OLED显示面板和OLED显示装置的制作方法

oled显示面板和oled显示装置
技术领域
1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种oled显示面板和oled显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，为了降低成本，会采用喷墨打印的方式形成oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示器件中的空穴注入层、空穴传输层和发光层。而由于电子传输层和电子注入层的材料限制，导致电子传输层和电子注入层只能采用蒸镀的方式形成，而阴极在形成过程中也会采用蒸镀的方式形成。由于阴极在形成时需要与晶体管上的金属走线搭接导通，因此，需要使得阴极的成膜面积大于电子注入层和电子传输层的成膜面积，而这会导致至少需要两个掩模版、设计多个腔体以形成不同成膜面积的阴极和电子注入层/电子传输层，导致oled显示器件的制备效率较低。
3.所以，现有oled显示器件存在阴极和电子注入层/电子传输层的掩模版不同所导致的oled显示器件的制备效率较低的技术问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种oled显示面板和oled显示装置，用以缓解现有oled显示器件存在阴极和电子注入层/电子传输层的掩模版不同所导致的oled显示器件的制备效率较低的技术问题。
5.本技术实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板包括：
6.衬底；
7.驱动电路层，设置于所述衬底一侧，所述驱动电路层包括金属端子；
8.发光功能层，设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述发光功能层包括电子层和公共电极层；
9.封装层，设置于所述发光功能层远离所述驱动电路层的一侧；
10.其中，所述oled显示面板包括显示区和搭接区，在所述搭接区，所述公共电极层和所述金属端子之间设有电子层，所述电子层的厚度小于第一预设值，和/或所述电子层和所述公共电极层中的至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，所述第一预设值为粒子发生隧穿效应的厚度，所述第二预设值为所述公共电极层和所述金属端子导通时粒子的迁移率。
11.在一些实施例中，所述电子层的厚度小于10纳米。
12.在一些实施例中，所述公共电极层的材料包括金属材料，所述金属材料的迁移率大于所述第二预设值。
13.在一些实施例中，所述公共电极层包括多个叠层设置的膜层，至少一个膜层的材料包括金属材料，所述金属材料的迁移率大于所述第二预设值。
14.在一些实施例中，所述电子层包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层设置于所述电子传输层和所述公共电极层之间，所述电子注入层和所述电子传输层中的至少
一个的材料的迁移率大于所述第二预设值。
15.在一些实施例中，所述电子注入层的材料包括有机材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述电子注入层和所述电子传输层中的至少一个掺杂有第一导电材料，所述第一导电材料的迁移率大于所述第二预设值。
16.在一些实施例中，所述电子注入层的材料包括第二导电材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述第二导电材料的迁移率大于所述第二预设值。
17.在一些实施例中，所述电子传输层中掺杂有第三导电材料，所述第三导电材料的迁移率与所述第二导电材料的迁移率之和大于所述第二预设值。
18.在一些实施例中，所述电子注入层的材料包括第二导电材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述电子传输层中掺杂有第三导电材料，所述第二导电材料的迁移率小于或者等于所述第二预设值，且所述第二导电材料的迁移率与所述第三导电材料的迁移率之和大于所述第二预设值。
19.同时，本技术实施例提供一种oled显示装置，该oled显示装置包括oled显示面板和驱动芯片，该oled显示面板包括：
20.衬底；
21.驱动电路层，设置于所述衬底一侧，所述驱动电路层包括金属端子；
