发光显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种发光显示装置。


背景技术：

2.随着信息时代的进步，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。
3.在这样的显示装置中，根据发光层的材料，发光显示装置被分类为无机发光显示装置和有机发光显示装置。例如，有机发光显示装置是将来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入发光层并在通过注入的空穴和电子的结合产生的激子从激发态降为基态时发光的自发光显示装置。
4.有机发光显示装置的缺点为，容易因诸如外部水分和氧气的外部因素而劣化。为了避免这种情况，有机发光显示装置形成封装层使得外部水分或氧气不被渗透到有机发光元件中。此时，封装层包括至少一个无机膜和至少一个有机膜以防止水分或氧气渗透到发光层和阴极。
5.根据光发射的方向，有机发光显示装置可以被分类为顶部发光型、底部发光型和双面发光型。
6.顶部发光型有机发光显示装置可以包括像素电路，像素电路包括：设置在子像素区域中的驱动薄膜晶体管；连接到驱动薄膜晶体管的阳极；设置在阳极上的发光层；以及设置在发光层上的阴极，其中，从发光层发射的光穿过阴极。因此，阴极由透明导电材料形成，由此出现阴极的电阻增大的问题。
7.近来，为了减少掩膜数量，简化制造工艺，并降低阴极的电阻，提出了这样一种阴极接触结构：阴极可以通过底切结构直接与低电位电源线接触，底切结构形成为使得辅助电极被用作檐并且辅助电极下方的平坦化层被蚀刻以暴露低电位电源线。
8.然而，在有阴极接触结构的情况下，由于形成檐以形成底切结构，所以可能因阴极的接触结构的存在而在封装层的无机膜中产生缝。当出现这种无机缝时，水分可能会通过封装层的有机膜渗透到发光区域中，由此可能出现导致有机发光显示装置的可靠性缺陷的问题。
9.上述背景技术的公开内容为本公开的发明人所有，用以设计本公开，或者是通过设计本公开的过程获得的技术信息，但不能被认为是在本公开被公开之前公开于众的已知技术。


技术实现要素：

10.鉴于上述问题提出了本公开，本公开的一个目的是提供一种发光显示装置，该发光显示装置通过阻挡外部水分渗透的路径来防止水分渗透，并且具有优异的可靠性。
11.除了上述的本公开的目的之外，本领域技术人员将根据本公开的以下描述清楚地理解本公开的其他目的和特征。
12.根据本公开的一个方面，以上和其他目的可以通过提供一种发光显示装置来实
现，该发光显示装置包括：基板；电路层，电路层具有设置在基板上的薄膜晶体管和辅助电源电极；绝缘层，绝缘层设置在电路层上并且包括暴露辅助电源电极的一部分的第一开口；像素电极，像素电极设置在绝缘层上并连接到薄膜晶体管；辅助电极接触区域，辅助电极接触区域形成在绝缘层中；辅助电极，辅助电极形成在绝缘层上；发光层，发光层设置在像素电极和辅助电极上；公共电极，公共电极设置在发光层上并通过辅助电极接触区域与辅助电源电极电连接；填充物，填充物设置在辅助电极接触区域中；以及封装层，封装层设置在公共电极和填充物上，其中，绝缘层的第一开口包括在辅助电源电极与辅助电极之间的底切区域，其中，底切区域填充有填充物。
13.根据本公开的另一方面，以上和其他目的可以通过提供一种发光显示装置来实现，该发光显示装置包括：基板；电路层，电路层具有设置在基板上的薄膜晶体管和辅助电源电极；绝缘层，绝缘层设置在电路层上；像素电极，像素电极设置在绝缘层上并连接到薄膜晶体管；辅助电极，辅助电极形成在绝缘层上；凹槽，凹槽形成在绝缘层中并且暴露辅助电源电极的一部分；发光层，发光层设置在像素电极和辅助电极上；公共电极，公共电极设置在发光层和辅助电极上并通过凹槽与辅助电源电极电连接；填充物，填充物设置在凹槽中，使得填充物的上表面与凹槽的上表面平齐或者高于凹槽的上表面；以及封装层，封装层设置在公共电极和填充物上。
附图说明
14.根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他目的、特征和其他优点，其中：
15.图1是示出根据本公开的实施例的发光显示装置的示意性框图；
16.图2是示出根据本公开的实施例的发光显示装置的剖视图；
17.图3是示出根据比较例的由封装层中的缝导致的水分渗透路径的图；
18.图4是示出根据本公开的实施例的水分渗透路径在封装层中被阻挡的图；
19.图5是示出根据本公开的实施例的发光显示装置中的显示装置的示例的示意性平面图；
20.图6是根据本公开的一个实施例的沿图5的线i-i’截取的剖视图；
21.图7是根据本公开的另一实施例的沿图5的线i-i’截取的剖视图；
22.图8是根据本公开的又另一实施例的沿图5的线i-i’截取的剖视图；
23.图9是示出根据本公开的实施例的发光显示装置中的显示装置的另一示例的示意性平面图。
具体实施方式
