半导体制程方法与流程

1.本揭露关于一种半导体制程方法。


背景技术：

2.半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业经历指数级增长。集成电路材料及设计的技术进步产生一代又一代的集成电路，各代的电路均比前一代更小、更复杂。在ic发展过程中，功能密度(即每一晶片面积的互连装置数目)通常有所增加，而几何尺寸(即可使用制造制程产生的最小组件(或接线))有所减小。这种缩小规模的制程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供益处。这种规模缩小亦增加集成电路处理及制造的复杂性。


技术实现要素：

3.根据本揭露的一些实施例，一种半导体制程方法包含以下步骤：将一晶圆定位于一设备的一静电卡盘上；通过以下方式将该晶圆固定至该静电卡盘：通过在一第一时间处施加一第一电压，将该晶圆的一第一晶圆区域固定至该静电卡盘的一第一卡盘区域；及通过在不同于该第一时间的一第二时间处施加一第二电压，将该晶圆的一第二晶圆区域固定至该静电卡盘的一第二卡盘区域；及当该晶圆固定于该静电卡盘上时，通过该设备处理该晶圆。
4.根据本揭露的一些实施例，一种半导体制程方法包含以下步骤：通过以一第一顺序施加多个电压至一静电卡盘的至少两个卡盘区域，将一晶圆固定至一设备的该静电卡盘；在该晶圆固定于该静电卡盘的同时处理该晶圆；及通过以不同于该第一顺序的一第二顺序自该至少两个卡盘区域移除该些电压，自该静电卡盘释放该晶圆。
5.根据本揭露的一些实施例，一种半导体制程方法包含以下步骤：将一晶圆定位于一静电卡盘上的一腔室中；施加一第一电压至该静电卡盘的一中心卡盘电极；在与该施加该第一电压不同的一时间处施加与该第一电压具有相同极性的一第二电压至该静电卡盘的一周边卡盘电极；当该中心卡盘电极大体处于该第一电压且该周边卡盘电极大体处于该第二电压时，在该腔室中处理该晶圆；在该处理之后移除该第一电压及该第二电压；及在移除该第一电压及该第二电压之后自该腔室移除该晶圆。
附图说明
6.本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准规范，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
7.图1是根据本揭露实施例的半导体制程设备的视图；
8.图2a至图2i是根据各种实施例的半导体制程设备的静电卡盘的视图；
9.图3a至图3e是根据本揭露各个态样的图示操作静电卡盘的波形的视图；
10.图4a至图4b是根据本揭露各个态样的图示晶圆处理方法的视图；
11.图5至图6是图示根据各种实施例的控制系统的视图。
12.【符号说明】
13.40～41:制程
14.60:控制器
15.100:半导体制程设备
16.105:晶圆
17.110:制程腔室
18.112:上部部分
19.113:上电极
20.114:下部部分
21.116:绝缘陶瓷框架
22.120:射频功率源
23.125:电浆
24.130:静电卡盘
25.130l:下表面
26.130sw:外侧壁
27.130u:上表面
28.135:卡盘电极
29.140:dc电源
30.160:泵
31.178:密封环
32.180:电荷监测系统
33.220:基板
34.230:孔
35.240c:固定电极
36.240m1:固定电极
37.240m2:固定电极
38.240p:固定电极
39.250:区域
40.250c:区域
41.250m1:区域
42.250m1l:区域
43.250m1r:区域
44.250m2:区域
45.250m2l:区域
46.250m2r:区域
47.250p:区域
48.250pl:区域
49.250pr:区域
50.270:区域
51.280c:导体
52.280h:导体
53.280m1:导体
54.280m2:导体
55.280p:导体
56.290:加热电极
57.310:气源
58.310c:波形
59.310m1:波形
60.310m2:波形
61.310p:波形
62.320:流量验证单元
63.400～470:操作
64.410～441:操作
65.500:处理器
66.510:记忆体
67.512:指令
68.520:网络接口
69.540:电压供应
70.541～544:电压源
71.550:开关模块
72.551～554:开关
73.560:系统总线
74.600:处理器
75.610:记忆体
76.612:指令
77.620:网络接口
78.630:i/o装置
79.640:系统总线
80.g1:第一缝隙
81.g2:第二缝隙
82.g3:第三缝隙
83.g4:第四缝隙
具体实施方式
84.以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例、或实例。下文描述组件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且非意欲为限制性的。举例而言，在以下描述中第一特征于第二特征上方或上的形成可包括第一特征与第二
特征直接接触地形成的实施例，且亦可包括额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。此外，本揭露在各种实例中可重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身且不指明所论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
85.此外，为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语，诸如“在
……
下面”、“在
……
之下”、“下部”、“在
……
之上”、“上部”及类似者，来描述诸图中图示的一个元件或特征与另一(多个)元件或特征的关系。空间相对术语意欲涵盖除了诸图中所描绘的定向以外的装置在使用或操作时的不同定向。装置可另外定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对描述符可类似地加以相应解释。
86.为了便于描述，本文可使用诸如“约”、“大致”、“大体”、及类似者的术语。一般技艺人士将能够理解并推导出此类术语的含义。举例而言，“约”可表示20％、10％、5％或类似尺寸的变化，但在适当时可使用其他值。大的特征(诸如半导体鳍片的最长尺寸)可具有小于5％的变化，而非常小的特征(诸如界面层的厚度)可具有高达50％的变化，且两种类型的变化均可用术语“约”表示。“大体”通常比“约”更严格，从而10％、5％或更小的变化可是恰当的，但不限于此。“大体平面”的特征，其与直线的变化可在10％内或以下。具有“大体恒定浓度”的材料的浓度，其沿一或多个维度的变化可在5％内或以下。同样，一般技艺人士将能够基于行业知识、当前制造技术、及类似者来理解及推导这些术语的适当含义。
87.半导体制造通常涉及通过执行材料层的多个沉积、蚀刻、退火、及/或布植来形成电子电路，由此形成包括许多半导体装置及其间的互连件的堆叠结构。尺寸缩放(缩小)是用于在相同面积中容纳更多半导体装置的技术。然而，在先进技术节点中，尺寸缩放变得越来越困难。
