发光装置和包括其的电子设备的制作方法

发光装置和包括其的电子设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求在韩国知识产权局于2021年1月26日提交的韩国专利申请第10-2021-0010800号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置和包括其的电子设备。


背景技术：

4.发光装置为自发射装置，其可以具有宽视角、高对比度和/或短响应时间，并且可在亮度、驱动电压和/或响应速度方面显示卓越的或适合的特性。
5.在示例发光装置中，第一电极位于基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴通过空穴传输区(例如，在发射层内部产生的激子中对光发射没有贡献的非发光激子传输区)移动到发射层，并且从第二电极注入的电子穿过电子传输区到发射层。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。


技术实现要素：

6.本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置，其中省略了p掺杂(p-掺杂的)层以简化工艺并降低生产成本，同时与现有技术的发光装置相比，获得了相同水平的驱动电压、效率和寿命，不会发生由于泄漏电流引起的颜色混合，并且提高了颜色纯度和颜色准确度。
7.根据本公开的实施方式，调整构成阳极的各层中的上层的功函，使得在没有(例如，在缺少)空穴注入层的情况下，可以获得顺利的空穴注入特性。
8.另外的方面将在随后的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
9.本公开的一个或多个实施方式提供了发光装置，其包括第一电极，
10.面向第一电极的第二电极，以及
11.夹层，其包括在第一电极和第二电极之间的发射层，在第一电极和发射层之间的空穴传输层，以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，其中：
12.第一电极和空穴传输层直接接触，
13.第一电极具有多层结构，其中第一层至第m层(m为3或更大的整数)依次堆叠，并且第m层可包括第一无机材料(例如，由其组成)，第一无机材料包括：选自geo2、moo3和wo
x
(2.1≦x≦2.99)中的单一材料，选自in2o3、geo2、sno2、moo3和wo
x
中的两种或更多种的任意组合的混合材料，或其任意组合，
14.第一无机材料的功函的绝对值大于或等于空穴传输层的homo能级的绝对值，并且
15.空穴传输层可不包括(例如，可排除)p-掺杂剂。
16.这里，第m层为依次布置的第一层至第m层中最靠近第二电极的层。
17.在实施方式中，第一层可包括第一无机材料(例如，由其组成)。
18.在实施方式中，第一层至第m层中不包括第一无机材料(例如，不由其组成)的层(例如，一个或多个层)可包括ito、银(ag)或其任意组合。
19.在实施方式中，i)m为3，第三层可包括第一无机材料(例如，由其组成)，第一层可包括ito，并且第二层可包括ag，
20.ii)m为3，第一层和第三层可各自包括第一无机材料(例如，由其组成)，并且第二层可包括ag，或
21.iii)m为4，第四层可包括第一无机材料(例如，由其组成)，第一层和第三层可各自包括ito，并且第二层可包括ag。在实施方式中，第一无机材料的功函的绝对值可为约5.15ev或更大。
22.在实施方式中，第一无机材料可包括：wo
x
，包括in2o3、geo2和sno2的混合材料，其中in2o3以5wt％或更低的浓度掺杂到选自sno2、moo3和wo
x
中的至少一种中的混合材料，或这些的任意组合。
23.例如，wo
x
的功函可为约-6.6ev至约-4.6ev。
24.在实施方式中，第m层和空穴传输层可进行或形成欧姆接触(例如，可处于欧姆接触或直接接触)。
25.在实施方式中，空穴传输层的最高占据分子轨道(homo)能级的绝对值可为约5.15ev或更小。
26.在实施方式中，空穴传输层可包括金属氧化物。
27.例如，金属氧化物可为wo3、moo3、zno、cu2o、cuo、coo、ga2o3、geo2或其任意组合，并且金属氧化物可不同于第一无机材料(例如，可具有不同于第一无机材料的组成的组成)。
28.在实施方式中，电子阻挡层可进一步位于(例如，包括在)空穴传输层和发射层之间。
29.在实施方式中，电子阻挡层的homo能级的绝对值可等于或大于发射层的homo能级的绝对值，并且可等于或小于空穴传输层的homo能级的绝对值。
30.在实施方式中，电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
31.例如，电子传输区可包括依次布置在发射层和第二电极之间的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
32.例如，空穴阻挡层的homo能级的绝对值可等于或小于发射层的homo能级的绝对值，并且可等于或小于电子传输层的homo能级的绝对值。
33.在实施方式中，发射层可包括主体和掺杂剂，并且掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合，
34.发射层可包括量子点，或
35.发射层可包括延迟荧光材料，并且延迟荧光材料可用作发射层中的主体或掺杂剂。
36.在实施方式中，第一电极可为阳极，并且第二电极可为阴极。
37.在实施方式中，发光装置可进一步包括位于第一电极外侧的第一封盖层和位于第
二电极外侧的第二封盖层中的至少一种，并且
38.第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有在约589nm的波长下的约1.6或更大的折射率的材料。
39.在实施方式中，夹层可包括依次堆叠在第一电极和第二电极之间的两个或更多个发光单元，以及位于两个或更多个发光单元中的任意相邻的两个发光单元之间的一个或多个电荷生成层。
40.本公开的一个或多个实施方式提供了包括发光装置的电子设备。
41.在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，
42.薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且
43.发光装置的第一电极可电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。
44.在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
附图说明
45.本公开的某些实施方式的上面的以及其他的方面、特征和优势将从参照所附附图的以下描述中更显而易见，其中：
46.图1显示根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；并且
47.图2和图3各自为显示根据实施方式的发光设备的横截面图。
具体实施方式
48.现将更详细地参考其选定的实施例示出在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且说明书中可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，下面仅通过参照附图来描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。在整个本公开中，表达“a、b和c中的至少一个”可指示仅a，仅b，仅c，a和b二者(例如，同时)，a和c二者，b和c二者，所有的a、b和c，或其变体。
49.将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件和另一个组件。
50.以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达，除非在上下文中具有明显不同的含义。
51.将进一步理解，本文使用的术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”指定叙述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
52.进一步，当描述本公开的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。
53.在以下实施方式中，当各种组件(比如层、膜、区、板等)被称为“在”另一个组件(比如层、膜、区、板等)“上”时，这不仅可以包括其它组件(比如层、膜、区、板等)“直接在”层、膜、区或板上的情况，还可以包括其它组件(比如层、膜、区、板等)可以放置在它们之间的情况。当一个组件被称为“直接在”另一个组件“上”时，不存在居间组件。为了便于解释，可放
大附图中元件的尺寸。换句话说，因为附图中组件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意示出，所以以下实施方式不限于此。
54.在本公开中，将描述材料的homo能级和功函，但是本公开的实施方式不限于此。
55.材料的homo能级可使用循环伏安法来测量，本文使用了可获自wonatech inc.的zive sp2循环伏安法设备(例如，恒电位器)。样品溶液在电解质溶液中制备并使用如下，二茂铁用作参考材料，并且(bu)4npf6用作电解质：
56.待测化合物的样品溶液：5
×
10-3
m二氯甲烷溶液；
57.二茂铁样品溶液：5
×
10-3
m二氯甲烷溶液；以及
58.(bu)4npf6电解质溶液：0.1m乙腈溶液。
59.获得待测化合物和参考材料的e
we-i关系图(例如，伏安图)，并且在图中电流快速增加的点绘制切线，并且记录切线与x轴相交的点的电压。二茂铁的homo能级设定为-4.8ev，并计算待测化合物的homo能级。
60.材料的功函评估如下：将材料旋涂在ito基板上以形成50nm薄膜，随后在空气中的热板上在200℃的温度下热处理5分钟。用于评估的装备是用于紫外光电子能谱学(ups)的装备。
61.图1的描述
62.图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。
63.下文，将参照图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
