一种传感器校正方法、装置、设备及可读存储介质与流程

1.本技术涉及传感器技术领域，尤其涉及一种传感器校正方法、装置、设备及可读存储介质。


背景技术：

2.随着科学技术的不断发展，计算机视觉技术也越来越成熟。事件相机的出现，在视觉领域引来了越来越多的关注。它模拟人类的视网膜，响应由于运动产生的亮度变化的像素点脉冲，因此它能够以极高的帧率捕获场景的亮度变化，记录特定时间点和图像中特定位置的事件，形成事件流而不是帧流，从而解决了传统相机信息冗余、大量数据存储和实时处理等问题。
3.然而，受像素的电路设计和芯片的生产过程影响，事件相机的像素之间存在一些偏差，或者，受使用场景中环境光强、温度等影响，导致输入存储元件以供比较的电压与存储元件实际存储的电压不同，进而导致输出事件信号有偏差。这些像素之间事件信号输出行为的偏差会造成up事件和dn事件的对比灵敏度的改变。因此，亟需一种能使得事件输出更为准确的传感器校正方法，以有效减小上述输出事件信号的偏差。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供了一种传感器校正方法、装置、设备及可读存储介质，至少能够解决相关技术所提供的evs(event-based vision sensor，事件型视觉传感器)图像传感器受电路设计、芯片生产过程、使用环境的影响所导致的事件信号输出的准确性较差的问题。
5.本技术实施例第一方面提供了一种传感器校正方法，应用于evs图像传感器，所述evs图像传感器，所述evs图像传感器包括由多个evs像素组成的像素阵列，所述evs像素包括输入元件、比较元件、存储元件、输出元件以及处理元件，所述输入元件以及所述比较元件之间配置有补偿元件，所述传感器校正方法包括：
6.针对所述像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制所述补偿元件对所述输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整；其中，所述电信号包括电压信号或电流信号；
7.控制所述比较元件将调整后的当前电信号与所述存储元件存储的上一时刻电信号进行比较；
8.控制所述输出元件根据比较结果输出事件信号；
9.当所有所述目标evs像素产生的所述事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过所述处理元件将当前调整参数在各所述evs像素生效。
10.本技术实施例第二方面提供了一种传感器校正装置，应用于evs图像传感器，所述evs图像传感器，所述evs图像传感器包括由多个evs像素组成的像素阵列，所述evs像素包括输入元件、比较元件、存储元件、输出元件以及处理元件，所述输入元件以及所述比较元件之间配置有补偿元件，所述传感器校正装置包括：
11.调整模块，用于针对所述像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制所述补偿元件对所述输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整；其中，所述电信号包括电压信号或电流信号；
12.比较模块，用于控制所述比较元件将调整后的当前电信号与所述存储元件存储的上一时刻电信号进行比较；
13.输出模块，用于控制所述输出元件根据比较结果输出事件信号；
14.生效模块，用于当所有所述目标evs像素产生的所述事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过所述处理元件将当前调整参数在各所述evs像素生效。
15.本技术实施例第三方面提供了一种终端设备，包括：存储器及处理器，其中，处理器用于执行存储在存储器上的计算机程序，处理器执行计算机程序时，实现上述本技术实施例第一方面提供的传感器校正方法中的各步骤。
16.本技术实施例第四方面提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，实现上述本技术实施例第一方面提供的传感器校正方法中的各步骤。
17.由上可见，根据本技术方案所提供的传感器校正方法、装置、设备及可读存储介质，针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整；控制比较元件将调整后的当前电信号与存储元件存储的上一时刻电信号进行比较；控制输出元件根据比较结果输出事件信号；当所有目标evs像素产生的事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。通过本技术方案的实施，根据事件信号的测试输出结果来确定evs像素的电信号补偿值，以对图像传感器工作时的误差进行实时校正，有效保证了图像传感器输出事件信号的准确性。
附图说明
18.图1为本技术第一实施例提供的一种evs像素的结构示意图；
19.图2为本技术第一实施例提供的一种传感器校正方法的基础流程示意图；
20.图3为本技术第二实施例提供的一种传感器校正方法的细化流程示意图；
21.图4为本技术第三实施例提供的传感器校正装置的程序模块示意图；
22.图5为本技术第四实施例提供的终端设备的结构示意图。
具体实施方式
23.为使得本技术的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而非全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