24.本公开的优点和特征及其实现方法将通过以下参考附图描述的实施例来阐明。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开彻底和完整并且将本公开的范围充分传达给本领域技术人员。此外，本公开仅由权利要求的范围限定。
25.在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本公开不限于所示出的细节。在整个说明书中，相同的附图标记指代相同的元件。
在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本公开的当要点时，将省略该详细描述。
26.在使用本公开中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用“仅～”，否则可以添加另一部分。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
27.在解释元件时，尽管没有明确描述，但该元件被解释为包括误差范围。
28.在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在～上”、“在～上方”、“在～下”、“靠近～”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则一个或多个部分可以另外布置在两个部分之间。
29.在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在～之后”、“随后”、“接下来”、“在～之前”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。
30.应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不偏离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
31.术语“第一水平轴方向”、“第二水平轴方向”和“垂直轴方向”不应仅基于各个方向彼此垂直的几何关系来解释，而可以表示为在本公开的元件能够在功能上操作的范围内具有更宽的方向性的方向。
32.应当理解，术语“至少一个”包括与任意一项相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件中的两个以上的元件以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件的所有组合。
33.如本领域技术人员能够充分理解的，本公开的各实施例的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且可以以各种形式彼此互操作并在技术上驱动。本公开的实施例可以彼此独立地实施，也可以以相互依赖的关系一起实施。
34.在下文中，将参考附图详细描述根据本公开的实施例的发光显示装置的优选实施例。尽可能地，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。由于为了便于描述，附图中所示的每个元件的比例与实际比例不同，所以本公开不限于所示的比例。
35.图1是示出根据本公开的实施例的发光显示装置的示意性框图。
36.参考图1，根据本公开的实施例的发光显示装置100可以包括显示面板110、图像处理器120、时序控制器130、数据驱动器140、扫描驱动器150和电源160。
37.显示面板110可以响应于从数据驱动器140提供的数据信号data、从扫描驱动器150提供的扫描信号和从电源160提供的电力来显示图像。
38.显示面板110可以包括针对多条栅极线gl和多条数据线dl之间的每个交叉区域设置的子像素sp。可以根据显示装置100的类型对子像素sp的结构进行各种修改。
39.例如，可以根据显示面板110的发光类型形成子像素sp。子像素sp可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者可以包括红色子像素、蓝色子像素、白色子像素和绿色子像素。根据发光特性，子像素sp可以具有一个或多个不同的发光区域。
40.一个或多个子像素sp可以构成一个像素单元。例如，一个像素单元可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，并且红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以重复设置，或者红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以
以四子像素(quad)型设置。例如，在四子像素型排列中，蓝色子像素和红色子像素可以设置在第一扫描线中，绿色子像素和白色子像素可以设置在第二扫描线中。然而，不限于该示例，在根据本公开的实施例中，子像素的颜色类型、排列类型、排列顺序等可以根据发光特性、元件的寿命、装置的规格等配置为各种形式。
