改善绝缘层裂纹的发光二极管芯片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种改善绝缘层裂纹的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括：衬底(10)、外延层(20)、第一电极(31)、第二电极(32)和绝缘层(40)，所述外延层(20)包括依次层叠于所述衬底(10)上的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第二半导体层(23)的表面具有露出所述第一半导体层(21)的凹槽(24)；所述第一电极(31)位于所述凹槽(24)内且与所述第一半导体层(21)相连，所述第一电极(31)靠近所述第一半导体层(21)的表面与所述第一电极(31)的侧壁呈第一锐角；所述第二电极(32)位于所述第二半导体层(23)的表面，所述第二电极(32)靠近所述第二半导体层(23)的表面与所述第二电极(32)的侧壁呈第二锐角；所述绝缘层(40)位于所述第一半导体层(21)、所述第二半导体层(23)、所述第一电极(31)和所述第二电极(32)上。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一锐角和所述第二锐角均为30
°
至40
°
。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘层(40)上具有第一通孔(41)和第二通孔(42)，所述第一通孔(41)露出所述第一电极(31)，所述第二通孔(42)露出所述第二电极(32)，所述第一通孔(41)的内壁与所述第一电极(31)远离所述衬底(10)的表面呈第一钝角，所述第二通孔(42)的内壁与所述第二电极(32)远离所述衬底(10)的表面呈第二钝角，所述第一通孔(41)内具有第一焊点块(61)，所述第二通孔(42)内具有第二焊点块(62)。4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一钝角和所述第二钝角为100
°
至160
°
。5.根据权利要求1至4任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极(31)包括依次层叠的au层、aube层和au层；所述第二电极(32)包括依次层叠的au层、augeni层、au层、pt层、ti层、pt层和ti层。6.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底上生长外延层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第二半导体层的表面具有露出所述第一半导体层的凹槽；在所述凹槽内形成与所述第一半导体层相连的第一电极，所述第一电极靠近所述第一半导体层的表面与所述第一电极的侧壁呈第一锐角；在所述第二半导体层的表面形成第二电极，所述第二电极靠近所述第二半导体层的表面与所述第二电极的侧壁呈第二锐角；在所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第一电极和所述第二电极上形成绝缘层。7.根据权利要求6所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成与所述第一半导体层相连的第一电极，包括：在所述外延层远离所述衬底的表面形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层对应所述第一半导体层上待形成所述第一电极的区域具有第一蒸镀孔，所述第一蒸镀孔包括相连的第一段和第二段，所述第一段靠近所述第一半导体层的表面，所述第一段和所述第二段均为锥形，且所述第一段的大端和所述第二段的大端靠近所述衬底，所述第一段的内壁与所述第一半导体层的表面之间的第一夹角小于所述第二段的内壁与所述第一半导体层的表面
之间的第二夹角；在所述第一蒸镀孔内蒸镀形成所述第一电极，所述第一锐角位于所述第一夹角和所述第二夹角之间。8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层远离所述衬底的表面形成第一光刻胶层，包括：在所述外延层远离所述衬底的表面涂覆负性光刻胶；采用灰度掩膜对所述负性光刻胶进行曝光，显影后形成所述第一蒸镀孔，得到所述第一光刻胶层。9.根据权利要求7所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述第二半导体层的表面形成第二电极，包括：在所述外延层远离所述衬底的表面形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层对应所述第二半导体层上待形成所述第二电极的区域具有第二蒸镀孔，所述第二蒸镀孔包括相连的第三段和第四段，所述第三段靠近所述第一半导体层的表面，所述第三段和所述第四段均为锥形，且所述第三段的大端和所述第四段的大端靠近所述衬底，所述第三段的内壁与所述第二半导体层的表面之间的第三夹角小于所述第四段的内壁与所述第二半导体层的表面之间的第四夹角；在所述第二蒸镀孔内蒸镀形成所述第二电极，所述第二锐角位于所述第三夹角和所述第四夹角之间。10.根据权利要求9所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层远离所述衬底的表面形成第二光刻胶层，包括：在所述外延层远离所述衬底的表面涂覆负性光刻胶；采用灰度掩膜对所述负性光刻胶进行曝光，显影后形成所述第二蒸镀孔，得到所述第二光刻胶层。

技术总结
本公开提供了一种改善绝缘层裂纹的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括：衬底、外延层、第一电极、第二电极和绝缘层，外延层包括依次层叠于衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽；第一电极位于凹槽内且与第一半导体层相连，第一电极靠近第一半导体层的表面与第一电极的侧壁呈第一锐角；第二电极位于第二半导体层的表面，第二电极靠近第二半导体层的表面与第二电极的侧壁呈第二锐角；绝缘层位于第一半导体层、第二半导体层、第一电极和第二电极上。本公开实施例能改善绝缘层在电极的垂直转角处延伸至半导体层时容易出现裂纹的问题。问题。问题。


技术研发人员：肖和平 朱迪 郭磊 郭一 杨永杰
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2022.03.08
技术公布日：2022/7/12