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一种单晶硅片色差改善方法、系统、存储介质及电子设备与流程

2022-07-31 05:41:27 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种单晶硅片色差改善方法,其特征在于,该方法包括:提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置,计算色差指数;获得当前的收线速度、放线速度和切割张力,实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算;获取所述色差指数,根据实测数据值更新所述色差指数,计算新供回线周期、新切割方向、新切割位置、收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值;根据所述硅棒断线位置,平整并剪断钢丝;获取所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置,设置钢丝控制参数;获取所述收线速度指数更新值、所述放线速度指数更新值和所述切割张力更新值,进行自动的收放钢丝线控制。2.如权利要求1所述的一种单晶硅片色差改善方法,其特征在于,所述提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置,计算色差指数,具体包括:提取当前的供回线周期,作为供回线周期指数;提取当前的切割方向,作为切割方向指数;提取当前的切割位置,作为切割位置指数;设置第一系数、第二系数、第三系数和第四系数;利用第一计算公式计算实时所述色差指数;所述第一计算公式为:s=k1z k2q
f
k3q
w
k4其中,s为所述色差指数,k1为第一系数,k2为第二系数,k3为第三系数,k4为第四系数,z为所述供回线周期指数,q
f
为所述切割方向指数,q
w
为所述切割位置指数。3.如权利要求1所述的一种单晶硅片色差改善方法,其特征在于,所述获得当前的收线速度、放线速度和切割张力,实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算,具体包括:提取当前的收线速度,作为收线速度指数;提取当前的放线速度,作为放线速度指数;提取当前的切割张力,作为切割张力指数;利用第二计算公式计算每个位置时的动作风险指数;利用第三计算公式提取所述硅棒断线位置;所述第二计算公式为:f=k
5vs
k
6vf
k7l
z
其中,f为动作风险指数,v
s
为所述收线速度指数,v
f
为所述放线速度指数,l
z
为所述切割张力指数,k5为第五系数,k6为第六系数,k7为第七系数;所述第三计算公式为:d=max(f
x
)其中,d为所述硅棒断线位置,max()为最大值动作风险提取函数。4.如权利要求2所述的一种单晶硅片色差改善方法,其特征在于,所述获取所述色差指数,根据实测数据值更新所述色差指数,计算新供回线周期、新切割方向、新切割位置、收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值,具体包括:获取所述色差指数和实测数据值;
利用第四计算公式获得第一系数、第二系数、第三系数和第四系数,调用所述第一计算公式更新计算所述色差指数;判断更新后的所述色差指数是否满足第五计算公式,若满足则发出优化更新切割命令,若不满足则发出优化更新收放线命令;在收到所述切割命令后,利用第六计算公式计算所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置;在收到所述收放线命令后,利用第七计算公式计算所述收线速度指数更新值、所述放线速度指数更新值和所述切割张力更新值;所述第四计算公式为:其中,s
t
为实测数值,(s,s
t
)∈p为全部的实测数据值和全部的所述色差指数组成的集合,argmin()为进行实测数据值和所述色差指数一一对应计算最小值时对应第一系数、第二系数、第三系数和第四系数的函数;所述第五计算公式为:s>t其中,t为测试裕度;所述第六计算公式为:其中,q1为所述新供回线周期、q2为所述新切割方向、q3为所述新切割位置,n1、n2、n3依次为第一、第二、第三更替系数;所述第七计算公式为:其中,v
s1
为所述收线速度指数更新值,v
f1
为所述放线速度指数更新值,l
z1
为所述切割张力更新值。5.如权利要求1所述的一种单晶硅片色差改善方法,其特征在于,所述根据所述硅棒断线位置,平整并剪断钢丝,具体包括:获取所述硅棒断线位置;清除导轮上残余钢线,使断线处钢线平整,平整状态为无跳线、叠线、和交叉线情况;用酒精将钢丝清洗干净,自动剪断钢丝。6.如权利要求1所述的一种单晶硅片色差改善方法,其特征在于,所述获取所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置,设置钢丝控制参数,具体包括:获取所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置;
将钢丝的端面剪切平整,根据所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置对齐当前安装位置;检查顶锻力、焊接电流、正火电流、正火时间,是否为预设位置;在所述硅棒断线位置发生后,更改为所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置;在收放线张力修改为原始切割张力,在所述新切割位置重新完成本次设置后,开机作业。7.如权利要求1所述的一种单晶硅片色差改善方法,其特征在于,所述获取所述收线速度指数更新值、所述放线速度指数更新值和所述切割张力更新值,进行自动的收放钢丝线控制,具体包括:获取所述收线速度指数更新值、所述放线速度指数更新值和所述切割张力更新值,并保持浆液喷淋不能停止;根据所述收线速度指数更新值进行匀速收线,并将钢丝的切割张力设置为所述切割张力更新值;将钢丝按照所述放线速度指数更新值进行放线,开始切割。8.一种单晶硅片色差改善系统,其特征在于,该系统包括:色差采集模块,用于提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置,计算色差指数;切割学习模块,用于获得当前的收线速度、放线速度和切割张力,实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算;断线风险更新模块,用于获取所述色差指数,根据实测数据值更新所述色差指数,计算新供回线周期、新切割方向、新切割位置、收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值;抽线控制模块,用于根据所述硅棒断线位置,平整并剪断钢丝;焊线控制模块,用于获取所述新供回线周期、所述新切割方向和所述新切割位置,设置钢丝控制参数;收放线控制模块,用于获取所述收线速度指数更新值、所述放线速度指数更新值和所述切割张力更新值,进行自动的收放钢丝线控制。9.一种计算机可读存储介质,其上存储计算机程序指令,其特征在于,所述计算机程序指令在被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法。10.一种电子设备,包括存储器和处理器,其特征在于,所述存储器用于存储一条或多条计算机程序指令,其中,所述一条或多条计算机程序指令被所述处理器执行以实现如权利要求1-7任一项所述的方法。

技术总结
本发明提供了一种单晶硅片色差改善方法、系统、存储介质及电子设备。该方案包括提取当前的供回线周期、切割方向和切割位置,计算色差指数;获得当前的收线速度、放线速度和切割张力,实时进行动作风险指数和硅棒断线位置计算;获取色差指数,根据实测数据值更新色差指数,计算新供回线周期、新切割方向、新切割位置、收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值;根据硅棒断线位置,平整并剪断钢丝;设置钢丝控制参数;获取收线速度指数更新值、放线速度指数更新值和切割张力更新值,进行自动的收放钢丝线控制。该方案通过在晶棒切割过程中,自动调整学习和调整周期位置、切割方向及位置,改善单晶硅片色差,提升硅片质量。片质量。片质量。


技术研发人员:徐志群 付明全 孙彬 张羽 毕喜行
受保护的技术使用者:广东金湾高景太阳能科技有限公司
技术研发日:2022.04.19
技术公布日:2022/7/29
再多了解一些

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