88.在许多半导体制造制程中，半导体晶圆(或简称“晶圆”)可通过静电卡盘固定到位。若半导体晶圆在单一阶段中通过静电卡盘上的静电力夹紧，则整个半导体晶圆同时夹紧。若在夹紧制程期间半导体晶圆未在静电卡盘上完全延伸，则可在夹紧的半导体晶圆上引起应力集中，从而增加半导体晶圆与静电卡盘之间的摩擦。在一些情况下，摩擦可部分由半导体晶圆的翘曲(或“弯曲”)引起或加剧。举例而言，若半导体晶圆在其周边处朝静电卡盘向下弯曲，则半导体晶圆的周边区域可在通电以夹紧半导体晶圆时刮擦静电卡盘。通过在半导体晶圆及静电卡盘的区域上方以交错方式逐渐施加静电力，可减小半导体晶圆与静电卡盘之间的摩擦。
89.在本揭露的实施例中，静电卡盘在至少两个阶段夹紧半导体晶圆。因此，晶圆可在静电卡盘上完全延伸(例如，自中心至边缘)。通过这种分阶段的夹紧制程，可减少半导体晶圆的应力集中及污染。
90.图1是根据本揭露的各种实施例的半导体制程设备100的示意图。在一些实施例中，半导体制程设备100用以用于执行蚀刻、沉积、或其他适合制程。如图1中所示，半导体制程设备100包括制程腔室110及用以在制程腔室110中提供射频(radio frequency，rf)功率的射频(radio frequency，rf)功率源120。半导体制程设备100亦包括位于制程腔室110内的静电卡盘130，且静电卡盘130用以接收并固定晶圆105。半导体制程设备100亦包括卡盘电极135及连接至卡盘电极135的直流(direct current，dc)电源140。直流电源140用以提供功率至卡盘电极135，且参考图5更详细地描述。半导体制程设备100亦包括用以将制程气
体及/或载气引入制程腔室110的气源310。半导体制程设备100进一步包括流量验证单元320，其用以量测及/或验证进入制程腔室110的制程气体及/或载气的流动速率。在一些实施例中，流量验证单元320是压力计。在一些实施例中，流量验证单元320与制程腔室110流体通讯。
91.在一些实施例中，半导体制程设备100是电浆蚀刻设备。在一些实施例中，半导体制程设备100是任何电浆蚀刻或干式蚀刻工具，其自制程气体(通常为氧、含氯气体、或含氟气体)产生电浆，且使用射频电场。在一些实施例中，半导体制程设备100是离子束蚀刻器、反应离子蚀刻器、或类似者。在其他实施例中，代替蚀刻设备，半导体制程设备100是电浆沉积设备，诸如电浆增强原子层沉积(plasma-enhanced atomic layer deposition，peald)设备或类似者。电浆蚀刻设备及电浆沉积设备可统称为电浆制程设备。
92.在一些实施例中，晶圆105至少在其表面上包括单晶半导体层。在一些实施例中，晶圆105包括单晶半导体材料，诸如但不限于si、ge、sige、gaas、insb、gap、gasb、inalas、ingaas、gasbp、gaassb、及inp。在一些实施例中，晶圆105由硅制成。在一些实施例中，晶圆105是硅晶圆。在一些实施例中，晶圆105是使用分离布植氧气(separation by implantation of oxygen，simox)、晶圆键合、及/或其他适合方法制造的绝缘体上半导体基板，诸如绝缘体上硅(silicon-on-insulator，soi)基板、绝缘体上硅锗(silicon germanium-on-insulator，sgoi)基板、或绝缘体上锗(germanium-on-insulator，goi)基板。在一些实施例中，晶圆105是在一侧或两侧上具有镜面抛光表面的硅晶圆。在一些实施例中，晶圆105包括处于制造的中间(未完成)阶段的一或多个集成电路(integrated circuit，ic)晶粒，使得半导体制程设备100在ic晶粒中的各者的至少最顶层上执行电浆蚀刻或沉积。
93.在一些实施例中，制程腔室110包括上部部分112及下部部分114，其可包括至少一导电材料，诸如铝，以及其他非导电或半导体材料。在一些实施例中，上部部分112包括上电极113。在一些实施例中，下部部分114包括绝缘陶瓷框架116，且包括绝缘陶瓷框架116内的静电卡盘130。举例而言，如图1中所示，静电卡盘130设置于制程腔室110的下部部分114内的绝缘陶瓷框架116内。在一些实施例中，静电卡盘130包括用作卡盘电极135的导电板。在一些实施例中，导电板包括彼此电隔离的至少两个板部分。如图1中所示，卡盘电极135连接至dc电源140。当来自dc电源140的dc电压施加于具有设置于其上的晶圆105的静电卡盘130的卡盘电极135时，在晶圆105与卡盘电极135之间产生库仑力。库仑力将晶圆105吸引且保持在静电卡盘130上，直至停止自直流电源140施加直流电压。在一些实施例中，通过直流电源140，至少一直流电压施加于卡盘电极135的至少两个薄片部分，参考图2a至图4b进行描述。
94.在一些实施例中，为了改善晶圆105与静电卡盘130之间的热传递，通过气源310在晶圆105与静电卡盘130之间引入一或多种气体，诸如he或ar。在一些实施例中，在施加dc电压期间，气体消散晶圆105与静电卡盘130之间产生的热量。
95.如图1中所示，半导体制程设备100进一步包括连接至制程腔室110的泵160。泵160用以在制程腔室110内提供真空或保持一定的气压。在一些实施例中，制程腔室110内的压力通过由气源310引入的一或多种气体与由泵160执行的泵送位准的组合来维持。在一些实施例中，仅通过用泵160泵送来维持制程腔室110内的压力。
96.在一些实施例中，开启射频功率源120以施加电浆125进行电浆蚀刻操作。射频功率源120可用以产生以设定频率(例如，13.56mhz)操作的射频信号，该射频信号将能量自射频功率源120传输至制程腔室110内的气体。当输送足够的功率至气体时，电浆点燃。在一些实施例中，在蚀刻操作期间施加的功率范围为约200瓦至约700瓦。在一些实施例中，射频脉冲的施加持续约10秒至约60秒。
97.在一些实施例中，密封环178大体是环形，且围绕静电卡盘130。密封环178在z方向上可具有至少约为20mm的厚度。在一些实施例中，密封环178是聚焦环或边缘环。在一些实施例中，密封环178与聚焦环或边缘环分离，举例而言，侧向围绕聚焦环或边缘环，或由聚焦环或边缘环侧向围绕。在存在分离聚焦环或边缘环的实施例中，聚焦环可用于在晶圆105的整个表面上方达成更均匀的电浆分配，且用于将电浆云的分配仅限于晶圆表面区域。为了在高温及恶劣环境下保全，聚焦环通常由诸如石英的陶瓷材料制成。在一些实施例中，密封环178由诸如石英的陶瓷材料或其他适合材料构成。在一些实施例中，密封环178包括与聚焦环不同的材料。
98.半导体制程设备100亦包括光谱及/或电荷监测系统180。光谱及/或电荷监测系统180用以监测表面电荷位准。在一些实施例中，由光谱及/或电荷监测系统180进行的连续或周期性监测将半导体制程设备100在整个蚀刻设备的使用寿命期间、或在一些情况下的蚀刻设备的使用寿命的任何时间段的历史或态势提供至使用者。在一些实施例中，光谱及/或电荷监测系统180至少包括用于执行发射光谱(optical emission spectroscopy，oes)的发射光谱仪。
99.制程设备100的各种组件的操作可由连接至组件的控制器60控制，举例而言，通过一或多个有线连接及/或无线连接。有线连接可是电气、光学或另一适合连接类型。无线连接可是电天线、光接收器、或其他适合的无线连接类型。在一些实施例中，控制器60连接至射频功率源120、直流电源140、泵160、光谱及/或电荷监测系统180、气源310、及流量验证单元320中的一或多者，用于控制其操作。参考图6更详细地描述控制器。