41.显示面板110可以被分为其上设置有子像素sp以显示图像的显示区域aa和在显示区域aa附近的非显示区域na。扫描驱动器150可以被封装在显示面板110的非显示区域na中。另外，非显示区域na可以包括焊盘区域。
42.图像处理器120可以将数据使能信号de与从外部提供的数据信号data一起输出。除了数据使能信号de之外，图像处理器120还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个，但是为了便于描述，这些信号没有被示出。
43.可以将数据信号data与来自图像处理器120的驱动信号一起提供给时序控制器130。驱动信号可以包括数据使能信号de。可替代地，驱动信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号。时序控制器130可以基于驱动信号输出用于控制数据驱动器140的操作时序的数据时序控制信号ddc和用于控制扫描驱动器150的操作时序的栅极时序控制信号gdc。
44.数据驱动器140可以响应于从时序控制器130提供的数据时序控制信号ddc对从时序控制器130提供的数据信号data进行采样和锁存，并且可以将锁存的数据信号转换成伽马基准电压并输出伽马基准电压。
45.数据驱动器140可以通过数据线dl输出数据信号data。数据驱动器140可以以集成电路(ic)的形式实施。例如，数据驱动器140可以通过柔性电路膜与设置在非显示区域na中的焊盘区域电连接。
46.扫描驱动器150可以响应于从时序控制器130提供的栅极时序控制信号gdc输出扫描信号。扫描驱动器150可以通过栅极线gl输出扫描信号。扫描驱动器150可以以集成电路(ic)的形式实施，或者可以以面板内栅极(gip)类型在显示面板110中实施。
47.电源160可以输出用于驱动显示面板110的高电位电压和低电位电压。电源160可以通过第一电源线evdd(或驱动电源线)向显示面板110提供高电位电压，并且通过第二电源线evss(或辅助电源线)向显示面板110提供低电位电压。
48.图2是示出根据本公开的实施例的发光显示装置的剖视图。
49.参考图2，根据本公开的实施例的发光显示装置可以包括基板sub、遮光层ls、辅助电源线evss、缓冲层buf、焊盘电极pe、薄膜晶体管tr、栅极绝缘层gi、层间介电膜ild、辅助电源电极220、钝化层pas、外涂层oc、辅助电极210、发光元件e、堤b、辅助电极接触区域(或凹槽)ca、填充物310、第一无机膜320、有机膜330、第二无机膜340以及滤色器c/f。
50.基板sub是基底基板，并且可以由玻璃或塑料制成。例如，基板sub可以由诸如聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)和聚碳酸酯(pc)的塑料材料形成，因此可以具有柔性特性。基板sub可以包括设置在其上的显示区域aa和焊盘区域pa。
51.缓冲层buf和层间介电膜ild可以设置在基板sub上的焊盘区域pa中。焊盘电极pe可以设置在缓冲层buf和层间介电膜ild上。钝化层pas可以形成在焊盘电极pe上。
52.遮光层ls和辅助电源线evss可以设置在基板sub上的显示区域aa中。遮光层ls可
以设置成与薄膜晶体管tr重叠。例如，遮光层ls可以设置成与薄膜晶体管tr的有源层act重叠，特别地，与平面上的沟道重叠，因此可用于防止外部光进入有源层act。另外，辅助电源线evss(例如，低电位电源线或第二电源线)可用于向公共电极com(例如，阴极或第二电极)施加低电压。另外，辅助电源线evss可以与辅助电源电极220一起用于降低公共电极com的电阻。
53.遮光层ls和辅助电源线evss可以由相同的材料形成在同一层上，并且在这种情况下，遮光层ls和辅助电源线evss可以通过同一工艺同时形成。
54.缓冲层buf可以设置在基板sub上以覆盖遮光层ls和辅助电源线evss。缓冲层buf可以以沉积单层或多个无机膜的方式形成。例如，缓冲层buf可以由包括氧化硅(sio
x
)膜、氮化硅(sin
x
)膜和氮氧化硅(sio
x
ny)膜的单层形成。可替代地，缓冲层buf可以由沉积氧化硅(sio
x
)膜、氮化硅(sin
x
)膜和氮氧化硅(sio
x
ny)膜中的至少两个膜的多层形成。缓冲层buf可以形成在基板sub的整个上表面上，以阻止水分通过基板sub渗透到发光元件e中。
55.薄膜晶体管tr和辅助电源电极220可以设置在缓冲层buf上。薄膜晶体管tr可以设置在缓冲层buf上的多个子像素中的每一个中。例如，薄膜晶体管tr可以包括有源层act、与有源层act重叠的栅电极ga(栅极绝缘层gi插设在有源层act与栅电极ga之间)、第一源/漏电极sd1以及第二源/漏电极sd2。