22.发光功能层，设置于所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，所述发光功能层包括电子层和公共电极层；
23.封装层，设置于所述发光功能层远离所述驱动电路层的一侧；
24.其中，所述oled显示面板包括显示区和搭接区，在所述搭接区，所述公共电极层和所述金属端子之间设有电子层，所述电子层的厚度小于第一预设值，和/或所述电子层和所述公共电极层中的至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，所述第一预设值为粒子发生隧穿效应的厚度，所述第二预设值为所述公共电极层和所述金属端子导通时粒子的迁移率。
25.有益效果：本技术提供一种oled显示面板和oled显示装置；该oled显示面板包括衬底、驱动电路层、发光功能层和封装层，驱动电路层设置于衬底一侧，驱动电路层包括金属端子，发光功能层设置于驱动电路层远离衬底的一侧，发光功能层包括电子层和公共电极层，封装层设置于发光功能层远离驱动电路层的一侧，其中，oled显示面板包括显示区和搭接区，在搭接区，公共电极层和金属端子之间设有电子层，电子层的厚度小于第一预设值，和/或电子层和公共电极层中的至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，第一预设值为粒子发生隧穿效应的厚度，第二预设值为公共电极层和金属端子导通时粒子的迁移率。本技术通过使电子层的厚度小于第一预设值和/或电子层和公共电极层中至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，使得在输入电流时，通过粒子的隧穿效应导通金属端子和公共电极层，或者通过面板检测时加快粒子的迁移，使得输入电流时通过粒子的迁移导通金属端子和公共电极层，使得在采用一个金属掩模版形成电子层和公共电极层，提高oled显示面板的制备效率、降低成本的同时，公共电极层和金属端子正常导通，oled显示面板正常工作。
附图说明
26.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
27.图1为本技术实施例提供的oled显示面板的示意图。
28.图2为本技术实施例提供的现有oled显示器件的模拟结构和本技术的oled显示面板的模拟结构的对比图。
29.图3为本技术实施例提供的oled显示面板的模拟结构的示意图。
30.图4为图3的模拟结构中各元素的离子强度曲线图。
31.图5为本技术实施例提供的oled显示面板的掩模版的设计与现有oled显示面板的掩模版的设计的对比示意图。
32.图6为本技术实施例提供的oled显示面板的搭接区的设计与现有oled显示面板的搭接区的设计的对比示意图。
33.图7为本技术实施例提供的oled显示装置的示意图。
具体实施方式
34.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
35.本技术实施例针对现有oled显示器件存在阴极和电子注入层/电子传输层的掩模版不同所导致的oled显示器件的制备效率较低的技术问题，提供一种oled显示面板和oled显示装置，用以解决上述技术问题。
36.如图1所示，本技术实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板1包括：
37.衬底11；
38.驱动电路层12，设置于所述衬底11一侧，所述驱动电路层12包括金属端子127b；
39.发光功能层13，设置于所述驱动电路层12远离所述衬底11的一侧，所述发光功能层13包括电子层132f和公共电极层134；
40.封装层14，设置于所述发光功能层13远离所述驱动电路层12的一侧；
41.其中，所述oled显示面板1包括显示区151和搭接区152，在所述搭接区152，所述公共电极层134和所述金属端子127b之间设有电子层132f，所述电子层132f的厚度小于第一预设值，和/或所述电子层132f和所述公共电极层134中的至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，所述第一预设值为粒子发生隧穿效应的厚度，所述第二预设值为所述公共电极层134和所述金属端子127b导通时粒子的迁移率。