24.在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对
本发明的限制。
25.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
26.在本技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术实施例中的具体含义。
27.以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
28.在实际应用中，一方面，由于evs图像传感器的晶体管受生产过程及应用环境的影响，导致相同光强变化量产生的电压差不一致，从而造成事件信号的输出偏差；另一方面，比较元件与存储元件之间设计有开关，当开关闭合时，将比较元件的输入电压写入存储元件，当开关断开时，存储元件保存所写入的电压，然而由于开关在闭合到断开的过程中会出现压差(即通过比较元件写入存储元件的电压与存储元件最终存储的电压不相等)，从而造成输出事件信号的输出偏差。
29.为了解决相关技术中所提供的evs图像传感器受电路设计、芯片生产过程、使用环境的影响所导致的事件信号输出的准确性较差的问题，本技术第一实施例提供了一种传感器校正方法，应用于evs图像传感器，evs图像传感器包括由多个evs像素组成的像素阵列，如图1所示为本实施例提供的一种evs像素的结构示意图，evs像素包括输入元件11、比较元件12、存储元件13、输出元件14以及处理元件(未图示)，输入元件11以及比较元件12之间配置有补偿元件15，比较元件12与存储元件13之间连接有开关s1，应当说明的是，像素阵列中每个evs像素是集成电路，在该集成电路中，光电二极管可与集聚电荷的电容器集成，其响应于入射光强度而由光电二极管生成电信号，该电信号包括电流信号或电压信号，本实施例对此不做唯一限定。
30.如图2为本实施例提供的传感器校正方法的基础流程示意图，该传感器校正方法包括以下的步骤：
31.步骤201、针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整。
32.具体的，在本实施例中，目标evs像素作为校正像素，其输入元件响应于恒定光强变化量生成电信号，而补偿元件每次以一定调整参数对输入元件生成的电信号的取值进行补偿调整，以提前对因压差导致的电信号衰减进行补偿。应当说明的是，本实施例中每个evs像素内部可以均配置有专用的补偿元件，而为了利于像素阵列尺寸的小型化，本实施例也可以针对多个evs像素设置一共用补偿元件，该共用补偿元件可以设置于某一evs像素内部，或所有evs像素外部，本实施例对此不做唯一限定。
33.在本实施例一种实施方式中，上述以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整的步骤之前，还包括：获取evs像素的电
路设计数据；参考电路设计数据相应设置调整参数的初始值。相对应的，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整的步骤，包括：自调整参数的初始值开始，每次参考前一调整参数设定当前调整参数；以当前调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整。
34.具体的，在本实施例中，为了保证校正效率，可以参考evs图像传感器中电路的具体设计及具体的参数要求，设定校正过程中首次所采用的调整参数，然后在单次校正过程的多次尝试中，每次校正尝试均参考前一次的调整参数设定当前所需使用的调整参数，由此，根据传感器硬件情况适应性设定调整参数，可有效减少无效校正尝试，相对于随机设定调整参数具有更高的校正效率。
35.进一步地，在本实施例一种实施方式中，上述自调整参数的初始值开始，每次参考前一调整参数设定当前调整参数的步骤，包括：自调整参数的初始值开始，每次均在前一调整参数基础上增加固定比例得到当前调整参数。
36.具体的，本实施例每次校正尝试所使用的当前调整参数i1均在前一调整参数i2基础上提升固定比例r得到，也即i1＝i2*r，应当理解的是，固定比例r与校正结果的精确度负相关，也即r越小，校正结果的精确度越高。
37.在本实施例一种实施方式中，上述以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整的步骤之前，还包括：以预设阵列划分单位将像素阵列划分为多个阵列单元；其中，阵列划分单位包括行、列；分别在各阵列单元中选取目标evs像素。
38.具体的，本实施例可以将像素阵列划分为多个阵列单元，并从各阵列单元中选取代表像素得到校正像素集合，然后基于校正像素结合来得到校正结果，最后根据校正结果锁定像素阵列中每一像素的补偿元件的工作参数。应当说明的是，本实施例根据校正准确度以及校正效率要求可以灵活设定阵列划分单位以及每个阵列单元中所需选取的目标evs像素数量，另外，本实施例的目标evs像素被选取之后可以仅作为校正像素使用，也可以仍维持后续正常工作功能，本实施例对此不做唯一限定。
39.步骤202、控制比较元件将调整后的当前电信号与存储元件存储的上一时刻电信号进行比较。
40.具体的，输入单元每次传输至比较元件的电信号均会传输至存储元件进行存储，以作为下一次比较元件进行电信号比较时的参考信号，比较元件将当前电信号与前一时刻的电信号进行比较，以判断入射光强度是否发生变化(变强或变弱)，其中，在当前电信号大于上一时刻电信号时，光强变强，反之则变弱。