64.参见图1，根据实施方式的发光装置10包括：第一电极110；面向第一电极110的第二电极150；和夹层130，其位于第一电极110和第二电极150之间，并且包括发射层132、位于第一电极110和发射层132之间的空穴传输层131以及位于发射层132和第二电极150之间的电子传输区133，其中第一电极110和空穴传输层131直接接触，第一电极110具有多层结构，其中第一层110-1至第m层110-m(m为3或更大的整数)依次堆叠，第m层110-m可包括第一无机材料(例如，由其组成)，第一无机材料包括：选自geo2、moo3和wo
x
(2.1x 2.99)中的单一材料；选自in2o3、geo2、sno2、moo3和wo
x
中的两种或更多种的任意组合的混合材料；或其任意组合，其中第一无机材料的功函的绝对值大于或等于空穴传输层131的homo能级的绝对值，并且空穴传输层131可不包括p-掺杂剂。
65.在现有技术中，主要用作阳极的ito的功函不高(例如，约4.8ev)，因此在阳极和空穴传输层之间引入了p-掺杂的空穴注入层。然而，由于空穴注入层的引入，在横向上发生泄漏电流。
66.在发光装置10中，在第一电极110和空穴传输层131之间不包括(例如，由于排除)单独的层(例如，p-掺杂的空穴注入层等)，第一电极110和空穴传输层131直接接触。通过使用这种结构，可以防止或减少由于p-掺杂剂等引起的在横向上泄漏电流的发生。此外，可以防止或减少由漏电流引起的混色现象。
67.当p-掺杂的空穴注入层包括在发光装置中时，空穴注入特性会根据空穴注入层的温度而变化，从而在高温下操作寿命短。相反，因为p-掺杂的空穴注入层被排除在发光装置10之外，所以可以保持或改善高温下的操作寿命。
68.当第一电极110的上层，例如，第m层110-m，包括第一无机材料(例如，由其组成)，
第一无机材料包括：选自geo2、moo3和wo
x
中的单一材料；包括选自in2o3、geo2、sno2、moo3和wo
x
中的两种或更多种的任意组合的混合材料；或其任意组合，并且第一无机材料的功函的绝对值和空穴传输层131的homo能级的绝对值满足上述关系时，可以在没有能障的情况下获得顺利的空穴注入，并且可以改善驱动电压特性。
69.在实施方式中，第一层110-1可包括第一无机材料(例如，由其组成)。
70.在实施方式中，i)m可为3，第三层可包括第一无机材料(例如，由其组成)，第一层可包括ito，并且第二层可包括ag，ii)m可为3，第一层和第三层可各自包括第一无机材料(例如，由其组成)，并且第二层可包括ag，或iii)m可为4，第四层可包括第一无机材料(例如，由其组成)，第一层和第三层可各自包括ito，并且第二层可包括ag。
71.在实施方式中，第一无机材料的功函的绝对值可为约5.15ev或更大。在实施方式中，第一无机材料的功函的绝对值可为约5.20ev或更大。在实施方式中，第一无机材料的功函的绝对值可为约5.30ev或更大。
72.如上所述，因为包括在第m层110-m(其为第一电极110的上层)中的第一无机材料满足上述的功函范围，所以即使在使用具有深homo能级的空穴传输层131时，也可实现顺利的空穴注入，并且由于空穴传输层的深homo能级，可改善发光装置10的寿命特性。
73.在实施方式中，第一无机材料可包括wo
x
；包括in2o3、geo2和sno2的混合材料；其中in2o3以5wt％或更低的浓度掺杂到选自sno2、moo3和wo
x
中的至少一种中的混合材料；或这些的任意组合。
74.在实施方式中，第m层110-m和空穴传输层131可进行欧姆接触。
75.在实施方式中，空穴传输层131的最高占据分子轨道(homo)能级的绝对值可为约5.15ev或更小。例如，空穴传输层131的homo能级的绝对值可为约5.10ev至约5.15ev。
76.在实施方式中，空穴传输层131可包括金属氧化物。
77.例如，金属氧化物可为wo3、moo3、zno、cu2o、cuo、coo、ga2o3、geo2或其任意组合，并且金属氧化物可不同于第一无机材料(例如，具有不同于第一无机材料的组成的组成)。
78.在实施方式中，电子阻挡层可进一步位于空穴传输层131和发射层132之间。
79.例如，电子阻挡层的homo能级的绝对值可等于或大于发射层132的homo能级的绝对值，并且可等于或小于空穴传输层131的homo能级的绝对值。
80.在实施方式中，电子传输区133可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
81.例如，电子传输区133可包括依次布置在发射层132和第二电极150之间的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
82.例如，空穴阻挡层的homo能级的绝对值可等于或小于发射层132的homo能级的绝对值，并且可等于或小于电子传输层的homo能级的绝对值。
83.在实施方式中，发射层132可包括主体和掺杂剂，并且掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合，
84.发射层132可包括量子点，或
85.发射层132可包括延迟荧光材料，并且延迟荧光材料可用作发射层132中的主体或掺杂剂。
86.在实施方式中，第一电极110可为阳极并且第二电极150可为阴极。
87.如上所述，因为发光装置10不包括空穴注入层，所以可以简化结构和工艺(例如，制造的工艺)，并且由于简化，可以降低工艺成本。
88.如本文使用的术语“夹层”可指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有的多个层。
89.另一方面提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。在一个或多个实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，其包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可电连接到源电极或漏电极。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。电子设备可与本说明书中描述的相同。
90.图1的描述
91.图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
92.下文，将参照图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
93.第一电极110
94.在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为基板，可使用玻璃基板和/或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的或适合的耐热性和耐久性的塑料(比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(par)、聚醚酰亚胺或其任意组合)。
95.第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。
96.第一电极110可与上述的相同。
97.夹层130
98.夹层130可位于第一电极110上。夹层130可包括发射层132。
99.夹层130可进一步包括位于第一电极110和发射层132之间的空穴传输区和位于发射层132和第二电极150之间的电子传输区133。
100.除一种或多种适合的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。
101.在一个或多个实施方式中，夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发光单元，和ii)位于两个或更多个发光单元中的任意相邻的两个发光单元之间的一个或多个电荷生成层。当夹层130如上所述包括发光单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。
102.夹层130中的空穴传输区
103.空穴传输区可具有：i)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由其组成)，ii)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由其组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。
104.空穴传输区可包括空穴传输层(htl)131、发射辅助层、电子阻挡层(ebl)或其任意组合。
105.在实施方式中，空穴传输区可具有以该叙述的顺序依次堆叠在第一电极110上的
空穴传输层131/发射辅助层/电子阻挡层，空穴传输层131/发射辅助层，或空穴传输层131/电子阻挡层的多层结构。
106.空穴传输区可包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物，或其任意组合：
107.式201
[0108][0109]
式202
[0110][0111]
其中，在式201和式202中，
[0112]
l
201
至l
204
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0113]
l
205
可为*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*'、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
亚烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
20
亚烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0114]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
[0115]
xa5可为选自1至10的整数，
[0116]r201
至r
204
和q
201
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0117]r201