56.有源层act可以由基于硅或基于氧化物的半导体材料制成，并且可以形成在缓冲层buf上。有源层act可以包括与栅电极ga重叠的沟道区域act_ch、与第一源/漏电极sd1连接的第一源/漏极区域act_sd1以及与第二源/漏电极sd2连接的第二源/漏极区域act_sd2。
57.栅极绝缘层gi可以形成在有源层act上。栅极绝缘层gi可以设置在有源层act的沟道区域act_ch上，并且可以用于使有源层act与栅电极ga绝缘。因此，栅极绝缘层gi可以由无机绝缘材料制成。例如，栅极绝缘层gi可以由氧化硅(sio
x
)膜、氮化硅(sin
x
)膜、氮氧化硅(sio
x
ny)膜或多层前述膜形成。
58.栅电极ga可以形成在栅极绝缘层gi上。栅电极ga可以设置成面对有源层act，并且栅极绝缘层gi插设在有源层act与栅电极ga之间。栅电极ga可以由选自铜(cu)、钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、钽(ta)和钨(w)或其合金的组中的任意一种的单层或多层形成。
59.覆盖栅电极ga的层间介电膜ild可以形成在缓冲层buf上。层间介电膜ild可以用于保护薄膜晶体管tr。层间介电膜ild可以由无机绝缘材料制成。例如，层间介电膜ild可以由氧化硅(sio
x
)膜、氮化硅(sin
x
)膜、氮氧化硅(sio
x
ny)膜或多层前述膜形成。
60.第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2可以形成在层间介电膜ild上。可以去除层间介电膜ild的相应区域以使有源层act与第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2接触。例如，层间介电膜ild可以包括第一接触孔ch1和第二接触孔ch2，第一接触孔ch1允许第一源/漏电极sd1与有源层act的第一源/漏极区域act_sd1接触，第二接触孔ch2允许第二源/漏电极sd2与有源层act的第二源/漏极区域act_sd2接触。另外，辅助电源电极220可以形成在层间介电膜ild上。用于将辅助电源电极220与辅助电源线evss电连接的第三接触孔ch3可以形成在层间介电膜ild和层间介电膜ild下方的缓冲层buf中。另外，用于将第一源/漏电极sd1与遮光层ls电连接的第四接触孔ch4可以形成在层间介电膜ild和层间介电膜ild下方的缓冲层buf中。可替代地，第四接触孔ch4可以形成为将第二源/漏电极sd2与遮光层
ls连接。
61.第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2以及辅助电源电极220可以在同一层中由相同的材料制成。第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2以及辅助电源电极220可以通过同一工艺同时形成。第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2以及辅助电源电极220可以为单层或多层。当第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2以及辅助电源电极220由单层形成时，它们可以由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)或其合金的组中的任意一种形成。另外，当第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2以及辅助电源电极220为多层时，它们可以由钼/铝-钕、钼/铝、钛/铝或铜/钼钛的双层形成。可替代地，第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2以及辅助电源电极220可以由mo/al-nd/mo、mo/al/mo、ti/al/ti或moti/cu/moti的三层形成。然而，不限于该示例，第一源/漏电极sd1和第二源/漏电极sd2以及辅助电源电极220可以由选自钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)或铜(cu)或其合金的组中的任意一种的多层形成。
62.设置在基板sub上的薄膜晶体管tr和辅助电源电极220可以构成电路层(或薄膜晶体管阵列层)。
63.钝化层pas可以设置在薄膜晶体管tr和辅助电源电极220上。钝化层pas可以覆盖薄膜晶体管tr和辅助电源电极220。钝化层pas保护薄膜晶体管tr，并且可以由无机绝缘材料制成。例如，钝化层pas可以由氧化硅(sio
x
)膜、氮化硅(sin
x
)膜、氮氧化硅(sio
x
ny)膜或多层前述膜形成。