41.步骤203、控制输出元件根据比较结果输出事件信号。
42.具体的，在本实施例中，每个像素的事件信号均为一个二值向量(即2bit向量)，该2bit向量用于表征入射光是变强还是变弱，其中，若当前电信号大于上一时刻电信号，则2bit向量表示为[1，0]，也即up事件信号，若当前电信号小于上一时刻电信号，则2bit向量表示为[0，1]，也即dn事件信号。
[0043]
步骤204、当所有目标evs像素产生的事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。
[0044]
具体的，在本实施例中，按照不同调整参数反复进行校正尝试，并统计每一次校正
尝试的事件产生量，若事件产生量符合传感器正常使用所产生的事件水平时，将当前校正尝试所采用的调整参数作为补偿元件的有效工作参数，锁定于像素阵列中所有像素的补偿元件，以供传感器后续工作过程中进行误差补偿使用。
[0045]
在本实施例一种实施方式中，上述当所有目标evs像素产生的事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效的步骤，包括：针对所有目标evs像素，分别统计up事件信号的第一总数量以及dn事件信号的第二总数量；其中，up事件信号对应的比较结果为当前电信号大于上一时刻电信号，dn事件信号对应的比较结果为当前电信号小于上一时刻电信号；当up事件信号的第一总数量以及dn事件信号的第二总数量分别满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。
[0046]
具体的，在本实施例中，考虑到图像传感器可以根据相反光强变化行为输出两种不同类型的事件信号，由此，本实施例可以结合两种事件信号的输出行为来进行全面的像素校正，以避免仅针对单一类型事件信号所设定的调整参数无法调和另一类型事件信号的输出偏差。
[0047]
进一步地，在本实施例一种实施方式中，上述当up事件信号的第一总数量以及dn事件信号的第二总数量分别满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效的步骤，包括：当up事件信号的第一总数量超过预设第一数量阈值、以及dn事件信号的第二总数量低于预设第二数量阈值时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。
[0048]
具体的，在实际应用中，事件信号的输出偏差通常体现于两方面：其一，像素本该生成up事件信号而未生成up事件信号；其二，像素本不该生成dn事件信号而生成dn事件信号。基于此，本实施例将up事件信号以及dn事件信号的总产生量分别与相应数量阈值进行比较，且两者的比较标准相反，然后将两者均满足其比较标准时，将当前调整参数作为有效调整参数在各evs像素的补偿单元进行锁定。
[0049]
在本实施例一种实施方式中，上述针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整的步骤之前，还包括：参考evs图像传感器的事件检测灵敏度确定相应的光强调整值。
[0050]
具体的，在本实施例中，区别于前述实施方式中所解决的是电信号传输过程中因压差所导致的事件信号输出偏差问题，本实施方式所解决的是光感应灵敏度所导致的事件信号输出偏差问题。在本实施例中，假设evs图像传感器的事件检测灵敏度为15％，即当输入元件输入的光强变化超过15％，那么输出元件输出事件，从而本实施例先将下一时刻的输入光强增加15％，然后再控制补偿单元基于预设调整参数执行校准尝试，当像素事件输出总数量满足条件时，将当前所使用的调整参数在各evs像素生效，以克服光感应灵敏度所导致的事件信号输出偏差。
[0051]
在本实施例另一种实施方式中，上述通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效的步骤之后，还包括：参考evs图像传感器的事件检测灵敏度确定相应的光强调整值；根据光强调整值对输入元件的当前光强进行相应调整。在此之后，再返回执行针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整的步骤，重新执行前述步骤201至204的流程。
[0052]
具体的，区别于前述实施方式中分别进行因电信号传输过程中的压差或因光感应
灵敏度所导致的事件信号输出偏差校正，本实施例提供了一种复合校正实现方式，也即在完成因压差所导致的事件信号输出偏差校正之后，先参考以期的事件检测灵敏度调整输入元件输入的光强，然后再次执行前述根据补偿元件的调整参数进行校正尝试的流程，从而通过前后两次校正以同时克服压差及灵敏度所带来的事件信号输出偏差，进一步提高了evs图像传感器的事件输出准确性。
[0053]
基于上述本技术实施例的技术方案，针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整；控制比较元件将调整后的当前电信号与存储元件存储的上一时刻电信号进行比较；控制输出元件根据比较结果输出事件信号；当所有目标evs像素产生的事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过处理元件将调整参数在各evs像素生效。通过本技术方案的实施，根据事件信号的测试输出结果来确定evs像素的电信号补偿值，以对图像传感器工作时的误差进行实时校正，有效保证了图像传感器输出事件信号的准确性。
[0054]