和r
202
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物ht16)，
[0118]r203
和r
204
可任选地经由单键、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c5亚烷基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
8-c
60
多环基团，并且
[0119]
na1可为选自1至4的整数。
[0120]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个(例如，作为基团r
201
至r
204
中的一个)：
[0121][0122]
式cy201至式cy217中的r
10b
和r
10c
可各自独立地与参照r
10a
描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，并且式cy201至式cy217中的至少一个氢可未被取代或被r
10a
取代。
[0123]
在一个或多个实施方式中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
[0124]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。
[0125]
在一个或多个实施方式中，式201可包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个和由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0126]
在一个或多个实施方式中，式201中的xa1为1，r
201
可为由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且r
202
可为由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。
[0127]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团。
[0128]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，并且可包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0129]
在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式cy201至式cy217中的一个表示的基团。
[0130]
在实施方式中，空穴传输区可包括化合物ht1至ht46中的一种，m-mtdata，tdata，2-tnata，npb(npd)，β-npb，tpd，螺-tpd，螺-npb，甲基化的npb，tapc，hmtpd，4,4’,4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)，聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)，聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)，聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)，或其任意组合：
[0131]
[0132]
[0133]
[0134]
[0135][0136]
空穴传输区的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区包括空穴传输层131时，空穴传输层131的厚度可为约至约例如，约至约当空穴传输区和空穴传输层131的厚度在上述范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特性。
[0137]
发射辅助层可通过补偿由发射层132发射的光的波长的光学共振距离来提高发光装置10的光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少电子从发射层132到空穴传输区的泄漏。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[0138]
夹层130中的发射层132
[0139]
当发光装置10为全色发光装置时，发射层132可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层132可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层可彼此接触或可彼此分离。在一个或多个实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。
[0140]
发射层132可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
[0141]
基于100重量份的主体，发射层132中掺杂剂的量可为约0.01至约15重量份。
[0142]
在一个或多个实施方式中，发射层132可包括量子点。
[0143]
在一些实施方式中，发射层132可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可用作发射层132中的主体或掺杂剂。
[0144]
发射层132的厚度可在约至约例如，约至约的范围
内。当发射层132的厚度在这些范围内时，在驱动电压没有显著增加的情况下可获得卓越的或适合的发光特性。
[0145]
主体
[0146]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301表示的化合物：
[0147]
式301
[0148]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
。
[0149]
在式301中，
[0150]
ar
301
和l
301
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0151]
xb11可为1、2或3，
[0152]
xb1可为选自0至5的整数，
[0153]r301
可为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
烯基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
2-c
60
炔基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0154]
xb21可为选自1至5的整数，并且
[0155]q301
至q
303
可各自独立地与参照q
11
描述的相同。
[0156]
例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个ar
301
可经由单键彼此连接。
[0157]
在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物，由式301-2表示的化合物，或其任意组合：
[0158]
式301-1
[0159][0160]
式301-2
[0161][0162]
在式301-1和式301-2中，
[0163]
环a
301
至环a
304
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或
者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0164]
x
301
可为o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0165]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0166]
l
301
、xb1和r
301
可各自独立地与在本说明书中描述的相同，
[0167]
l
302
至l
304
可各自独立地与参照l
301
描述的相同，
[0168]
xb2至xb4可各自独立地与参照xb1描述的相同，并且
[0169]r302
至r
305
和r
311
至r
314
可各自独立地与参照r
301
描述的相同。
[0170]
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其组合。在一个或多个实施方式中，主体可包括be复合物(例如，化合物h55)、mg复合物、zn复合物或其任意组合。
[0171]
在实施方式中，主体可包括化合物h1至h124中的一种，9,10-二(2-萘基)蒽(adn)，2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)，9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)，4,4
’‑
双(n-咔唑基)-1,1
’‑
联苯(cbp)，1,3-二(9-咔唑基)苯(mcp)，1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)，或其任意组合：
[0172]
[0173]
[0174]
[0175]
[0176]
[0177]
[0178][0179]
磷光掺杂剂
[0180]
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
[0181]
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
[0182]
磷光掺杂剂可为电中性的。
[0183]
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[0184]
式401
[0185]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
，
[0186]
其中，在式401和式402中，
[0187]
m可为过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0188]
