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阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

2022-07-13 03:29:34 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种阵列基板,包括多条数据线、多条扫描线和像素阵列,所述数据线用于输入对应极性的数据信号,所述扫描线用于逐行输入行开启信号,所述像素阵列包括阵列排布的子像素,每一子像素包括分别与同一所述数据线和同一所述扫描线连接的主像素和次像素;所述主像素包括主像素电极和主薄膜晶体管,所述主像素电极通过所述主薄膜晶体管对应连接所述数据线和所述扫描线;所述次像素包括次像素电极、次薄膜晶体管和电荷共享薄膜晶体管;所述次像素电极通过所述次薄膜晶体管对应连接所述数据线和所述扫描线;其特征在于:所述电荷共享薄膜晶体管的栅极与对应所述扫描线连接,所述电荷共享薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极连接,所述电荷共享薄膜晶体管的源极通过导电结构与同列另一行的所述子像素的主像素电极连接,其中,本行所述子像素和同列另一行的所述子像素依次逐行驱动。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电结构与所述主像素电极异层设置,所述主像素电极与所述次像素电极同层设置,所述导电结构沿同列当前行的次像素电极的竖直主干的正下方延伸,并通过过孔连接同列下一行的所述主像素电极。3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述主像素电极和所述次像素电极分别包括四个显示畴;所述主像素电极包括临近同列上一行的次像素电极的两个同行的第一显示畴和第二显示畴,以及远离同列上一行的次像素电极的两个同行的第三显示畴和第四显示畴;所述导电结构沿同列当前行的次像素电极的竖直主干的下方延伸至同列下一行的所述主像素电极中的第一显示畴和第二显示畴的边缘中心点的正下方,并通过过孔连接所述主像素电极。4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述主像素电极和所述次像素电极分别包括四个显示畴;所述导电结构沿同列当前行的次像素电极的竖直主干的下方延伸至同列下一行的所述主像素电极的四个显示畴的中心位置的正下方,并通过过孔连接所述主像素电极。5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电结构与所述主像素电极异层设置,所述主像素电极与所述次像素电极同层设置,所述阵列基板还包括:第一公共电极,各所述主像素电极与所述第一公共电极边缘部分重叠形成主存储电容,各所述次像素电极与所述第一公共电极边缘部分重叠形成次存储电容;所述导电结构与所述第一公共电极异层设置;所述导电结构沿所述第一公共电极的正上方或者正下方延伸,并通过过孔连接至同列下一行的所述主像素电极的对应显示畴的边缘位置。6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述导电结构还沿所述同列下一行的所述主像素电极的水平主干的下方延伸,并通过过孔连接至所述主像素电极的对应显示畴的中心位置。7.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电结构与所述主像素电极异层设置,所述主像素电极与所述次像素电极同层设置,所述导电结构与所述数据线异层设置;所述导电结构沿同列子像素共同连接的所述数据线的正上方或者正下方延伸,并连接至同列下一行的所述主像素电极的对应显示畴的边缘位置。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述导电结构还沿所述同列下一行的所述主像素电极的水平主干的下方延伸,并通过过孔连接至所述主像素电极的对应显示畴的中心位置。9.一种显示面板,其特征在于,包括彩膜基板、液晶层和如权利要求1~8任一项所述的阵列基板,所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间。10.一种显示装置,其特征在于,包括背光模组、显示面板驱动电路和如权利要求9所述的显示面板,所述显示面板驱动电路与所述显示面板对应连接,所述背光模组与所述显示面板相对设置。

技术总结
本申请属于阵列基板技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置,其中,阵列基板包括多条数据线、多条扫描线和像素阵列,像素阵列包括阵列排布的子像素,每一子像素的电荷共享薄膜晶体管的源极通过导电结构与同列另一行的子像素的主像素电极连接,本行子像素与同列另一行的子像素逐行驱动,电荷共享薄膜晶体管通过另一行的主像素电极放电,原贯穿结构的公共电极变成多条分段的导电结构,提升了阵列基板的开口率,同时,对另一行的主像素电极实现预充电,提升主像素的充电率,提升显示面板的显示效果。面板的显示效果。面板的显示效果。


技术研发人员:黄世帅 郑浩旋
受保护的技术使用者:惠科股份有限公司
技术研发日:2022.05.06
技术公布日:2022/7/12
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