64.外涂层oc可以设置在钝化层pas上。外涂层oc使下方的层的阶差平坦化，并且可以由有机材料制成。例如，外涂层oc可以由光丙烯酸、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂或丙烯酸酯基树脂中的至少一种有机材料制成。如有必要，则可以省略钝化层pas和外涂层oc中的任意一者。
65.像素电极pxl(例如，阳极或第一电极)和辅助电极210可以设置在外涂层oc上。像素电极pxl和辅助电极210可以设置成彼此间隔开，并且可以在同一层中由相同的材料制成。像素电极pxl和辅助电极210可以通过同一工艺同时形成。
66.像素电极pxl可以通过穿过钝化层pas和外涂层oc的接触孔ch_p连接到薄膜晶体管tr的第一源/漏电极sd1。可替代地，像素电极pxl可以连接到薄膜晶体管tr的第二源/漏电极sd2。发光层el和公共电极com可以设置在像素电极pxl上。因此，可以提供包括像素电极pxl、发光层e和公共电极com的发光元件e。
67.辅助电极210可以形成在外涂层oc和钝化层pas上方。辅助电极210的一端(或端部)可以形成在钝化层pas上。辅助电极210的一端可以与辅助电源电极220的一部分重叠，并且钝化层pas插设在它们之间。钝化层pas可以包括暴露辅助电源电极220的一部分的开口op。钝化层pas的开口op可以形成在辅助电源电极220的一部分与辅助电极210之间。钝化层pas的开口op可以包括暴露辅助电源电极220的一部分和辅助电极210的一端(或端部)下方的一部分的底切区域uc。辅助电极210的一端(或端部)可以用作檐。外涂层oc和钝化层pas可以形成为具有阶差结构，由此可以形成具有底切区域uc的辅助电极接触区域(或凹槽)ca。辅助电极210可以覆盖外涂层oc的侧面和部分上表面。辅助电极210可以覆盖钝化层pas的被外涂层oc和钝化层pas的阶差结构暴露的上表面。另外，辅助电极210的一端(或端部)可以具有从钝化层pas的端部突出的檐结构。这样，辅助电极210的下表面的一部分可以
被基于辅助电极210的一端(或端部)的檐结构暴露。
68.在辅助电极接触区域ca中，由钝化层pas的开口op暴露的辅助电源电极220可以与公共电极com(例如，阴极或第二电极)电连接。
69.堤层ba可以设置在像素电极pxl、辅助电极210和外涂层oc上。堤层ba可以设置在外涂层oc上。堤层ba可以在像素电极pxl上限定开口，还可以限定辅助电极接触区域(或凹槽)ca。例如，堤层ba可以设置成暴露像素电极pxl的中央部分但覆盖像素电极pxl的边缘。另外，堤层ba可以设置成暴露辅助电极210的一端(或端部)但覆盖辅助电极210的另一端。
70.发光层el可以设置在像素电极pxl和堤层ba上。发光层el可以形成为通过位于辅助电极接触区域ca一侧的辅助电极210的一端(或端部)与檐结构断开。发光层el可以基于位于辅助电极接触区域ca的另一侧的外涂层oc和钝化层pas沿着阶差结构与通过底切区域uc暴露的辅助电源电极220连接。
71.参考图2，通过底切区域uc，发光层el可以与辅助电极接触区域ca断开。断开的发光层el可以与通过辅助电极接触区域ca中的底切区域uc暴露的辅助电源电极220连接。
72.公共电极com可以设置在发光层el上。公共电极com可以形成为基于位于辅助电极接触区域ca一侧的辅助电极210的一端(或端部)与檐结构断开。公共电极com可以沿着位于辅助电极接触区域ca的另一侧的外涂层oc和钝化层pas的阶差结构与通过底切区域uc暴露的辅助电源电极220连接。
73.参考图2，公共电极com可以通过底切区域uc与辅助电极接触区域ca断开。断开的公共电极com可以与通过辅助电极接触区域ca中的底切区域uc暴露的辅助电源电极220连接。
74.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物310可以设置在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中。填充物310可以填充由辅助电极接触区域(或凹槽)ca的存在而引起的凹槽。填充物310使由辅助电极接触区域(或凹槽)ca导致的阶差平坦化，并且可以包括聚合物基有机材料。例如，丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或聚乙烯可以被用作填充物310。根据本公开的实施例，由于辅助电极接触区域ca填充有填充物310，所以可以最小化对交替沉积至少一个无机膜和至少一个有机膜的封装层的损坏，以防止水分或氧气渗透到发光元件e中。例如，封装层可以包括第一无机膜320、有机膜330和第二无机膜340。
75.如图2所示，构成封装层的第一无机膜320可以设置在公共电极com和填充物310上，有机膜330可以设置在第一无机膜320上，第二无机膜340可以设置在有机膜330上。滤色器c/f可以设置在第二无机膜340上并且与像素电极pxl重叠上。
76.图3是示出根据比较例的由封装层中的缝导致的水分渗透路径的图。图4是示出根据本公开的实施例的水分渗透路径在封装层中被阻挡的图。
