一种半导体外延结构及LED芯片的制作方法

技术特征：
1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底表面依次堆叠的缺陷阻隔层、第一n型半导体层、电流阻挡层、第二n型半导体层、有源层以及p型半导体层；其中，所述半导体外延结构作为gan系发光二极管的外延结构，则所述第二n型半导体层包括n型掺杂的gan层，所述p型半导体层包括p型掺杂的gan层；所述缺陷阻隔层包括algan膜层，用于阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；所述电流阻挡层包括algan层，用于阻挡电流在所述第二n型半导体层表面的纵向传输。2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一n型半导体层包括沿第一方向非均匀n型掺杂的半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述p型半导体层。3.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述缺陷阻隔层的al组分大于所述电流阻挡层的al组分。4.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一n型半导体层的n型掺杂浓度沿所述第一方向呈梯度变化。5.根据权利要求4所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一n型半导体层的n型掺杂浓度不小于1*10
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cm-3
。6.根据权利要求4所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一n型半导体层两侧的n型掺杂浓度大于所述第一n型半导体层其他区域的n型掺杂浓度。7.根据权利要求6所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一n型半导体层两侧的n型掺杂浓度通过线性增加或线性减少的方式而获得。8.一种led芯片，其特征在于，包括；权利要求1-7任一项所述的半导体外延结构；n型电极，所述n型电极与所述n型半导体层形成欧姆接触；p型电极，所述p型电极与所述p型半导体层形成欧姆接触。

技术总结
本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。流扩展的效果。流扩展的效果。


技术研发人员：林志伟 蔡玉梅 崔恒平 陈凯轩 蔡建九
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/7/29