l
401
可为由式402表示的配体，且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0189]
l
402
可为有机配体，且xc2可为0、1、2、3或4，并且当xc2为2或更大时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0190]
式402
[0191][0192]
在式402中，x
401
和x
402
可各自独立地为氮或碳，
[0193]
环a
401
和环a
402
可各自独立地为c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0194]
t
401
可为单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'，或*＝c＝*'，
[0195]
x
403
和x
404
可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0196]q411
至q
414
可各自独立地与参照q
11
描述的相同，
[0197]r401
和r
402
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0198]q401
至q
403
可各自独立地与参照q
11
描述的相同，
[0199]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，
[0200]
式402中的*和*'各自指示与式401中的m的结合位点。
[0201]
例如，在式402中，i)x
401
为氮，且x
402
为碳，或ii)x
401
和x
402
中的每一个为氮。
[0202]
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可任选地经由t
402
(其为连接基团)彼此连接，并且两个环a
402
可任选地经由t
403
(其为连接基团)彼此连接(见例如，化合物pd1至pd4和pd7)。t
402
和t
403
可各自独立地与参照t
401
描述的相同。
[0203]
式401中的l
402
可为有机配体。例如，l
402
可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-c(＝o)、异腈基、-cn基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)c60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0214]
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
[0215]
xd4可为1、2、3、4、5或6。
[0216]
在一个或多个实施方式中，式501中的ar
501
可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
[0217]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。
[0218]
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物fd1至fd36中的一种；dpvbi；dpavbi；或其任意组合：
[0219]
[0220]
[0221][0222]
延迟荧光材料
[0223]
发射层132可包括延迟荧光材料。
[0224]
在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
[0225]
包括在发射层132中的延迟荧光材料可用作主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层132中的其他材料的类型或种类。
[0226]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可大于或等于0ev且小于或等于0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)和延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时，可有效发生延迟荧光材料的从三重态到单重态的上转换，因此，可提高发光装置10的发射效率。
[0227]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可为或包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的c
3-c
60
环状基团，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共享硼(b)原子的同时稠合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0228]
在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料可包括以下化合物df1至df9中的至少一
种：
[0229][0230]
量子点
[0231]
在一个或多个实施方式中，发射层132可包括量子点。
[0232]
在本说明书中，术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够发射对应于晶体的尺寸的一个或多个适合的发射波长的光的任意材料。
[0233]
量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。
[0234]
量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似它们的任意适合的工艺来合成。
[0235]
在示例湿化学工艺中，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。随着晶体的生长，有机溶剂自然起到与量子点晶体的表面配位的分散剂的作用，从而控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以根据比气相沉积方法(比如金属有机化学气相沉积(mocvd)或分子束外延(mbe))更容易进行且具有更低的成本的工艺来控制或选择。
[0236]
量子点可包括第ii-vi族半导体化合物、第iii-v族半导体化合物、第iii-vi族半导体化合物、第i-iii-vi族半导体化合物、第iv-vi族半导体化合物、第iv族元素或化合物；或其任意组合。
[0237]
第ii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse和/或mgs)；三元化合物(比如cdses、cdsete、cdste、znses、
znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse和/或mgzns)；四元化合物(比如cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete和/或hgznste)；或其任意组合。
[0238]
第iii-v族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas和/或insb等)；三元化合物(比如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas和/或inpsb等)；四元化合物(比如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas和/或inalpsb等)；或其任意组合。在一些实施方式中，第iii-v族半导体化合物可进一步包括第ii族元素。进一步包括第ii族元素的第iii-v族半导体化合物的实例可包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0239]
第iii-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3和/或inte)；三元化合物(比如ingas3和/或ingase3)；及其任意组合。
[0240]
第i-iii-vi族半导体化合物的实例可包括三元化合物(比如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2和/或agalo2)。
[0241]
第iv-vi族半导体化合物的实例可包括二元化合物(比如sns、snse、snte、pbs、pbse和/或pbte等)；三元化合物(比如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse和/或snpbte等)；四元化合物(比如snpbsse、snpbsete和/或snpbste等)；或其任意组合。
[0242]
第iv族元素或化合物可包括单元素材料(比如si和/或ge)；二元化合物(比如sic和/或sige)；或其任意组合。
[0243]
包括在多元化合物(比如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的每种元素可以基本上均匀的浓度(例如，分布)或以非均匀浓度存在(例如，包括)于颗粒中。
[0244]
量子点可具有单一结构或核壳双重结构。在量子点具有单一结构的情况下，包括在相应的量子点中的每种元素的浓度(例如，分布)可以基本均匀。在一个或多个实施方式中，核中含有的材料和壳中含有的材料可彼此不同(例如，元素的浓度或分布可在核与壳之间变化)。
[0245]
量子点的壳可用作保护层以防止或减少核的化学变性，从而保持半导体特性，和/或用作充电层以赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核与壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向核的中心减小的浓度梯度。
[0246]