图3中的方法为本技术第二实施例提供的一种细化的传感器校正方法，该传感器校正方法包括：
[0055]
步骤301、以预设阵列划分单位将像素阵列划分为多个阵列单元，分别在各阵列单元中选取目标evs像素。
[0056]
具体的，本实施例可以列为单位将整个像素阵列划分为多个阵列单元，然后将各阵列单元的首个evs像素作为目标evs像素。
[0057]
步骤302、针对像素阵列中所有目标evs像素，自调整参数的初始值开始，每次参考前一调整参数设定当前调整参数。
[0058]
具体的，在整体校正过程中，本实施例每次校正尝试所使用的当前调整参数i1均在前一调整参数i2基础上提升固定比例r得到，也即i1＝i2*r。
[0059]
步骤303、以当前调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整。
[0060]
其中，电信号可以包括电压信号或电流信号中任意一种。
[0061]
步骤304、控制比较元件将调整后的当前电信号与存储元件存储的上一时刻电信号进行比较。
[0062]
步骤305、控制输出元件根据比较结果输出事件信号。
[0063]
其中，up事件信号对应的比较结果为当前电信号大于上一时刻电信号，dn事件信号对应的比较结果为当前电信号小于上一时刻电信号。
[0064]
步骤306、针对所有目标evs像素，分别统计up事件信号的第一总数量以及dn事件信号的第二总数量。
[0065]
步骤307、当up事件信号的第一总数量超过预设第一数量阈值、且dn事件信号的第二总数量低于预设第二数量阈值时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。
[0066]
具体的，本实施例可以结合两种事件信号的输出行为来进行全面的像素校正，以避免仅针对单一类型事件信号所设定的调整参数无法调和另一类型事件信号的输出偏差。
[0067]
步骤308、参考evs图像传感器的事件检测灵敏度确定相应的光强调整值，并根据光强调整值对输入元件的当前光强进行相应调整；然后返回执行步骤302至307。
[0068]
具体的，本实施例在完成前述因压差所导致的事件信号输出偏差的误差校正之
后，还进一步按照传感器的事件检测灵敏度进行输入光强调整，也即先参考以期的事件检测灵敏度调整输入元件输入的光强，例如evs图像传感器的事件检测灵敏度为15％，即当输入元件输入的光强变化超过15％，那么输出元件输出事件，从而本实施例将下一时刻的输入光强增加15％，然后重新执行因灵敏度所导致的事件信号输出偏差的误差校正流程，从而同时实现两方面的误差校正，最大程度提高了evs图像传感器的事件输出准确性。
[0069]
应当理解的是，本实施例中各步骤的序号的大小并不意味着步骤执行顺序的先后，各步骤的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成唯一限定。
[0070]
图4为本技术第三实施例提供的一种传感器校正装置。该传感器校正装置可用于实现前述实施例中的传感器校正方法。如图4所示，该传感器校正装置主要包括：
[0071]
调整模块401，用于针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整；其中，电信号包括电压信号或电流信号；
[0072]
比较模块402，用于控制比较元件将调整后的当前电信号与存储元件存储的上一时刻电信号进行比较；
[0073]
输出模块403，用于控制输出元件根据比较结果输出事件信号；
[0074]
生效模块404，用于当所有目标evs像素产生的事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。
[0075]
在本实施例的一些实施方式中，生效模块具体用于：针对所有目标evs像素，分别统计up事件信号的第一总数量以及dn事件信号的第二总数量；其中，up事件信号对应的比较结果为当前电信号大于上一时刻电信号，dn事件信号对应的比较结果为当前电信号小于上一时刻电信号；当up事件信号的第一总数量以及dn事件信号的第二总数量分别满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。
[0076]
进一步地，在本实施例的一些实施方式中，生效模块在执行上述当up事件信号的第一总数量以及dn事件信号的第二总数量分别满足预设数量关系时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效的功能时，具体用于：当up事件信号的第一总数量超过预设第一数量阈值、以及dn事件信号的第二总数量低于预设第二数量阈值时，通过处理元件将当前调整参数在各evs像素生效。
[0077]
在本实施例的一些实施方式中，调整模块具体用于：参考evs图像传感器的事件检测灵敏度确定相应的光强调整值；针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整。
[0078]
在本实施例的另一些实施方式中，调整模块还用于：参考evs图像传感器的事件检测灵敏度确定相应的光强调整值；根据光强调整值对输入元件的当前光强进行相应调整，然后返回执行针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整的功能。
[0079]