100.图2a至图2c是根据各种实施例的静电卡盘130的简化视图。图2a及图2b是静电卡盘130的俯视图，图2c是静电卡盘130沿图2a及图2b所示剖面线b-b的横截面图。如图中所示的静电卡盘130可认为具有单极性电极组态。在一些实施例中，静电卡盘130具有双极性电极组态。
101.在任何半导体制程(诸如蚀刻、沉积、布植、或类似者)期间，晶圆105的移位可导致叠加误差，其可导致电路故障或寿命缩短(例如，减少的时间相依介电崩溃、或“tddb”)。静电卡盘130用以在半导体处理期间固定晶圆105(见图1)，以防止晶圆105在整个半导体制程期间移位。为了减少晶圆105与静电卡盘130之间的应力集中及摩擦，静电卡盘130组态有两个或两个以上电压施加区域。如图2a、图2b中所示，在一些实施例中，静电卡盘130包括四个电压施加区域250c、250m1、250m2及250p，亦可称为“卡盘区域”。在一些实施例中，静电卡盘130可包括两个、三个、或四个以上的电压施加区域。
102.静电卡盘130包括多个孔230，其可用于提供对销的存取，这些销用于将晶圆自静电卡盘130的上表面130u(见图2c)升高及/或将晶圆降低至上表面130u上。静电卡盘130的上表面130u(见图2c)包括四个卡盘区域，如图2a中所示，其中包括中心卡盘区域250c、周边卡盘区域250p、以及第一中间卡盘区域250m1、及第二中间卡盘区域250m2，这些区域可统称
为“卡盘区域250”。在一些实施例中，卡盘区域250具有任何适合的形状，诸如圆、环、条、楔、或类似者。如图2a中所示，中心卡盘区域250c为圆，而其余卡盘区域250为中心卡盘区域250c周围的同心配置的环。卡盘区域250为条形的实施例如图2b中所示。如图中所示，条形卡盘区域250(包含区域250pl、250m2l、250m1l、250m1r、250m2r、250pr)通常相对于中心卡盘区域250c对称，且用后缀
“‑
r”或后缀
“‑
l”标记，以区分左侧与右侧区域。图2a及图2b中的卡盘区域250通常对应于嵌入基板220且下伏上表面130u的固定电极240(见图2c至图2g)的位置。晶圆105在卡盘区域250中独立地经受来自固定电极240的库仑力，如下文更详细地描述。卡盘区域250可具有同心圆形/环形或条形形状，如图中所示，或可具有其他适合的形状，诸如四分的一圆、所述形状的组合、或类似者。
103.在图2c中，静电卡盘130包括基板220。在一些实施例中，基板220为圆形板，其为/包括陶瓷或其他适合材料。在一些实施例中，基板220包括上表面130u，其可面向晶圆150。基板220的下表面130l与上表面130u相对，且可面向绝缘陶瓷框架116。
104.固定电极240c、240m1、240m2、240p(亦称为“固定电极240”)嵌入基板220中，且可具有类似于卡盘区域250的形状，例如圆、环、条、楔或其他适合的形状。加热电极290亦可嵌入基板220中，如图2c中所示。通常，固定电极240提供静电力以吸引晶圆105且将晶圆105固定至静电卡盘130，而加热电极290调节基板220的温度。在一些实施例中，加热电极290靠近下表面130l，而固定电极240靠近上表面130u。
105.固定电极240及加热电极290可用以接收直流(direct current，dc)或交流(alternating current，ac)电压。在一些实施例中，导体280，包括导体280c、280m1、280m2、280p、280h，分别电连接至固定电极240c、240m1、240m2、240p及加热电极290。导体280中的各者可电连接至例如dc电源140。在一些实施例中，dc电源140用以独立地驱动各个固定电极240或加热电极290，使得可一次驱动少至固定电极240或加热电极290中的一者，而不驱动其余的固定电极240或加热电极290(例如，相对于经驱动固定电极240、或加热电极290接地、悬浮、或反向偏置)。
106.图2d及图2e是图示根据各种实施例的固定电极240的横截面。在图2d中，中心固定电极240c是大体圆形，而其余的固定电极240m1、240m2、240p在中心固定电极240c周围配置为同心环。在一些实施例中，导体280(为清晰起见未分开图示)垂直地下伏固定电极240且与固定电极240接触。在一些实施例中，导体280与固定电极240在同一平面(例如，x-y平面)内延伸，且朝向静电卡盘130的外壁侧侧向向外延伸。图2e中图示这一组态，这可有助于在静电卡盘130的外侧壁处建立电连接端口。在一些实施例中，图2e中图2d及图2e中所示的组态可组合在一起，使得导体280自固定电极240侧向延伸，且朝向静电卡盘130的外侧壁附近的下表面130l垂直延伸。
107.图2f是图2c中用虚线矩形强调的区域270的放大横截面侧视图。图2f图示基板220中固定电极240的各种尺寸及相对位置。为简化说明，图2f中未显示加热电极290。
108.如图2f中所示，中心固定电极具有宽度w
240c
、及高度h
240
。在一些实施例中，宽度w
240c
及高度h
240
在整个中心固定电极240c中大体均匀，尽管在一些组态中可需要变化的中心固定电极240c宽度及/或高度。中心固定电极240c的横截面形状通常为矩形。在一些实施例中，横截面形状可为矩形、方形、圆形、长圆形、或类似者，且可包括圆角或倒角刀尖。
109.中间固定电极240m1具有宽度w
240m1
及高度h
240
。在一些实施例中，宽度w
240m1
及高度h240
在整个中间固定电极240m1中大体均匀，尽管在一些组态中可需要中间固定电极240m1的变化宽度及/或高度。中间固定电极240m1的横截面形状通常为矩形。在一些实施例中，横截面形状可是矩形、方形、圆形、长圆形、或类似者，且可包括圆角或倒角尖刀。
110.中间固定电极240m2具有宽度w
240m2
及高度h
240
。在一些实施例中，宽度w
240m2
及高度h
240
在整个中间固定电极240m2中大体均匀，尽管在一些组态中可需要中间固定电极240m2的变化宽度及/或高度。中间固定电极240m2的横截面形状通常为矩形。在一些实施例中，横截面形状可是矩形、方形、圆形、长圆形、或类似者，且可包括圆角或倒角尖刀。
111.周边固定电极240p具有宽度w
240p
及高度h240。在一些实施例中，宽度w
240p
及高度h
240
在整个周边固定电极240p中大体均匀，尽管在一些组态中可需要周边固定电极240p的变化宽度及/或高度。周边固定电极240p的横截面形状通常为矩形。在一些实施例中，横截面形状可是矩形、方形、圆形、长圆形、或类似者，且可包括圆角或倒角尖刀。
112.在一些实施例中，宽度w
240c
与宽度w
240m1
、w
240m2
、w
240p
大体相同。在一些实施例中，宽度w
240c
、w
240m1
、w
240m2
、w
240p
中的一或多者不同于宽度w
240c
、w
240m1
、w
240m2
、w
240p
中的其他宽度。在一些实施例中，固定电极240中的各者的高度h
240
大体相同。在一些实施例中，固定电极240(例如，中心固定电极240c)中的一或多者具有与固定电极240(例如，中间及周边固定电极240m1、240m2、240p)中的其他者不同的高度。