42.本技术实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板通过使电子层的厚度小于第一预设值和/或电子层和公共电极层中至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，使得在输入电流时，通过粒子的隧穿效应导通金属端子和公共电极层，或者通过面板检测时加快粒子的迁移，使得输入电流时通过粒子的迁移导通金属端子和公共电极层，使得在采用一个金属掩模版形成电子层和公共电极层，提高oled显示面板的制备效率、降低成本的同时，公共电极层和金属端子正常导通，oled显示面板正常工作。
43.需要说明的是，第一预设值是指，在制备oled显示面板的过程中，不对oled显示面板进行额外的处理工艺，且电子层的材料可以为有机材料，但此时电子层的厚度小于第一预设值时，粒子能够发生隧穿效应，导通金属端子和公共电极层。例如电子层的厚度小于10纳米时，电子层即使采用有机材料，由于电子能够穿过电子层，使得金属端子和公共电极层之间形成稳定的电流，则第一预设值可以为10纳米。
44.需要说明的是，第二预设值是指在电子层和公共电极层的厚度不进行特殊设计，仅对电子层和公共电极层中的至少一个的材料进行设计，使得在材料的迁移率大于第二预设值时，oled显示面板输入电流，金属端子和公共电极层能够正常导通的迁移率。具体的，例如电子层和公共电极层中的至少一个的迁移率大于10的6次方时，公共电极层和金属端子能够正常导通，则第二预设值可以为10的6次方。
45.需要说明的是，由于oled显示面板的制备过程中会存在高温老化或者通电点亮老化的过程，此过程可以加快粒子的迁移速度，即使oled显示面板的制备过程中不进行高温老化或者通电点亮老化，但oled显示面板会进行点灯测试，该过程也会加快粒子的迁移速度。而本技术说明的是制备后的oled显示面板中各膜层的特征，因此，电子层和公共电极层的迁移率是以此为基准进行确定。
46.针对电子层无法导通金属走线和阴极，需要采用多个掩模版分别形成电子层和公共电极层导致制备效率较低、成本较高的问题。在一种实施例中，所述电子层的厚度小于10纳米。通过使得电子层的厚度小于10纳米，使得在电子层为绝缘材料时，由于电子的隧穿效应，在oled显示面板进行显示时，金属端子和公共电极层仍然能够导通，从而可以采用同一掩模版形成电子层和公共电极层，避免需要采用多个掩模版分别形成电子层和公共电极层导致成本较高、提高oled显示面板的制备效率。
47.具体的，电子层包括电子传输层，电子传输层的厚度小于10纳米。在电子层包括电子传输层时，可以使得电子传输层的厚度小于10纳米，从而使得在电子传输层为绝缘材料时，由于电子的隧穿效应，在oled显示面板进行显示时，金属端子和公共电极层仍然能够导通，从而可以采用同一掩模版形成电子层和公共电极层，避免需要采用多个掩模版分别形成电子层和公共电极层导致成本较高、提高oled显示面板的制备效率。
48.具体的，电子层包括电子传输层和电子注入层，电子传输层的厚度和电子注入层的厚度之和小于10纳米。在电子层包括电子传输层和电子注入层时，使电子传输层和电子注入层的厚度之和小于10纳米，从而使得在电子传输层和电子注入层为绝缘材料时，由于电子的隧穿效应，在oled显示面板进行显示时，金属端子和公共电极层仍然能够导通，从而可以采用同一掩模版形成电子层和公共电极层，避免需要采用多个掩模版分别形成电子层和公共电极层导致成本较高、提高oled显示面板的制备效率。
49.具体的，如图2所示，以当前oled显示面板和本技术中的oled显示面板的搭接区的模拟结构为例，对当前oled显示面板和本技术中oled显示面板的搭接区的电阻进行测试，如图2中的(a)所示，当前oled显示面板会采用2个掩模版分别形成电子层和阴极，其模拟结构包括基板211、金属走线212和阴极213，在搭接区不存在电子层，如图2中的(b)所示，本技术中的oled显示面板会采用1个掩模版形成电子层和阴极，其模拟结构包括基板211、金属走线212、电子层214和阴极213，以图2中的(c)所示的测试方法为例，将模拟结构222设置在第一金属板221和第二金属板223之间，以万用表23检测模拟结构222的电阻，得到下表：
50.表一：不同模拟结构的电阻阻值对照表
[0051][0052][0053]
从表一的数据可以知道，以图2中的(a)中的金属走线212和阴极213作为编号为a的模拟结构，以图2中的(b)中的金属走线212、电子层214和阴极213作为模拟结构b，其中电子层的材料为氟化钠，对各结构进行实验得到不同样品的电阻的阻值，其中，第一次实验和第二次实验的变量为阴极和金属走线的厚度，结构a和结构b的变量为不同的结构。
[0054]
