.在该步骤中，控制系统获取第二工艺制程信息，并以遍历的方式搜查第二工艺制程信息，确定被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息。
140.s440、根据被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息，以及第一预设晶圆的标记信息和载台信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
141.在该步骤中，控制系统根据被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息，以及第一预设晶圆的标记信息和载台信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
142.其中，晶圆置于载台上，载台位于工艺制程设备中。在曝光生产线中，工艺制程设备设置有多个，若晶圆具有同一载台信息，则表示晶圆处于同一载台上被曝光。
143.下面以两个载台进行示例性说明，如图7所示，第一载台和第二载台，分别记为chuck1和chuck2，chuck1具有多个晶圆，将其编号为01、03、05、07......23、25，也就是说编号为奇数的晶圆可以设置在chuck1上，依次等待曝光。chuck2具有多个晶圆，将其编号为02、04......22、24，也就是说编号为偶数的晶圆可以设置在chuck2上，依次等待曝光。位于chuck1的晶圆具有同一载台信息，处于同一载台被曝光，位于chuck2的晶圆具有同一载台信息，处于同一载台被曝光。因此，控制系统可以在chuck1内选择一个晶圆，如编号23，在chuck2内选择一个晶圆，如编号02，将chuck1中的编号23和chuck2中的编号02，打上标记信息，标记为第一预设晶圆，并对其进行测量。当需要重新选择晶圆时，对其进行判断，确定是否为第一预设晶圆。
144.一个示例中，如图4所示，该步骤s440中，根据被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息，以及第一预设晶圆的标记信息和载台信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，包括以下步骤：
145.s4401、确定被重新选择的至少一个晶圆是否具有标记信息。
146.在该步骤中，控制系统获取被重新选择的至少一个晶圆的工艺制程信息，以遍历的方式搜查该工艺制程信息，以确定该工艺制程信息内否具有标记信息。
147.若是，则确定被重新选择的至少一个晶圆是第一预设晶圆，则执行步骤s460。例如，如图7所示，控制系统在chuck1和chuck2中分别选择一个晶圆，确定是否含有标记信息，若是，则控制系统重新选择的晶圆分别是编号23或者编号02的晶圆，为第一次选择过的第一预设晶圆。
148.若否，则执行步骤s4402。例如，如图7所示，控制系统在chuck1和chuck2中分别选择一个晶圆，确定不含标记信息，则控制系统重新选择的晶圆未被选择过，不是第一预设晶圆，控制系统在chuck1中选择的晶圆可能为编号25的晶圆，chuck2中选择的晶圆可能为编号04的晶圆。
149.s4402、判断被重新选择的至少一个晶圆的载台信息与第一预设晶圆的载台信息是否相同。
150.在该步骤中，由控制系统分别获取被重新选择的至少一个晶圆的载台信息和第一预设晶圆的载台信息，并判断被重新选择的至少一个晶圆的载台信息与第一预设晶圆的载台信息是否相同。
151.若不同，则表示当前被重新选择的晶圆未与第一预设晶圆处于同一载台内，不具有相同的曝光参数，预设图案可能会存在较大的差异性，影响测量结果的准确性，需执行步骤s460，以重新选择至少一个晶圆。例如，如图7所示，控制系统所选择的编号25的晶圆位于chuck1，将其与第一次选择的具有编号02的晶圆进行比对，编号02的晶圆位于chuck2，则表示两次选择的晶圆不位于同一载台，则不具有相同的曝光参数。同理，控制系统所选择的编号04的晶圆位于chuck2，将其与第一次选择的具有编号23的晶圆进行比对，编号23的晶圆位于chuck1，则表示两次选择的晶圆不位于同一载台，不具有相同的曝光参数。