113.在一些实施例中，相邻成对的固定电极240通过缝隙侧向分离开，且周边固定电极240p通过缝隙与静电卡盘130的外侧壁130sw分离开。如图2f中所示，中心固定电极240c通过第一缝隙g1与中间固定电极240m1分离开。中间固定电极240m1、240m2通过第二缝隙g2分离开。中间固定电极240m2通过第三缝隙g3与周边固定电极240p分离开。周边固定电极240p通过第四缝隙g4与静电卡盘的外侧壁130sw分离开。第一、第二、第三、及第四缝隙g1～g4可统称为“缝隙g1～g
4”。在一些实施例中，缝隙g1～g4具有大体相同的量值。举例而言，第一缝隙g1可与第二、第三及第四缝隙g2～g4的大小大体相同。在一些实施例中，某些缝隙g1～g4具有与缝隙g1～g4的某些其他缝隙不同的大小。举例而言，周边固定电极240p与外侧壁130sw之间的第四缝隙g4(亦称为“周边缝隙”)可大于各对固定电极240之间的缝隙g1～g3(称为“电极间缝隙”)。在一些实施例中，第一缝隙g1大于第二缝隙g2，第二缝隙g2进而大于第三缝隙g3。在一些实施例中，第一缝隙g1小于第二缝隙g2，第二缝隙g2进而小于第三缝隙g3。在一些实施例中，缝隙g1～g4具有任何适合的大小，且可不遵循任何特定梯度。
114.在一些实施例中，固定电极240通过上距离d
240u
与基板220的上表面130u分离开，且通过下距离d
240l
与下表面130l分离开。在一些实施例中，基板220具有约1mm至约5mm范围内的厚度。在一些实施例中，上距离d
240u
与下距离d
240l
大体相同，诸如上距离d
240u
与下距离d
240l
的比率在约0.85至约1.15的范围内。在一些实施例中，固定电极240中的一或多者通过不同于固定电极240中的其他者的上距离d
240u
、或下距离d
240l
与上表面130u或下表面130l分离开。
115.图2g图示一组态，其中中心固定电极240c比中间固定电极240m1更接近上表面130u，中间固定电极240m1比中间固定电极240m2更接近上表面130u，中间固定电极240m2比周边固定电极240p更接近上表面130u。在一些实施例中，中心固定电极240c比中间固定电极240m1更远离下表面130l，中间固定电极240m1比中间固定电极240m2更远离下表面130l，中间固定电极240m2比周边固定电极240p更远离下表面130l。
116.图2h图示一组态，其中中心固定电极240c比中间固定电极240m1更远离上表面130u，中间固定电极240m1比中间固定电极240m2更远离上表面130u，中间固定电极240m2比周边固定电极240p更远离上表面130u。在一些实施例中，中心固定电极240c比中间固定电极240m1更接近下表面130l，中间固定电极240m1比中间固定电极240m2更接近下表面130l，中间固定电极240m2比周边固定电极240p更接近下表面130l。
117.图2i图示固定电极240的垂直位置既不均匀亦不受梯度影响的一组态。在图2i中所示的实例中，中心固定电极240c最靠近上表面130u且最远离下表面130l。中间固定电极240m1及周边固定电极240p最靠近下表面130l且最远离上表面130u。中间固定电极240m2垂直地在中心固定电极240c与中间固定电极240m1、及周边固定电极240p之间。
118.除上述外，选择用于制造静电卡盘130的材料的其他或额外特性可是有益的。举例而言，在一些实施例中，静电卡盘130的总热膨胀系数可大体类似于设置于其上的基板(例如，图1中描述的晶圆105)的热膨胀系数。通过提供大体类似的热膨胀系数，基板及静电卡盘130在加热时以大体类似的速率膨胀，从而减少基板之间的摩擦，因此减少加热时对基板的损坏。
119.图3a至图3e是时序图，分别图示将电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
施加于固定电极240c、240m1、240m2、240p上的时序。通过经由多阶段制程夹紧晶圆105，晶圆105可在静电卡盘130上完全延伸(例如，自中心至边缘)，其可类似于抽吸制程。通过这种渐进式夹紧制程，可减少晶圆105的应力集中及污染。波形310c、310m1、310m2、310p分别对应于电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
。在图3a至图3e中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
在不同阶段施加、维持(或“保持”)、增加/减少、及/或释放(或“移除”)。施加可指电压自例如接地电压位准(例如，0伏)至操作电压位准(诸如约1kv至约9kv)的初始增加。维持或保持可是指将电压保持在操作电压位准，而无需实质性地恢复至接地电压位准。增加/减少可是指将电压位准升高或自初始操作电压位准将电压位准降低至另一操作电压位准，该操作电压位准在接地电压位准之上但不同于初始操作电压位准。释放或移除电压可是指将电压自操作电压位准降低至例如接地电压位准或悬浮电压位准。在一些实施例中，一或多个电压源直接连接至固定电极(多个)，且供应自高/操作电压位准(施加的)至低/非操作电压位准(移除，例如，接地)变化的电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
。在一些实施例中，一或多个电压源经由开关(多个)连接至固定电极中的各者，使得开关连接(施加)至固定电极(多个)的电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
或自固定电极(多个)的电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
断开(移除，例如，悬浮)。
120.在图3a中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
是自静电卡盘130的中心朝向静电卡盘130的周边顺序施加。当晶圆105具有翘曲时，图3a中的顺序可有利于降低应力。举例而言，对应于凸翘曲，晶圆105的中心区域可通过比晶圆105的周边区域更大的距离与静电卡盘130分离开。因此，通过首先固定晶圆105的中心区域，晶圆105的周边区域可由于晶圆105的曲率而逐渐变平，而不存在将晶圆105的周边区域拉入静电卡盘130的强静电力，强静电力会对周边区域造成摩擦及潜在损坏。在图3a中，在第一时间t1处施加中心电压vc至中心固定电极240c。在第一时间t1之前，中心固定电极240c可接地(例如，处于0伏)。在一些实施例中，中心电压vc在约1千伏(kv)至约9千伏的范围内，及/或在约3kv至约5kv的范围内。在一些实施例中，中心电压vc的电压回转率在约10kv/s至约20kv/s的范围内，诸如约15kv/s。因此，自施加中心电压vc至中心固定电极240c完全充电的时间可在约0.05秒至约0.9秒的范围内。
121.在第二时间t2处，将第一中间电压v
m1