从表一中的数据可以看到，在第一次实验和第二次实验中，结构a和结构b的电阻基本一致，例如第一次实验中结构a和结构b的电阻约为70欧姆，且结构b的电阻甚至小于结构a的电阻(69.7欧姆小于70.2欧姆)，第二次实验中结构a和结构b的电阻约为140欧姆，两种结构的电阻的阻值差距较小，可以证明在电子层的厚度小于10纳米时，oled显示面板的公共电极层和金属端子可以正常导通。
[0055]
针对电子层无法导通金属走线和阴极，需要采用多个掩模版分别形成电子层和公共电极层导致制备效率较低、成本较高的问题。在一种实施例中，所述公共电极层的材料包括金属材料，所述金属材料的迁移率大于所述第二预设值。通过采用金属材料形成公共电极层，使得金属材料能够发生迁移，且在oled显示面板的制备过程中，会存在高温老化或者通电老化的过程，加快金属材料的迁移速率，且oled显示面板的制备过程中会存在点亮检测过程，在电场的作用下，使金属粒子迁移到电子层中，提高电子层的导电性，使得在采用同一掩模版形成电子层和公共电极层时，公共电极层和金属端子正常导通，提高oled显示面板的制备效率，减少oled显示面板的制备成本。
[0056]
在一种实施例中，所述公共电极层为单层金属。采用单层金属形成公共电极层，使得公共电极层的导通效果较好，粒子的迁移效果较好。
[0057]
在一种实施例中，所述公共电极层包括多个叠层设置的膜层，至少一个膜层的材料包括金属材料，所述金属材料的迁移率大于所述第二预设值。通过使得公共电极层包括多个叠层设置的膜层，且至少一个膜层为金属材料，使得金属材料中的粒子通过迁移，导通公共电极层和金属端子；而对于公共电极层中的其他膜层，可以使得其他膜层的透光性较好，避免公共电极层的透光性较差的导致oled显示面板的透光率较低，造成oled显示面板的功耗较高。
[0058]
具体的，金属材料包括银或者银合金，由于银的迁移率较高，采用银作为公共电极层的材料，提高迁移效果，通过银粒子的迁移提高电子层的导电性，使公共电极层和金属端子导通。且由于oled显示面板的制备过程中至少存在点亮检测过程，利用点亮检测过程加快银粒子的迁移，提高金属端子和公共电极层的导通效果。
[0059]
具体的，针对oled显示面板包括顶发光oled显示面板和底发光oled显示面板，顶发光oled显示面板采用银作为公共电极层会导致透过率较低的问题，因此，本技术实施例
在采用银或者银合金作为顶发光oled显示面板时，可以使公共电极层的厚度较小，例如公共电极层的厚度为10纳米至30纳米，从而保证顶发光oled显示面板的透过率，或者通过采用叠层设置，部分膜层采用透光性较好的材料形成，提高顶发光oled显示面板的透过率，而对于底发光oled显示器件，可以使公共电极层较厚，从而提高反射率。
[0060]
针对电子层为有机材料时无法导通金属走线和阴极，需要采用多个掩模版分别形成电子层和公共电极层导致制备效率较低、成本较高的问题。在一种实施例中，如图1所示，所述电子层132f包括电子注入层132e和电子传输层132d，所述电子注入层132e设置于所述电子传输层132d和所述公共电极层134之间，所述电子注入层132e和所述电子传输层132d中的至少一个的材料的迁移率大于所述第二预设值。通过使得电子注入层和电子传输层中的至少一个的材料迁移率大于第二预设值，使得通过电子注入层和电子传输层的材料的粒子迁移，实现电子注入层和电子传输层的导体化，使得电子注入层和电子传输层的导电性提高，电子注入层和电子传输层能够导通金属端子和公共电极层。
[0061]
在一种实施例中，所述电子注入层的材料包括有机材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述电子注入层和所述电子传输层中的至少一个掺杂有第一导电材料，所述第一导电材料的迁移率大于所述第二预设值。通过在电子注入层和电子传输层中的至少一个掺杂第一导电材料，并使得第一导电材料的迁移率大于第二预设值，可以通过第一导电材料的迁移，使电子注入层和电子传输层的导电性提高，使得电子注入层和电子传输层能够导通金属端子和公共电极层。
[0062]
具体的，可以在电子注入层中掺杂第一导电材料，或者在电子传输层中掺杂第一导电材料，或者在电子注入层和电子传输层中掺杂第一导电材料。
[0063]
具体的，在电子注入层和电子传输层中的至少一个中掺杂第一导电材料，在oled显示面板未通电时，第一导电材料的粒子均匀的分布在电子注入层和电子传输层的有机材料之间，在oled显示面板通电后，第一导电材料的粒子会在金属端子和公共电极层之间搭接形成金属通路，类似微观金属细丝，从而导通金属端子和公共电极层。