77.如图3所示，当填充物310未填充在辅助电极接触区域ca中时，可能因辅助电极接触区域ca的存在而在第一无机膜320’中产生缝。有机膜330’可以设置在第一无机膜320’由于缝的出现而被切割的区域中。因此，由于可以成为来自外部的水分移动路径的有机膜330’设置在第一无机膜320’的切割区域中，所以水分会通过设置在第一无机膜320’的切割区域中的有机膜330’渗透到发光区域中。
78.如图4所示，在本公开的实施例中，填充物310填充在辅助电极接触区域ca中，由此可以使辅助电极接触区域ca的凹槽平坦化。然后，可以防止在设置在公共电极com和填充物
310上的第一无机膜320中产生缝。有机膜330可以在第一无机膜320上形成为平坦的。因此，即使从外部渗透的水分通过有机膜330移动时，水分移动路径也被第一无机膜320阻挡，由此通过第一无机膜320上的有机膜330的水分渗透路径可以被阻挡。
79.图5是示出根据本公开的实施例的发光显示装置中的显示装置的示例的示意性平面图。图6是根据本公开的一个实施例的沿图5的线i-i’截取的剖视图。图7是根据本公开的另一实施例的沿图5的线i-i’截取的剖视图。图8是根据本公开的又一实施例的沿图5的线i-i’截取的剖视图。图5中示出了设置填充物310之前的辅助电极接触区域ca的结构，图6至图8中示出了填充物310以各种形式设置在辅助电极接触区域ca中的结构。
80.参考图5，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，显示面板110包括显示区域aa和焊盘区域pa，并且多条辅助电源线evss可以从焊盘区域pa延伸到显示区域aa。
81.辅助电源线evss可以通过多个辅助电极接触区域ca与公共电极com电连接。公共电极com可以形成在整个显示区域aa上。
82.辅助电极接触区域(或凹槽)ca可以包括：设置成与辅助电源线evss重叠的辅助电源电极220；在辅助电源电极220上的钝化层pas和外涂层oc；设置在钝化层pas和外涂层oc上方的辅助电极210；以及限定辅助电极接触区域ca的堤层ba。钝化层pas可以包括暴露辅助电源电极220的一部分的开口op。钝化层pas的开口op可以形成在辅助电源电极220的一部分与辅助电极210之间。开口op可以形成暴露辅助电源电极220的一部分和辅助电极210的一端(或端部)下方的一部分的底切区域uc。辅助电极210的一端(或端部)可用作檐。被设置成对应于辅助电极210的一端(或端部)的檐结构的外涂层oc和钝化层pas可以形成为具有阶差结构。
83.参考图6至图8，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，辅助电源电极220可以设置在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中，并且钝化层pas可以设置在辅助电源电极220上。外涂层oc可以设置在钝化层pas上，并且辅助电极210可以设置在钝化层pas和外涂层oc上方。另外，堤层ba可以设置在辅助电极210上。钝化层pas可以形成暴露辅助电源电极220的一部分并且暴露辅助电极210的一端(或端部)下方的一部分的底切区域uc。
84.发光层el可以设置在辅助电极210和堤层ba上，并且公共电极com可以设置在发光层el上。另外，发光层el可以设置在被底切区域uc暴露的辅助电源电极220上，并且公共电极com可以设置在发光层el上。
85.根据本公开的实施例，填充物310a、310b和310c可以以各种形式设置在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中。例如，填充物310a、310b和310c可以形成为对应于辅助电极接触区域ca的岛状图案。
86.如图6所示，根据本公开的一个实施例的填充在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中的填充物310a可以填充至与堤层ba上的公共电极com的上表面齐平的平面。例如，填充物310a的上表面可以设置在与堤层ba上的公共电极com的上表面齐平的平面上。例如，填充在辅助电极接触区域ca中的填充物310a可以被设置成通过使用旋涂方法到达与堤层ba上的公共电极com的上表面齐平的平面。
87.构成封装层的第一无机膜320a、有机膜330a和第二无机膜340可以依次被沉积在填充在公共电极com和辅助电极接触区域ca中的填充物310a上。因为公共电极com和填充物310a彼此齐平，所以第一无机膜320a和有机膜330a可以是平坦的而没有阶差。因此，可以防
止在设置在公共电极com和填充物310a上的第一无机膜320a中产生缝。