施加于中间固定电极240m1。在一些实施例中，第二时间t2在中心固定电极240c完全充电之后。在一些实施例中，第二时间t2是中心固定电极240c部分充电的时刻。举例而言，若中心电压vc为5kv，且电压回转率为10kv/s，则在第一时间t1与中心固定电极240c完全充电至5kv之间有0.5秒。因此，在一些实施例中，第二时间t2可跟随第一时间t1至少0.5秒，而在其他实施例中，第二时间t2可跟随第一时间t1少于0.5秒，诸如约0.25秒，对应于中心固定电极240c的半充电状态(例如，2.5kv)。通过交错施加中心电压vc及第一中间电压v
m1
，应力集中减小。
122.在第三时间t3处，第二中间电压v
m2
施加于中间固定电极240m2。在一些实施例中，第三时间t3在中间固定电极240m1完全充电之后。在一些实施例中，第三时间t3是中间固定电极240m1部分充电的时刻。通过交错施加第一中间电压v
m1
及第二中间电压v
m2
，应力集中减小。
123.在第四时间t4处，施加周边电压v
p
至周边固定电极240p。在一些实施例中，第四时间t4在中间固定电极240m2完全充电之后。在一些实施例中，第四时间t4是中间固定电极240m2部分充电的时刻。通过交错施加第二中间电压v
m2
及周边电压v
p
，应力集中减小。
124.自开始时间ts至完成时间tf，晶圆105由固定电极240完全夹紧，如施加的所有电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
及完全充电的所有固定电极240所指示。在自开始时间ts至完成时间tf的时间段中，晶圆105可由半导体制程设备100处理。开始时间ts可对应于处理(例如，蚀刻、沉积、清洗、退火、或类似者)开始的时间。完成时间tf可对应于处理结束的时间。在完成时间tf之后，在释放时间tr处释放晶圆105。在一些实施例中，如图3a中所示，在释放时间tr处同时释放所有固定电极240。在固定电极240大体完全放电之后，晶圆105可通过销自静电卡盘130的上表面130u升举，且例如通过机械转移臂自半导体制程设备100移除。
125.如图3a中所示，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的顺序施加为自静电卡盘130的中心朝向静电卡盘130的周边。当固定具有凸翘曲的晶圆105时，该顺序可是有益的。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的施加顺序不同，诸如自静电卡盘130的周边朝向静电卡盘130的中心。当固定具有凹翘曲的晶圆105时，所描述的不同顺序可是有益的。除自中心至周边或自周边至中心以外的其他顺序亦可提供益处，诸如对于具有复杂翘曲(例如，凸翘曲与凹翘曲的组合)的晶圆105。
126.在一些实施例中，基于晶圆105的一或多个特性判定电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的施加顺序，诸如翘曲、电路布局、处理条件、或类似者。在一些实施例中，基于静电卡盘130的一或多个特性判定顺序，诸如表面均匀性、固定电极240的位置、固定电极240的操作条件、或类似者。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的施加顺序在电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的施加期间自动判定。举例而言，可即时监测静电卡盘130上晶圆105的各个区域(中心、中间、周边)的平坦度或其他特性，且可即时调整电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的顺序。在一些实施例中，可基于监测降低或禁用已施加电压，接着在施加其他电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
之后重新施加。
127.图3b在许多方面类似于图3a，关于电压量值及回转率的详细信息类似于参考图3a所述。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的施加顺序非自卡盘电极130的中心至卡盘电极130的周边。举例而言，在图3b中，在时间t1处施加中心电压vc，在时间t2处施加第二中间电压v
m2
，在时间t3处施加第一中间电压v
m1
，且在时间t4处施加周边电压v
p
。因此，在开始充电中间固定电极240m1之前，中间固定电极240m2开始充电、及/或完全充电，中间固定电极
240m1在中间固定电极240m2与中心固定电极240c之间。图3b所示的实施例是电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的非定向或“任意”施加的一实例。在一些实施例中，电压的施加次序可是第一顺序(例如，v
m1-》v
p-》v
c-》v
m2
)。在一些实施例中，在第一晶圆制造制程期间，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的施加次序可是第一顺序，且在随后的第二晶圆制造制程期间(例如，相同的工具、不同的晶圆；或，相同的晶圆、不同的工具)，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的施加次序可是与第一顺序不同的第二顺序(例如，v
p-》v
m2-》v
c-》v
m1
)。
128.图3c在许多方面类似于图3a及图3b，且关于电压量值及回转率的细节类似于参考图3a及图3b所述的细节。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
在tf时间处制程完成之后在不同时间t
r1
、t
r2
、t
r3
、t
r4
处(例如，以交错方式)释放。如图3c中所示，首先在时间t
r1
处放电周边电压v
p
，以释放上覆周边卡盘区域250p且对应于周边固定电极240p的晶圆105的周边晶圆区域。第二中间电压v
m2
在时间t
r2
处经第二放电，以释放上覆中间卡盘区域250m2且对应于中间固定电极240m2的晶圆105的中间晶圆区域。第一中间电压vm1在时间t
r3
处经第三放电，以释放上覆中间卡盘区域250m1且对应于中间固定电极240m1的晶圆105的中间晶圆区域。中心电压vc在时间t
r4
处经第四放电，以释放上覆中心卡盘区域250c且对应于中心固定电极240c的晶圆105的中心晶圆区域。
129.图3d在许多方面类似于图3a、图3b及图3c，关于电压量值及回转率的细节可类似于参考图3a、图3b、及图3c所述的细节。在一些实施例中，大体同时施加或释放电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的两者或两者以上。举例而言，如图3d中所示，在时间t2处首先施加第二中间电压v
m2
。在施加第二中间电压v
m2
之后，在时间t3处大体同时施加第一中间电压v
m1
及周边电压v
p
。接着在时间t4处施加中心电压vc。通常，在与电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的其他者不同的时间处施加电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的一或多者。在电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的释放期间，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的两者或两者以上可大体同时释放，而电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的剩余者可在不同的时间处释放。在图3d中所示的实例中，在时间t