量子点的壳的实例可包括金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物，及其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的实例为二元化合物，比如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，比如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；及其任意组合。半导体化合物的实例可包括，如本文描述的，第ii-vi族半导体化合物；第iii-v族半导体化合物；第iii-vi族半导体化合物；第i-iii-vi族半导体化合物；第iv-vi族半导体化合物；及其任意组合。在一些实施方式中，半导体化合物可包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或其任意组合。
[0247]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，颜色纯度和/或色域可增加。因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。
[0248]
在一些实施方式中，量子点可为或包括球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管颗粒、纳米线颗粒、纳米纤维颗粒或纳米板颗粒。
[0249]
因为能带隙可通过控制量子点的尺寸来调整或选择，所以具有一个或多个适合的波长带(例如，发射波长)的光可获自量子点发射层。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射各种适合的波长的光的发光装置。在一个或多个实施方式中，可以选择量子点的尺寸来发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，量子点的尺寸可配置为通过组合各种适合的颜色的光来发射白光。
[0250]
夹层130中的电子传输区133
[0251]
电子传输区133可具有：i)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由其组成)，ii)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由其组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。
[0252]
电子传输区133可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
[0253]
在实施方式中，电子传输区133可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层132依次堆叠。
[0254]
在实施方式中，电子传输区133(例如，电子传输区133中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，其包括至少一个缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0255]
在实施方式中，电子传输区133可包括由式601表示的化合物：
[0256]
式601
[0257]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0258]
其中，在式601中，
[0259]
ar
601
和l
601
可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基，
[0260]
xe11可为1、2或3，
[0261]
xe1可为0、1、2、3、4或5，
[0262]r601
可为未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0263]q601
至q
603
可各自独立地与参照q
11
描述的相同，
[0264]
xe21可为1、2、3、4或5，
[0265]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个r
10a
取代的缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团。
[0266]
例如，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个ar
601
可经由单键连接。
[0267]
在一个或多个实施方式中，式601中的ar
601
可为取代的或未取代的蒽基。
[0268]
在实施方式中，电子传输区133可包括由式601-1表示的化合物：
[0269]
式601-1
[0270][0271]
在式601-1中，
[0272]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0273]
l
611
至l
613
可各自独立地与参照l
601
描述的相同，
[0274]
xe611至xe613可各自独立地与参照xe1描述的相同，
[0275]r611
至r
613
可各自独立地与参照r
601
描述的相同，
[0276]r614
至r
616
可各自独立地为氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
3-c
60
碳环基或者未取代的或被至少一个r
10a
取代的c
1-c
60
杂环基。
[0277]
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0278]
电子传输区133可包括化合物et1至et45中的一种，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)，alq3，balq，taz，ntaz，或其任意组合：
[0279]
[0280]
[0281]
[0282][0283]
电子传输区133的厚度可为约至约例如，约至约当电子传输区133包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层和/或电子控制层的厚度可各自独立地为约至约例如，约至约并且电子传输层的厚度可为约至约例如，约至约当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的电子传输特性。
[0284]
除了上述材料之外，电子传输区133(例如，电子传输区133中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
[0285]
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碱金属复合物的金属离子可为锂(li)离子、钠(na)离子、钾(k)离子、铷(rb)离子或铯(cs)离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为铍(be)离子、镁(mg)离子、钙(ca)离子、锶(sr)离子或钡(ba)离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0286]
例如，含金属材料可包括li复合物。li复合物可包括，例如，化合物et-d1(liq)或et-d2：
[0287][0288]
电子传输区133可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。
[0289]
电子注入层可具有：i)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由其组成)，ii)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由其组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。
[0290]
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。
[0291]
碱金属可包括li、na、k、rb、cs或其任意组合。碱土金属可包括mg、ca、sr、ba或其任意组合。稀土金属可包括sc、y、ce、tb、yb、gd或其任意组合。
[0292]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可各自独立地为或包括碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物。
[0293]
含碱金属化合物可包括碱金属氧化物(比如li2o、cs2o和/或k2o)、碱金属卤化物(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi和/或ki)或其任意组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物(比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)和/或ba
x
ca
1-x
o(x为满足0《x《1的条件的实数)等)。含稀土金属化合物可包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或其任意组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和/或lu2te3。
[0294]
碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可分别包括i)碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
[0295]
电子注入层可包括(例如，由以下组成)：如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0296]
在一个或多个实施方式中，电子注入层可包括(例如，由以下组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可为ki:yb共沉积层和/或rbi:yb共沉积层等。
[0297]
当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合可均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。