在本实施例的一些实施方式中，该传感器校正装置还包括：设置模块，用于获取evs像素的电路设计数据；参考电路设计数据相应设置调整参数的初始值。相应的，调整模块具体用于：针对像素阵列中所有目标evs像素，自调整参数的初始值开始，每次参考前一调整参数设定当前调整参数；以当前调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变
化量相应生成的电信号进行补偿调整。
[0080]
进一步地，在本实施例的一些实施方式中，调整模块在执行上述自调整参数的初始值开始，每次参考前一调整参数设定当前调整参数的功能时，具体用于：自调整参数的初始值开始，每次均在前一调整参数基础上增加固定比例得到当前调整参数。
[0081]
在本实施例的一些实施方式中，该传感器校正装置还包括：选取模块，用于以预设阵列划分单位将像素阵列划分为多个阵列单元；其中，阵列划分单位包括行、列；分别在各阵列单元中选取目标evs像素。
[0082]
应当说明的是，第一、二实施例中的传感器校正方法均可基于本实施例提供的传感器校正装置实现，所属领域的普通技术人员可以清楚的了解到，为描述的方便和简洁，本实施例中所描述的传感器校正装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
[0083]
根据本实施例所提供的传感器校正装置，针对像素阵列中所有目标evs像素，以预设调整参数控制补偿元件对输入元件响应于恒定光强变化量相应生成的电信号进行补偿调整；控制比较元件将调整后的当前电信号与存储元件存储的上一时刻电信号进行比较；控制输出元件根据比较结果输出事件信号；当所有目标evs像素产生的事件信号的总数量满足预设数量关系时，通过处理元件将调整参数在各evs像素生效。通过本技术方案的实施，根据事件信号的测试输出结果来确定evs像素的电信号补偿值，以对图像传感器工作时的误差进行实时校正，有效保证了图像传感器输出事件信号的准确性。
[0084]
图5为本技术第四实施例提供的一种终端设备。该终端设备可用于实现前述实施例中的传感器校正方法，主要包括：
[0085]
存储器501、处理器502及存储在存储器501上并可在处理器502上运行的计算机程序503，存储器501和处理器502通过通信连接。处理器502执行该计算机程序503时，实现前述实施例一或二中的方法。其中，处理器的数量可以是一个或多个。
[0086]
存储器501可以是高速随机存取记忆体(ram，random access memory)存储器，也可为非不稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器。存储器501用于存储可执行程序代码，处理器502与存储器501耦合。
[0087]
进一步的，本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是设置于上述各实施例中的电子装置中，该计算机可读存储介质可以是前述图5所示实施例中的存储器。
[0088]
该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现前述实施例中的传感器校正方法。进一步的，该计算机可存储介质还可以是u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0089]
在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0090]
作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的
部件可以是或者也可以不是物理模块，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络模块上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
[0091]
另外，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理模块中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。
[0092]
集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个可读存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的可读存储介质包括：u盘、移动硬盘、rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0093]
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简便描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本技术并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本技术，某些步骤可以采用其它顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定都是本技术所必须的。
[0094]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
[0095]
以上为对本技术所提供的传感器校正方法、装置、设备及可读存储介质的描述，对于本领域的技术人员，依据本技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。