88.如图7所示，根据本公开的另一实施例的填充在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中的填充物310b可以被填充为覆盖堤层ba上的公共电极com的上表面的一部分。填充物310b可以被设置成与堤层ba的上表面的一部分重叠。例如，填充物310b的上表面可以覆盖堤层ba上的公共电极com的上表面的一部分。此外，填充物310b可以覆盖堤层ba的部分上表面以及堤层ba的侧面。可以填充填充物310b以覆盖辅助电极接触区域ca的外围区域的一部分。填充物310b可以通过使用狭缝挤压涂布方法或喷墨涂布方法被设置成覆盖位于堤层ba的上表面上的公共电极com的一部分。
89.构成封装层的第一无机膜320b、有机膜330b和第二无机膜340可以依次沉积在填充在公共电极com和辅助电极接触区域ca中并覆盖公共电极com的一部分的填充物310b上。填充物310b可以通过填充辅助电极接触区域ca而消除由辅助电极接触区域ca导致的阶差。因此，可以防止在设置在公共电极com和填充物310b上的第一无机膜320b中产生缝。
90.如图8所示，根据本公开的又一实施例的填充在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中的填充物310c可以设置在堤层ba上的公共电极com的上表面与钝化层pas的上表面之间。填充物310c可以被设置成与辅助电极210的一端(或端部)重叠。例如，填充物310c的上表面可以覆盖辅助电极210的上表面的一部分。可替代地，填充物310c的上表面可以覆盖辅助电极210的上表面。例如，填充物310c可以填充钝化层pas的底切区域uc。填充物310c的上表面可以设置在堤层ba上的公共电极com的上表面与钝化层pas的上表面之间。填充物310c可以填充在由辅助电极接触区域(或凹槽)ca导致的阶差(或间隔)的一部分中并且被设置成覆盖辅助电极接触区域ca的阶差区域。
91.此外，尽管未在附图中示出，根据本公开的另一实施例，对于填充在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中的填充物310c可以没有特别的限制，只要填充物310c填充在底切区域uc中即可。例如，填充物310c可以填充在辅助电极接触区域(或凹槽)ca中使得填充物310c的上表面与钝化层pas的上表面平齐或者高于钝化层pas的上表面(即，辅助电极接触区域(或凹槽)ca的上表面)。
92.构成封装层的第一无机膜320c、有机膜330c和第二无机膜340可以依次沉积在至少部分地填充在公共电极com和辅助电极接触区域ca中的填充物310c上。填充物310c可以通过填充辅助电极接触区域ca来减轻由辅助电极接触区域ca导致的阶差。因此，可以防止在设置在公共电极com和填充物310c上的第一无机膜320c中产生缝。
93.图9是示出根据本公开的实施例的发光显示装置中的显示装置的另一示例的示意性平面图。
94.参考图9，在根据本公开的另一实施例的发光显示装置中，显示面板110包括显示区域aa和焊盘区域pa，并且多条辅助电源线evss可以从焊盘区域pa延伸到显示区域aa。
95.辅助电源线evss可以通过多个辅助电极接触区域ca与公共电极com电连接。公共电极com可以形成在整个显示区域aa上。
96.辅助电极接触区域(或凹槽)ca可以包括：设置成与辅助电源线evss重叠的辅助电源电极220；在辅助电源电极220上的钝化层pas和外涂层oc；设置在钝化层pas和外涂层oc上方的辅助电极210；以及限定辅助电极接触区域ca的堤层ba。钝化层pas可以包括暴露辅助电源电极220的一部分的开口op。钝化层pas的开口op可以形成在辅助电源电极220的一
部分与辅助电极210之间。开口op可以形成暴露辅助电源电极220的一部分和辅助电极210的一端(或端部)下方的一部分的底切区域uc。辅助电极210的一端(或端部)可用作檐。被设置成对应于辅助电极210的一端(或端部)的檐结构的外涂层oc和钝化层pas可以形成为具有阶差结构。
97.如图9所示，在根据本公开的另一实施例的发光显示装置中，填充物310d可以形成为与辅助电源线evss重叠的线图案。例如，填充物310d可以通过使用狭缝挤压涂布方法或喷墨涂布方法形成为与辅助电源线evss重叠的线图案，并且可以被设置成填充在由辅助电极接触区域ca导致的凹槽中。
98.根据本公开的一个实施例的发光显示装置可以被描述如下。
99.根据本公开的实施例的发光显示装置可以包括：基板；电路层，电路层具有设置在基板上的薄膜晶体管和辅助电源电极；绝缘层，绝缘层设置在电路层上并且包括暴露辅助电源电极的一部分的第一开口；像素电极，像素电极设置在绝缘层上并连接到薄膜晶体管；辅助电极接触区域，辅助电极接触区域形成在绝缘层中；辅助电极，辅助电极形成在绝缘层上；发光层，发光层设置在像素电极和辅助电极上；公共电极，公共电极设置在发光层上并通过辅助电极接触区域与辅助电源电极电连接；填充物，填充物设置在辅助电极接触区域中；以及封装层，封装层设置在公共电极和填充物上，其中，绝缘层的第一开口包括在辅助电源电极与辅助电极之间的底切区域，其中，底切区域填充有填充物。