152.若相同，则表示当前被重新选择的晶圆与第一预设晶圆处于同一载台内，具有相同的曝光参数，预设图案的差异性较小，确定被重新选择的至少一个晶圆为第二预设晶圆，则执行步骤s450。例如，如图7所示，控制系统所选择的编号25的晶圆位于chuck1，将其与第一次选择的具有编号23的晶圆进行比对，编号23的晶圆位于chuck1，则确定被重新选择的晶圆与第一预设晶圆位于同一载台内，可以记为第二预设晶圆。或者，控制系统所选择的编号04的晶圆位于chuck2，将其与第一次选择的具有编号02的晶圆进行比对，编号02的晶圆位于chuck2，则确定被重新选择的晶圆与第一预设晶圆位于同一载台内，可以记为第二预设晶圆。
153.s450、对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量。
154.s460、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆。
155.步骤s450-步骤s460中的晶圆的测量方法与步骤s230-步骤s240中的晶圆的测量方法完全相同，在此，不再重复赘述。
156.本实施例中的方法，首先通过标记信息直接判定被重新选择的晶圆是否为第一预设晶圆，缩短判断时间。当同一生产线具有多个载台时，对第一次选择的晶圆进行标记，标
记为第一预设晶圆，而再次选择晶圆时，确定被重新选择的晶圆不是第一预设晶圆时，需要进一步区分第一预设晶圆与被重新选择的晶圆是否为同一载台内，若晶圆具有同一载台信息，则表示晶圆处于同一载台上被曝光，则具有相同的曝光参数，可以将其标记为第二预设晶圆，这样测量数据更加准确。若晶圆不具有同一载台信息，则表示晶圆没有处于同一载台上被曝光，不具有相同的曝光参数，需要重新选择晶圆，避免选择同一晶圆。
157.另一个示例中，如图5所示，该步骤s440中，根据被重新选择的至少一个晶圆的标记信息和载台信息，以及第一预设晶圆的标记信息和载台信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，包括以下步骤：
158.s4403、判断被重新选择的至少一个晶圆的载台信息与第一预设晶圆的载台信息是否相同。
159.在该步骤中，控制系统获取被重新选择的至少一个晶圆的工艺制程信息，以及第一预设晶圆的工艺制程信息，以遍历的方式分别搜查工艺制程信息，以获知被重新选择的至少一个晶圆的载台信息和第一预设晶圆的载台信息，确定其载台信息是否相同。
160.若不同，则表示当前被重新选择的晶圆未与第一预设晶圆处于同一载台内，不具有相同的曝光参数，预设图案可能会存在较大的差异性，影响测量结果的准确性，需执行步骤s460，以重新选择至少一个晶圆。例如，如图7所示，控制系统在chuck1和chuck2中分别选择一个晶圆，重新选择的晶圆编号如为25，其位于chuck1，将其与第一次选择的具有编号02的晶圆进行比对，编号02的晶圆位于chuck2，则表示两次选择的晶圆不位于同一载台，则不具有相同的曝光参数，不能作为测量晶圆的数据依据，需要重新选择晶圆。同理，控制系统重新选择的晶圆编号如为04，其位于chuck2，将其与第一次选择的具有编号23的晶圆进行比对，编号23的晶圆位于chuck1，则表示两次选择的晶圆不位于同一载台，不具有相同的曝光参数，不能作为测量晶圆的数据依据，需要重新选择晶圆。
161.若相同，则表示当前被重新选择的晶圆与第一预设晶圆处于同一载台内，具有相同的曝光参数，预设图案的差异性较小，需要进一步确认被重新选择的晶圆是否为第一预设晶圆，则执行步骤s4404。例如，如图7所示，控制系统重新选择的编号25的晶圆位于chuck1，将其与第一次选择的具有编号23的晶圆进行比对，编号23的晶圆位于chuck1，则确定被重新选择的晶圆与第一预设晶圆位于同一载台内，可以对其进一步判断，以确定是否为第一预设晶圆。或者，控制系统重新选择的编号04的晶圆位于chuck2，将其与第一次选择的具有编号02的晶圆进行比对，编号02的晶圆位于chuck2，则确定被重新选择的晶圆与第一预设晶圆位于同一载台内，可以对其进一步判断，以确定是否为第一预设晶圆。
162.s4404、判断被重新选择的至少一个晶圆是否具有标记信息。