[0064]
具体的，由于oled显示面板的制备过程中会进行点亮检测，且可能会存在通电老化或者高温老化，这些过程会进一步加快第一导电材料的迁移，使得电子注入层和电子传输层的导电性提高。
[0065]
针对电子注入层和电子传输层中掺杂导电材料后，电子注入层和电子传输层的导电性仍然较差的问题。在一种实施例中，所述电子注入层的材料包括第二导电材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述第二导电材料的迁移率大于所述第二预设值。通过采用第二导电材料形成电子注入层，使得电子注入层可以直接导通，且电子注入层中的第二导电材料能够发生迁移，使得电子传输层也能够导电，从而使电子层能够导通金属端子和公共电极层。且由于电子注入层直接采用第二导电材料形成，电子注入层的导电性较好，提高电子注入层和电子传输层的导电性。
[0066]
具体的，由于oled显示面板的制备过程中会进行点亮检测，且可能会存在通电老化或者高温老化，这些过程会进一步加快第二导电材料的迁移，使得电子注入层和电子传输层的导电性提高。
[0067]
针对电子传输层采用有机材料形成会导致导电性较差的问题。在一种实施例中，所述电子传输层中掺杂有第三导电材料，所述第三导电材料的迁移率与所述第二导电材料
的迁移率之和大于所述第二预设值。通过使得电子传输层中掺杂有第三导电材料，使得电子传输层的导电性提高，且通过第二导电材料和第三导电材料的迁移，进一步提高电子注入层和电子传输层的导电性，使得电子注入层和电子传输层导通金属端子和公共电极层。
[0068]
具体的，由于oled显示面板的制备过程中会进行点亮检测，且可能会存在通电老化或者高温老化，这些过程会进一步加快第三导电材料的迁移，使得电子注入层和电子传输层的导电性提高。
[0069]
在一种实施例中，所述电子注入层的材料包括第二导电材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述电子传输层中掺杂有第三导电材料，所述第二导电材料的迁移率小于或者等于所述第二预设值，且所述第二导电材料的迁移率与所述第三导电材料的迁移率之和大于所述第二预设值。在选择第二导电材料和第三导电材料时，还可以使得第二导电材料的迁移率和第三导电材料的迁移率之和大于所述第二预设值，使得第二导电材料和第三导电材料的迁移能够提高电子注入层和电子传输层的导电性，金属端子和公共电极层能够导通。
[0070]
需要说明的是，上述实施例中第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料可以相同，也可以不同，例如第一导电材料为银、第二导电材料包括锂、镱。第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料选择能够实现各自功能，且迁移率较大的材料。
[0071]
需要说明的是，上述实施例以电子注入层为有机材料、电子传输层为有机材料，公共电极层为金属材料，电子注入层为导电材料、电子传输层为有机材料，电子注入层和电子传输层为有机材料且掺杂导电材料为例分别进行了详细说明。但由于上述实施例中部分特征不存在冲突，因此本技术实施例可以将多个特征作为一个实施例，本技术实施例不限于上述实施例，在特征不冲突时可以将多个特征组合作为一个实施例，以进一步提高公共电极层和金属端子的导通效果。
[0072]
需要说明的是，在本技术实施例中，粒子包括分子、电子、离子等可以发生迁移的粒子。
[0073]
如图3所示，以oled显示面板的模拟结构包括钼钛叠层的金属端子311、氟化钠层312、掺杂有金属的电子传输层313(掺杂金属为镱)和含银的公共电极层314为例，对该模拟结构进行飞行时间二次离子质谱仪分析，得到图4所示的数据，图4中的横坐标为与公共电极层的上表面的间距，纵坐标为离子强度，由于本技术仅比较各离子的比例，未示出具体单位，区域一表示从左侧到虚线处，该区域对应的为公共电极层的范围，区域二表示从左侧虚线处到右侧虚线处，该区域对应的为掺杂有金属的电子传输层的范围，区域三表示从左侧虚线处到右侧虚线处，该区域对应的为氟化钠层的范围，区域四表示从左侧虚线处至右侧，该区域为对应钼钛叠层的金属端子的范围。
[0074]