[0298]
电子注入层的厚度可在约至约和，例如，约至约的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，电子注入层可在驱动电压没有显著增加的情况下具有令人满意的电子注入特性。
[0299]
第二电极150
[0300]
第二电极150可位于具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合。
[0301]
在一个或多个实施方式中，第二电极150可包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或其任意组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0302]
第二电极150可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[0303]
封盖层
[0304]
第一封盖层(未显示)可位于第一电极110的外侧(例如，外部)，和/或第二封盖层(未显示)可位于第二电极150的外侧(例如，外部)。详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。
[0305]
发光装置10的夹层130的发射层132中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层向外提取，或发光装置10的夹层130的发射层132中生成的光可通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层向外提取。
[0306]
根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可提高装置的外部发射效率。因此，提高发光装置10的光提取效率，从而可提高发光装置10的发射效率。
[0307]
第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括折射率(在约589nm)为约1.6或更大的材料。
[0308]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
[0309]
选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被含有氧(o)、氮(n)、硫(s)、硒(se)、硅(si)、氟(f)、氯(cl)、溴(br)、碘(i)或其任意组合的取代基取代。在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
[0310]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物，或其任意组合。
[0311]
在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物ht28至ht33中的一种，化合物cp1至cp6中的一种，β-npb，或其任意组合：
[0312][0313]
电子设备
[0314]
发光装置可包括在各种适合的电子设备中。在一个或多个实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。
[0315]
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在一个或多个实施方式中，由发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可与如上所述的相同。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可，例如，与本文描述的相同。
[0316]
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
[0317]
像素限定层可位于多个子像素区域中以限定每个子像素区域。
[0318]
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
[0319]
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在一个或多个实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一个或多个实施方式中，滤色器区域
(或颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体(例如，散射材料或散射剂)。
[0320]
在一个或多个实施方式中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一-颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一-颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一-颜色光。就此而言，第一第一-颜色光、第二第一-颜色光和第三第一-颜色光可具有不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一第一-颜色光可为红光，第二第一-颜色光可为绿光，并且第三第一-颜色光可为蓝光。
[0321]
除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
[0322]
薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
[0323]
有源层可包括结晶硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。
[0324]
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可置于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光被提取到外侧，同时(或同步)防止或减少环境空气和/或湿气渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0325]
根据电子设备的预期用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适合的功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。
[0326]
除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
[0327]
电子设备可应用于各种适合的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和/或投影仪等。
[0328]
图2和图3的描述
[0329]
图2为显示根据本公开的实施方式的发光设备的横截面图。
[0330]
图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(tft)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。
[0331]
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止或减少杂质通过基板100渗透并且可在基板100上提供平坦的表面。
[0332]
tft可位于缓冲层210上。tft可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
[0333]
有源层220可包括无机半导体(比如硅和/或多晶硅)，有机半导体，和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
[0334]
用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电
极240可位于栅绝缘膜230上。
[0335]
夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可置于栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，和/或置于栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。
[0336]
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
[0337]
tft电连接到发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。
[0338]
第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
[0339]
含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成于第一电极110的暴露区。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方式中，夹层130的至少一些层可延伸超出像素限定层290的上部，以公共层的形式定位。
[0340]
第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。
[0341]
封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(age)等)或其任意组合，例如，无机膜和有机膜的组合。
[0342]
图3示出了显示根据本公开的实施方式的发光设备的横截面图。
[0343]
图3的发光设备与图2的发光设备基本相同，不同在于遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图3的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。
[0344]
制造方法
[0345]