163.在该步骤中，控制系统获取被重新选择的至少一个晶圆的工艺制程信息，以遍历的方式搜查该工艺制程信息，确定是否具有标记信息。
164.若否，控制系统确定被重新选择的至少一个晶圆为第二预设晶圆，则执行步骤s450。例如，如图7所示，控制系统判断重新选择的编号25的晶圆和编号04的晶圆，是否含有标记信息。不含有标记信息，则控制系统重新选择的晶圆未被选择过，不是第一预设晶圆，将其标记为第二预设晶圆。
165.若是，控制系统确定被重新选择的至少一个晶圆是第一预设晶圆，则执行步骤s460。例如，如图7所示，控制系统判断重新选择的编号25的晶圆和编号04的晶圆，是否含有
标记信息。不含有标记信息，若含有标记信息，则控制系统重新选择的晶圆分别是编号23或者编号02的晶圆，为第一次选择过的第一预设晶圆，需要重新选择晶圆。
166.s450、对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量。
167.s460、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆。
168.步骤s450-步骤s460中的晶圆的测量方法与步骤s230-步骤s240中的晶圆的测量方法完全相同，在此，不再重复赘述。
169.本实施例中的方法，当制程工艺中具有多个载台时，先确定被重新选择的晶圆的载台信息与第一预设晶圆的载台信息是否一致，避免选错载台，保证第一次所选择的晶圆和第二次所选择的晶圆位于同一载台且具有相同的曝光参数，提升测量结果的准确性。当确定第一次选择的为同一载台时，对其进行进一步判断，判断被重新选择的晶圆是否具有标记信息，若没有标记信息且位于同一载台，则为第二预设晶圆，可以对其进行标记并测量，双重判定，能够提升选择的准确性，避免选择到同一晶圆。
170.本公开一示例性的实施例提供的一种晶圆的测量方法，本实施例中的晶圆的测量方法应用在工艺制程设备上，工艺制程设备包括控制系统、曝光机台、量测机台以及载台，晶圆放置于载台，控制系统能够对工艺制程设备进行控制，以便于完成曝光和测量。
171.如图6所示，晶圆的测量方法包括如下的步骤：
172.s500、获取多个晶圆的预设信息，每个晶圆具有预设图案。
173.s510、根据多个晶圆的预设信息，确定晶圆的编号，选择首端或者末端的晶圆为第一预设晶圆。
174.在该步骤中，多个晶圆按照预设顺序进行编号，控制系统根据多个晶圆的预设信息，确定每个晶圆的编号，控制系统选择首端或者末端的晶圆为第一预设晶圆。
175.其中，在同一载台内的晶圆，位于中间的晶圆的制程工艺较好一些，位于端部的晶圆的制程工艺略微差一些，选择选择首端或者末端的晶圆进行测量，若符合制程工艺的标准，则表示同一载台内的其他晶圆均符合标准。
176.s520、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。
177.s530、判断被重新选择的晶圆的编号与第一预设晶圆的编号的差值的绝对值是否落入预设范围。
178.在该步骤中，控制系统获取被重新选择的晶圆的编号，将其与第一预设晶圆的编号作差，以判断被重新选择的晶圆的编号与第一预设晶圆的编号的差值的绝对值是否落入预设范围。其中，预设范围比如是1-3。
179.若是，被重新选择的晶圆不是第一预设晶圆，则执行步骤s540。若否，则执行步骤s550。
180.s540、对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量。
181.s550、在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至其差值的绝对值落入预设范围的晶圆。
182.本实施例中的方法，如图7所示，以第一载台记为chuck1为例进行说明。chuck1具
有多个晶圆，将其编号为01、03、05、07......23、25，也就是说编号为奇数的晶圆可以设置在chuck1上，依次等待曝光。
183.控制系统在第一次选择晶圆时，选择首端的晶圆，如编号01晶圆时，记为第一预设晶圆。首端的晶圆的制程工艺相较于中间的晶圆较差。因此，当选择首端的晶圆，若其测量数据都符号标准时，则可以确定同一制程工艺下的其他晶圆也符合标准，可以直接进行下一步工艺制程，提升生产工艺的效率。当然，可以理解的是，控制系统在第一次选择晶圆时，也可以选择末端的晶圆，如编号25。