其中，曲线1为铟离子的离子强度曲线，曲线2为镱粒子的离子强度曲线，曲线3为钛离子的离子强度曲线，曲线4为碳离子的离子强度曲线，曲线5为钼离子的离子强度曲线，曲线6为锌离子的离子强度曲线，曲线7为银离子的离子强度曲线，由于氟离子含量较低，与其他曲线重叠，图4中未标示出氟离子的离子强度曲线。从图4中可以看到，在区域二、即掺杂有金属的电子传输层的范围，银离子的离子强度相较于其他区域较高，说明银离子主要迁移到了掺杂有金属的电子传输层，从而证明了银会迁移到电子层，以提高电子层的导电性。
[0075]
同时，以图2中的(a)所示的模拟结构和图3中所示的模拟结构进行实验比较，以图2中的(c)所示的测试方法为例，通过对两种模拟结构进行检测，得到下表：
[0076]
表二：不同模拟结构的电阻阻值对照表
[0077][0078]
其中，图3的模拟结构中氟化钠的厚度小于10纳米，掺杂有金属的电子传输层313(掺杂金属为镱)的厚度大于10纳米，以图2中的(a)中的金属走线212和阴极213作为编号为a的模拟结构，以图3中的结构作为模拟结构c，对各结构进行实验得到不同样品的电阻的阻值，结构a和结构c的变量为不同的结构。
[0079]
从表二的数据可以看到，结构a的电阻约为135欧姆，结构c的电阻约为210欧姆，即在采用图3所示的结构时，相较于采用2种掩膜版形成oled显示面板的电子层和公共电极层，本技术采用1中掩膜版形成oled显示面板的电子层和公共电极层，会导致电阻上升，但从电阻上升的幅度可以看到，该幅度不会导致公共电极层和金属端子无法导通，所以，通过采用本技术实施例所述的结构时，公共电极层和金属端子仍然能够导通。
[0080]
且从上述实验可知，在进一步采用导电材料作为电子注入层，且进一步在电子传输层中掺杂金属时，可以进一步提高公共电极层和金属端子的导通效果。
[0081]
如图5所示，图5中的(a)为现有oled显示面板的掩模版的设计方案，从图5中的(a)可以看到，由于电子注入层和电子传输层无法导通公共电极层和金属端子，电子注入层和电子传输层的成膜面积需要小于公共电极层的成膜面积，电子注入层和/或电子传输层的边界413位于公共电极层的边界411下，第一掩模版的边界415与第二掩模版的边界412不同，这样才能使得电子注入层和电子传输层靠近显示区的边界416，而不会覆盖在搭接区414上，因此，现有oled显示器件需要采用不同的掩模版形成公共电极层与电子注入层和电子传输层。
[0082]
如图5中的(b)所示，本技术通过采用一个掩模版形成电子注入层、电子传输层和公共电极层，在不改变显示区的边界424和搭接区152时，掩模版的边界423只有一个，电子注入层和/或电子传输层的边界422与公共电极层的边界421基本重合甚至重合，并通过上述实施例中导通公共电极层和金属端子，从而采用同一掩模版形成电子注入层、电子传输层和公共电极层，提高oled显示面板的制备效率，降低成本。
[0083]
在一种实施例中，如图1所示，驱动电路层12包括有源层121、第一栅极绝缘层122、第一金属层123、第二栅极绝缘层124、第二金属层125、层间绝缘层126、源漏极层127和平坦化层128。
[0084]
在一种实施例中，如图1所示，源漏极层127包括源极127a和漏极。
[0085]
在一种实施例中，如图1所示，发光功能层13包括像素电极层131、发光材料层132和像素定义层133。
[0086]
在一种实施例中，如图1所示，发光材料层132包括空穴注入层132a、空穴传输层132b和发光层132c。
[0087]
在一种实施例中，金属端子采用源漏极层形成，例如图2中所示的金属端子，但本技术实施例不限于此。如图6中的(b)所示，oled显示面板还包括钝化层511和搭接金属层，搭接金属层形成金属端子127b。
[0088]
如图6所示，图6中的(a)为现有显示器件的搭接区的示意图，图6中的(b)为本技术oled显示面板的搭接区的示意图，现有显示器件包括源漏极层527、钝化层511、金属走线527b、平坦化层528、像素定义层533、电子传输层532和公共电极层534，但由于搭接区需要使公共电极层和金属走线直接连接，因此需要采用不同的掩膜版，而本技术的搭接区中，公共电极层和金属走线之间通过电子层导通，采用一个金属掩模版形成电子层和公共电极层，提高oled显示面板的制备效率、降低成本的同时，公共电极层和金属端子正常导通，oled显示面板正常工作。
[0089]
同时，如图7所示，本技术实施例提供一种oled显示装置，该oled显示装置包括oled显示面板和驱动芯片71，该oled显示面板包括：
[0090]
衬底11；
[0091]
驱动电路层12，设置于所述衬底11一侧，所述驱动电路层12包括金属端子127b；
[0092]