r1
处释放周边电压v
p
，在时间t
r3
处释放第一中间电压v
m1
及第二中间电压v
m2
，且在时间t
r4
处释放中心电压vc。
130.图3d进一步图示电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的电压量值中的一或多者可不同于电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的其他者的电压量值。如图3d的实例所示，周边电压v
p
具有小于第二中间电压v
m2
的量值，第二中间电压v
m2
具有小于第一中间电压v
m1
的量值，第一中间电压v
m1
具有小于中心电压vc的量值。通过施加不同量值的电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
，可达成更精细的控制，以减少应力集中及摩擦。
131.图3e图示具有动态电压量值的vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的一或多者的施加。在图3e中所示的实例中，周边电压v
p
最初施加于第一电压位准v1下，随后周边电压v
p
增加至大于第一电压位准v1的第二电压位准v2。在一些实施例中，可基于来自光谱及/或电荷监测系统180(或简称“监测系统180”)的一或多个量测来设定动态电压量值。举例而言，监测系统180可侦测靠近静电卡盘130的周边卡盘区域250p的晶圆105的弯曲/翘曲。通过将周边电压v
p
增加至第二电压位准v2，晶圆105可由静电卡盘130更好地展平。在一些实施例中，周边电压v
p
在施加另一电压vc、v
m1
、v
m2
之后增加或减少。举例而言，在图3e中所示的实例中，周边电压v
p
最初在时间t3处施加于第一电压位准v1下，随后在时间t4处施加中心电压vc。在时间t4处或之后不久，施加中心电压vc可改变晶圆105在周边卡盘区域250p附近的弯曲/翘曲。因此，在时间t4之后且在开始处理的开始时间ts之前的一时间处，可将周边电压v
p
增加至第二电压位准v2，
以改善静电卡盘130上的晶圆105的平坦度。在一些实施例中，周边电压v
p
可最初在第二电压位准v2下施加，接着在稍后时间降低至第一电压位准v1。
132.图3e进一步图示电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的一或多者可不同于电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的其他者。在所示实例中，所有电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
彼此不同。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
自静电卡盘130的中心向外逐渐降低。举例而言，如图3e中所示，周边电压v
p
具有低于第二中间电压v
m2
的量值，第二中间电压v
m2
具有低于第一中间电压v
m1
的量值，第一中间电压v
m1
具有低于中心电压vc的量值。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
在不遵循任何特定梯度(例如，中心至周边、周边至中心)的情况下变化。
133.图4a、图4b是根据各种实施例的用于处理半导体晶圆(诸如晶圆105)的制程40、41的视图。应注意，制程40、41的操作可在各个态样的范畴内重新配置或修改。应进一步注意，可在制程40、41之前、期间、及之后提供额外制程，且本文仅简要描述一些其他制程。为便于说明，可参考图1至图3e的元件来描述制程40、41的实施例，然而，在其他实施例中，制程40、41可与其他系统及其元件一起使用。
134.在图4a中，制程40包括操作400～470。在操作400中，诸如晶圆105的半导体晶圆定位于诸如静电卡盘130的静电卡盘上。定位可由机械臂执行，机械臂可将晶圆105自foup转移至设备100的暂存区，及/或自暂存区转移至设备100的腔室110。
135.在操作410中，施加诸如中心电压vc的电压至静电卡盘130的第一区域(诸如中心区域250c)。在一些实施例中，将电压vc施加于位于第一区域中的卡盘电极，诸如通过将电压vc施加于中心区域250c中的中心卡盘电极240c。在一些实施例中，电压vc由电连接至中心电极240c的电压驱动电路施加。
136.在操作420中，施加诸如第一中间电压v
m1
的电压至诸如中间区域250m1的静电卡盘130的第二区域。在一些实施例中，电压v
m1
施加于位于第二区域中的卡盘电极，诸如通过将电压v
m1
施加于中间区域250m1中的中间卡盘电极240m1。在一些实施例中，电压v
m1
由施加电压vc的相同电压驱动电路施加。在一些实施例中，电压v
m1
及电压vc由不同的电压驱动电路施加。
137.在操作430中，施加诸如第二中间电压v
m2
的电压至诸如中间区域250m2的静电卡盘130的第三区域。在一些实施例中，电压v
m2
施加于位于第三区域中的卡盘电极，诸如通过将电压v
m2
施加于中间区域250m2的中间卡盘电极240m2。在一些实施例中，电压v
m2
由施加电压vc、v
m1
的相同电压驱动电路施加。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
中的两者或两者以上由不同的电压驱动电路施加。
138.在操作440中，将诸如周边电压v
p
的电压施加于静电卡盘130的第四区域，诸如周边区域250p。在一些实施例中，将电压v
p
施加于位于第四区域中的卡盘电极，诸如通过将电压v
p
施加于周边区域250p中的周边卡盘电极240p。在一些实施例中，电压v
p
由施加电压vc、v
m1
、v
m2
的相同电压驱动电路施加。在一些实施例中，电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
中的两者或两者以上由不同的电压驱动电路施加。
139.参考图3a至图3e描述操作410～440中电压的量值及施加时序的实施例。
140.在操作450中，晶圆105在固定于静电卡盘130上的同时由设备100处理。在一些实施例中，处理包括蚀刻、沉积、清洗、退火、或类似者中的一或多者。通过在操作450中的设备100开始处理之前执行操作410～440，可将晶圆105平坦地固定于静电卡盘130的表面上方，
这减少应力集中及覆盖误差。
141.在操作450中处理晶圆105之后，在操作460中释放第一至第四区域上的电压。参考图3a至图3e描述操作450中电压释放时序的实施例。
142.在操作450中释放电压之后，可在操作470中自腔室110及/或设备100中移除晶圆105。
143.在图4b中，制程41包括操作401～441，如图中所示。在操作401中，将晶圆定位于静电卡盘上。操作401在许多方面可类似于制程40的操作400。