184.控制系统在第二次选择晶圆时，可以选择其编号为03的晶圆，将其与第一预设晶圆的编号进行作差，若其差值的绝对值为2，则表示第二次选择的晶圆为第一预设晶圆的相邻晶圆，记为第二预设晶圆。选择与第一预设晶圆相近的晶圆作为第二预设晶圆，其制程工艺相近，能够进一步保证测量结果的准确性。若其差值为0，则表示第二次选择的晶圆为第一预设晶圆，需要重新选择晶圆。
185.本公开所提出的晶圆的测量方法，在测量过程中，控制系统将第一预设晶圆的测量结果，记为第一测量数据，控制系统将第二预设晶圆的测量结果，记为第二测量数据。
186.将第一测量数据和第二测量数据分别与预设图案的预设数据进行比较，以确定曝光后的晶圆的预设图案是否符合要求。
187.若预设数据与第一测量数据的差值的绝对值，以及预设数据与第二测量数据的差值的绝对值均在预设范围内，则确定晶圆的预设图案为正常。
188.若预设数据与第一测量数据的差值的绝对值不在预设范围内，则确定晶圆的预设图案为异常。或者，若预设数据与第二测量数据的差值的绝对值不在预设范围内，则确定晶圆的预设图案为异常。
189.当然，可以理解的是，若预设数据与第一测量数据的差值的绝对值，以及预设数据与第二测量数据的差值的绝对值均不在预设范围内，则确定晶圆的预设图案存在异常。
190.图8是根据一示例性实施例示出的一种用于晶圆的测量系统的计算机设备6的框图。例如，计算机设备6可以被提供为一种晶圆的测量系统。参照图7，计算机设备6包括处理器61，处理器的个数可以根据需要设置为一个或者多个。计算机设备6还包括存储器62，用于存储可由处理器61的执行的指令，例如应用程序。存储器的个数可以根据需要设置一个或者多个。其存储的应用程序可以为一个或者多个。处理器61被配置为执行指令，以执行上述方法。
191.本领域技术人员应明白，本公开的实施例可提供为方法、装置(设备)、或计算机程序产品。因此，本公开可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本公开可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质上实施的计算机程序产品的形式。计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质,包括但不限于ram、rom、eeprom、闪存或其他存储器技术、cd-rom、数字多功能盘(dvd)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质等。此外，本领域技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。
192.在示例性实施例中，提供了一种包括指令的非临时性计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器62，上述指令可由上述处理器61执行以完成上述方法。例如，所述非临时性计算机可读存储介质可以是rom、随机存取存储器(ram)、cd-rom、磁带、软盘和光数据存储设备等。该非临时性计算机可读存储介质，当存储介质中的指令由晶圆的测量系统的处理器执行时，使得晶圆的测量系统能够执行：
193.获取多个晶圆的预设信息，每个晶圆具有预设图案。在多个晶圆中选择至少一个晶圆，对其进行标记作为第一预设晶圆，对第一预设晶圆的预设图案进行测量。在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，根据被重新选择的晶圆的预设信息和第一预设晶圆的预设信息，确定是否从多个晶圆中重新选择至少一个晶圆。若被重新选择的晶圆不是第一预设晶圆，则对其进行标记，将其作为第二预设晶圆，对第二预设晶圆的预设图案进行测量。若被重新选择的晶圆是第一预设晶圆，则在多个晶圆中重新选择至少一个晶圆，直至选择到除第一预设晶圆之外的晶圆。
194.以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。