发光功能层13，设置于所述驱动电路层12远离所述衬底11的一侧，所述发光功能层13包括电子层132f和公共电极层134；
[0093]
封装层14，设置于所述发光功能层13远离所述驱动电路层12的一侧；
[0094]
其中，所述oled显示面板1包括显示区151和搭接区152，在所述搭接区152，所述公共电极层134和所述金属端子127b之间设有电子层132f，所述电子层132f的厚度小于第一预设值，和/或所述电子层132f和所述公共电极层134中的至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，所述第一预设值为粒子发生隧穿效应的厚度，所述第二预设值为所述公共电极层134和所述金属端子127b导通时粒子的迁移率。
[0095]
在一种实施例中，在显示装置中，所述电子层的厚度小于10纳米。
[0096]
在一种实施例中，在显示装置中，所述公共电极层的材料包括金属材料，所述金属材料的迁移率大于所述第二预设值。
[0097]
在一种实施例中，所述公共电极层为单层金属。
[0098]
在一种实施例中，所述公共电极层包括多个叠层设置的膜层，至少一个膜层的材料包括金属材料，所述金属材料的迁移率大于所述第二预设值。
[0099]
在一种实施例中，在显示装置中，所述公共电极层包括多个叠层设置的膜层，至少一个膜层的材料包括金属材料，所述金属材料的迁移率大于所述第二预设值。
[0100]
在一种实施例中，在显示装置中，所述电子层包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层设置于所述电子传输层和所述公共电极层之间，所述电子注入层和所述电子传输层中的至少一个的材料的迁移率大于所述第二预设值。
[0101]
在一种实施例中，在显示装置中，所述电子注入层的材料包括有机材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述电子注入层和所述电子传输层中的至少一个掺杂有第一导电材料，所述第一导电材料的迁移率大于所述第二预设值。
[0102]
在一种实施例中，在显示装置中，所述电子注入层的材料包括第二导电材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述第二导电材料的迁移率大于所述第二预设值。
[0103]
在一种实施例中，在显示装置中，所述电子传输层中掺杂有第三导电材料，所述第
三导电材料的迁移率与所述第二导电材料的迁移率之和大于所述第二预设值。
[0104]
在一种实施例中，在显示装置中，所述电子注入层的材料包括第二导电材料，所述电子传输层的材料包括有机材料，所述电子传输层中掺杂有第三导电材料，所述第二导电材料的迁移率小于或者等于所述第二预设值，且所述第二导电材料的迁移率与所述第三导电材料的迁移率之和大于所述第二预设值。
[0105]
根据以上实施例可知：
[0106]
本技术实施例提供一种oled显示面板和oled显示装置；该oled显示面板包括衬底、驱动电路层、发光功能层和封装层，驱动电路层设置于衬底一侧，驱动电路层包括金属端子，发光功能层设置于驱动电路层远离衬底的一侧，发光功能层包括电子层和公共电极层，封装层设置于发光功能层远离驱动电路层的一侧，其中，oled显示面板包括显示区和搭接区，在搭接区，公共电极层和金属端子之间设有电子层，电子层的厚度小于第一预设值，和/或电子层和公共电极层中的至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，第一预设值为粒子发生隧穿效应的厚度，第二预设值为公共电极层和金属端子导通时粒子的迁移率。本技术通过使电子层的厚度小于第一预设值和/或电子层和公共电极层中至少一个的材料的迁移率大于第二预设值，使得在输入电流时，通过粒子的隧穿效应导通金属端子和公共电极层，或者通过面板检测时加快粒子的迁移，使得输入电流时通过粒子的迁移导通金属端子和公共电极层，使得在采用一个金属掩模版形成电子层和公共电极层，提高oled显示面板的制备效率、降低成本的同时，公共电极层和金属端子正常导通，oled显示面板正常工作。
[0107]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
[0108]
以上对本技术实施例所提供的一种oled显示面板和oled显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。