144.在操作411中，通过在静电卡盘的两个或两个以上区域中施加电压，将晶圆固定于静电卡盘上。举例而言，通过在区域250c、250m1、250m2、250p中施加电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
，将晶圆105固定于静电卡盘130上。在一些实施例中，通过以第一顺序施加电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
来固定晶圆105。举例而言，如图3a中所示，第一顺序可包括施加电压vc，接着施加电压v
m1
，接着施加电压v
m2
，接着施加电压v
p
。参考上面的图3a至图3e来描述及说明第一顺序的其他实施例，其亦可称为“施加顺序”。
145.当晶圆105固定于静电卡盘130上时，晶圆105在操作421中由设备100处理。操作421在许多方面类似于制程40的操作。
146.在操作421中的处理之后，在操作431中通过以不同于第一顺序的第二顺序移除电压，自静电卡盘130释放晶圆105。参考上面的图3a至图3e描述及图示第二顺序的实施例，其亦可称为“释放顺序”。举例而言，在图3a中，第二顺序包括大体同时移除电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
。在一些其他实施例中，释放顺序可与施加顺序相同以形成其他制程。
147.在操作431中释放晶圆105之后，在操作441中自腔室110移除晶圆105。操作441在许多方面类似于制程40的操作。
148.图5是根据各种实施例的dc电压源140的示意图。dc电压源140产生用于控制静电卡盘130的操作的电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
。dc电压源140可自控制器60接收输入信号。
149.dc电压源140包括处理器500、记忆体510、及网络接口520，各个透过系统总线560或其他数据通讯机构耦合。dc电压源140进一步包括用于产生用于控制静电卡盘130的操作的电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的电压供应540。在一些实施例中，dc电压源140包括开关模块550，用于控制电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
施加于固定电极240及自固定电极240移除。
150.电压供应540包括一或多个电压源541～544。在一些实施例中，电压源541～544的数目与电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的数目以及固定电极240的数目相同。电压源541～544的各个电压源可包括一或多个电路组件，诸如晶体管、电阻器、电容器、电感器、二极管、或类似者，以适当方式配置以输出电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
。电压源541～544可是固定输出电压源，用以输出基于对电压源541～544的任何输入大体不改变的电压，或可是可变输出电压源，用以输出基于对电压源541～544的一或多个输入而变化的电压。通常，电压源541～544用以输出具有相同或不同量值的四个电压，如上文参考图3a至图3e所述。电压源541～544中的各者可用以在第一操作模式(例如，on模式)下输出高电压(例如，1kv至9kv)，且在第二操作模式(例如，off模式)下输出低电压(例如，接地，0伏)。电压源541可输出电压vc，电压源542可输出电压v
m1
，电压源543可输出电压v
m2
，而电压源544可输出电压v
p
。
151.开关模块550(当存在时)可包括开关551～554。在一些实施例中，开关551～554的数目与电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
的数目、固定电极240的数目及电压源541～544的数目相同。开关
551可电连接至电压源541及固定电极240c。开关552可电连接至电压源542及固定电极240m1。开关553可电连接至电压源543及固定电极240m2。开关554可电连接至电压源544及固定电极240p。开关551～554可单独或作为一群组操作，以分别致能或去能电压vc、v
m1
、v
m2
、v
p
传输至固定电极240c、240m1、240m2、240p。在一些实施例中，开关551～554中的各者是或包含一或多个晶体管，诸如金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor，mosfet)，其具有用于通过系统总线560接收控制信号的栅极、及电连接至电压源541～544中的一者及固定电极240中的一者的汲/源电极。
152.处理器500配置成执行及/或解释储存于记忆体510中的一或多组指令512。在一些实施例中，处理器500是中央处理单元(central processing unit，cpu)、多处理器、分散式处理系统、特殊应用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、微处理器单元(microprocessor unit，mpu)及/或其他适合的处理单元。
153.记忆体510(亦称为计算机可读媒体)包括随机存取记忆体或其他动态储存装置，其可耦合至系统总线560，用于储存数据及/或指令(例如，指令512)，以供处理器500执行。在一些实施例中，记忆体510用于在执行待由处理器500执行的指令期间储存临时变量或其他中间信息。在一些实施例中，记忆体510包括只读记忆体或耦合至系统总线560的其他静态储存装置，用于储存处理器500的静态信息及指令(例如，指令512)。在一些实施例中，记忆体510是或包括电子、磁性、光学、电磁、红外、及半导体记忆体中的一或多者。举例而言，记忆体510可是或包括半导体或固态记忆体、磁带、可移式计算机磁盘、随机存取记忆体(random access memory，ram)、只读记忆体(read-only memory，rom)、刚性磁盘、及/或光盘中的一或多者。在使用光盘的一些实施例中，记忆体510包括紧凑型光盘只读记忆体(compact disk-read only memory，cd-rom)、紧凑型光盘-读取/写入(compact disk-read/write，cd-r/w)、及/或数字视频光盘(digital video disc，dvd)。
154.记忆体510可用计算机程序码编码，该计算机程序码是或包括一组可执行指令512，用于控制电压供应540及开关模块550中的一或多者。在一些实施例中，记忆体510包括用于使dc电压源140执行制程40的操作410～440、460及/或制程41的操作411、431的指令512。在一些实施例中，记忆体510亦储存用于执行制程40、41所需信息以及在执行制程40、41期间产生的信息。
155.网络接口520包括用于连接至一网络的设备，一或多个其他计算机系统(诸如控制器60)连接至该网络。在一些实施例中，网络接口520包括有线及/或无线连接装置中的一或多者。网络接口520可包括无线网络接口，诸如蓝芽、wifi、wimax、gprs、或wcdma；或有线网络接口，诸如ethernet、usb、或ieee-1394。在一些实施例中，dc电压源140透过网络接口520与控制器60耦合。