包括在空穴传输区中的各个层、发射层132和包括在电子传输区133中的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一个或多个适合的方法形成于设定或预定的区中。
[0346]
当构成空穴传输区的层、发射层132和构成电子传输区133的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约至约的沉积速度下进行，这取决于要包括在要形成的层中的材料和要形成的层的结构。
[0347]
术语的定义
[0348]
如本文使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳作为成环原子组成且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有1至60个碳原子且进一步具有除碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，c
1-c
60
杂环基具有3至61个成环原子。
[0349]
如本文使用的术语“环状基团”可包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0350]
如本文使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基。
[0351]
例如，
[0352]c3-c
60
碳环基可为i)基团t1(下面定义的)或ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
[0353]c1-c
60
杂环基可为i)基团t2(下面定义的)，ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0354]
富π电子的c
3-c
60
环状基团可为i)基团t1，ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠环基团，iii)基团t3(下面定义的)，iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠环基团(例如，c
3-c
60
碳环基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
[0355]
缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团可为i)基团t4(下面定义的)，ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠
环基团，iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，
[0356]
其中基团t1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
[0357]
基团t2可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
[0358]
基团t3可为呋喃基、噻吩基、1h-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
[0359]
基团t4可为2h-吡咯基、3h-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
[0360]
如本文使用的术语“环状基团”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环状基团”和/或“缺π电子的含氮c
1-c
60
环状基团”指与任意环状基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团，这取决于参照其使用术语的式的结构。在一个或多个实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，其可根据上下文和包括“苯基”的式的结构容易被本领域普通技术人员理解。
[0361]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的实例可包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的实例为c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和/或二价非芳族稠合杂多环基团。
[0362]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，且其实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有基本上与c
1-c
60
烷基相同的结构的二价基团。
[0363]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，且其实例可包括乙烯基、丙烯基和/或丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有基本上与c
2-c
60
烯基相同的结构的二价基团。
[0364]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，且其实例可包括乙炔基和/或丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有基本上与c
2-c
60
炔基相同的结构的二价基团。
[0365]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)，且其实例可包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基。
[0366]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，且其实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和/或二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有基本上与c
3-c
10
环烷基相同的结构的二价基团。
[0367]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除1至10个碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的单价环状基团，且其实例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有基本上与c
1-c
10
杂环烷基相同的结构的二价基团。
[0368]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指具有3至10个碳原子、其环中的至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团(例如，该基团为非芳族的)，且其实例可包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有基本上与c
3-c
10
环烯基相同的结构的二价基团。
[0369]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指除了1至10个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子和在其环状结构中的至少一个双键的单价环状基团。c
1-c
10
杂环烯基的实例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有基本上与c
1-c
10
杂环烯基相同的结构的二价基团。
[0370]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。c
6-c
60
芳基的实例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和/或卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0371]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，除了碳原子之外其还具有至少一个杂原子作为成环原子，以及1至60个碳原子。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，除了碳原子之外其还具有至少一个杂原子作为成环原子，以及1至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的实例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。
[0372]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性(例如，无芳族共轭系统延伸穿过整个结构，尽管该基团的部分可含有共轭系统)的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的实例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和
茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有基本上与单价非芳族稠合多环基团相同结构的二价基团。
[0373]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，至少一个除碳原子之外的杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，无芳族共轭系统延伸穿过整个结构，尽管该基团的部分可含有共轭系统)的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的实例可包括吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有基本上与单价非芳族稠合杂多环基团相同结构的二价基团。
