一种具有强穿通的非对称快速晶闸管的制作方法

技术特征：
1.一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：从上往下依次设置有阴极al层(10)、阴极p区(22)，n-基区(30)，阳极n缓冲层(42)，阳极高浓度p 区(41)和阳极al层(50)，在阴极al层(10)与阴极p区(22)之间设有阴极高浓度n 区(20)和p 区(21)。2.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述正向阻断电场在阳极n缓冲层(42)中截止，所述反向阻断电场穿通过阳极n缓冲层(42)在n-基区(30)中截止，所述正向阻断电压与反向阻断电压是非对称的。3.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阴极n 区(20)深度为10～20μm，掺杂浓度为1
×
10
19
～1
×
10
20
cm-3
。4.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阴极p 区(21)深度为10～20μm，掺杂浓度为1
×
10
18
～1
×
10
19
cm-3
。5.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阴极p区(22)深度为45～140μm，掺杂浓度为1
×
10
14
～1
×
10
17
cm-3
。6.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述n-基区(23)厚度为200～500μm，掺杂浓度为5
×
10
12
～1
×
10
14
cm-3
。7.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阳极n缓冲层(42)掺杂浓度为1
×
10
14
～1
×
10
16
，结深为10～30μm；。8.根据权利要求1所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：所述阳极p 区(41)深度为10～20μm，掺杂浓度为1
×
10
18
～1
×
10
19
cm-3
。9.根据权利要求7所述的一种具有强穿通的非对称快速晶闸管，其特征在于：当反向阻断电压为100～500v时，对应的阳极n缓冲层(42)浓度为1
×
10
15
～1
×
10
16
，深度为10～20μm；反向阻断电压为500～2000v时，对应的阳极n缓冲层(42)浓度为1
×
10
14
～1
×
10
15
，深度为20～30μm。

技术总结
本发明提供了一种具强穿通的非对称快速晶闸管,从上往下依次设置有阴极AL层、阴极P区，N-基区，阳极N缓冲层，阳极高浓度P 区和阳极AL层，在阴极AL层与阴极P区之间设有阴极高浓度N 区和P 区，本发明结构的N-基区厚度比普通对称型快速晶闸管薄约20％～50％，片厚减薄的程度视应用要求的反向阻断电压值而定。因此，本发明大大降低器件的通态压降，提高di/dt能力，降低存储电荷，提高快速关断能力，在开通和关断特性之间实现良好折中。主要应用于大功率的中、高频感应加热电源领域。高频感应加热电源领域。高频感应加热电源领域。


技术研发人员：张磊 范晓波 王国卫 胡茜 党敏青 刘世辉 周哲
受保护的技术使用者：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
技术研发日：2022.04.21
技术公布日：2022/7/15