100.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物可以包括有机材料。
101.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，封装层可以包括设置在公共电极和填充物上的第一无机膜、设置在第一无机膜上的有机膜和设置在有机膜上的第二无机膜。
102.根据本公开的实施例的发光显示装置还可以包括设置在封装层上并且与像素电极重叠的滤色器。
103.根据本公开的实施例的发光显示装置还可以包括堤层，堤层设置在绝缘层上，在像素电极上限定第二开口其中，发光层可以设置在像素电极和堤层上。
104.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物的上表面可以设置在堤层上的公共电极的上表面与绝缘层的上表面之间。
105.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物的上表面可以与堤层的一部分重叠。
106.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物的上表面可以覆盖堤层上的公共电极的一部分。
107.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物的上表面可以被设置成与堤层上的公共电极的上表面齐平。
108.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物可以形成为与辅助电极接触区域对应的岛状图案。
109.根据本公开的实施例的发光显示装置还可以包括电连接到辅助电源电极的辅助电源线，其中，填充物可以形成为与辅助电源线重叠的线图案。
110.根据本公开的实施例的发光显示装置可以包括：基板；电路层，电路层具有设置在基板上的薄膜晶体管和辅助电源电极；绝缘层，绝缘层设置在电路层上；像素电极，像素电极设置在绝缘层上并连接到薄膜晶体管；辅助电极，辅助电极形成在绝缘层上；凹槽，凹槽
形成在绝缘层中并且暴露辅助电源电极的一部分；发光层，发光层设置在像素电极和辅助电极上；公共电极，公共电极设置在发光层和辅助电极上并通过凹槽与辅助电源电极电连接；填充物，填充物设置在凹槽中，使得填充物的上表面与凹槽的上表面平齐或者高于凹槽的上表面；以及封装层，封装层设置在公共电极和填充物上。
111.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，像素电极和辅助电极可以由相同的材料制成。
112.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，可以在辅助电极的端部的檐结构下方设置底切区域。
113.根据本公开的实施例的发光显示装置还可以包括堤层，堤层设置在绝缘层上，在像素电极上限定第二开口，其中，发光层可以设置在像素电极和堤层上。
114.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物可以填充在堤层上的公共电极的上表面与绝缘层的上表面之间的凹槽中。
115.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物可以填充在与堤层的一部分重叠的凹槽中。
116.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物可以覆盖堤层上的公共电极的一部分。
117.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物可以填充在凹槽中并与堤层上的公共电极的上表面齐平。
118.在根据本公开的实施例的发光显示装置中，填充物可以形成为岛状图案，该岛状图案被填充为对应于凹槽。
119.根据本公开的实施例的发光显示装置还可以包括与辅助电源电极电连接的辅助电源线，其中，填充物可以形成为与辅助电源线重叠的线图案并填充在凹槽中。
120.根据本公开，可以获得以下有益效果。
121.根据本公开的发光显示装置可以在阴极和低电位电源线彼此接触的底切区域中填充有机膜，以最小化与外围区域的阶差，从而防止在要沉积的无机膜中产生缝，并阻止在无机膜上形成水分渗透路径从而阻止水分通过有机膜。因此，提高了发光显示装置的可靠性。
122.对于本领域技术人员来说，显而易见的是，以上描述的本公开不受上述实施例和附图的限制，并且在不偏离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的范围由所附权利要求书限定，旨在使由权利要求的含义、范围和等效概念得出的所有变化或修改都落入本公开的范围内。