制造模拟集成电路的方法及系统、产生布局的方法与流程

技术特征：
1.一种制造一模拟集成电路的方法，其特征在于，该方法包含：通过一处理装置接收该模拟集成电路的多个元件规格；通过该处理装置接收该模拟集成电路的一分割信息；基于所述多个元件规格及该分割信息，通过该处理装置来决定在该模拟集成电路的一非最终布局中沿着一第一方向待产生的一第一切口集合的多个第一切割位置；基于所述多个元件规格及该分割信息，通过该处理装置来决定在该模拟集成电路的该非最终布局中沿着一第二方向待产生的一第二切口集合的多个第二切割位置；通过该处理装置在所述多个第一切割位置处切割该模拟集成电路的该非最终布局以产生一临时布局；通过该处理装置在所述多个第二切割位置处切割该临时布局以产生多个子单元；以及通过该处理装置合并所述多个子单元以产生该模拟集成电路的一布局图。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在合并所述多个子单元之前验证每一所述子单元。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中验证每一所述子单元包含：对每一所述子单元执行多个设计规则检查。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中验证每一所述子单元包含：对每一所述子单元执行一布局与布局检查。5.一种制造一模拟集成电路的系统，其特征在于，包含：一处理装置；以及一储存装置，可操作地连接到该处理装置并且储存多个指令，当由该处理装置执行时，所述多个指令导致执行多个操作，所述多个操作包含：接收该模拟集成电路的多个元件规格；接收该模拟集成电路的一分割信息；基于所述多个元件规格及该分割信息，决定在该模拟集成电路的一非最终布局中沿着一第一方向待产生的一第一切口集合的多个第一切割位置；基于所述多个元件规格及该分割信息，决定在该模拟集成电路的该非最终布局中沿着一第二方向待产生的一第二切口集合的多个第二切割位置；在所述多个第一切割位置处切割该模拟集成电路的该非最终布局以产生一临时布局；在所述多个第二切割位置处切割该临时布局以产生多个子单元；以及合并所述多个子单元以产生该模拟集成电路的一合并布局图。6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，其中该储存装置储存用于验证每一所述子单元的多个额外指令。7.如权利要求6所述的系统，其特征在于，其中验证每一所述子单元包含对每一所述子单元执行多个设计规则检查。8.如权利要求6所述的系统，其特征在于，其中验证每一所述子单元包含对每一所述子单元执行一布局与布局检查。9.一种产生布局的方法，其特征在于，该方法包含：通过一处理装置接收一模拟单元的多个元件规格；通过该处理装置接收该模拟单元的一分割信息；
基于所述多个元件规格及该分割信息，通过该处理装置来决定在该模拟单元的一非最终布局中沿着一第一方向待产生的一第一切口集合的多个第一切割位置；基于所述多个元件规格及该分割信息，通过该处理装置来决定在该模拟单元的该非最终布局中沿着一第二方向待产生的一第二切口集合的多个第二切割位置；基于所述多个第一切割位置及所述多个第二切割位置，通过该处理装置将该模拟单元分割为多个子单元；通过该处理装置验证每一所述子单元；以及通过该处理装置使用所述多个子单元来产生一集成电路的一布局。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中：针对每一所述子单元，该分割信息包含一单元类型；以及基于该模拟单元的该单元类型决定所述多个第一切割位置与所述多个第二切割位置。

技术总结
一种制造模拟集成电路的方法及系统、产生布局的方法，揭示了用于自动地产生模拟集成电路的非最终布局的多个子单元的各种技术。接收模拟集成电路的多个元件规格及分割信息。基于多个元件规格及分割信息，来决定在模拟集成电路的非最终布局中沿着第一方向待产生的第一切口集合的多个第一切割位置及在非最终布局中沿着第二方向待产生的第二切口集合的多个第二切割位置。在切割位置处在非最终布局中产生第一切口集合以产生临时布局。在切割位置处在临时布局中产生第二切口集合以产生多个子单元。单元。单元。


技术研发人员：张志强 周文昇 彭永州 庄永旭 杨宇滔 卡锡那
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.07.15
技术公布日：2022/7/21