156.图6是根据一些实施例的控制器60的示意图。控制器60产生用于控制rf电源120、dc电源140、泵160、光谱及/或电荷监测系统180、气源310及流量验证单元320中的一或多个组件的操作的输出控制信号。控制器60自频谱及/或电荷监测系统180及流量验证单元320中的一或多者接收输入信号。
157.控制器60包括处理器600、输入/输出(input/output，i/o)装置630、记忆体610、及网络接口620，各个透过系统总线640或其他通讯机构耦合。
158.处理器600配置成执行及/或解释储存于记忆体610中的一或多组指令612。在一些
实施例中，处理器600是或包括中央处理单元(central processing unit，cpu)、微处理器单元(microprocessor unit，mpu)、多处理器、分散式处理系统、特殊应用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、及其他适合处理单元中的一或多者。
159.i/o装置630可耦合至外部电路系统。在一些实施例中，i/o装置630包括键盘、小键盘、鼠标、轨迹球、轨迹垫、触控式屏幕、及/或用于通讯信息及命令至处理器600的标方向键。通常，i/o装置630自操作i/o装置630的人类使用者接收输入(例如，按键)。
160.记忆体610(亦称为计算机可读媒体)包括随机存取记忆体或其他动态储存装置，可通讯地耦合至系统总线640，用于储存数据及/或指令(例如，指令612)，以供处理器600执行。在一些实施例中，记忆体610用于在待由处理器600执行的指令(例如，指令612)的执行期间储存临时变量或其他中间信息。在一些实施例中，记忆体610亦包括只读记忆体或耦合至系统总线640的其他静态储存装置，用于储存用于处理器600的静态信息及指令(例如，指令612)。在一些实施例中，记忆体610是或包括电子、磁性、光学、电磁、红外、及半导体记忆体中的一或多者。举例而言，记忆体610可包括半导体或固态记忆体、磁带、可移式计算机磁盘、随机存取记忆体(random access memory，ram)、只读记忆体(read-only memory，rom)、刚性磁盘、及/或光盘。在使用光盘的一些实施例中，记忆体610包括紧凑型光盘只读记忆体(compact disk-read only memory，cd-rom)、紧凑型光盘-读取/写入(compact disk-read/write，cd-r/w)、及/或数字视频光盘(digital video disc，dvd)。
161.记忆体610编码有计算机程序码，诸如一组可执行指令612，用于控制射频功率源120、dc电源140、泵160、光谱及/或电荷监测系统180、气源310及流量验证单元320中的一或多个组件，以及使控制器60执行制程40、41。在一些实施例中，记忆体610亦储存执行制程40、41所需的信息以及在执行制程40、41期间产生的信息。
162.网络接口620包括用于连接至一网络的机构，一多个其他计算机系统可连接至该网络。在一些实施例中，网络接口620包括有线及/或无线连接机构。网络接口620可包括一或多个无线网络接口，例如蓝芽、wifi、wimax、gprs、或wcdma；且可包括一或多个有线网络接口，诸如ethernet、usb或ieee-1394。在一些实施例中，控制器60透过网络接口620与半导体制程设备100的一或多个组件耦合。
163.实施例可提供优点。通过以至少两个阶段将晶圆105固定于静电卡盘130上，晶圆105可在静电卡盘130上完全延伸，从而减少应力集中及污染。
164.根据至少一实施例，一种半导体制程方法包括：将晶圆定位于设备的静电卡盘上；及通过以下方式将晶圆固定至静电卡盘：通过在第一时间处施加第一电压将晶圆的第一晶圆区域固定至静电卡盘的第一卡盘区域。该方法进一步包括通过在不同于第一时间的第二时间处施加第二电压，将晶圆的第二晶圆区域固定至静电卡盘的第二卡盘区域；及在将晶圆固定至静电卡盘时通过该设备处理晶圆。根据一些实施例，固定晶圆进一步包含：通过在不同于该第一时间及该第二时间的一第三时间处施加一第三电压，将该晶圆的一第三晶圆区域固定至该静电卡盘的一第三卡盘区域；及通过在不同于该第一时间、该第二时间及该第三时间的一第四时间处施加一第四电压，将该晶圆的一第四晶圆区域固定至该静电卡盘的一第四卡盘区域。根据一些实施例，第二时间在第一时间之后。根据一些实施例，第二时间在第一卡盘区域的一第一卡盘电极部分充电的一时间段期间。根据一些实施例，第一电
压具有比第二电压更大的量值。根据一些实施例，该第一卡盘区域为一中心卡盘区域；该第二卡盘区域为一周边卡盘区域；且该固定该晶圆进一步包括：通过在该第一时间之后且在该第二时间之前的一第三时间处施加一第三电压，在该中心卡盘区域与该周边卡盘区域之间固定一中间晶圆区域。根据一些实施例，该施加该第一电压的步骤包括以下步骤：在该第一时间处以一第一位准施加该第一电压；及在该第三时间与该第二时间之间，以大于该第一位准的一第二位准施加该第一电压。
165.根据至少一实施例，一种半导体制程方法包含通过以第一顺序施加电压至静电卡盘的至少两个卡盘区域，将晶圆固定至设备的静电卡盘上；在晶圆固定于静电卡盘的同时处理晶圆；及通过以不同于第一顺序的第二顺序自至少两个卡盘区域移除电压，以自静电卡盘释放晶圆。根据一些实施例，该第一顺序包括一中心卡盘区域随后接着一周边卡盘区域。根据一些实施例，该第二顺序包括该中心卡盘区域大体与该周边卡盘区域同时。根据一些实施例，该第一顺序是基于该晶圆的翘曲而判定。根据一些实施例，在该第一顺序中施加的该些电压中的各者在不同时间处施加。根据一些实施例，在该第二顺序中移除的该些电压中的各者在不同时间处移除。
166.根据至少一实施例，一种半导体制程方法包括将晶圆定位于静电卡盘上的腔室中；施加第一电压至静电卡盘的中心卡盘电极；在与施加第一电压不同的时间处施加与第一电压具有相同极性的第二电压至静电卡盘的周边卡盘电极；当中心卡盘电极大体处于第一电压且周边卡盘电极大体处于第二电压时，在腔室中处理晶圆；在处理之后移除第一电压及第二电压；及在移除第一及第二电压之后自腔室移除晶圆。根据一些实施例，该中心卡盘电极为一第一条形电极，而该周边卡盘电极为自该中心卡盘电极侧向偏移的一第二条形电极。根据一些实施例，该中心卡盘电极偏移于该静电卡盘的面向晶圆表面的距离不同于该周边卡盘电极。根据一些实施例，方法进一步包含:通过施加一第三电压至该静电卡盘的至少一加热电极来加热该静电卡盘。根据一些实施例，该至少一加热电极通过不同于该中心卡盘电极及该周边卡盘电极的一距离偏移于该静电卡盘的一面向晶圆表面。根据一些实施例，此方法进一步包含:施加一第四电压至位于该静电卡盘的该中心卡盘电极与该周边卡盘电极之间的一中间卡盘电极。根据一些实施例，该处理包括蚀刻、沉积、布植、退火或清洗。
167.前述内容概述若干实施例的特征，使得熟悉此项技术者可更佳地理解本揭露的态样。熟悉此项技术者应了解，其可易于使用本揭露作为用于设计或修改用于实施本文中引入的实施例的相同目的及/或达成相同优势的其他制程及结构的基础。熟悉此项技术者亦应认识到，此类等效构造并不偏离本揭露的精神及范畴，且此类等效构造可在本文中进行各种改变、取代、及替代而不偏离本揭露的精神及范畴。