[0374]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”指示-oa
102
(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且如本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”指示-sa
103
(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0375]
如本文使用的术语“c
7-c
60
芳基烷基”指-a
104a105
(其中a
104
可为c
1-c
54
亚烷基，且a
105
可为c
6-c
59
芳基)，并且如本文使用的术语“c
2-c
60
杂芳基烷基”指-a
106a107
(其中a
106
可为c
1-c
59
亚烷基，且a
107
可为c
1-c
59
杂芳基)。
[0376]
如本文使用的术语“r
10a”指：
[0377]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0378]
各自未被取代或被以下取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或其任意组合，
[0379]
各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基或c
2-c
60
杂芳基烷基：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
7-c
60
芳基烷基、c
2-c
60
杂芳基烷基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或其任意组合；或
[0380]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0381]
如本文使用的q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地为：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；各自未被取代或被以下取代的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合；c
7-c
60
芳基烷基；或c
2-c
60
杂芳基烷基。
[0382]
如本文使用的术语“杂原子”指除碳原子和氢原子之外的任意原子。杂原子的实例可包括o、s、n、p、si、b、ge、se及其任意组合。
[0383]
如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(hf)、钽(ta)、钨(w)、铼(re)、锇(os)、铱(ir)、铂(pt)、金(au)等。
[0384]
如本文使用的术语“ph”指苯基，如本文使用的术语“me”指甲基，如本文使用的术语“et”指乙基，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，并且如本文使用的术语“ome”指甲氧基。
[0385]
如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0386]
如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0387]
除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
[0388]
下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方式的发光装置。
[0389]
实施例
[0390]
实施例1
[0391]
将in2o3和sno2以95:5的重量比真空沉积在玻璃基板(ito和ag按顺序堆叠在其上)上以形成厚度为的阳极，并将ht3真空沉积在阳极上以形成厚度为的空穴传输层。
[0392][0393]
将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积在空穴传输层上以形成厚度为的发射层。
[0394]
将et1沉积在发射层上以形成厚度为的电子传输层，然后将yb沉积在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层，并且将ag和mg以10:1的重量比共沉积在电子注入层上以形成厚度为的阴极，从而完成发光装置的制造。
[0395]
阳极的功函(95:5的in2o3和sno2重量比)：-5.20ev
[0396]ehomo_htl
：-5.15ev
[0397]
对比例1
[0398]
作为基板和阳极，将由康宁公司制造的其上有15ωcm2ito的玻璃基板切成50mm
×
50mm
×
0.7mm的尺寸，并且通过使用异丙醇和纯水各自超声玻璃基板5分钟，然后向其照射紫外(uv)光30分钟，且其暴露于臭氧以进行清洁。然后，将所得玻璃基板装载到真空沉积设备上。
[0399]
将ht3和hat-cn以9:1的重量比沉积在形成在玻璃基板上的ito阳极上，以形成厚度为的空穴注入层。
[0400]
将ht3真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为的空穴传输层。
[0401]
将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积在空穴传输层上以形成厚度为的发射层。
[0402]
将et1沉积在发射层上以形成厚度为的电子传输层，然后将yb沉积在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层，并将ag和mg以10:1的重量比共沉积在电子注入层上以形成厚度为的阴极，从而完成发光装置的制造。
[0403]
对比例2
[0404]
发光装置以与实施例1基本上相同的方式制备，不同在于将in2o3和sno2以90:10的重量比真空沉积以形成厚度为的阳极。
[0405]
阳极的功函(90:10的in2o3和sno2的重量比)：-5.00ev
[0406]ehomo_htl
：-5.15ev
[0407]
对比例3
[0408]
发光装置以与实施例1基本上相同的方式制备，不同在于将gzo(zno和ga的重量比为95:5)以90:10的重量比真空沉积以形成厚度为的阳极。
[0409]
阳极的功函(gzo)：-4.5ev
[0410]ehomo_htl
：-5.15ev
[0411]
对比例4
[0412]
发光装置以与实施例1基本上相同的方式制备，不同在于将ht3和hat-cn以9:1的重量比沉积在阳极上以形成厚度为的空穴注入层，并且将ht3真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为的空穴传输层。
[0413]
评估例1
[0414]
根据实施例1和对比例1至4制造的发光装置的驱动电压、效率和寿命使用彩色亮度计、keithley数字源表装置和电流固定的室温寿命装置来测量。其结果示于表1中。
[0415]
表1
[0416][0417]
参见表1，证实，实施例1的发光装置比对比例1至4的发光装置(其中三个特性中的至少一个相对退化)具有低的驱动电压，高的发光效率和长的寿命(同时)。
[0418]
评估例2
[0419]
根据实施例1和对比例4制造的发光装置中的每一个的电导率通过使用传输线矩阵法(tlm)来测量。其结果示于表2中。
[0420]
表2
[0421]
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
电导率
[0422]
实施例1
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
1.0e-04(s/m)
[0423]
对比例4
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
1.0e-03(s/m)
[0424]
参见表2，可见，由于包括含有p-掺杂剂的空穴注入层，对比例4的电导率高于实施例1的电导率。
[0425]
当空穴传输层的电导率高时，会在横向上发生泄漏电流。
[0426]
在发光装置中，省略了p-掺杂层以简化工艺，从而降低了生产成本，并且与现有技术的发光装置相比，可以获得基本上相同水平的驱动电压、效率和/或寿命，不会发生(例如，可以减少)由于泄漏电流引起的颜色混合，和/或可以改善颜色纯度和/或颜色准确度。
[0427]
根据本公开，调整构成阳极的各层中的上层的功函，从而在没有空穴注入层的情况下，可以获得顺利的空穴注入特性。
[0428]
如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员会认识到的测量或计算值的固有偏差。考虑到所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文使用的“约”或“近似”包括规定值并意味着在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意味着在规定值的一个或多个标准偏差内，或在规定值的
±
30％、
±
20％、
±
10％或
±
5％内。
[0429]
本文叙述的任意数值范围旨在包括囊括在叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，也就是，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。本文叙述的任意最大数值限制旨在包括囊括于其中的所有较低数值限制，并且本说明书中叙述的任意最小数值限制旨在包括囊括于其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书，包括权利要求的权利，以明确地叙述囊括在本文明确地叙述的范围内的任意子范围。
[0430]
应理解，本文描述的实施方式应该仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同方式限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上在其中进行各种改变。